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InSb焦平面器件表面末处理技术研究 预览

Study on Post-treatment Technology for the Surface of InSb Focal Plane Device
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摘要 InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能。通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的表面质量,提高了焦平面器件的性能。 The performance of InSb focal plane device becomes lowed because of mild nicks and damnification after thinning. A method that the damnification layer removed and ZnS film sputtered after polishing is used through working over the treatment echnology for InSb focal plane-arrays chip surface, and the good performance of FPAS is gained.
作者 耿东锋 王海珍 李明华 郑克霖 GENG Dong-feng, WANG Hai-zhen, LI Ming-hua, ZHENG Ke-lin (China Airborne Missile Academy, Luoyang 471009, China)
出处 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第2期 96-99,共4页 Infrared Technology
关键词 焦平面器件 腐蚀 抗反射膜 focal plane device, corrosion, antireflection layer
作者简介 耿东锋(1979-),男,硕士,工程师,研究方向为红外光电探测器技术。
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