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金刚石半导体器件的研究与展望 预览 被引量:1

Study and Prospect of Diamond Semiconductor Devices
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摘要 介绍了金刚石半导体器件的发展现状与技术,对金刚石肖特基二极管双极器件和金刚石场效应管进行了较详细的分析。同时,讨论了该领域的未来研究趋向 The current status and techno-logy of diamond semiconductor is presented. A detailed analysis is performed on the diamond Schottky diodes, the diamond bipolar devices and the diamond FETs. The research trend in this area is discussed.
作者 孙再吉
出处 《电子工程师》 2000年第2期 39-42,共4页 Electronic Engineer
关键词 金刚石 半导体器件 二极管 场效应管 wide band-gap device, bipolar device, FET
  • 相关文献

参考文献1

共引文献4

同被引文献11

  • 1Field JE. The properties of natural and synthetic diamond. New York:Academic Press, 1992. 被引量:1
  • 2Davis G. Properties of diamond. INSPEC, 1994. 被引量:1
  • 3Koizumi Set al, Diamond Rel Mater, 1998(7):540. 被引量:1
  • 4R.Kalish, Doping of diamond, Carbon, 1999(37):781-785. 被引量:1
  • 5Kucherov, et al. US Patent 5,792,256, 1998. 被引量:1
  • 6Mueller. W, De wan. H.S, Applied Surface Science, 1999, V146(1-4):328-333. 被引量:1
  • 7Baik. E.S, et al, Thin Solid Film, 2000, V377-378:299-302. 被引量:1
  • 8Ebert W, Vesean A et al. High current p/p+diamond schottky diode,IEEE EDL,1994,15(8):289-291. 被引量:1
  • 9Vescan A, Gluehe Pet al. High-temperature,high-voltage operatin of pulse-doped diamond MESFET. IEEE EDL, 1997,18(5):222-224. 被引量:1
  • 10季振国.金刚石薄膜与新一代平面显示器[J].半导体光电,1998,19(5):291-293. 被引量:2

引证文献1

二级引证文献11

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