期刊文献+

碲镉汞焦平面器件背面减薄技术 预览

Back-thinning technology of HgCdTe infrared focal plane array
在线阅读 下载PDF
收藏 分享 导出
摘要 采用机械抛光和机械化学抛光的方法进行碲镉汞焦平面器件的碲锌镉衬底背面减薄,最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将碲锌镉衬底全部去除,碲镉汞完全露出;器件测试结果表明减薄后的MW1280×1024器件经受高低温循环冲击的可靠性显著提高。 Mechanical polish and chemical mechanical polish are used to back-thin the CdZnTe substrate of HgCdTe infrared focal plane arrays. The special etch liquid is applied to remove the remaining CdZnTe substrate,and the HgCdTe exposes totally. The experiment results indicate that the reliability of HgCdTe MW1280 ×1024 device after back-thinning is greatly improved.
作者 李春领 刘海龙 LI Chun-ling, LIU Hai-long ( North China Research Institute of Electro-optics, Beijing 100015, China)
出处 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期637-639,共3页 Laser & Infrared
关键词 碲镉汞焦平面 背面减薄 可靠性 机械化学抛光 腐蚀 HgCdTe FPA back-thinning reliability CMP etch
作者简介 李春领(1979-),男,硕士,高工,主要从事红外材料与器件研究。E—mail:dadonggua163@163.com
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献44

共引文献64

投稿分析

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部 意见反馈
新型冠状病毒肺炎防控与诊疗专栏