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含掺杂的金刚石 预览 被引量:11

Doped Diamonds
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摘要 含Ⅲ族与Ⅴ族元素掺杂的金刚石是宽禁带的半导体材料,同时具有优异的物理化学特性,在电子器件与光电子器件方面的应用具有极大潜力,成为近几年来国内外研究的热点之一。本文介绍了目前常用的掺杂方法、技术水平及金刚石半导体的应用前景。 Diamond doped with Ⅲ or Ⅴ column elements is a wide-bandgap semiconductor with superior physical and chemical properties. Semi-conducting diamond has great promise in electronic and optoelectronic devices due to its exceptional properties. The current status and technology of diamond doping (including CVD method and ion implantation) are reviewed and the prospect of diamond semiconductor is presented.
作者 臧建兵 黄浩 赵玉成 ZANG Jianbing et al
出处 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2002年第1期 16-18,共3页 Diamond & Abrasives Engineering
基金 河北省自然科学基金 (5 0 0 196 )资助
关键词 金刚石 半导体 掺杂 电子器件 光电子器件 Diamond Doping Semiconductor
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二级参考文献9

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