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碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性 预览 被引量:3

Fabrication of Aligned Carbon Nanotubes by a Vapor-phase Deposition Technique and Their Field Emission Properties
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摘要 运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm,长度约4~5 μm,且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性,相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V·μm-1,表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像,发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳纳米管密度过大而产生的屏蔽效应所致. Well-aligned carbon nanotubes with multiwall structure were fabricated by using a vapor-phase deposition technique based on the pyrolysis of iron phthalocyanine. The average diameter of single nanotube is about 25 nm, and the length of each is from 4 to 5 mum. The result of measure on the planar field emission of the aligned carbon nanotubes shows a very powerful ability of as-synthesized carbon nanotubes in the field emission with a turn-on voltage of 1.28 V (.) mum(-1) and a threshold voltage of 2.3 V (.) mum(-1). The field emission image of the aligned carbon nanotubes was also observed through using a field emission microscope, and it was found that the field emission of the carbon nanotubes was mainly centered on the edge of the thin film sample, which was attributed to the screening effect caused by the overlarge density of the carbon nanotubes.
作者 张琦锋 于洁 宋教花 张耿民 张兆祥 薛增泉 吴锦雷 Zhang, QF;Yu, J;Song, JH;Zhang, GM;Zhang, ZX;Xue, ZQ;Wu, JL;
出处 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期 409-413,共5页 Acta Physico-Chimica Sinica
基金 国家重点基础研究发展计划(973计划),国家自然科学基金,北京市自然科学基金,高等学校博士学科点专项科研项目
关键词 碳纳米管阵列 气相沉积 制备 场发射特性 屏蔽效应 carbon nanotube vapor-phase deposition field emission screening effect
  • 相关文献

参考文献27

  • 1Deheer, W. A.; Chatelain, A.; Ugarte, D. Science, 1995,270:1179 被引量:1
  • 2Kuttel, O. M.; Groning, O.; Emmenegger, C.; Schlapbach,L. Appl. Phys. Lett., 1998, 73(15): 2113 被引量:2
  • 3Bonard, J.M.; Maier, F.; Stockli, T.; Chatelain, A.; de Heer, W. A. ;Salvetat, J.P.; Forro, L. Ultramicroscopy,1998, 73(1-4): 7 被引量:2
  • 4Fan, S. S.; Chapline, M. G.; Franklin, N. R.; Tombler,T. W.; Cassell, A. M.; Dai, H.J. Science, 1999, 283:512 被引量:2
  • 5Xu, X.P.; Brandes, G.R. Appl. Phys. Lett., 1999, 74(17):2549 被引量:2
  • 6Murakami, H.; Hirakawa, M.; Tanaka, C.; Yamakawa, H.Appl. Phys. Lett., 2000, 76(13): 1776 被引量:2
  • 7Nilsson, L.; Groening, O.; Emmenegger, C.; Kuettel, O.;Schaller, E. ;Schlapbach, L.; Kind, H.; Bonard, J. M.;Kern, K. Appl. Phys. Lett., 2000, 76(15): 2071 被引量:1
  • 8Choi, W.B.; Jin, Y.W.; Kim, H.Y.; Lee, S. J.; Yun,M.J.; Kang, J.H.;Choi, Y.S.; Park, N. S.; Lee, N. S.;Kim, J.M. Appl. Phys. Lett., 2001, 78(11): 1547 被引量:1
  • 9Matsumoto, K.; Kinosita, S.; Gotoh, Y.; Uchiyama, T.;Manalis, S; Quate, C. Appl. Phys. Lett., 2001, 78(4): 539 被引量:1
  • 10Saito, Y.; Hamaguchi, K.; Hata, K.; Tohji, K.; Kasuya,A.; Nishina, Y.; Uchida, K.; Tasaka, Y.; Ikazaki, F.;Yumura, M. Ultramicroscopy, 1998, 73(1-4): 1 被引量:1

共引文献1

同被引文献67

  • 1Iijima,S.Nature,1991,354:56 被引量:1
  • 2Treacy,M.J.; Ebbesen,T.W.; Gilson,J.M.Nature,1996,381:678 被引量:1
  • 3Wong,E.W.; Sheelan,P.E.; Lieber,C.M.Science,1997,277:1971 被引量:1
  • 4Hamada,N.; Sawada,S.I.; Oshiyama,A.Phys.Rev.Lett.,1992,68(10):1579 被引量:1
  • 5Mintmire,J.W.; Dunlap,B.I.; White,C.T.Phys.Rev.Lett.,1992,68 (5):631 被引量:1
  • 6Ren,Z.F.; Huang,Z.P.; Xu,J.W.; Wang,J.H.; Bush,P.; Siegal,M.P.; Provencio,P.N.Science,1998,282:1105 被引量:1
  • 7Andrews,R.; Jacques,D.; Rao,A.M.; Derbyshire,F.; Qian,D.;Fan,X.; Dickey,E.C.; Chen,J.Chem.Phys.Lett.,1999,303(5-6):467 被引量:1
  • 8Ebbesen,T.W.; Ajayan,P.M.; Hiura,H.; Tanigaki,K.Nature,1994,367:519 被引量:1
  • 9Savage,G.Carbon-carbon composites.London:Chapman & Hall,1993 被引量:1
  • 10Bai,X.D.; Li,D.; Du,D.; Zhang,H.J.; Chen,L.F.; Liang,J.Carbon,2004,42 (10):2125 被引量:1

引证文献3

二级引证文献41

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