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HgI2-HI-H2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长 预览
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作者 许岗 张改 +4 位作者 杨丛笑 陈静 李俊英 谷智 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第5期871-875,共5页
在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2晶体。结果表明,HgI2-HI-H2O溶液中存在[HgI3]^-,[HgI4]^2-和H... 在HgI2-HI-H2O溶液体系中,采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素,得到了不同形貌的HgI2晶体。结果表明,HgI2-HI-H2O溶液中存在[HgI3]^-,[HgI4]^2-和HgI2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移,形成取向性生长的晶体,晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移,形成颗粒度大的HgI2晶体;负极主要是由中性HgI2键合并相变形成的小颗粒HgI2晶体。分析认为,HgI2-HI-H2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。 展开更多
关键词 碘化汞 电场诱导 生长单元 结构控制
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α-HgI2晶体附着能的计算 预览
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作者 陈静 许岗 +2 位作者 袁昕 杨丛笑 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第6期608-613,共6页
为研究碘化汞(HgI2)晶体生长形貌的变化规律,使用Material Studio(MS)软件中的Morphology和Forcite模块计算HgI2晶体的附着能(Eatthkl)明确晶体的生长速率Rhkl.采取封端法辅助切面法将非收敛结构转换为收敛结构后计算α-HgI2晶体的附着... 为研究碘化汞(HgI2)晶体生长形貌的变化规律,使用Material Studio(MS)软件中的Morphology和Forcite模块计算HgI2晶体的附着能(Eatthkl)明确晶体的生长速率Rhkl.采取封端法辅助切面法将非收敛结构转换为收敛结构后计算α-HgI2晶体的附着能.以βHgI2晶体为参照,通过对β-HgI2使用生长形态法与封端法辅助切面法同步计算附着能,分析封端法辅助切面法计算晶体附着能的合理性.结果表明:使用封端法辅助切面法计算出αHgI2晶体(001)、(101)和(110)的Eatthkl分别为-9.86,-23.04和-26.87kJ·mol^-1.分别采用生长形态法与封端法辅助切面法同步计算的β-HgI2晶体(001)、(110)、(111)、(020)和(021)的Eatthkl结果相同,说明封端法辅助切面法可以用于计算α-HgI2晶体Eatthkl. 展开更多
关键词 附着能 非收敛结构 晶面生长速率 α-HgI2晶体形态 β-HgI2晶体形态
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