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OCC技术制备的单晶铜线材冷拔组织TEM分析 被引量:5
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作者 陈建 严文 +2 位作者 苗健 范新会 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期 1727-1731,共5页
采用TEM系统分析了OCC技术制备的单晶铜线材在冷拔过程中形成的位错胞、几何必须界面以及孪晶,发现当真应变小于0.94时,冷拔单晶铜线材的微观组织为位错胞。当真应变大于0.94时,其微观组织主要包括位错胞和几何必须界面两类组织。其中... 采用TEM系统分析了OCC技术制备的单晶铜线材在冷拔过程中形成的位错胞、几何必须界面以及孪晶,发现当真应变小于0.94时,冷拔单晶铜线材的微观组织为位错胞。当真应变大于0.94时,其微观组织主要包括位错胞和几何必须界面两类组织。其中位错胞沿冷拔方向拉长,横界面上为等轴状。随变形量的增加,位错胞尺寸减小,当真应变大于1.39时,位错胞尺寸不再随塑性变形量的增加而减小,其直径保持在0.28μm左右。当变形量比较小时,两类几何必须位错界面属于晶体学界面,当变形量比较大时,几何必须位错界面与冷拔方向平行。同时,分析还发现冷拔单晶铜线材中存在少量由凝固过程形成并遗传到形变组织以及在冷拔过程直接形成的两类孪晶。 展开更多
关键词 单晶铜线材 冷拔变形 位错胞 几何必须界面 孪晶
单晶铜线材在冷拔过程中形成的亚结构 预览 被引量:7
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作者 陈建 严文 +3 位作者 陈绍楷 王雪艳 范新会 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS 北大核心 2007年第11期 1896-1900,共5页
采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析。结果表明,变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段;当真应变为1.96时,变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构,织... 采用光学金相和电子背散射衍射对单晶铜线材拉拔变形过程中的组织演化进行了分析。结果表明,变形单晶铜线材组织的演化分为3个阶段;当真应变为1.96时,变形单晶铜线材由〈100〉转变为〈100〉、〈111〉以及比较弱的〈112〉丝织构,织构组分转变是由剪切变形所致;当真应变为0.94时,界面错配角小于14°,属于小角度界面,当真应变为1.96时,界面错配角超过50°,在25°~30°大角度范围出现了由织构演化形成的第2个峰。 展开更多
关键词 OCC技术 单晶铜线材 变形组织 电子背散射衍射(EBSD)
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