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动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型 预览
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作者 雍明阳 阳小明 +1 位作者 李天 韩旭 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期57-62,共6页
在SOI(绝缘衬底上的硅)器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF(降低表面电场)效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RES... 在SOI(绝缘衬底上的硅)器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF(降低表面电场)效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RESURF效应将会发生改变,从而使器件的实际耐压性能发生改变。基于此,提出动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型,通过求解相应的二维泊松方程,获取新的表面电场分布表达式。并对动态耐压下器件的击穿特性进行分析,阐述动态耐压下促使器件RESURF效应改善的物理机制。与此同时,依据新的表面电场分布表达式,优化衬底掺杂浓度,以使SOI RESURF器件在各类功率集成电路中具有更好的实用性。最后由仿真分析验证了所提模型的正确性。 展开更多
关键词 SOI 半导体器件 表面电场 数值仿真 二维模型 击穿特性
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箭头型超材料模型及其在无线电力传输中的应用 预览 被引量:8
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作者 马波 阳小明 +2 位作者 李天 王邦吉 邱锡强 《西华大学学报:自然科学版》 CAS 2015年第5期47-50,共4页
为改善无线电力传输系统中微带发射天线的增益和方向性系数2个性能指标,提出一种新型箭头型超材料模型。通过HFSS电磁软件仿真和反演参数法提取其有效参数从而验证所设计的箭头型超材料模型在6.51~7.34GHz频段符合等效介电常数和等... 为改善无线电力传输系统中微带发射天线的增益和方向性系数2个性能指标,提出一种新型箭头型超材料模型。通过HFSS电磁软件仿真和反演参数法提取其有效参数从而验证所设计的箭头型超材料模型在6.51~7.34GHz频段符合等效介电常数和等效磁导率同时为负的性质;将箭头型超材料模型加载作为微带天线覆层,从而使微带天线的E面和日面远场辐射方向性系数的HPBW分别减少48.7%和54.9%,其最大增益和最大方向性系数分别从7.665、7.45dB增加到10.977、11.19dB。该箭头型超材料模型和微带发射天线形成了较好的传输匹配,从而提升了无线电力能量的传输效率。 展开更多
关键词 超材料 增益 方向性系数 微带天线 无线电力传输
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相对时差超声法检测微量SF6浓度及FPGA实现 预览 被引量:2
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作者 陈长江 阳小明 +1 位作者 李天 卿朝进 《西华大学学报:自然科学版》 CAS 2014年第3期54-56,65共4页
为提高微量SF6气体浓度的检测精度和扩大其测量范围,提出相对时差超声检测方法。该方法采用1组超声传感器,通过测得的空气和混合气体接收的脉冲时间差,计算出混合气体中SF6的气体浓度。它不仅有效结合了时差法测量范围大和时间差分法测... 为提高微量SF6气体浓度的检测精度和扩大其测量范围,提出相对时差超声检测方法。该方法采用1组超声传感器,通过测得的空气和混合气体接收的脉冲时间差,计算出混合气体中SF6的气体浓度。它不仅有效结合了时差法测量范围大和时间差分法测量精度高的优点,而且便于现场可编程门阵列(FPGA)的实现。仿真结果表明,该测量方法的检测精度达到10-5,相对误差在1%以内。 展开更多
关键词 超声检测 气体浓度 相对时差 现场可编程门阵列
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斜埋氧SOI LDMOS高压器件新结构
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作者 阳小明 李天 +1 位作者 王军 卿朝进 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期16-19,50共5页
为了提高基于绝缘体上的硅(S01)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS(SSOILDMOS)耐压新结构。当器件关断时,倾斜的埋氧层束缚了大量的空穴,在埋氧层上界面引入了高密度的正电... 为了提高基于绝缘体上的硅(S01)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS(SSOILDMOS)耐压新结构。当器件关断时,倾斜的埋氧层束缚了大量的空穴,在埋氧层上界面引入了高密度的正电荷,大大增强了埋氧层中的电场,从而提高了纵向耐压。另外,埋氧层的倾斜使器件漂移区厚度从源到漏线性增加,这就等效于漂移区采用了线性变掺杂,通过优化埋氧层倾斜度,可获得一个理想的表面电场分布,提高了器件的横向耐压。对器件耐压机理进行了理论分析与数值仿真,结果表明新结构在埋氧层厚度为1μm、漂移区长度为40μm时,即可获得600V以上的击穿电压,其耐压比常规结构提高了3倍多。 展开更多
关键词 空穴 斜埋氧层 绝缘体上的硅 临界击穿电场 击穿电压
复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件 预览 被引量:1
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作者 阳小明 蔡育 +2 位作者 李天 王军 卿朝进 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期42-45,共4页
为了提高SOI—LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由P埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成。复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应。仿... 为了提高SOI—LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由P埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成。复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应。仿真结果表明,在漂移区长度为57um时,新结构耐压达到了1052V,与CamSemiSOI相当,而比导通电阻与表面最高温度分别比CamSemiSOI降低了233.05Ω·mm2和64K。 展开更多
关键词 SOI-LDMOS功率器件 复合埋层 击穿电压
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负折射率介质测试装置设计与测试 预览
6
作者 黄勇军 文光俊 +1 位作者 李天 谢康 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期 221-224,共4页
为深入了解负折射率媒质的奇异传输特性,基于斯涅耳折射原理,设计并加工了一种用于测试X波段(8.2-12.4 GHz),以亚铁磁材料为基体,内嵌金属线阵列宏结构的负折射率介质样品折射特性的实验装置。分别测试了楔形石蜡样品和楔形负折射率... 为深入了解负折射率媒质的奇异传输特性,基于斯涅耳折射原理,设计并加工了一种用于测试X波段(8.2-12.4 GHz),以亚铁磁材料为基体,内嵌金属线阵列宏结构的负折射率介质样品折射特性的实验装置。分别测试了楔形石蜡样品和楔形负折射率介质样品在X波段的折射特性,对石蜡样品测试结果的分析证明了该折射特性测试装置的有效性,对负折射率介质样品测试结果的分析证明了合成介质确实具有负折射效应。通过电磁仿真方法,测试了平行板负折射率介质的波束位移特性,进一步证明了该种合成介质的负折射特性。 展开更多
关键词 负折射率介质 亚铁磁材料 金属线阵列 折射特性测试装置 波束位移实验
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埋部分P+层背栅SOI高压器件新结构 被引量:1
7
作者 阳小明 李天 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第4期54-57,共4页
提出了一种埋部分P+层的背栅SOI(Buried Partial P+layer SOI,BPP+SOI)高压器件新结构.部分P+层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电压随背栅压的增加而大幅增加,比导通电阻也显著降... 提出了一种埋部分P+层的背栅SOI(Buried Partial P+layer SOI,BPP+SOI)高压器件新结构.部分P+层的引入不仅有效地增强了源端埋氧层电场,而且还降低了源端PN结表面电场,使器件击穿电压随背栅压的增加而大幅增加,比导通电阻也显著降低.仿真结果表明,在漂移区长度为150μm,背栅压为650V时,BPP+SOI的耐压较常规结构提高了84.9%;在漂移区为120μm,耐压相同的情况下,BPP+SOI的比导通电阻较常规结构降低了31%. 展开更多
关键词 重掺杂P型层 背栅 击穿电压 比导通电阻
电磁超材料中负磁导率对负介电常数的影响 预览 被引量:1
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作者 黄勇军 文光俊 +1 位作者 李天 谢康 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期 2457-2460,共4页
为深入了解电磁超材料中物质间相互作用关系,理论分析了金属导体线阵列宏结构嵌入单负磁导率媒质中时其等效介电常数的变化特性.数值计算和电磁仿真方法相结合,讨论了单负磁导率媒质和单负介电常数媒质的相互作用关系,提出了减小其相互... 为深入了解电磁超材料中物质间相互作用关系,理论分析了金属导体线阵列宏结构嵌入单负磁导率媒质中时其等效介电常数的变化特性.数值计算和电磁仿真方法相结合,讨论了单负磁导率媒质和单负介电常数媒质的相互作用关系,提出了减小其相互作用的解决方法.仿真结果显示:将金属线阵列直接嵌入到单负磁导率媒质中时,电磁超材料传输特性在整个频段内为传输禁带;将金属线裹附一层绝缘材料后,传输禁带变为传输通带,这表明金属线阵列和单负磁导率媒质之间必须加入一种绝缘材料才能合成双负的电磁超材料. 展开更多
关键词 电磁超材料 单负磁导率 单负介电常数 相互作用
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图形辅助分析法在数字信号处理教学中的应用 被引量:1
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作者 阳小明 李天 《电子技术(上海)》 2010年第3期71-72,共2页
针对数字信号处理中涉及数学推导的教学难点,提出了一种直观、形象的图形分析讲解方法。由于该方法不需要直接数学推导,只涉及简单的数学知识和基本原理,符合工科学生的思维特点。实践证明采用该方法教学,可以获得良好的教学效果。
关键词 数字信号处理 图形辅助分析法 采样 线性相位
带降场层部分衬底SOI高压器件模型 预览 被引量:1
10
作者 阳小明 李天 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2009年第11期 85-86,共2页
为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折中,提出了一种带降场层部分衬底SOI高压器件的新结构。通过蚀刻掉常规SOI-LDMOS漂移区和漏端下方的衬底,使器件击穿电压不再受纵向限制。同时在漂移区引入了降场层,从而有效地改善了比导... 为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折中,提出了一种带降场层部分衬底SOI高压器件的新结构。通过蚀刻掉常规SOI-LDMOS漂移区和漏端下方的衬底,使器件击穿电压不再受纵向限制。同时在漂移区引入了降场层,从而有效地改善了比导通电阻。基于二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件在不增加比导通电阻的情况下,大大提高了耐压能力。 展开更多
关键词 器件 击穿电压/比导通电阻 降场层
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漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型 预览
11
作者 阳小明 李天 《西南民族大学学报:自然科学版》 CAS 2009年第2期 332-335,共4页
为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构.利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度.借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行... 为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构.利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度.借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研究,结果表明该器件与常规SOI—LDMOS结构相比在相同漂移区长度下耐压提高了31%.在相同耐压下比导通电阻降低了34.8%. 展开更多
关键词 绝缘体上的硅 击穿电压 比导通电阻 槽氧
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二维FIR滤波器的FPGA实现
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作者 阳小明 李天 《电子技术(上海)》 2009年第4期 34-35,共2页
对二维信号实时处理涉及大量的复数运算且对运算速度要求很高,因此二维有限长单位脉冲响应滤波器(2D-FIR)的结构比一维滤波器要复杂得多。通过对二维滤波器重要运算单元复数乘法的分析、优化减小了其所需实数乘法器的个数。采用Quartu... 对二维信号实时处理涉及大量的复数运算且对运算速度要求很高,因此二维有限长单位脉冲响应滤波器(2D-FIR)的结构比一维滤波器要复杂得多。通过对二维滤波器重要运算单元复数乘法的分析、优化减小了其所需实数乘法器的个数。采用QuartusⅡ软件综合可以得到算法优化后的二维滤波器占用逻辑资源减少了16,工作速度提高了13%。 展开更多
关键词 现场可编程门阵列 二维有限长单位脉冲响应滤波器 复数乘法 信号处理
外加恒定磁场复合微波媒质负折射率条件 预览
13
作者 李天 文光俊 +1 位作者 谢康 阳小明 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期 689-692,共4页
以亚铁磁媒质-YIG为基体,在其中嵌入金属导体线阵列是人工合成负折射率微波媒质的一种新方法。该方法采用了复合媒质磁导率张量的修正有效媒质理论,并推导出复合媒质介电常数张量的修正有效媒质理论,把在恒定磁场作用下复合媒质宏观... 以亚铁磁媒质-YIG为基体,在其中嵌入金属导体线阵列是人工合成负折射率微波媒质的一种新方法。该方法采用了复合媒质磁导率张量的修正有效媒质理论,并推导出复合媒质介电常数张量的修正有效媒质理论,把在恒定磁场作用下复合媒质宏观上等效为一种磁导率和介电常数都为各向异性的媒质。分析得到了等效磁导率和等效介电常数张量,做出了色散曲线,获得了负折射率条件。 展开更多
关键词 有效媒质理论 等效磁导率 等效介电常数 负折射率微波媒质
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波导空间功率合成技术 预览
14
作者 李天 《西南民族大学学报:自然科学版》 CAS 2008年第5期 1008-1011,共4页
空间功率合成技术克服了固态设备和电路的根本局限,被应用于振荡器、放大器、频率合成器和控制电路.由于带宽增加的需要和更高频率的采用,基于波导的空间功率合成技术发展迅速.这些技术已被有效用于合成大量固态器件以获得更高功率... 空间功率合成技术克服了固态设备和电路的根本局限,被应用于振荡器、放大器、频率合成器和控制电路.由于带宽增加的需要和更高频率的采用,基于波导的空间功率合成技术发展迅速.这些技术已被有效用于合成大量固态器件以获得更高功率.本文以功率放大器的发展为主,综述了基于波导的空间功率合成技术在微波毫米波段的进展. 展开更多
关键词 空间功率合成 波导 准光
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基于BCM53115和TMS320DM6447的数字家庭设计 预览
15
作者 李天 阳小明 《电子元器件应用》 2008年第9期 22-23,27,共3页
介绍了数字家庭的基本概念,指出并分析了数字家庭系统实现过程中的关键问题,给出了用当前数字家庭领域的最新技术设计一个基于BCM53115和TMS320DM6447的数字家庭系统的解决方案。
关键词 数字家庭 BCM53115 TMS320DM6447
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6×6矩阵法在周期层叠结构微波媒质分析中的应用 预览
16
作者 李天 文光俊 +1 位作者 谢康 阳小明 《西华大学学报:自然科学版》 CAS 2008年第5期 4-6,共3页
基于4×4矩阵法,提出了一种分析周期层叠结构微波媒质中电磁波传播问题的新方法:6×6矩阵法。对于周期结构,运用弗洛奎定理,将周期方向的场表达式展开成傅立叶级数。对一个周期运用二维空间傅立叶变换和时间傅立叶变换,得... 基于4×4矩阵法,提出了一种分析周期层叠结构微波媒质中电磁波传播问题的新方法:6×6矩阵法。对于周期结构,运用弗洛奎定理,将周期方向的场表达式展开成傅立叶级数。对一个周期运用二维空间傅立叶变换和时间傅立叶变换,得到场分量的齐次线性方程组。将方程组表示成矩阵形式,场分量描述为6×1的列矩阵,齐次线性方程组系数描述为6×6矩阵。利用齐次线性方程组有非零解条件,得到色散关系。求解场分量的齐次线性方程组,得到各场分量。最后将其应用在周期层叠结构微波媒质的分析中。 展开更多
关键词 周期层叠结构 6×6矩阵法 二维空间傅立叶变换 弗洛奎定理
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一种变步长锁频基带信号时钟提取方法 预览
17
作者 李天 《西南民族大学学报:自然科学版》 CAS 2008年第4期 752-754,共3页
串行数字通信系统需要从一个串行数据流中抽取一个采样时钟,这个抽取通常由一个叫时钟及数据恢复单元的非线性电路实现,该电路负责跟踪信号中的低频相位变化.本文提出了一种从频率上跟踪、锁定基带信号发端时钟频率从而提取出基带信... 串行数字通信系统需要从一个串行数据流中抽取一个采样时钟,这个抽取通常由一个叫时钟及数据恢复单元的非线性电路实现,该电路负责跟踪信号中的低频相位变化.本文提出了一种从频率上跟踪、锁定基带信号发端时钟频率从而提取出基带信号时钟的方案,此方法比传统的锁相环提取时钟具有更好的性能.由于它适于采用硬件语言描述,因而可集成在各类数字芯片中. 展开更多
关键词 锁频 锁相环 变频分频器 基带信号时钟
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一种自适应闪烁过滤视频编码器的应用 预览
18
作者 李天 蔡育 《成都纺织高等专科学校学报》 CAS 2008年第4期 40-41,共2页
介绍了一种高品质的自适应闪烁过滤视频编码器,给出了它的一种应用实例,包括软硬件实现,最后对其进一步的开发进行了展望。
关键词 视频编码器 VGA图像 电视机
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复数FIR滤波器的设计 预览
19
作者 阳小明 李天 《西华大学学报:自然科学版》 CAS 2007年第5期 35-37,共3页
复数有限长单位冲激响应滤波器用于对二维复信号的滤波,涉及大量的复数运算,因此它的结构比实数滤波器复杂得多。文章从算法上优化了复数滤波器的结构,并采用DSP Builder和配套的电子设计自动化软件完成了现场可编程门阵列的复数滤... 复数有限长单位冲激响应滤波器用于对二维复信号的滤波,涉及大量的复数运算,因此它的结构比实数滤波器复杂得多。文章从算法上优化了复数滤波器的结构,并采用DSP Builder和配套的电子设计自动化软件完成了现场可编程门阵列的复数滤波器的设计。与其它方案相比该滤波器不用过多分析硬件电路,滤波器的建模、仿真与设计可以同时进行,大大降低了设计难度,缩短了设计周期。 展开更多
关键词 DSP BUILDER 现场可编程门阵列 复数FIR滤波器 电子设计自动化
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一种新的图像实时放大技术 预览 被引量:4
20
作者 吴援明 李天 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第7期 1070-1075,共6页
该文提出了一种视频图像整数倍放大的实时插值方案-改进的像素填充插值法,给出了其基本原理及软、硬件实现方法.与重复插值法、线性插值法、像素填充插值法和小波放大法等进行了比较,并给出了放大后图像的主观和客观评价.结果表明改进... 该文提出了一种视频图像整数倍放大的实时插值方案-改进的像素填充插值法,给出了其基本原理及软、硬件实现方法.与重复插值法、线性插值法、像素填充插值法和小波放大法等进行了比较,并给出了放大后图像的主观和客观评价.结果表明改进的像素填充插值法的效果明显优于其他实时放大方法,且其硬件实现并不复杂,可用于视频图像实时放大的软、硬件设计. 展开更多
关键词 图像放大 插值法 像素填充插值法 小波放大法
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