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TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化 预览
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作者 郑箫逸 袁帅 +4 位作者 崔晓鹏 鸿 陈维 薛海 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期261-266,共6页
随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像... 随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极ITO(1ITO)图形和公共电极ITO(2ITO)图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象。Mura区与相邻OK区1ITO?2ITO对位差异为0.5μm。通过1ITO和2ITO的线宽设计优化,可提高产品对此偏移不均一的容忍度。最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产,配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举,此不良由高发时的14.2%降至0.2%以下。本文研究成果对于高分辨率HADS产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。 展开更多
关键词 黑白Mura 对位偏移 氧化铟锡膜 电场 均一
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ECCP干法刻蚀条件下的TFT基板绝缘层过孔腐蚀的改善 预览
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作者 邱鑫茂 伍蓉 +7 位作者 付婉霞 吴洪江 王宝强 陈曦 李梁梁 刘耀 鸿 廖加敏 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期119-124,共6页
过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O2/SF6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并... 过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O2/SF6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O2/SF6气体比例对速率影响小,O2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O2/SF6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%~0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。 展开更多
关键词 ECCP模式 过孔刻蚀 腐蚀改善
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TFT-LCD公共电压耦合畸变的影响因素及与线残像关系的研究 预览
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作者 鸿 陈曦 +3 位作者 庄子华 赖意强 袁剑峰 邵喜斌 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2018年第4期277-284,共8页
为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同... 为了解决TFT-LCD的线残像不良,对信号线与公共电极之间的电压耦合的大小和影响因素进行了研究。利用金属熔接技术,测量了屏内公共电极电压在信号线电压作用下发生的耦合畸变的大小,并将其与线残像的严重程度进行了对比。同时通过对不同的影响因素,即版图设计、信号线电压及反转方式、TFT工艺流程、TFT膜质调整分别进行了研究和测试。结果显示信号线和公共电极及绝缘层构成了MIS结构的电容,电容容值的变化导致的公共电压耦合程度与线残像的严重程度呈现明显的对应关系。通过改变非晶硅半导体层的介电常数或者尺寸设计,可以减小信号线与公共电极间的寄生电容(包括信号线金属与公共电极线金属的交叠电容和信号线与像素公共电极间的侧向电容),降低公共电极电压的耦合程度,改善线残像不良。其中提高信号电压转换频率和用紫外光照射半导体层的改善效果最为明显,耦合电压分别下降了55%和62%,线残像的消失灰阶从L172或更高转变为低于L127。研究成果对于大尺寸、高分辨率、高亮度、低功耗的TFT-LCD产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。 展开更多
关键词 公共电极电压畸变 交叠和侧向电容 介电常数 线残像
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TFT-LCD中驱动信号与线残像的关系研究 预览
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作者 琳琳 张洪 +7 位作者 鸿 贠向南 陈曦 赖意强 吴洪江 刘耀 庄子华 李大海 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2018年第5期375-380,共6页
通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当... 通过对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产品易产生线残像的问题进行研究,考察了不同驱动信号电压及反转方式与线残像之间的关系。结果表明,通过减小驱动信号线电压,或提高驱动信号的反转频率,均可降低公共电极与信号线的耦合程度。当灰阶电压由L255减小为L46,耦合电压幅值由240mV降为34.8mV;当驱动信号方式由帧反转变为点反转时,耦合电压幅值由112.6mV降为63.1mV,有效地改善了线残像,并利用德拜弛豫公式分析了驱动信号反转对线残像的作用机理,为线残像的分析和改善提供了理论依据和解决方向。 展开更多
关键词 线残像 畸变 驱动信号反转方式 驱动信号电压
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TFT-LCD背板设计对线残像改善的研究 预览 被引量:1
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作者 吕耀朝 鸿 +8 位作者 陈曦 杨虹 刘耀 张洪 贠向南 刘文瑞 吴洪江 王进 廖加敏 《液晶与显示》 CSCD 北大核心 2018年第8期625-630,共6页
线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内... 线残像一直是TFT-LCD行业中一个重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文通过对不同样品进行线残像评价及测试公共电极电压的畸变情况,从TFT-LCD背板设计方面研究了公共电极电压的畸变对线残像的影响。首先,通过激光熔接的方法将屏内的公共电极电压信号引出,然后测出在信号线电压作用下的公共电极电压发生畸变的幅值,最后将该幅值和实测的线残像水平进行了对比,同时对不同信号线数量、信号线和公共电极的交叠面积、信号线与公共电极的距离、外围电路补偿等相关设计的测试和研究。结果表明:公共电极电压的畸变程度与线残像水平具有对应性;信号线数量与公共电极电压畸变幅值成比例关系;信号线与公共电极线的单位交叠面积从66μm 2降到37μm 2时,其公共电极电压畸变程度降低了63%;增大公共电极与信号线之间的距离有助于改善甚至消除线残像,当距离从1.49μm增大到2.39μm时,公共电极电压畸变幅值减小了28%。通过降低信号线数量、降低信号线和公共电极线的交叠面积、增大信号线和公共电极的距离、外围电路补偿等方案均可改善线残像水平,对TFT-LCD画面显示品质的提高具有重要指导意义。 展开更多
关键词 线残像 公共电压畸变 背板设计
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TN型产品画面切换潮汐现象的分析与改善 预览
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作者 田明 郝园园 +5 位作者 王明超 宋洋 张衎 鸿 崔晓鹏 陈维 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-6,共6页
TN型LCD产品在由L255向L0切换瞬间经常出现一种潮汐现象。该现象表现为像素边缘液晶响应延迟,有短暂的局部漏光,对品质影响较大。为改善该不良进行了研究。首先,根据不良表现出来的规律性,明确了只有摩擦弱区并不能导致不良;接着,通过... TN型LCD产品在由L255向L0切换瞬间经常出现一种潮汐现象。该现象表现为像素边缘液晶响应延迟,有短暂的局部漏光,对品质影响较大。为改善该不良进行了研究。首先,根据不良表现出来的规律性,明确了只有摩擦弱区并不能导致不良;接着,通过大量的实测数据及电学实验分析证明了侧向电场增大到一定程度后才能使不良发生。分析表明,不良是摩擦弱区和侧向电场共同作用的结果,通过优化像素电极和数据线与摩擦弱区的位置关系,不良由2.7%下降到0.3%左右。 展开更多
关键词 潮汐 边缘场强 摩擦弱区 薄膜晶体管
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基于单色光下ADS模式TFT-LCD闪烁漂移的对比研究 预览 被引量:2
7
作者 喻娟 刘冬 +3 位作者 徐利燕 鸿 王贺陶 陈维 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期449-453,共5页
基于挠曲电效应理论,本文对比研究了红、绿、蓝3种单色光对ADS模式TFT-LCD闪烁漂移的影响。主要考察了3种单色背光在能量相同以及不同亮度条件下的闪烁漂移和TFT光漏电流[Photo I(off)]特性。实验结果表明I(off)在正常范围内变化时... 基于挠曲电效应理论,本文对比研究了红、绿、蓝3种单色光对ADS模式TFT-LCD闪烁漂移的影响。主要考察了3种单色背光在能量相同以及不同亮度条件下的闪烁漂移和TFT光漏电流[Photo I(off)]特性。实验结果表明I(off)在正常范围内变化时,并不显著影响闪烁漂移量,初步认为:不同光照条件下离子的产生数量和产生速度差异是该条件下导致闪烁漂移的主要因素。 展开更多
关键词 单色光 闪烁漂移 TFT光漏电流
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光照对ADS模式TFT-LCD Flicker漂移的影响 预览 被引量:3
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作者 徐利燕 喻娟 +4 位作者 刘冬 鸿 王峥 王俊伟 刘家荣 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期454-459,共6页
在挠曲电效应的基础上,研究了光照对ADS模式TFT-LCD Flicker漂移的影响。首先研究了正常点灯下Flicker漂移情况,然后测试了不加背光和降低背光亮度下的Flicker漂移,最后研究了光照panel一段时间后Flicker漂移情况。实验结果表明,光照使C... 在挠曲电效应的基础上,研究了光照对ADS模式TFT-LCD Flicker漂移的影响。首先研究了正常点灯下Flicker漂移情况,然后测试了不加背光和降低背光亮度下的Flicker漂移,最后研究了光照panel一段时间后Flicker漂移情况。实验结果表明,光照使Cell盒内产生了离子,驱动信号电压存在时液晶发生极化,产生的“力”吸附离子,从而形成了直流偏压,产生了Flicker漂移。降低光照强度Flicker漂移程度减弱。利用该结果在一定程度上对显示器整体设计和品质的改善有重要指导意义。 展开更多
关键词 挠曲电效应 光照 Flicker漂移
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分析TFT亮态漏电流影响因素的测试方法 预览 被引量:1
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作者 侯清娜 张新宇 +3 位作者 王峥 鸿 冯兰 刘冬 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期628-633,共6页
对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要。为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素。本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo R... 对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要。为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素。本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)对TFT沟道的不同位置进行遮挡;再对遮挡样品进行TFT特性测试。进而能模拟出实际工作中的TFT亮态漏电流,可以更加简便有效地优化TFT下方的栅极金属线宽,同时降低亮态漏电流。最后制作了54.6cm(21.5in)改善样品,通过新测试方法分析,将栅极金属线加宽约1.5μm,改善后样品的亮态漏电流从14.08pA降至约9.50pA。所以,使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价,简单有效并降低了产品制造成本。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示 TFT测试方法 亮态漏电流
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影响ADS面板闪烁漂移的因素研究 预览 被引量:2
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作者 冯兰 侯清娜 +2 位作者 王峥 鸿 刘冬 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第5期807-812,共6页
挠曲电效应(Flexoelectric Effect)是指液晶分子在外电场的作用下,由于展曲/弯曲形变而导致的液晶分子自极化,并表现出宏观电偶极矩的现象。ADS模式液晶显示面板在开机工作初,由于挠曲电效应从而产生闪烁漂移(Flicker Shift)的现象... 挠曲电效应(Flexoelectric Effect)是指液晶分子在外电场的作用下,由于展曲/弯曲形变而导致的液晶分子自极化,并表现出宏观电偶极矩的现象。ADS模式液晶显示面板在开机工作初,由于挠曲电效应从而产生闪烁漂移(Flicker Shift)的现象。本文从挠曲电效应的产生机理出发,结合试验结果,讨论了灰阶电压大小及灰阶电压对称性对闪烁漂移程度、速率的影响;当闪烁漂移达到稳定后,面板的实际公共电极电压(Vcom)偏移程度变化。结果发现,随着灰阶电压的升高,闪烁漂移程度会随着挠曲电效应的增强而加重,面板内Vcom电压偏移量也随之增加,而改变灰阶电压的对称性可在一定程度上增强或抵消自极化效应带来的Flicker漂移和Vcom电压偏移。利用该结果可一定程度上改善面板的显示特性。 展开更多
关键词 挠曲电效应 闪烁漂移 灰阶电压 灰阶电压对称性 Vcom电压
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TFT-LCD中I_(off-p)与画面闪烁关系的研究 预览 被引量:1
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作者 王明超 姚之晓 +3 位作者 刘家荣 鸿 王章 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期215-219,共5页
为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验。首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁。其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系。同时还采用光敏放大器测试了面板... 为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系,文章进行了一系列的实验。首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁。其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系。同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号,并给出了原理性解释。最后采用半导体参数设备对TFT进行了I-V特性测试。所有的实验结果均表明,Ioff-p过大能够导致像素电压无法有效保持,从而使正负帧的亮度产生较大差异,最后造成闪烁偏高。 展开更多
关键词 TFT-LCD 闪烁 光照漏电流 亮度 像素电压
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TFT-LCD中画面闪烁的机理研究 预览 被引量:4
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作者 鸿 王明超 +3 位作者 姚之晓 刘家荣 王章 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期567-571,共5页
画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷。文章通过一系列的实验,观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系,并给出了机理解释。Vgs的变化产生ΔVp,导致Vcom的漂移,形成闪烁,但如果Vcom的均匀性较好,这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除。P... 画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷。文章通过一系列的实验,观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系,并给出了机理解释。Vgs的变化产生ΔVp,导致Vcom的漂移,形成闪烁,但如果Vcom的均匀性较好,这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除。Photo-Ioff造成在正、负极性电压下像素的电压保持特性不同,引起Vcom进一步的漂移和闪烁。通过降低Photo-Ioff和提高Vgl,可以改善闪烁现象。 展开更多
关键词 薄膜晶体管液晶显示器 闪烁 光照漏电流 公共极电压漂移 电压保持特性
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TFT漏电流对Flicker影响及测试方法研究 预览 被引量:3
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作者 姚之晓 王明超 +3 位作者 鸿 刘家荣 王章 邵喜斌 《现代显示》 2012年第10期32-36,共5页
薄膜晶体管(TFT)作为像素单元充放电的开关,其漏电流(U大小是影响液晶屏性能的重要参数之一。文章利用薄膜晶体管的非晶硅层为光敏材料的特点,通过液晶屏翻转实验、背光亮度变化实验、min flicker-Vcom变化实验测量了flicker的大... 薄膜晶体管(TFT)作为像素单元充放电的开关,其漏电流(U大小是影响液晶屏性能的重要参数之一。文章利用薄膜晶体管的非晶硅层为光敏材料的特点,通过液晶屏翻转实验、背光亮度变化实验、min flicker-Vcom变化实验测量了flicker的大小,验证了光照强度增强导致k增加后,出现了flicker增大的现象,确定了k过高导致flicker的测试方法,通过实验进一步确定了k大小对flicker的影响。 展开更多
关键词 液晶显示器 闪烁 薄膜晶体管漏电流
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TFT-LCD中驱动信号对线残像的改善研究 预览 被引量:11
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作者 鸿 郤玉生 +3 位作者 胡海琛 胡巍浩 张亮 邵喜斌 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期 359-363,共5页
通过对TFT-LCD去隔行扫描输入信号易产生线残像的问题进行分析,考察线残像产生的原因与驱动信号之间的关联。结果表明,通过改变驱动信号的极性反转方式可以改善线残像,但改善线残像同时却带来了闪烁问题。经过进一步研究分析,通过增加... 通过对TFT-LCD去隔行扫描输入信号易产生线残像的问题进行分析,考察线残像产生的原因与驱动信号之间的关联。结果表明,通过改变驱动信号的极性反转方式可以改善线残像,但改善线残像同时却带来了闪烁问题。经过进一步研究分析,通过增加预充电信号以及控制TFT特性的开关比可以有效解决改善输入信号后带来的闪烁问题,并给出了相应的原理解释。为线残像的分析和改善提供了解决方法和理论依据。 展开更多
关键词 TFT-LCD 线残像 极性反转 预充电 闪烁
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长期存放条件下TFT阵列基板栅金属线腐蚀原因分析 预览 被引量:3
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作者 鸿 王鹏 《现代显示》 2006年第7期 50-52,16,共4页
在TFT-LCD制造和存放过程中,存在着电化学腐蚀的环境,由于腐蚀速度相对较慢,所以对此现象的认识和研究不足。本文通过实例分析,研究了栅金属电极线在大气环境下的腐蚀现象和机理,并提出了降低腐蚀的措施。
关键词 栅金属线 腐蚀 长期存放 原因分析
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a-Si TFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺研究 预览 被引量:2
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作者 鸿 刘伟 《现代显示》 2006年第8期 24-28,共5页
列举了不同的a-Si TFT-LCD制造工艺中的ITO返修工艺,详细分析了在五次光刻工艺中的电化学腐蚀问题的反应机理,并对各种返修工艺的优点和缺点进行了简要地说明。
关键词 A-SI TFT-LCD制造工艺 电化学腐蚀 反应机理 氧化锡铟 返修工艺
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