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硫离子注入纳米金刚石薄膜的微结构和电化学性能 预览
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作者 朱政杰 +2 位作者 陈成克 李晓 胡晓君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第14期350-357,共8页
采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处... 采用热丝化学气相沉积法制备纳米金刚石薄膜,并对薄膜进行硫离子注入和真空退火处理.系统研究了退火温度对薄膜微结构和电化学性能的影响.结果表明,硫离子注入有利于提升薄膜的电化学可逆性.在800°C及以下温度退火时,薄膜中晶界处的非晶碳相逐渐向反式聚乙炔相转变,致使电化学性能逐渐变差.当退火温度上升到900°C时, Raman光谱和TEM结果显示此时薄膜中金刚石相含量较多且晶格质量较好,晶界中的反式聚乙炔发生裂解;X射线光电子能谱结果表明,此时C-O键、C=O键、p-p*含量显著增多;Hall效应测试显示此时薄膜迁移率与载流子浓度较未退火时明显升高;在铁氰化钾电解液中氧化还原峰高度对称,峰电位差减小至0.20 V,电化学活性面积增加到0.64 mC/cm~2,电化学可逆性远好于600, 700, 800°C退火时的样品. 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 硫离子注入 电化学性能 微结构
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Micron-sized diamond particles containing Ge-V and Si-V color centers
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作者 章航程 陈成克 +3 位作者 盈爽 李晓 胡晓君 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第7期354-360,共7页
Micron-sized diamond particles containing germanium-vacancy(Ge-V) color centers with a zero-photon line(ZPL)around 602.3 nm are successfully grown using hot filament chemical vapor deposition.The crystal morphology ch... Micron-sized diamond particles containing germanium-vacancy(Ge-V) color centers with a zero-photon line(ZPL)around 602.3 nm are successfully grown using hot filament chemical vapor deposition.The crystal morphology changes from icosahedron to truncated octahedron and decahedron, finally becomes spherical with the growth pressure increase.Due to the chamber containing Si, all diamond particles contain silicon-vacancy(Si-V) color centers.High growth pressure contributes to the formation of Ge-V and Si-V in diamonds.With prolonging growth time, the change in the full width at half maximum(FWHM) of the diamond peak is small, which shows that the concentration of Ge-V and Si-V centers nearly maintains a constant.The FWHM of the Ge-V ZPL is around 4 nm, which is smaller than that reported, suggesting that the Ge-V center has a more perfect structure.Ge-V and Si-V photoluminescence(PL) intensities increase with the prolonging growth time due to the increased diamond content and reduced content of sp~2-bonded carbon and trans-polyacetylene.In summary, increasing the growth pressure and prolonging the growth time are beneficial to enhance the Ge-V and Si-V PL intensities. 展开更多
关键词 DIAMOND germanium-vacancy silicon-vacancy PHOTOLUMINESCENCE
Photoluminescence of SiV centers in CVD diamond particles with specific crystallographic planes
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作者 盈爽 陈成克 +3 位作者 李晓 阮银兰 胡晓君 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期470-477,共8页
We prepared the isolated micrometer-sized diamond particles without seeding on the substrate in hot filament chemical vapor deposition. The diamond particles with specific crystallographic planes and strong silicon-va... We prepared the isolated micrometer-sized diamond particles without seeding on the substrate in hot filament chemical vapor deposition. The diamond particles with specific crystallographic planes and strong silicon-vacancy(SiV) photoluminescence(PL) have been prepared by adjusting the growth pressure. As the growth pressure increases from 2.5 to 3.5 kPa,the diamond particles transit from composite planes of {100} and {111} to only smooth {111} planes. The {111}-faceted diamond particles present better crystal quality and stronger normalized intensity of SiV PL with a narrower bandwidth of 5 nm. Raman depth profiles show that the SiV centers are more likely to be formed on the near-surface areas of the diamond particles, which have poorer crystal quality and greater lattice stress than the inner areas. Complex lattice stress environment in the near-surface areas broadens the bandwidth of SiV PL peak. These results provide a feasible method to prepare diamond particles with specific crystallographic planes and stronger SiV PL. 展开更多
关键词 DIAMOND PARTICLE SIV center PHOTOLUMINESCENCE crystallographic PLANES
高校实验室的自动化、信息化、开放式管理系统研究与实践 预览 被引量:9
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作者 杨晋涛 +2 位作者 陈静怡 王旭 《实验室研究与探索》 北大核心 2017年第9期236-239,共4页
在目前高校实验室仪器设备数量不断增加,管理人员欠缺的背景下,根据多年仪器设备及实验室管理经验,利用现代网络技术,设计了一套面向师生开放的实验室自动化、信息化、开放式管理系统,并在本校实验室中实施。实施结果表明,该套系统不仅... 在目前高校实验室仪器设备数量不断增加,管理人员欠缺的背景下,根据多年仪器设备及实验室管理经验,利用现代网络技术,设计了一套面向师生开放的实验室自动化、信息化、开放式管理系统,并在本校实验室中实施。实施结果表明,该套系统不仅能够缓解高校实验室管理人员欠缺的问题,同时对保证仪器设备的正常操作使用,提高仪器设备的使用率,保障仪器设备的完好率具有重大的推动作用。该系统的开放式管理培养了学生的动手能力,提高了仪器操作水平和操作能力,强化了理论知识的理解,为培养高素质的优秀高校毕业生奠定了坚实的基础。 展开更多
关键词 实验室管理系统 自动化 信息化 网络技术 仪器设备管理
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硅烷改性聚合物防护涂层的研究进展 被引量:4
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作者 陈伟 +1 位作者 伍廉奎 胡吉明 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期85-89,共5页
硅烷掺杂(改性)防护性聚合物涂层是制备新型环保涂层的一种新方法。这种"超级涂层"摒弃了传统涂层的环境毒性和高成本而具有重要现实意义。本文较详细地介绍了"超级涂层"的制备方法及硅烷促进聚合物涂层抗蚀性能... 硅烷掺杂(改性)防护性聚合物涂层是制备新型环保涂层的一种新方法。这种"超级涂层"摒弃了传统涂层的环境毒性和高成本而具有重要现实意义。本文较详细地介绍了"超级涂层"的制备方法及硅烷促进聚合物涂层抗蚀性能的作用原理。 展开更多
关键词 “超级涂层” 掺杂改性 硅烷 防腐蚀 进展
亚甲基二膦酸为配位体的无氰碱性镀铜 预览 被引量:2
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作者 郑精武 陆国英 +2 位作者 乔梁 姜力强 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第1期 143-148,共6页
提出一种以亚甲基二膦酸(MDPA,H4L)为主配位剂的无氰镀铜体系.采用pH电位滴定法分别测定MDPA的四级解离常数和MDPA-Cu(II)的稳定常数,并比较MDPA-Cu(II)和羟基乙叉二膦酸(HEDPA)-Cu(II)的循环伏安曲线和阴极极化曲线.结果表明... 提出一种以亚甲基二膦酸(MDPA,H4L)为主配位剂的无氰镀铜体系.采用pH电位滴定法分别测定MDPA的四级解离常数和MDPA-Cu(II)的稳定常数,并比较MDPA-Cu(II)和羟基乙叉二膦酸(HEDPA)-Cu(II)的循环伏安曲线和阴极极化曲线.结果表明:MDPA各级解离常数为,pK1=1.86,pK2=2.65,pK3=6.81,pK4=9.04;MDPA与Cu2+形成分级配合物的稳定常数为,pKML=10.65,pKML2=5.59,pKML3=2.50;随着pH升高,形成的配合物依次为,Cu(H3L)2、[Cu(H3L)(H2L)]-和[Cu(H2L)2]2-;当pH在7-10时,MDPA较HEDPA更易与Cu2+配位.当pH=9时,MDPA碱性镀铜体系阴极主要发生的是[Cu(H3L)(H2L)]-和[Cu(H2L)2]2-还原生成铜的过程;在10°C,MDPA体系的铜配位化合物还原生成铜的电位比HEDPA体系负移,扩散速度更快. 展开更多
关键词 无氰镀液 亚甲基二膦酸 铜电沉积 pH电位滴定 羟基乙叉二膦酸
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CO3^2-对羟基乙叉二膦酸镀铜液的影响 预览 被引量:7
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作者 郑精武 +3 位作者 乔梁 姜力强 盛嘉伟 张诚 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第9期 1733-1738,共6页
研究羟基乙叉二膦酸(HEDPA)镀铜液中CO3^2-含量对电沉积时阴、阳极过程及镀层的择优取向的影响.通过分析阴、阳极的动电位极化曲线,发现镀液中逐渐加入的CO23-提高了阴极的极化,使电结晶晶粒细化,直至达到稳定;同时促进了铜阳极的溶解... 研究羟基乙叉二膦酸(HEDPA)镀铜液中CO3^2-含量对电沉积时阴、阳极过程及镀层的择优取向的影响.通过分析阴、阳极的动电位极化曲线,发现镀液中逐渐加入的CO23-提高了阴极的极化,使电结晶晶粒细化,直至达到稳定;同时促进了铜阳极的溶解.而X射线衍射(XRD)结果表明,铜镀层的晶面择优取向从(222)逐渐向(111)转变.通过镀液中固体络合物的红外光谱分析表明,CO3^2-的加入以第二配体的方式进入该镀液的放电络合离子结构中,参与Cu2+的络合,形成更稳定的络合物,从而导致铜沉积电位负移,镀层(111)晶面取向增强. 展开更多
关键词 羟基乙叉二膦酸 镀铜 晶粒取向
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烧结钕铁硼在剩磁状态下的腐蚀研究 预览 被引量:9
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作者 郑精武 都周云 +3 位作者 乔梁 姜力强 张诚 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期 1369-1372,共4页
研究了剩磁状态下烧结钕铁硼在硫酸、磷酸、氢氧化钠及氯化钠介质中的腐蚀特征。采用动电位扫描及腐蚀失重法分析了腐蚀行为和特征。结果表明,剩磁没有改变烧结钕铁硼在各种介质中的电化学反应机制;在硫酸和氯化钠介质中,剩磁场提高了... 研究了剩磁状态下烧结钕铁硼在硫酸、磷酸、氢氧化钠及氯化钠介质中的腐蚀特征。采用动电位扫描及腐蚀失重法分析了腐蚀行为和特征。结果表明,剩磁没有改变烧结钕铁硼在各种介质中的电化学反应机制;在硫酸和氯化钠介质中,剩磁场提高了烧结钕铁硼的腐蚀速率,这是因为剩磁促进具有自催化作用的闭塞腐蚀电池的形成;在磷酸和氢氧化钠介质中,因形成钝化膜使得剩磁场降低烧结钕铁硼的腐蚀速率。剩磁场会改变双电层结构,导致磁致过电位的产生,从而影响了烧结钕铁硼的腐蚀电化学。 展开更多
关键词 烧结钕铁硼 腐蚀 剩磁
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球形钕铁硼磁粉表面电沉积镍后的性能研究 预览
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作者 郑精武 +2 位作者 姜力强 陈巧玲 乔梁 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期 25-27,共3页
钕铁硼磁粉表面包覆金属镍层后,可以在300℃左右与聚合物复合制备性能优良的磁体。为了研究金属镍层在钕铁硼磁粉表面的包覆特性,采用电沉积方法在球形钕铁硼磁粉表面包覆一定厚度的镍层,采用扫描电镜(SEM)和热分析仪研究了包覆镍... 钕铁硼磁粉表面包覆金属镍层后,可以在300℃左右与聚合物复合制备性能优良的磁体。为了研究金属镍层在钕铁硼磁粉表面的包覆特性,采用电沉积方法在球形钕铁硼磁粉表面包覆一定厚度的镍层,采用扫描电镜(SEM)和热分析仪研究了包覆镍磁粉的表面形貌和抗氧化特性,用振动样品磁强计和液压式万能试验机研究了包覆镍后的球形粉和300℃高温处理后粘结磁体的磁性能和抗压强度。结果表明,球形磁粉经包覆镍处理后,磁粉的高温抗氧化性、粘结磁体的抗压强度明显提高。 展开更多
关键词 电沉积镍 钕铁硼球形磁粉 包覆 抗高温氧化性 抗压强度 磁性能
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Magnetic properties of La-Zn substituted Sr-hexaferrites by self-propagation high-temperature synthesis 预览 被引量:2
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作者 游李顺 乔梁 +3 位作者 郑精武 姜力强 盛嘉伟 《中国稀土学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第1期 81-84,共4页
La-Zn 与 Sr1-xLaxFe12-xZnxO19 (x=0-0.4 ) 的作文代替了 SrM 类型铁酸盐被自我繁殖的高温度的合成(SHS ) 准备。单个 SrM 阶段被在试剂控制 Fe 内容被 XRD 在同样收到的样品检测。La3+ 和 Zn2+ 的替换显然增加了同样准备的样品的磁性... La-Zn 与 Sr1-xLaxFe12-xZnxO19 (x=0-0.4 ) 的作文代替了 SrM 类型铁酸盐被自我繁殖的高温度的合成(SHS ) 准备。单个 SrM 阶段被在试剂控制 Fe 内容被 XRD 在同样收到的样品检测。La3+ 和 Zn2+ 的替换显然增加了同样准备的样品的磁性。Br 的最大的改进, Hcb 并且(BH ) m 是 14.4% , 15.3% 和 30.7% ,分别地与没有 La-Zn 替换的样品的相比。由 SEM 的微观结构观察证明 SHS 方法受益了形成更好的粒子特征并且与传统的开火方法比较完成更高的 Hcj。 展开更多
关键词 磁性 分析方法 温度
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自蔓延高温合成La-Zn掺杂锶铁氧体改性研究 预览 被引量:4
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作者 乔梁 +2 位作者 郑精武 游李顺 姜力强 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期 20-23,共4页
采用高温自蔓延(SHS)方法制备了化学组成为Sr1-xLaxFe12-xZnxO19(x=0~0.4)的La-Zn联合掺杂的锶铁氧体,并研究了晶体结构与离子掺杂量对铁氧体磁性能的影响。根据相关的热力学数据,分析了合成过程中产生不同氧化物杂质的热力学... 采用高温自蔓延(SHS)方法制备了化学组成为Sr1-xLaxFe12-xZnxO19(x=0~0.4)的La-Zn联合掺杂的锶铁氧体,并研究了晶体结构与离子掺杂量对铁氧体磁性能的影响。根据相关的热力学数据,分析了合成过程中产生不同氧化物杂质的热力学机制,结果显示,通过合适控制反应体系中的Fe粉含量,可以合成单一的M型铁氧体相。SEM表明SHS方法制备的样品比传统方法制备的样品结晶更完整,粉体颗粒呈明显的六角平板状,颗粒尺寸基本分布在0.5~1.2μm之间。La^3+,Zn^2+的加入能够明显地提高试样的综合磁性能,相比于未掺杂的试样,在未取向情况下其剩磁提高了14.4%,Hcb提高了15.3%,(BH)m提高了30.7%,并且与传统制备方法相比,采用SHS方法获得的样品的内禀矫顽力Hcj提高尤为明显,最高可达322kA/m。 展开更多
关键词 自蔓延高温合成法 铁氧体 取代 磁性能
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母婴同室中新生儿低血糖原因分析及预防 预览
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作者 《桂林医学》 2000年第1期 40-41,共2页
关键词 母婴同室 新生儿 低血糖 病因 预防
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