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溅射功率对硫化镉薄膜结构和光电性能的影响 预览
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作者 杨恢东 王菁 +6 位作者 张翠媛 夏锦辉 李俊魁 常晨 周铉池 温俊文 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2018年第9期1747-1751,共5页
在玻璃衬底上采用射频磁控溅射方法制备了硫化镉(CdS)薄膜,研究了溅射功率对CdS薄膜的结构、表面形貌、光学特性和电学性质的影响。XRD测量表明制备的CdS薄膜均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。随着功率从40W增加到80W,H(102)面的峰呈现... 在玻璃衬底上采用射频磁控溅射方法制备了硫化镉(CdS)薄膜,研究了溅射功率对CdS薄膜的结构、表面形貌、光学特性和电学性质的影响。XRD测量表明制备的CdS薄膜均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜。随着功率从40W增加到80W,H(102)面的峰呈现增强再逐渐减弱的趋势。60W时薄膜的衍射峰最强,结晶度最好。同时,薄膜的晶粒尺寸随着功率增加先增大再减小。从SEM图像可以看出,制备的薄膜均匀致密且无针孔的出现。在可见光范围内,薄膜的平均透射率都在70%以上。随着功率的增加,薄膜带隙在2.25~2.41eV的范围内变化,而暗电导率呈现先增加再减少的趋势。 展开更多
关键词 硫化镉薄膜 射频磁控溅射 溅射功率 光电性能
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