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太阳能吸附式制冷机强化传质运行策略的优化 认领
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作者 赵文 王云峰 +3 位作者 赵冲 李明 梁靖康 黎学娟 《云南师范大学学报:自然科学版》 2020年第4期6-10,共5页
提出并搭建了自然解吸与强化解吸协同工作的太阳能吸附式制冷实验平台.测试结果表明,采用自然和强化协同运行方式的制冷量和性能系数(COP),比单独自然传质提高了30.28%和31.58%,比单独强化传质提高了8.82%和7.53%.
关键词 太阳能 吸附制冷 自然传质 强化传质 控制策略
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VDMOS结终端技术对比研究 认领 被引量:2
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作者 赵圣哲 李理 赵文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期46-50,共5页
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目... 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应管(VDMOS)器件的反向耐压能力主要取决于器件结构中的特定pn结反偏击穿电压,由于pn结特性,击穿通常发生在结终端。随着结终端技术的发展,功率VDMOS器件的击穿特性有了很大的提升。主要介绍了几种目前常用的结终端技术的结构及工作原理,包括场限环技术、p+偏移技术、横向变掺杂技术、结终端扩展技术和RESURF技术。重点探讨了每种方法的优缺点,并指出几种结终端技术不同的设计难度、工艺控制和实现要点等。同时固定元胞设计,采用不同的结终端技术试制了600 V VDMOS产品,对比了采用不同结终端技术制作芯片的工艺制造以及成本,可为实际的制造生产提供理论指导。 展开更多
关键词 结终端 场限环(FLR)技术 p+偏移技术 横向变掺杂(VLD)技术 结终端扩展(JTE)技术 RESURF技术
硅基恒流二极管研究现状及展望 认领 被引量:1
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作者 赵圣哲 马万里 赵文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期764-769,共6页
主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素。同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流制作方法,包括横向沟道结构和垂直沟道结... 主要综述了硅基恒流二极管(CRD)国内外的发展历史和研究现状,并以横向沟道CRD为例,详述了器件的工作原理和关键参数,并分析了影响器件性能的主要因素。同时重点研究了目前国内市场上CRD的主流制作方法,包括横向沟道结构和垂直沟道结构(注入形成p+区,沟槽填充多晶以及MOS结构等)。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析,认为垂直沟道CRD在器件集成度和恒定电流调整等方面具有一定的优势。简要介绍了CRD在LED驱动中的应用。展望了CRD的未来发展前景。 展开更多
关键词 恒流二极管(CRD) 横向沟道 垂直沟道 沟槽结构 恒流源
CMOS工艺中PIP电容的不同制作方法 认领
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作者 闻正锋 赵文 方绍明 《电子与封装》 2015年第8期38-43,共6页
在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补式金属-氧化物-半导体)器件制造工艺中,通常都需要集成PIP(Polysilicon-Insulator-Polysilicon,多晶硅-介电层-多晶硅)电容,该电容的制作非常重要。介绍了PIP电容的4种制作工艺,并... 在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补式金属-氧化物-半导体)器件制造工艺中,通常都需要集成PIP(Polysilicon-Insulator-Polysilicon,多晶硅-介电层-多晶硅)电容,该电容的制作非常重要。介绍了PIP电容的4种制作工艺,并分别对比了优劣。4种方法分别是:将PIP制作步骤放在第一层多晶硅刻蚀之后,将PIP制作步骤放在侧墙氧化层刻蚀之后,将PIP制作步骤放在源漏离子注入之后,将PIP制作步骤放在第一层多晶硅沉积之后。由于PIP工艺中的热过程对CMOS器件会有影响,且不同的PIP工艺对单项工艺的要求不同,所以这4种方法对器件参数的影响会各有不同。最后通过实际流片验证,证实了第四种方法对器件参数影响最小,且工艺难度最小,与理论分析完全一致。 展开更多
关键词 PIP电容 CMOS(互补式金属-氧化物-半导体) 工艺
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前驱体FePO4的制备工艺及其对流变相法合成LiFePO4/C正极材料的影响 认领
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作者 徐光宇 赵文 +1 位作者 李季 钟美娥 《广东化工》 CAS 2014年第13期12-13,3共3页
以FeSO4·7H2O,NH4H2PO4,H2O2和NH3·H2O为原料,采用均相沉淀法制备前驱体FePO4·2H2O,再通过流变相法制得LiFePO4/C复合材料,研究了反应温度、搅拌速度和pH值等反应条件对合成LiFePO4/C的影响.采用XRD、SEM和恒流充放电方... 以FeSO4·7H2O,NH4H2PO4,H2O2和NH3·H2O为原料,采用均相沉淀法制备前驱体FePO4·2H2O,再通过流变相法制得LiFePO4/C复合材料,研究了反应温度、搅拌速度和pH值等反应条件对合成LiFePO4/C的影响.采用XRD、SEM和恒流充放电方法表征了材料的结构、形貌和电化学性能.结果表明:当反应温度为60℃,搅拌速度为800 r/min,pH值为2.5时,合成的LiFePO4/C为纯相,且粒度均匀,粒径约为200nm,在0.1C充放电倍率下,其首次放电比容量达137mAh/g. 展开更多
关键词 流变相法 制备工艺 FEPO4 LIFEPO4 C
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响应曲面法在VDMOS设计中的应用 认领 被引量:1
6
作者 赵文 赵圣哲 马万里 《电子与封装》 2014年第10期30-32,38共4页
响应曲面法(Response Surface Methodology)是数学方法和统计方法相结合的产物,是用来对所感兴趣的问题进行建模和分析的一种方法。其利用合理的实验设计方法并通过实验得到一定数据,采用复合中心来拟合因素与响应值之间的预测模型... 响应曲面法(Response Surface Methodology)是数学方法和统计方法相结合的产物,是用来对所感兴趣的问题进行建模和分析的一种方法。其利用合理的实验设计方法并通过实验得到一定数据,采用复合中心来拟合因素与响应值之间的预测模型,通过对模型的分析来寻求最优设计参数和流程的最佳操作设置,从而解决多变量的实验问题。该方法可应用在VDMOS功率器件设计中,可以使VDMOS设计人员更加直观地从多个复杂的设计参数匹配中寻找到最有价值的匹配,大大方便了VDMOS设计人员。同时,该方法也可以大大降低器件设计及生产过程中的时间和成本。 展开更多
关键词 响应曲面法 垂直双扩散金属氧化物晶体管 设计
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Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究 认领
7
作者 赵文 马万里 《电子与封装》 2014年第7期26-28,共3页
Trench VDMOS的制造流程中,要进行多晶的淀积、回蚀、清洗,其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数,诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中,要重点控制沉积速率、炉管清洁周期,防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回... Trench VDMOS的制造流程中,要进行多晶的淀积、回蚀、清洗,其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数,诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中,要重点控制沉积速率、炉管清洁周期,防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回蚀工序,要重点控制刻蚀反应物,防止造成多晶残留。清洗工序,通过选择不含水分的溶剂,避免大量水痕缺陷的产生。 展开更多
关键词 沟槽 VDMOS 多晶 淀积 回蚀 清洗 栅源极漏电
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高等院校化学实验室管理改革探讨 认领 被引量:8
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作者 赵文 周军 《化工时刊》 CAS 2012年第6期 65-66,共2页
高校化学实验室是高校进行化学实验教学和科研的重要基地,是人才培养、学科建设以及社会服务的基地。同时也是提高化学教学质量和科研工作水平的重要环节。就目前高校化学实验室管理存在的主要问题以及如何解决这些问题进行了探讨。
关键词 高等院校 化学实验室 管理 探讨
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VDMOS的UIS能力与制造工艺流程的关系 认领 被引量:1
9
作者 马万里 赵文 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期 285-288,共4页
介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺。分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系。由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后... 介绍了几种不同工艺流程:利用光刻胶做掩蔽的P+掩模注入工艺,利用ILD做掩蔽的接触孔P+注入工艺,利用LTO形成的Spacer做屏蔽的平面氧化层P+工艺。分析了这几种工艺流程与UIS能力的关系。由于受光刻工艺影响存在差异,这三种做法最后形成的Deep body区域的横向尺寸差异很大,导致了其UIS能力差异也很大。最后,通过仿真,验证了平面氧化层P+工艺确实具有最强的UIS能力,与理论分析完全一致。 展开更多
关键词 垂直双扩散晶体管 非箝位感性开关 单脉冲雪崩击穿能量
局部增强压焊块铝层厚度的工艺方法 认领
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作者 马万里 赵文 《电子工业专用设备》 2011年第7期 40-43,共4页
针对目前铜线封装对芯片压焊块的铝层厚度要求较高的问题,通过改进芯片制造工艺流程,对芯片内部压焊块的铝层进行单独地加厚。以便同时满足芯片封装厂采用铜线打线和芯片制造厂金属刻蚀工艺难易的要求。做法为,在钝化层刻蚀完成后,再生... 针对目前铜线封装对芯片压焊块的铝层厚度要求较高的问题,通过改进芯片制造工艺流程,对芯片内部压焊块的铝层进行单独地加厚。以便同时满足芯片封装厂采用铜线打线和芯片制造厂金属刻蚀工艺难易的要求。做法为,在钝化层刻蚀完成后,再生长一层足够厚的金属层,进行钝化层反版的光刻以及湿法刻蚀,只保留下压焊块区域的金属层,此时压焊块区域就有两层叠加的金属层,完全满足打铜线封装的要求。 展开更多
关键词 铜线封装 压焊块 溅射 钝化层 反版
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沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 认领 被引量:3
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作者 马万里 赵文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期 840-843,856,共5页
沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与P型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在P型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样... 沟槽VDMOS产品为满足电性能力要求,源极区域必须与P型体区短接,为了达到此目的,传统的做法是,源极需要进行一次光刻,在P型体区中做出阻挡源区注入的胶块,然后再进行源区注入。提出几种其他的制作方式,可以省去源区光刻,但同样可以达到原来的目的。诸如,通过刻蚀Si孔将源区与P型体区短接;或者利用刻蚀出的沟槽侧壁做屏蔽进行源区注入;利用凸出沟槽的多晶硅做屏蔽进行源区注入。这些办法都可简化工艺流程,缩短制造周期,节约制造成本,增强器件可靠性,提高产品的竞争力。 展开更多
关键词 沟槽 垂直双扩散晶体管 源极 单脉冲雪崩击穿能量 硅孔
副乡长防汛手记 认领
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作者 赵文 《作品》 2010年第7期58-61,共4页
1.一九九八、九九两年大汛。我当时在乡政府任副乡长,分管水利。随着汛情日紧,坐镇人民大垸的领导和专家日增,指挥部的方案是先保民垸,后退守支堤。我因为工作角色的关系,接触的领导和专家众多,其中给我留下最深印象且最为我佩服者,当... 1.一九九八、九九两年大汛。我当时在乡政府任副乡长,分管水利。随着汛情日紧,坐镇人民大垸的领导和专家日增,指挥部的方案是先保民垸,后退守支堤。我因为工作角色的关系,接触的领导和专家众多,其中给我留下最深印象且最为我佩服者,当属胡遐科。胡当时在水利局已退休多年。人干瘦,粗衣蔬食,着解放鞋,无官腔滑调。吃苦 展开更多
关键词 乡政府 防汛 副乡长 各级领导 水利局 村干部 民工 支堤 工作角 解放鞋
水稻铅污染研究进展(综述) 认领 被引量:10
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作者 童建华 梁艳萍 +1 位作者 刘素纯 赵文 《亚热带植物科学》 2009年第2期 74-78,共5页
铅是一种对水稻(Oryza sativa L.)生长发育毒性显著的污染物质,农田土壤中铅的存在形式和含量直接影响稻米的产量与品质。本文从土壤中铅的存在形式、水稻对铅的吸收富集规律、铅污染对水稻生长发育的影响、水稻对铅污染的生理生化... 铅是一种对水稻(Oryza sativa L.)生长发育毒性显著的污染物质,农田土壤中铅的存在形式和含量直接影响稻米的产量与品质。本文从土壤中铅的存在形式、水稻对铅的吸收富集规律、铅污染对水稻生长发育的影响、水稻对铅污染的生理生化效应以及抗性机制等方面进行系统地分析论述。 展开更多
关键词 水稻 铅污染 生理生化效应
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推进高校仪器设备的“三项管理” 认领 被引量:3
14
作者 邓白平 洪彬 +1 位作者 陈小飞 赵文 《中国现代教育装备》 2008年第4期 9-10,共2页
高校仪器设备在促进教学改革和科研发展、提高人才培养质量上起着重要作用。本文结合工作实践,从“健全制度、科学决策、环节控制”三方面探讨了仪器设备管理中的管理措施,以推动高校仪器设备管理水平提高、优化高校仪器设备资源配置... 高校仪器设备在促进教学改革和科研发展、提高人才培养质量上起着重要作用。本文结合工作实践,从“健全制度、科学决策、环节控制”三方面探讨了仪器设备管理中的管理措施,以推动高校仪器设备管理水平提高、优化高校仪器设备资源配置,为教学、科研工作创建更好的服务平台。 展开更多
关键词 仪器设备管理 制度建设 策略管理 技术管理
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甘露聚糖酶的多样性分析 认领 被引量:3
15
作者 周海燕 赵文 吴永尧 《生物技术通报》 CAS CSCD 2008年第2期 60-63,67,共5页
不同来源的甘露聚糖酶在组成、结构形式、理化性质以及催化功能等方面表现出丰富的多样性,其原因主要在于底物多样性的选择、编码基因的差异、翻译后加工修饰的差异以及酶作用微环境的影响,对此进行了综述。
关键词 甘露聚糖酶 微生物 催化功能 编码基因
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马铃薯品种间光合特征的比较研究 认领 被引量:2
16
作者 赵文 王惠群 +2 位作者 童建华 杨艳丽 刘桃李 《现代生物医学进展》 CAS 2008年第12期2254-2257,共4页
马铃薯叶片光合作用是影响其块茎产量和品质的重要因素之一。为了选择适宜湖南栽培的马铃薯品种和提高马铃薯的栽培效益,本文时中薯3号、大西洋、费乌瑞它、东农303、PB04、PB08和滇薯6号7个马铃薯品种(系)在匍匐茎伸长期、块茎形成... 马铃薯叶片光合作用是影响其块茎产量和品质的重要因素之一。为了选择适宜湖南栽培的马铃薯品种和提高马铃薯的栽培效益,本文时中薯3号、大西洋、费乌瑞它、东农303、PB04、PB08和滇薯6号7个马铃薯品种(系)在匍匐茎伸长期、块茎形成期、块茎膨大期和块茎完熟期4个时期的光合特征参数(叶片净光合速率、气孔导度、蒸腾速率、胞间CO2浓度)、SPAD值和相对产量进行了比较研究。结果表明,中薯3号的叶片净光合速率、气孔导度、胞间CO2浓度、蒸腾速率和平均每株产量都最高,适宜于在湖南栽培。 展开更多
关键词 马铃薯 品种 光合特征参数
干旱胁迫对枳橙内源激素含量的影响 认领 被引量:8
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作者 赵文 童建华 +1 位作者 谢深喜 梁艳萍 《现代生物医学进展》 CAS 2008年第9期1662-1664,共3页
目的:研究干旱胁迫对枳橙内源激素含量的影响。方法:以一年生枳橙砧木苗为试验材料,采用盆栽试验,测定不同土壤失水率下枳橙叶片以及失水率为40%时枳橙根中内源激素含量的变化。结果:当土壤失水率为40%时,枳橙根和叶片中GA3和Z... 目的:研究干旱胁迫对枳橙内源激素含量的影响。方法:以一年生枳橙砧木苗为试验材料,采用盆栽试验,测定不同土壤失水率下枳橙叶片以及失水率为40%时枳橙根中内源激素含量的变化。结果:当土壤失水率为40%时,枳橙根和叶片中GA3和Z含量均降低、IAA含量增加,而根中ABA含量降低,叶片中ABA含量增加。不同土壤失水率下,叶片中ABA含量随失水率增加逐渐上升,IAA含量先上升后下降,当失水率为50%时达到最高,GA,1和Z含量都呈先下降后上升再下降的变化趋势。结论:枳橙的内源激素受干旱胁迫影响。轻度胁迫下IAA等促进枳橙生长的内源激素含量增加,说明适度的干旱胁迫能促进枳橙的生长发育。 展开更多
关键词 干旱胁迫 枳橙 内源激素
拟南芥中4种细胞分裂素的高效液相色谱法测定 认领 被引量:1
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作者 童建华 赵文 +1 位作者 张雪芹 梁艳萍 《亚热带植物科学》 2008年第4期 18-21,共4页
应用高效液相色谱法同时测定拟南芥中4种细胞分裂素组分玉米素(Z)、玉米素核苷(ZR)、6-r,r-二甲基烯丙基氨基嘌呤(2ip)和6-r,r-二甲基烯丙基氨基嘌呤核苷(2ipr)含量。结果表明,采用反相色谱柱Waters C18柱(4.6×250mm,5... 应用高效液相色谱法同时测定拟南芥中4种细胞分裂素组分玉米素(Z)、玉米素核苷(ZR)、6-r,r-二甲基烯丙基氨基嘌呤(2ip)和6-r,r-二甲基烯丙基氨基嘌呤核苷(2ipr)含量。结果表明,采用反相色谱柱Waters C18柱(4.6×250mm,5μm),在35℃以乙腈和三乙胺缓冲液为流动相梯度洗脱,流速1ml/min,在270nm处能准确检测出拟南芥中4种细胞分裂素组分的含量,检测限达0.001μg/ml。 展开更多
关键词 高效液相色谱法 拟南芥 细胞分裂素组分
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MS培养基不同碳源和矮壮素浓度对马铃薯试管苗农艺性状的影响 认领 被引量:8
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作者 赵文 王惠群 +2 位作者 田梅 童建华 梁艳萍 《现代生物医学进展》 CAS 2007年第8期 1147-1150,共4页
选用马铃薯脱毒试管苗(大西洋,滇薯6号),MS培养基碳源(蔗糖,白砂糖)、MS培养基矮壮素浓度(0mg·L^-1、100mg·L^-1、150mg·L^-1、200mg·L^-1、250mg·L^-1、300mg·L^-1)进行3因素完全随机试验,观察处... 选用马铃薯脱毒试管苗(大西洋,滇薯6号),MS培养基碳源(蔗糖,白砂糖)、MS培养基矮壮素浓度(0mg·L^-1、100mg·L^-1、150mg·L^-1、200mg·L^-1、250mg·L^-1、300mg·L^-1)进行3因素完全随机试验,观察处理后各试管苗生长的农艺性状.结果表明:以白砂糖作为碳源的MS培养基比以蔗糖作为碳源的MS培养基有利于大西洋和滇薯6号脱毒试管苗生长.矮壮素浓度为200mg·L^-1对马铃薯脱毒试管苗的壮苗效果较好. 展开更多
关键词 马铃薯 碳源 脱毒试管苗 矮壮素
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泡辣椒人工接种发酵对其成品品质及亚硝酸盐含量的影响 认领 被引量:12
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作者 尹华 刘素纯 +1 位作者 黄彬 赵文 《湖南农业科学》 2007年第3期 144-146,共3页
以辣椒为原料,研究了泡辣椒自然发酵和人工接种发酵对成品品质及亚硝酸盐含量的影响。结果表明,人工接种缩短了发酵时间、降低了亚硝酸盐含量、促使亚硝酸盐高峰提前。影响泡辣椒风味的主要因素有蔗糖和人工接种工艺,发酵最佳处理方... 以辣椒为原料,研究了泡辣椒自然发酵和人工接种发酵对成品品质及亚硝酸盐含量的影响。结果表明,人工接种缩短了发酵时间、降低了亚硝酸盐含量、促使亚硝酸盐高峰提前。影响泡辣椒风味的主要因素有蔗糖和人工接种工艺,发酵最佳处理方案为:3.5%蔗糖、盐水浓度8.5%、纯种接种和25℃温度。 展开更多
关键词 泡辣椒 人工接种发酵 成品品质 亚硝酸盐
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