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GaSb基垂直腔面发射激光器P面反射镜优化设计 预览
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作者 岳光礼 +3 位作者 王作斌 晏长岭 马晓辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期228-233,共6页
针对当前2.0μm GaSb基垂直腔面发射激光器发展中由于传统的P面分布布拉格反射镜(P-DBRs)带来的高电阻和严重光吸收这一瓶颈问题,采用严格耦合波方法仿真设计了含高对比度亚波长光栅(HCG)的P面反射镜.实验结果表明,这种制备工艺简单的... 针对当前2.0μm GaSb基垂直腔面发射激光器发展中由于传统的P面分布布拉格反射镜(P-DBRs)带来的高电阻和严重光吸收这一瓶颈问题,采用严格耦合波方法仿真设计了含高对比度亚波长光栅(HCG)的P面反射镜.实验结果表明,这种制备工艺简单的反射镜在2.0μm中心波长附近,TM波入射时反射率超过99.5%的高反射带宽为278 nm,反射率99.9%以上的高反射带宽达到148 nm,完全能够满足VCSEL对谐振腔镜的要求,且能有效避免因异质外延等造成反射镜衍射特性劣化等问题. 展开更多
关键词 垂直腔面发射激光器 锑化镓 分布布拉格反射镜 高对比度亚波长光栅
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不同焊料对微盘腔半导体激光器散热的影响 预览
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作者 刘云 晏长岭 +6 位作者 杨静航 逄超 冯源 李辉 徐东昕 张剑家 《应用物理》 2019年第2期87-93,共7页
通过对微盘腔半导体激光器热特性及散热方式的理论分析,建立倒封装微盘腔半导体激光器物理散热模型,针对其在稳态工作下的热特性,利用ANSYS有限元分析软件,分析了三种焊料分别为In、Sn0.2Au0.8、Sn0.48In0.52、以及AlN散热片对微盘腔半... 通过对微盘腔半导体激光器热特性及散热方式的理论分析,建立倒封装微盘腔半导体激光器物理散热模型,针对其在稳态工作下的热特性,利用ANSYS有限元分析软件,分析了三种焊料分别为In、Sn0.2Au0.8、Sn0.48In0.52、以及AlN散热片对微盘腔半导体激光器的散热效果的影响。结果显示,In焊料的散热效果较好,芯片温升为4.506 K;Sn0.48In0.52焊料的散热效果较差,最高温升为6.501 K;Sn0.2Au0.8焊料散热效果较In焊料略差接近0.1 K。AlN散热片的热扩散区域更大,散热效果受散热片尺寸影响比较大。从热膨胀系数、焊料热稳定性以及焊料成本来看,In焊料适用于基础实验,Sn0.2Au0.8适用于要求严格的科研实验或批量生产。 展开更多
关键词 微盘腔半导体激光器 ANSYS 焊料 热分析
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基于ANSYS Workbench半导体激光器封装热特性分析 预览
3
作者 曹伟冬 冯源 +6 位作者 晏长岭 李洋 闫昊 张家斌 贾慧民 吴胤禛 《现代物理》 2018年第4期232-238,共7页
通过对半导体激光器热特性的理论分析,使用ANSYSWorkbench软件,模拟分析单管半导体激光器芯片温度和热流分布,输出功率为10W时,传统c-mount封装芯片温度为66.393℃,热阻为4.6K/W。通过在热沉与激光器芯片间添加一层高热导率的石墨烯,增... 通过对半导体激光器热特性的理论分析,使用ANSYSWorkbench软件,模拟分析单管半导体激光器芯片温度和热流分布,输出功率为10W时,传统c-mount封装芯片温度为66.393℃,热阻为4.6K/W。通过在热沉与激光器芯片间添加一层高热导率的石墨烯,增加热流扩散面积,使芯片温度下降到55.587℃,热阻3.5K/W,散热效果明显,计算得到最大输出功率从15.4W提升到18.5W,通过计算得知,其输出功率提升了20%。 展开更多
关键词 半导体激光器 ANSYS WORKBENCH C-Mount 石墨烯
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一种具有低折射率的高对比度光栅反射镜的设计 预览 被引量:1
4
作者 谢检来 +4 位作者 张家斌 晏长岭 马晓辉 王志伟 王霞 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期855-861,共7页
设计并研究了一种工作于2μm波段的Ga Sb基亚波长高对比度光栅反射镜,其具有低折射率光栅层结构。通过严格耦合波理论优化结构,以最大限度地满足VCSEL腔面反射镜对反射率带宽的要求。反射镜对2μm波段的TM模式具有优良的反射效率,带宽... 设计并研究了一种工作于2μm波段的Ga Sb基亚波长高对比度光栅反射镜,其具有低折射率光栅层结构。通过严格耦合波理论优化结构,以最大限度地满足VCSEL腔面反射镜对反射率带宽的要求。反射镜对2μm波段的TM模式具有优良的反射效率,带宽与设计波长之比达15%(反射率R〉99%),在反射率R〉99.9%的部分Δλ/λ0〉9.5%,带宽中心波长为2.003μm,与此同时TE模的反射率不超过70.20%。该反射镜结构中几个参数的制作容差较大,且厚度低于1.1μm,有利于在垂直腔面发射半导体激光器上的单片集成。 展开更多
关键词 亚波长光栅 反射镜 垂直腔面发射激光器 GASB
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GaSb基PECVD法制备SiO2薄膜的应力研究 预览 被引量:1
5
作者 王志伟 +5 位作者 李洋 谢检来 王霞 晏长岭 魏志鹏 马晓辉 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第7期935-941,共7页
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法... 为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详Y细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH4/N2O为125/70 cm3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO2薄膜应力相对较小。 展开更多
关键词 GASB PECVD SIO2薄膜 应力
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大功率分布反馈半导体激光器研究进展
6
作者 李杨 冯源 +6 位作者 李洋 张昕 岳光礼 王志伟 谢检来 王霞 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第6期388-396,407共10页
介绍了分布反馈半导体激光器(DFB-LD)的工作原理,分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况,从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足:大功率二次外... 介绍了分布反馈半导体激光器(DFB-LD)的工作原理,分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况,从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足:大功率二次外延DFB-LD对光栅和有效光场耦合较好,但二次外延对技术控制精度要求极高且会引入缺陷;表面金属光栅边发射DFl3-LD避免了二次外延,但制作金属光栅时会出现欧姆接触电阻大和阈值特性劣化等问题;大功率表面光栅面发射DFB-LD虽然在获得高功率高质量光束方面有很大优势,且避免了二次外延,但存在光栅的表面耦合系数较低等技术难题。最后总结分析大功率DFB-LD技术发展趋势,对其广阔的应用前景进行展望。 展开更多
关键词 半导体激光器 高功率 波长稳定性 分布反馈 光栅 二次外延
高功率单高阶模倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器 预览
7
作者 王霞 +5 位作者 晏长岭 王作斌 王志伟 谢检来 马晓辉 姜会林 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期168-172,共5页
提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 mW,边模抑制比将近30 dB.在外界为360 K高温时,输出功... 提出并研究了一种带有环形出光孔的倒置表面浮雕结构垂直腔面发射激光器.该器件最突出的结构特点在于,支持稳定的单高阶横向模式激射.在输入电流为六倍阈值电流时,输出功率高达9.8 mW,边模抑制比将近30 dB.在外界为360 K高温时,输出功率仍可达4 mW.且其远场表现出的高斯光束发散角较小. 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 单高阶模 高温 倒置表面浮雕
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激光能量密度对溶胶凝胶IZO薄膜结构性能的影响 预览
8
作者 满旭 《中国科技论文》 北大核心 2018年第12期1404-1408,共5页
为了解决传统溶胶凝胶方法制备透明导电薄膜面电阻较高的问题,在蓝宝石衬底上制备铟锌氧薄膜,使用脉冲激光对薄膜进行后处理。通过X射线能谱分析、X射线衍射、拉曼光谱仪、四探针测试系统和紫外-可见光吸收光谱等测试手段,分析了脉冲激... 为了解决传统溶胶凝胶方法制备透明导电薄膜面电阻较高的问题,在蓝宝石衬底上制备铟锌氧薄膜,使用脉冲激光对薄膜进行后处理。通过X射线能谱分析、X射线衍射、拉曼光谱仪、四探针测试系统和紫外-可见光吸收光谱等测试手段,分析了脉冲激光能量密度对薄膜成分、微观结构、光电性能的影响。结果表明:脉冲激光不改变薄膜中金属元素的原子百分数含量,但薄膜的电学性能得到了明显提升,这归因于薄膜晶体结构的转变;随着脉冲激光能量密度的增加,薄膜由多相结构逐渐转变为非晶结构,降低了相界处深能级缺陷对自由载流子的散射和俘获作用,从而提高了薄膜的电学性能;在脉冲激光能量密度为120mJ/cm2时得到了光电性能较好的非晶铟锌氧(IZO)透明导电薄膜(面电阻为302Ω/sq,在波长为550nm处透过率为77%)。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 溶胶凝胶方法 脉冲激光处理 铟锌氧薄膜
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2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜的设计 被引量:2
9
作者 谢检来 +7 位作者 王志伟 王霞 晏长岭 刘国军 马晓辉 李杨 岳光礼 张昕 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第7期91-95,共5页
研究了一种2μm波段GaSh基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.895-2.08μm时... 研究了一种2μm波段GaSh基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.895-2.08μm时,反射率达到99.9%以上,带宽达185nm,同时TE模的反射率低于垂直腔面发射半导体激光器的激射条件(反射率小于95%)。该结构的各个参数所允许的制作容差较大,有利于在垂直腔面发射半导体激光器上的单片集成。 展开更多
关键词 光栅 反射镜 垂直腔面发射激光器 锑化镓
850nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备 被引量:3
10
作者 冯源 +5 位作者 王宪涛 刘国军 晏长岭 张家斌 李再金 李洋 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期41-48,共8页
根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延生长并制备了85... 根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延生长并制备了850nm顶发射VCSEL。测试结果表明,阱宽为5nm的In_(0.075)Ga_(0.925)As/Al_(0.35)Ga_(0.65)As QW,在室温下激射波长在840nm左右,设计的顶发射VCSEL结构通过Ocean Optics Spectra Suite软件验证,得到室温下的光谱中心波长在850nm附近,证实了结构设计的正确性。 展开更多
关键词 激光器 垂直腔面发射激光器 量子阱 分布布拉格反射镜 反射率 850nm
GaSb基VCSEL刻蚀工艺研究 预览 被引量:1
11
作者 张昕 李洋 +6 位作者 王霞 李杨 岳光礼 王志伟 谢检来 张家斌 《光电工程》 CSCD 北大核心 2017年第12期1225-1229,共5页
2μm5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上述问题,选择三种不同成分的磷酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验... 2μm5μm波段GaSb基VCSEL对大气检测技术有着重要的应用,但制备技术的不成熟严重制约着GaSb基VCSEL的发展。刻蚀工艺中出现的下切效应就是器件制备中存在的突出问题。针对上述问题,选择三种不同成分的磷酸系刻蚀液进行了对比性刻蚀实验,并通过台阶仪、扫描电子显微镜(SEM)测试观察了刻蚀速率和表面形貌。实验分析表明,浓度配比为1 m L:1 m L:0.6 g:10 m L的H3PO4:H2O2:C4H6O6:H2O刻蚀液具有良好的腐蚀效果,消除了以往腐蚀过程中出现的下切效应,且垂直形貌好,未出现钻蚀现象,晶片表面平整且光滑,且保持稳定的刻蚀速率0.62μm/min,为激光器制备提供了良好的前期实验基础。 展开更多
关键词 GASB 垂直腔面发射激光器 腐蚀速率 表面形貌 酒石酸
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面发射分布反馈半导体激光器 预览 被引量:7
12
作者 田锟 +3 位作者 马晓辉 关宝璐 侯林宝 《中国光学》 CAS CSCD 2016年第1期51-64,共14页
本文详细阐述了面发射分布反馈半导体激光器(SE-DFB-LD)的基本工作原理、结构设计及其工作性能,针对国内外研究最新进展与发展现状进行了总结和评述,并在此基础上,对面发射半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和... 本文详细阐述了面发射分布反馈半导体激光器(SE-DFB-LD)的基本工作原理、结构设计及其工作性能,针对国内外研究最新进展与发展现状进行了总结和评述,并在此基础上,对面发射半导体激光器的研究工作和发展趋势做出了进一步的讨论和展望。随着面发射分布反馈半导体激光器各性能指标的不断优化提升和后期加工、装调技术的逐渐成熟,其将不断满足科学研究及工业、军事等实际应用领域对半导体激光器的需求,具有很大的发展潜力。 展开更多
关键词 二阶光栅 面发射 分布反馈 半导体激光器
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808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究 预览
13
作者 冯源 晏长岭 +4 位作者 王勇 芦鹏 李洋 李再金 《长春理工大学学报:自然科学版》 2014年第6期8-11,共4页
为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的... 为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的浓度配比,能够较精确的控制腐蚀深度,消除"燕尾"结构,最终确定808nm高功率VCSEL湿法腐蚀工艺的最佳温度条件及腐蚀液的最佳浓度配比。测试结果表明,采用这种湿法刻蚀工艺条件制备的808nm高功率VCSEL器件,室温下的阈值电流为430m A,微分量子效率为0.44W/A,最大输出功率达到0.42W,其光电性能远优于传统湿法刻蚀工艺制备的同种高功率VCSEL器件。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 高功率 湿法刻蚀 燕尾结构 刻蚀速率
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新型垂直腔面发射激光器的研制 被引量:2
14
作者 冯源 刘国军 +5 位作者 王勇 晏长岭 赵英杰 芦鹏 李洋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期831-835,共5页
热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行... 热问题是制约垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的关键难题之一。为改善垂直腔面发射激光器的热特性,提高输出功率,设计并制备了一种新型内腔接触式结构VCSEL。在出光孔径为16μm时,同时制备传统结构和新型结构两种器件并对其进行测试,传统结构VCSEL的阈值电流为11.5mA,当注入电流为34mA时,最大输出功率达到7.3mW;新结构器件的阈值电流为9mA,当注入电流为35mA时,最大输出功率达到10.2mW;新结构的阈值电流降低了21.7%,最大输出功率提高了28%。结果表明,这种内腔接触式电极结构有望改善器件的热特性和光电性能。 展开更多
关键词 内腔接触式电极 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 阈值电流 光电特性
单模垂直腔面发射激光器的研究动态 被引量:3
15
作者 晏长岭 +5 位作者 马晓辉 刘国军 冯源 李特 魏志鹏 姜会林 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2013年第10期19-24,共6页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分析VCSEL的结构特性和模式特... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分析VCSEL的结构特性和模式特性的基础上,详述了单横模VCSEL近年来取得的重要进展,分析了各种单横模技术的优势与不足,概述了器件广阔的应用前景及仍待解决的问题。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 单模
808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究 被引量:2
16
作者 冯源 +7 位作者 王菲 晏长岭 赵英杰 王晓华 王玉霞 姜会林 高欣 薄报学 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期293-297,共5页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)中的载流子聚集效应使注入到有源区的工作电流只是通过边缘环形区域很窄的通道,激光功率密度分布不均匀;尤其当器件尺寸较大时,激射光斑呈现环状,环中间光强很弱.这是研制电抽运高功率大尺寸VCSEL尤为突出的技术难题.采用新型结构成功研制出808nm波段高功率大孔径VCSEL,在注入电流为1A时,室温下连续输出功率达0.3W. 展开更多
关键词 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 高功率 大孔径
808nm网状电极高功率垂直腔面发射激光器
17
作者 冯大伟 袁中朝 +1 位作者 冯源 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期 781-784,897,共5页
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSELP面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同... 为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSEL。将VCSELP面的注入电极由传统的环形结构改为网状结构并且热沉位于N面电极。实验制备了出光孔径同为500um的传统环形电板和网状电极两种高功率VCSEL,并对器件的性能进行了对比测试。测试结果表明,网状电极结构高功率VCSEL相对传统环形电极结构高功率VCSEL器件具有良好的光电特性,室温下新结构高功率VCSEL的阈值电流为430mA,斜率效率为0.44mW/mA,电光转换效率可达21.7%,最大输出功率可达420mW,是传统结构高功率VCSEL输出功率的2.27倍。 展开更多
关键词 垂直腔面发射半导体激光器 网状电极 高功率 近场发光均匀性
808nm垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的研究 预览 被引量:1
18
作者 侯立峰 钟景昌 +3 位作者 孙俘 赵英杰 冯源 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期 209-213,共5页
为提高808nm、垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的输出功率与电光转换效率,对其湿法氧化工艺进行了实验研究。采用扫描电镜(SEM)的微区分析功能,对样品氧化层按不同的氧化深度进行微区分析。微区分析结果表明:适当降低氧化温度... 为提高808nm、垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的输出功率与电光转换效率,对其湿法氧化工艺进行了实验研究。采用扫描电镜(SEM)的微区分析功能,对样品氧化层按不同的氧化深度进行微区分析。微区分析结果表明:适当降低氧化温度,延长氧化时间,可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性;氧化后对样品进行高温加热处理,可减少氧化层中的As含量,改善氧化层的质量,提高氧化工艺的热稳定性。 展开更多
关键词 半导体技术 垂直腔面发射激光器 湿法氧化 氧化限制孔径
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径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器 预览 被引量:5
19
作者 侯立峰 钟钢 +5 位作者 赵英杰 王玉霞 冯源 姜晓光 谢浩瑞 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期 1-5,共5页
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件.对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热... 为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件.对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力.实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试.结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件. 展开更多
关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 径向桥 热拐点
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VCSEL with reticular electrode and larger emitting aperture and its optoelectronic characteristics 被引量:1
20
作者 冯源 侯立峰 +4 位作者 晏长岭 赵英杰 王玉霞 钟景昌 《中国光学快报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第8期773-775,共3页
<正>The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing verticalcavity surface-emitting laser(VCSEL) optical output power.However,in a VCSEL with a larger aperture, the... <正>The enlargement of the emitting aperture is usually one of the important methods of increasing verticalcavity surface-emitting laser(VCSEL) optical output power.However,in a VCSEL with a larger aperture, the inhomogeneity in the injected current often causes inhomogeneous or even no emission.To solve this problem and to increase VCSEL output power,as well as to improve its thermal characteristics,we develop a new type of injected VCSEL with a larger aperture and a reticular electrode,where the conventional circular injection electrode of the P side is turned into a reticular one,and the heat sink is on the N side.The tests of the new VCSEL show an improvement in homogeneity in not only the injected current but also the emission intensity.The optical output power is also considerably increased,and the device optoelectronic performance is improved. 展开更多
关键词 垂直腔表面发射激光器 VCSEL 网状电极 光电特性 大孔径 光输出功率 不均匀性 注入电流
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