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遥控小车喷洒农药装置的研究 预览
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作者 王亚洲 王靖岳 +2 位作者 齐家 王克强 朱财鑫 《农村实用技术》 2019年第2期55-56,共2页
本文从生产实际出发,探究解决了防止药农喷药中毒的遥控小车方案;在利用基本设计参数的基础上,运用CATIAV5等软件对遥控小车进行三维建模及运动仿真分析,保证了遥控小车装置设计的可行性。此遥控小车装置不仅可以实现小车的远程控制功能... 本文从生产实际出发,探究解决了防止药农喷药中毒的遥控小车方案;在利用基本设计参数的基础上,运用CATIAV5等软件对遥控小车进行三维建模及运动仿真分析,保证了遥控小车装置设计的可行性。此遥控小车装置不仅可以实现小车的远程控制功能,还极大的提高了药农喷药的可靠性,高效性及安全性。且此设计方案有着较强的实践指导意义和较高的商业价值,使其具有更加广阔的市场发展空间。 展开更多
关键词 安全可靠 遥控 创新型 实用型
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论科学发展观的精神实质 预览
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作者 齐家 《时代人物》 2008年第5期113-114,共2页
精神实质是一个理论的主旨、核心与灵魂,也是一个理论的价值追求与指向。科学发展观坚持"以人为本,关注民生",实行"科学发展,又好又快"的科学发展方针,促进社会的全面进步,以实现人与自然,人与社会以及人与人之间... 精神实质是一个理论的主旨、核心与灵魂,也是一个理论的价值追求与指向。科学发展观坚持"以人为本,关注民生",实行"科学发展,又好又快"的科学发展方针,促进社会的全面进步,以实现人与自然,人与社会以及人与人之间的和谐发展。 展开更多
关键词 科学发展观 精神实质 以人为本 又好又快 社会全面进步
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马克思主义国家学说在中国的深化和发展——纪念中国人民解放军建军八十周年暨香港回归十周年 预览
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作者 齐家 《科技信息》 2007年第29期 8,19,共2页
中国人民军队的建立是马克思主义国家学说的重要组成部分,军队是国家权力的主要强力工具和主要成分,是一个阶级推翻另一个阶级的强大力量,是保家卫国的忠实卫士。“一国两制”构思是马克思主义国家学说的丰富和发展,是中国解决香港... 中国人民军队的建立是马克思主义国家学说的重要组成部分,军队是国家权力的主要强力工具和主要成分,是一个阶级推翻另一个阶级的强大力量,是保家卫国的忠实卫士。“一国两制”构思是马克思主义国家学说的丰富和发展,是中国解决香港问题的最隹方式。 展开更多
关键词 马克思主义国家学说 深化 发展
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Er,Yb:KGd(WO4)2激光晶体的生长 预览 被引量:1
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作者 王海丽 齐家 +6 位作者 周南浩 承刚 陈建荣 陈龙华 杨春和 包照日格图 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期 5-7,51,共4页
采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-Er,Yb:KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1... 采用顶部籽晶熔盐法,以K2WO4为助熔剂生长出铒、镱共掺钨酸钆钾[Er,Yb:KGd(WO4)2简称Er,Yb:KGW]激光晶体。XRD分析结果表明晶体为低温相Er,Yb:KGW晶体,即β-Er,Yb:KGW晶体。通过差热分析测量,确定其相变温度和熔点分别为1020℃和1080℃。测量了晶体190-2000nm的室温透过光谱,结果表明除980nm的吸收谱带是Er^3+离子和Yb^3+离子的共同谱带之外,其余均属于Er^3+离子。 展开更多
关键词 顶部籽晶熔盐法 Er Yb:KGd(WO4)2激光晶体 晶体生长
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助溶剂法晶体生长过程中降温曲线设置的研究 预览
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作者 王晓洋 李卫 +4 位作者 王胜军 袁欣 齐家 严军 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期,共1页
本文研究了助溶剂法晶体生长过程中降温曲线的设置原理。助溶剂法晶体生长过程中降温曲线的设置是十分重要而又是复杂的工作 ,就是对于溶解度和温度成线性关系的最简单的情形 ,降温曲线也不是简单的直线。我们按照晶体生长的固有特点 ,... 本文研究了助溶剂法晶体生长过程中降温曲线的设置原理。助溶剂法晶体生长过程中降温曲线的设置是十分重要而又是复杂的工作 ,就是对于溶解度和温度成线性关系的最简单的情形 ,降温曲线也不是简单的直线。我们按照晶体生长的固有特点 ,将助溶剂法晶体生长过程简化成一维、二维及三维生长模型 ,分别进行了具体的演算。尤其是对于溶解度相对于温度的曲线为直线的情形 ,给出了精确的求解结果。我们首先作出一个假设来作为理论推导的基础 ,即单位时间吸附到晶体上的溶质正比于晶体的表面积S(t)。在此假设下 ,经过推导 ,我们得出结论 ,晶体发育完整后在各个方向上的生长速度是线性的 ,亦及dl/dt=常数 ,l(t)为垂直于晶体表面方向的线度。积分后得l=k1t+k0 ,k1和k0 为常数。假设溶解度为s,它是温度的函数 ,表示为s=f(T) ,我们所要求解的是温度和时间的函数关系。在时间允许的条件下 (实际的晶体生长过程也是满足这个条件的 ) ,溶解度变量的负数 -ds即可以认为是吸附到晶体上的溶质量 ,即我们有如下的方程 :dsdt=dsdTdTdt =f′(T) dTdt =cS(t) ,式中 c为常数 ,S(t)为晶体的表面积 ,对... 展开更多
关键词 助熔剂法 降温曲线 生长模型
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