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Review of deep ultraviolet photodetector based on gallium oxide
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作者 覃愿 龙世兵 +9 位作者 董航 何启鸣 菅光忠 张颖 侯小虎 谭鹏举 张中方 吕杭炳 刘琦 刘明 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第1期126-142,共17页
Ultraviolet(UV) photodetectors(PDs) have drawn great attention in recent years due to their potential application in civil and military fields. Because of its ultrawide bandgap, low cost, strong radiation hardness, an... Ultraviolet(UV) photodetectors(PDs) have drawn great attention in recent years due to their potential application in civil and military fields. Because of its ultrawide bandgap, low cost, strong radiation hardness, and high thermal and chemical stability with high visible-light transparency, Ga2O3 is regarded as the most promising candidate for UV detection.Furthermore, the bandgap of Ga2O3 is as high as 4.7–4.9 eV, directly corresponding to the solar-blind UV detection band with wavelength less than 280 nm. There is no need of doping in Ga2O3 to tune its bandgap, compared to AlGaN, MgZnO,etc, thereby avoiding alloy composition fluctuations and phase separation. At present, solar-blind Ga2O3 photodetectors based on single crystal or amorphous Ga2O3 are mainly focused on metal–semiconductor–metal and Schottky photodiodes.In this work, the recent achievements of Ga2O3 photodetectors are systematically reviewed. The characteristics and performances of different photodetector structures based on single crystal Ga2O3 and amorphous Ga2O3 thin film are analyzed and compared. Finally, the prospects of Ga2O3 UV photodetectors are forecast. 展开更多
关键词 GALLIUM OXIDE ultrawide bandgap ultraviolet(UV) PHOTODETECTOR
Thermal effect on endurance performance of 3-dimensional RRAM crossbar array 被引量:1
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作者 卢年端 孙鹏霄 +4 位作者 李泠 刘琦 龙世兵 吕杭炳 刘明 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期253-257,共5页
Three-dimensional(3D) crossbar array architecture is one of the leading candidates for future ultra-high density nonvolatile memory applications. To realize the technological potential, understanding the reliability m... Three-dimensional(3D) crossbar array architecture is one of the leading candidates for future ultra-high density nonvolatile memory applications. To realize the technological potential, understanding the reliability mechanisms of the3 D RRAM array has become a field of intense research. In this work, the endurance performance of the 3D 1D1 R crossbar array under the thermal effect is investigated in terms of numerical simulation. It is revealed that the endurance performance of the 3D 1D1 R array would be seriously deteriorated under thermal effects as the feature size scales down to a relatively small value. A possible method to alleviate the thermal effects is provided and verified by numerical simulation. 展开更多
关键词 存储器阵列 耐久性能 热效应 三维 非易失性存储器 数值模拟 超高密度 特征尺寸
Improving the electrical performance of resistive switching memory using doping technology 被引量:1
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作者 WANG Yan LIU Oi +7 位作者 LU HangBing LONG ShiBing WANG Wei LI YingTao ZHANG Sen LIAN WenTai YANG JianHong LIU Ming 《中国科学通报:英文版》 SCIE CAS 2012年第11期 1235-1240,共6页
在这篇论文,用做技术的抵抗随机的存取记忆(RRAM ) 的改进被总结并且分析。基于一台 Cu/ZrO2/Pt 设备,有 Ti 离子的三做技术, Cu,和 Cu nanocrystal 分别地,在实验被采用。比作一台 undoped 设备,改进集中于四个点:消除 electrof... 在这篇论文,用做技术的抵抗随机的存取记忆(RRAM ) 的改进被总结并且分析。基于一台 Cu/ZrO2/Pt 设备,有 Ti 离子的三做技术, Cu,和 Cu nanocrystal 分别地,在实验被采用。比作一台 undoped 设备,改进集中于四个点:消除 electroforming 过程,减少操作电压,改进电的一致性,并且增加设备产量。另外,高电阻状态的热稳定性和更好的保留被做的技术也完成。我们证明那种做的技术是改进 RRAM 的电的表演的一个有效方法。 展开更多
关键词 掺杂技术 电气性能 电阻式 记忆体 兴奋剂 随机存取存储器 纳米晶体 电铸工艺
Analysis of tail bits generation of multilevel storage in resistive switching memory
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作者 刘璟 许晓欣 +9 位作者 陈传兵 龚天成 余兆安 罗庆 袁鹏 董大年 刘琦 龙世兵 吕杭炳 刘明 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第11期626-629,共4页
An overview of the switching parameter variation of RRAM
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作者 Meiyun Zhang Shibing Long +11 位作者 Guoming Wang Yang Li Xiaoxin Xu Hongtao Liu Ruoyu Liu Ming Wang Congfei Li Pengxiao Sun Haitao Sun Qi Liu Hangbing L Ming Liu 《中国科学通报:英文版》 SCIE CAS 2014年第36期5324-5337,共14页
抵抗随机的存取记忆(RRAM ) 被看作了下一代的 nonvolatile 记忆的最有希望的候选人之一,由于它简单设备结构,优秀可伸缩性,快操作速度和低电源消费的优点。深深地理解物理机制并且有效地控制交换参数的统计变化是促进 RRAM 进商业... 抵抗随机的存取记忆(RRAM ) 被看作了下一代的 nonvolatile 记忆的最有希望的候选人之一,由于它简单设备结构,优秀可伸缩性,快操作速度和低电源消费的优点。深深地理解物理机制并且有效地控制交换参数的统计变化是促进 RRAM 进商业申请的基础。在这份报纸,基于形成的机制和传导性的细丝的破裂上的深理解,我们总结分析并且当模特儿交换象设置 / 重设电压,电流,速度或时间那样的参数的统计的方法。然后,我们分析交换参数和影响因素的分布。另外,我们也总结由基于房间的过滤模型和设置 / 重设切换动力学组成的抵抗切换的统计的分析模型。模型罐头的结果成功地解释交换 NiO- 和 HfO 的参数的试验性的分布 < 潜水艇 class= “ a-plus-plus ” > 2 台 </sub>-based RRAM 设备。模型也提供怎么改进一致性和可靠性例如上的理论指南扰乱免疫。最后,改进交换参数的一致性的一些试验性的途径被讨论。 展开更多
关键词 切换 参数变化 非易失性存储器 随机存取存储器 统计分析模型 操作速度 统计方法 渗流模型
Analyzing trap generation in silicon-nanocrystal memory devices using capacitance and current measurement
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作者 YANG XiaoNan ZHANG ManHong +5 位作者 WANG Yong HUO ZongLiang LONG ShiBing ZHANG Bo LIU Jing LIU Ming 《中国科学:技术科学英文版》 SCIE EI CAS 2012年第3期 588-593,共6页
电容电压的联合并且当前电压(CV/IV ) 大小被用来 programming/erasing 骑车在 Fowler-Nordheim (FN ) 期间在 silicon-nanocrystal 记忆设备分析陷井产生。CV 和 IV 曲线在某些 P/E 周期以后被测量。flatband 电压(V fb ) 和阀值电压(V... 电容电压的联合并且当前电压(CV/IV ) 大小被用来 programming/erasing 骑车在 Fowler-Nordheim (FN ) 期间在 silicon-nanocrystal 记忆设备分析陷井产生。CV 和 IV 曲线在某些 P/E 周期以后被测量。flatband 电压(V fb ) 和阀值电压(V th ) 被解决一个维的 Schr 从 CV 曲线提取 ? dinger 和泊松方程。洞和电子陷井在通道 SiO2 被观察。他们分别地出现在累积和倒置。由恰当的 FN 通道电流,在堵住的氧化物并且在通道氧化物的导致周期的电子陷井的区域密度是最后坚定的。 展开更多
关键词 电流测量 电子陷阱 电容 器件 内存 纳米 阈值电压 循环过程
Progress in rectifying-based RRAM passive crossbar array
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作者 ZHANG KangWei LONG ShiBing LIU Qi LUE HangBing LI YingTao WANG Yan LIAN WenTai WANG Ming ZHANG Sen LIU Ming 《中国科学:技术科学英文版》 SCIE EI CAS 2011年第4期811-818,共8页
Resistive random access memory(RRAM) with crossbar structure is receiving widespread attentions due to its simple structure,high density,and feasibility of three-dimensional(3D) stack.It is an extremely promising solu... Resistive random access memory(RRAM) with crossbar structure is receiving widespread attentions due to its simple structure,high density,and feasibility of three-dimensional(3D) stack.It is an extremely promising solution for high density storage.However,a major issue of crosstalk restricts its development and application.In this paper,we will first introduce the integration methods of RRAM device and the existing crosstalk phenomenon in passive crossbar array,and then focus on the 1D1R(one diode and one resistor) structure and self-rectifying 1R(one resistor) structure which can restrain crosstalk and avoid misreading for the passive crossbar array.The test methods of crossbar array are also presented to evaluate the performances of passive crossbar array to achieve its commercial application in comparison with the active array consisting of one transistor and one RRAM cell(1T1R) structure.Finally,the future research direction of rectifying-based RRAM passive crossbar array is discussed. 展开更多
关键词 晶体管阵列 电阻式 记忆体 交叉结构 横梁 存储解决方案 商业应用 随机存取
Nd:YAG连续激光烧蚀碳纤维复合材料的过程观测 被引量:10
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作者 黄永光 刘世炳 +2 位作者 龙连春 田建东 阳志光 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2042-2046,共5页
通过Nd:YAG激光辐照碳纤维/环氧树脂复合材料过程的高速摄像观测,得到了不同辐照功率密度下烧蚀过程中的主要现象。发现在低功率密度(50W/cm^2)下,主要是表面烧蚀机制,不会发生燃烧现象,在长时间辐照下,由于表层附近出现轻微... 通过Nd:YAG激光辐照碳纤维/环氧树脂复合材料过程的高速摄像观测,得到了不同辐照功率密度下烧蚀过程中的主要现象。发现在低功率密度(50W/cm^2)下,主要是表面烧蚀机制,不会发生燃烧现象,在长时间辐照下,由于表层附近出现轻微的聚合物焦化分解,表面层出现粉末状和漂絮状的碳粉缓缓弥散空气中;在中等功率密度(300W/cm^2)下,体烧蚀机制占主要地位,内层分解气体喷出,在空气中点燃引起表面燃烧,主要燃烧表面聚合物;在高功率密度(4500W/cm^2)下是以表面烧蚀为主的质量迁移机制,在极短的时间(0.001s)内表面层被破坏,瞬间燃烧,光斑中心出现喷射式的气化等离子体现象,并出现逐层烧蚀和各向异性热传导引起的烧蚀区形貌变形等现象。 展开更多
关键词 激光技术 激光烧蚀 高速摄像 碳纤维/环氧树脂复合材料
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