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铁电体阴极的实验研究 被引量:2
1
作者 张恩官 《爆轰波与冲击波》 1993年第2期 6-13,共8页
关键词 铁电体 快极化反转 阴极
Ferroelectric relaxor as a critical state 被引量:1
2
作者 ChunLei Wang (1) JiChao Li (1) +2 位作者 MingLei Zhao (1) Jian Liu (1) JiaLiang Zhang (1) 《中国科学:技术科学英文版》 SCIE EI CAS 2009年第1期123-126,共4页
After revisiting models for the ferroelectric relaxors, we notice that the models can be classified into two categories. One group models are directly based upon the compositional fluctuations, such as Smolenskii’s ... After revisiting models for the ferroelectric relaxors, we notice that the models can be classified into two categories. One group models are directly based upon the compositional fluctuations, such as Smolenskii’s theory and SRBRF model. The other models are experimental phenomenon oriented, such as macro-micro domain crossover and superparaelectric state. The later explanations imply that the ferroelectric relaxor is in a critical state. The unusual field induced phase transition in ferroelectric relaxor also suggests that this is a critical phenomenon with first order phase transition feature. Therefore within the framework of effective field approach and with introducing the concept of quantum temperature scale, we reproduce the diffused phase transition of the dielectric constant and the field induced phase transition. It seems that the larger quantum fluctuation at low temperature depresses the ferroelectricity in ferroelectric relaxors, and results in their unusual physical properties. 展开更多
关键词 FERROELECTRIC relaxor CRITICAL STATE QUANTUM TEMPERATURE SCALE
弥散相变型铁电体的介电谱 预览
3
作者 席小玲 王卫林 陈敏 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期 20-21,共2页
在不同温度下测量了Ba0.74Sr0.26TiO3陶瓷从10-2~106Hz的介电谱.在超低频下,由于空间电荷激发的贡献,样品的介电常数在较高温度下远超过58℃时的居里峰.此时的Co1e-Co1e图在复ε平面上成为一段圆弧,圆心在实轴以下.
关键词 弥散相变型铁电体 钛酸锶钡 介电谱 Cole-Cole图
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FeRAM用强介电体材料 预览
4
作者 张忱 《电子材料快报》 1999年第10期 4,共1页
关键词 内存 FERAM 强介电体
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溶胶—凝胶法制备BST铁电薄膜及性能研究 预览 被引量:6
5
作者 赵敏 张荣君 +1 位作者 顾豪爽 陈铭南 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期 73-76,共4页
研究了一种以水为溶剂的(Ba0.5Sr0.5)TiO3(即BST)液体源溶液,用Sol-Gel技术制备出BST薄膜.性能 测试结果表明,厚度为160nm700℃保温1h的(Ba0.5Sr0.5)TiO3薄膜具有较好 的结构、介电性能和漏电流性能: 在室温下,其为纯立方钙钛矿相,介电... 研究了一种以水为溶剂的(Ba0.5Sr0.5)TiO3(即BST)液体源溶液,用Sol-Gel技术制备出BST薄膜.性能 测试结果表明,厚度为160nm700℃保温1h的(Ba0.5Sr0.5)TiO3薄膜具有较好 的结构、介电性能和漏电流性能: 在室温下,其为纯立方钙钛矿相,介电常数为225,介电损耗 为0.044,漏电流密度为8.0×10-8A/cm2.进一步研究发现,随着烧结温度的升高,漏 电流降低,薄膜导电遵从空间电荷限制电流模型. 展开更多
关键词 BST薄膜 溶胶-凝胶法 介电性能 漏电流 结构 铁电薄膜
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纳米晶CO1-xNixFe2O4铁氧体的制备及Ni^2+对其磁性能的影响 预览 被引量:8
6
作者 刘银 丘泰 +1 位作者 沈春英 杨建 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期 160-163,共4页
采用喷射-化学共沉淀法制备了纳米晶Co1-xNixFe2O4(0≤x≤1)铁氧体粉料.通过热重-差热分析、X射线衍射、电子显微镜和比表面积测试手段分析了铁氧体粉体的微观结构和形貌,采用振动样品磁强计对其磁性能进行了测量.结果表明:喷射-共... 采用喷射-化学共沉淀法制备了纳米晶Co1-xNixFe2O4(0≤x≤1)铁氧体粉料.通过热重-差热分析、X射线衍射、电子显微镜和比表面积测试手段分析了铁氧体粉体的微观结构和形貌,采用振动样品磁强计对其磁性能进行了测量.结果表明:喷射-共沉淀法制备的Co1-xNixFe2O4铁氧体纳米粉料颗粒细小均匀、形状完整.X射线衍射分析证明:纳米晶Co1-xNixFe2O4铁氧体为尖晶石型固溶体.600℃下煅烧1.5 h,样品晶粒尺寸约为40 nm左右,平均颗粒尺寸小于100 nm.室温下,样品比饱和磁化强度和矫顽力随着Ni^+2离子含量增加而减小. 展开更多
关键词 纳米材料 镍钴铁氧体 喷射-沉淀法 磁性能
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纳米Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体的制备及电磁损耗特性研究 预览 被引量:19
7
作者 庄稼 陈学平 +1 位作者 迟燕华 刘燕梅 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期 43-46,共4页
采用NH4HCO3与FeCl3·6H2O、Zn(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O进行室温固相反应制得Fe(OH)3、Zn3(OH)4CO3·H2O、Ni3(OH)4CO3·4H2O混合前驱物,先经微波加热,再热分解制得纳米粉体。利用激光粒度分析仪... 采用NH4HCO3与FeCl3·6H2O、Zn(NO3)2·6H2O、Ni(NO3)2·6H2O进行室温固相反应制得Fe(OH)3、Zn3(OH)4CO3·H2O、Ni3(OH)4CO3·4H2O混合前驱物,先经微波加热,再热分解制得纳米粉体。利用激光粒度分析仪、XRD、SEM和TEM对分解产物进行了表征,获得了形貌为球形、颗粒分布均匀、平均粒度为62nm、尖晶石结构的纳米Ni0.5Zn0.5Fe2O4复合铁氧体粉体。经测试样品的相对介电常数和相对磁导率后,发现该纳米铁氧体粉体在100~1800MHz内具有良好的电损耗和磁损耗性能。 展开更多
关键词 纳米铁氲体 固相反应 微波加热 电磁损耗
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福建物构所分子基铁电晶体材料研究获新进展 预览
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期 19,共1页
铁电晶体是在居里温度以下电偶极子自发排列形成电畴,并可以随外加电场而使自发极化反向的一种材料。有极轴且无对称中心是铁电体的必要条件,因此,居里温度以下的铁电体必然也具有压电性。铁电材料对电信号表现出高介电常数,对温度改变... 铁电晶体是在居里温度以下电偶极子自发排列形成电畴,并可以随外加电场而使自发极化反向的一种材料。有极轴且无对称中心是铁电体的必要条件,因此,居里温度以下的铁电体必然也具有压电性。铁电材料对电信号表现出高介电常数,对温度改变表现出大的热释电响应,在应力或声波作用下具有强的压电效应和声光效应,在强电场作用下具有显著的电光效应。 展开更多
关键词 晶体材料 铁电晶体 子基 福建 居里温度 高介电常数 热释电响应 电偶极子
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片状钛酸钡颗粒的熔盐法制备及其形貌 预览 被引量:2
9
作者 徐军 伍建华 胡承威 《武汉工程大学学报》 CAS 2013年第7期49-53,共5页
为了得到有利于晶粒择优取向的片状钛酸钡形貌颗粒,采用合成出的片状模板原料,通过熔盐法制备了片状钛酸钡颗粒.首先,以碳酸钾、二氧化钛和钛酸锂为原料,在氯化钾熔盐中制备了具有类纤铁矿层状结构的钛酸盐(K0.8Ti1.73Li0.27O4).经酸... 为了得到有利于晶粒择优取向的片状钛酸钡形貌颗粒,采用合成出的片状模板原料,通过熔盐法制备了片状钛酸钡颗粒.首先,以碳酸钾、二氧化钛和钛酸锂为原料,在氯化钾熔盐中制备了具有类纤铁矿层状结构的钛酸盐(K0.8Ti1.73Li0.27O4).经酸交换后,得到了片状钛酸(H1.07Ti1.73O4,HTO)颗粒.HTO是一种具有层间通道结构和良好的离子交换性的片状模板,以HTO和碳酸钡为原料,氯化钠和氯化钾为熔盐,在820℃保温5h得到纯相的钛酸钡,其颗粒形貌呈现为宽5~8μm、长10~15μm,厚度约1μm左右的片状形貌,而且这些片状颗粒是由1μm的小片状颗粒按特定晶向排列而成.结果表明以HTO为模板的原位反应机制起了主要作用,产生保持了片状HTO模板形状的片状钛酸钡颗粒.该方法有望为制备织构化陶瓷提供良好各向异性钛酸钡粉体. 展开更多
关键词 熔盐法 片状模板 原位反应 钛酸钡
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薄膜物理及其应用讲座:第六讲 铁电薄膜的物理性能和应用 预览 被引量:13
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作者 肖定全 《物理》 CAS 北大核心 1995年第7期 433-438,共6页
铁电薄膜材料与器件是近年来高新技术研究的前沿和热点之一,文章概括介绍了铁电薄膜研究的现状,铁电薄膜的物理性能及其表征,铁电薄膜在微电子,光电子和集成光学等领域中的应用,并指出了当前铁电薄膜材料与器件研究中需要着重解决... 铁电薄膜材料与器件是近年来高新技术研究的前沿和热点之一,文章概括介绍了铁电薄膜研究的现状,铁电薄膜的物理性能及其表征,铁电薄膜在微电子,光电子和集成光学等领域中的应用,并指出了当前铁电薄膜材料与器件研究中需要着重解决的一些问题。 展开更多
关键词 铁电体 铁电薄膜 集成铁电学 物性表征
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不同含锰化合物掺杂对BST-MgO陶瓷介电性能的影响 预览 被引量:1
11
作者 史霄 汪小红 吕文中 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期 1-3,17,共4页
采用普通固相反应法制备了0.45Ba0.55Sr0.45TiO3-0.55MgO-Mn(NO3)2/MnCO3(简称BST-MgO)陶瓷,通过XRD和SEM研究了不同形态含锰化合物(固态MnCO3及液态Mn(NO3)2)掺杂对所制BST-MgO陶瓷致密化及微波介电性能的影响。结果表明,液... 采用普通固相反应法制备了0.45Ba0.55Sr0.45TiO3-0.55MgO-Mn(NO3)2/MnCO3(简称BST-MgO)陶瓷,通过XRD和SEM研究了不同形态含锰化合物(固态MnCO3及液态Mn(NO3)2)掺杂对所制BST-MgO陶瓷致密化及微波介电性能的影响。结果表明,液态Mn(NO3)2掺杂可以增加锰离子进入BST晶格的几率,同时抑制镁离子进入BST晶格,提高BST-MgO陶瓷的致密度,降低介质损耗,获得较高的综合性能:10 kHz下(r=116,tan(= 0.003 8,可调率(Tu)为19.64%,优值K=51.68;3 GHz时Q·f值达788 GHz。 展开更多
关键词 钛酸锶钡 氧化镁 锰掺杂 介电性能 可调率
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Sb2O3掺杂Zn—Nb-O基微波介质陶瓷的结构与性能 预览
12
作者 曹宵 高峰 +2 位作者 胡国辛 燕小斌 田长生 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第4期593-596,600共5页
采用传统电子陶瓷工艺制备(ZnNb2O6—Zn3Nb2O8)-Sb2O3(ZZS)陶瓷,研究了Sb2O3含量对ZZS陶瓷结构及介电性能的影响规律。结果表明,Sb2O3的加入促进了陶瓷的烧结,陶瓷中除ZnNb2O6和Zn3Nb2O8两种主晶相外未有新相生成,Sb2O3则以Sb3... 采用传统电子陶瓷工艺制备(ZnNb2O6—Zn3Nb2O8)-Sb2O3(ZZS)陶瓷,研究了Sb2O3含量对ZZS陶瓷结构及介电性能的影响规律。结果表明,Sb2O3的加入促进了陶瓷的烧结,陶瓷中除ZnNb2O6和Zn3Nb2O8两种主晶相外未有新相生成,Sb2O3则以Sb3+或Sb5+置换Nb5+/Zn2+形成置换固溶体;陶瓷的介电常数(εr)随Sb2O3含量的增加先增大后减小,保持在23-25之间,介电损耗略有增加。微波频段下,0.7ZnNb2O6-0.3Zn3Nb2O3陶瓷的介电常数随Sb2O3含量的增加略有减小,品质因数与频率的乘积(Q×f)值先增大后减小。当w(Sb2O3)=1%时,陶瓷综合性能最佳,Er=22.88,Q×f=38871GHz。 展开更多
关键词 SB2O3 复相陶瓷 显微结构 介电性能
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碳酸锰和纳米钛酸钡的添加对钛酸钡陶瓷的影响 预览 被引量:1
13
作者 肖谧 钟小荣 丁华明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第8期9-11,共3页
以钛酸丁酯和乙酸钡为起始原料,采用液相法制备了纳米钛酸钡。研究了纳米钛酸钡和碳酸锰的掺杂对普通亚微米级钛酸钡的形貌及介电性能的影响。结果表明,在普通钛酸钡中加入一定量的纳米钛酸钡可以促进晶粒的生长,同时提高陶瓷的介电常... 以钛酸丁酯和乙酸钡为起始原料,采用液相法制备了纳米钛酸钡。研究了纳米钛酸钡和碳酸锰的掺杂对普通亚微米级钛酸钡的形貌及介电性能的影响。结果表明,在普通钛酸钡中加入一定量的纳米钛酸钡可以促进晶粒的生长,同时提高陶瓷的介电常数。而在普通钛酸钡中加入一定量的碳酸锰则可以抑制晶粒的生长。但同时添加碳酸锰和纳米钛酸钡,碳酸锰对晶粒生长的抑制作用将居于主导地位,并且此时钛酸钡陶瓷的介电常数温度特性曲线与单独添加锰离子时的走势基本相同,室温附近的介电常数峰将由于钛酸钡陶瓷的细晶效应而弥散。 展开更多
关键词 钛酸钡 纳米钛酸钡 晶核 微观结构 掺杂
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超高精度实时时钟DS3231及其在多费率电能表中的应用 预览 被引量:4
14
作者 汪社民 《电测与仪表》 北大核心 2007年第2期 60-64,共5页
DS3231是一款由Maxim/Dallas公司推出的低成本、超高精度实时时钟芯片,在其封装内集成有温补振荡器和晶体,能够在-40℃-+85℃温度范围内提供优于±2分钟,年的计时精度,非常适合那些对计时精度要求极高的应用。介绍了DS3231的... DS3231是一款由Maxim/Dallas公司推出的低成本、超高精度实时时钟芯片,在其封装内集成有温补振荡器和晶体,能够在-40℃-+85℃温度范围内提供优于±2分钟,年的计时精度,非常适合那些对计时精度要求极高的应用。介绍了DS3231的主要特性、引脚功能、内部结构和编程要点。给出了DS3231在多费率电能表中的应用方法。 展开更多
关键词 实时时钟 DS3231 多费率 电能表 I^C总线
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(Ba(1-x)Cax)1-1.5yBiyTiO3陶瓷的介电弛豫行为和线性介电响应 预览 被引量:4
15
作者 云斯宁 王晓莉 +5 位作者 徐德龙 李辉 罗平生 孙晓量 杨雪 乌李瑛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 271-276,共6页
采用传统的电子陶瓷工艺制备了(Ba1-xCax)1-1.5yBiyTiO3(x=0.10,0.20,0.30,0.40,0.50;y=0.05)陶瓷,研究了介电弛豫行为和线性介电响应。X射线衍射分析表明:摩尔分数为5%的Bi3+能够完全溶入Ba1-xCaxTiO3固溶体的钙钛矿晶格。与Ba1-... 采用传统的电子陶瓷工艺制备了(Ba1-xCax)1-1.5yBiyTiO3(x=0.10,0.20,0.30,0.40,0.50;y=0.05)陶瓷,研究了介电弛豫行为和线性介电响应。X射线衍射分析表明:摩尔分数为5%的Bi3+能够完全溶入Ba1-xCaxTiO3固溶体的钙钛矿晶格。与Ba1-xCaxTiO3陶瓷相比,(Ba1-xCax)1-1.5yBiyTiO3陶瓷表现出与铅基弛豫铁电体相似的介电弛豫行为。在(Ba1-xCax)1-1.5yBiyTiO3陶瓷样品中,发现了罕有的不同于正常铁电体和弛豫体的线性介电响应:在电场强度(E)接近于零的地方,极化强度(P)-E回线近似于线性变化,电流密度(J)-E回线呈现明显的双峰,电滞回线总体呈现"束腰"效应。(Ba1-xCax)1-1.5yBiyTiO3陶瓷样品表现出的这种异常介电行为归因于缺陷偶极距所产生电场的遏制作用。 展开更多
关键词 钛酸钙钡 介电弛豫 线性介电响应 掺杂 缺陷
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电极对PZT铁电薄膜性能的影响 预览 被引量:9
16
作者 王培英 余大年 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第1期 54-58,共5页
用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜... 用溶胶-凝胶法制备PZT铁电薄膜。以Pt/Ti/SiO2/Si为底电极,Au为上电极,形成金属-铁电薄膜-金属结构的铁电电容器。研究电极对PZT铁电薄膜结构和电性能的影响,实验发现,金属Ti的厚度会影响PZT铁电薄膜的结构,界面层的存在使介电系数,自发极化,矫顽电压,漏电流都与薄膜的厚度有关。 展开更多
关键词 铁电薄膜 PZT铁电薄膜 界面 电滞回线 电极
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钛酸钡粉末技术及其市场 预览
17
作者 闫萍 《电子材料快报》 1995年第9期 2-3,共2页
关键词 钛酸钡粉 介电材料 市场
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镧钛酸铅铁电薄膜的快速热处理研究 预览 被引量:6
18
作者 吴小清 任巍 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第9期 36-43,共8页
以不同热处理温度和保温时间的组合条件,对在不同种基片上制备的镧钛酸铅薄膜进行了快速热处理,主要研究了快速热处理工艺对薄膜相结构、化学组成、形貌的影响,并给出了典型样品的介电和铁电性能。实验结果表明:在较宽的热处理温度... 以不同热处理温度和保温时间的组合条件,对在不同种基片上制备的镧钛酸铅薄膜进行了快速热处理,主要研究了快速热处理工艺对薄膜相结构、化学组成、形貌的影响,并给出了典型样品的介电和铁电性能。实验结果表明:在较宽的热处理温度和保温时间薄内,都可得到无裂纹、均匀致密、晶粒大小约20nm的纯钙钛矿结构薄膜;不同的基片对薄膜的结晶有不同的影响;铂电极有利于薄膜结晶。在700℃保温60s的样品,1kHz时介电常数 展开更多
关键词 热处理 铁电薄膜 钙钛矿结构 镧钛酸铅
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镍酸镧缓冲层的制备及对钙锶铋钛的影响 预览
19
作者 赵亮培 冯博楷 于冉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第4期597-600,共4页
采用溶胶-凝胶(S01-Gel)法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si(100)上制备了钙锶铋钛薄膜。研究了热处理工艺对LaNiO3(LNO)薄膜的影响。研究结果表明,当热分解温度为350℃、退火温度为750℃,厚为250nm时,制... 采用溶胶-凝胶(S01-Gel)法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,然后在LaNiO3/Si(100)上制备了钙锶铋钛薄膜。研究了热处理工艺对LaNiO3(LNO)薄膜的影响。研究结果表明,当热分解温度为350℃、退火温度为750℃,厚为250nm时,制备的LNO薄膜的(110)衍射峰取向择优最明显,电阻率也较低,(为1.8×10 ^-3Ω·cm)。LNO缓冲层的引入促进钙锶铋钛薄膜沿A轴方向生长,明显改善了钙锶铋钛薄膜的电性能,即剩余极化强度Pι=15.2uC/cm2,矫顽电场Ec=70kV/cm。 展开更多
关键词 镍酸镧 缓冲层 钙锶铋钛 制备 电性能
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钇改性PZT薄膜的极化印刻研究 预览 被引量:2
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作者 仇萍荪 罗维根 丁爱丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期 928-932,共5页
铁电PZT薄膜的极化印刻(imprinting)是PZT不挥发存储器失效的重要原因之一.本文研究了不同钇量改性的PZT(40/60)铁电薄膜在高温(120℃)和偏置电压下的极化印刻特性,发现适量的钇掺杂,改善了PZT薄膜电容器单元的极化印刻.
关键词 铁电薄膜 Y-PZT薄膜 极化印刻 铁电电容 存储器 材料 改性 掺杂
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