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GaN基LED外延材料缺陷对其器件可靠性的影响 预览
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作者 蔡伟智 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期 270-274,共5页
采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度... 采用X光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-LED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-LED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高LED器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为GaN-LED外延材料生长工艺的优化和改善提供依据,达到预测和提高器件可靠性的目的。 展开更多
关键词 发光二极管 金属有机气相外延 回摆曲线 缺陷 可靠性
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超结MOSFET功率器件的终端技术分析 预览 被引量:1
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作者 荆吉利 孙伟锋 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期 542-546,共5页
为了改善超结MOSFET功率器件的终端击穿特性,提出了一种平面结终端技术,应用柱坐标下的泊松方程证明了这种技术的可行性。提出了超结功率器件终端技术的工艺实现方法并分析了终端结构的电压特性,使用这种超结终端技术仿真得到了一个6... 为了改善超结MOSFET功率器件的终端击穿特性,提出了一种平面结终端技术,应用柱坐标下的泊松方程证明了这种技术的可行性。提出了超结功率器件终端技术的工艺实现方法并分析了终端结构的电压特性,使用这种超结终端技术仿真得到了一个600V的Coolmos。利用2维仿真软件Medici讨论了终端P柱的数量和宽度因素对击穿电压和表面电场的影响。结果发现,采用变间距的超结结构本身就可以很好地实现超结MOSFET功率器件的终端。 展开更多
关键词 功率器件 终端技术 泊松方程 超结
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双异质结扩展波长InGaAs PIN光电探测器暗电流研究 被引量:1
3
作者 李成 李好斯白音 +3 位作者 李耀耀 王凯 顾溢 张永刚 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期807-810,822共5页
模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加... 模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,零偏压附近暗电流主要为反向扩散电流,随着反向偏压增加,产生复合电流和欧姆电流逐渐起主要作用。在InAlAs/InGaAs异质界面处引入的数字递变超晶格以及外延初始生长的InP缓冲层能够有效地改善探测器的暗电流特性。 展开更多
关键词 探测器 暗电流 数字递变超晶格 INGAAS
γ辐照对硅光电二极管光电流的影响 预览 被引量:7
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作者 陈炳若 李世清 《武汉大学学报:自然科学版》 CSCD 1995年第3期 357-362,共6页
研究了PIN光电二极管和普通光电二极管^60Coγ辐照后的积分光电流,紫外光电流、光谱光电流的变化规律以及光谱光电流与器件反偏电压之间的关系,并对结果进行了定性分析,实验用辐照剂量分别为2×10^3GY(Si)和... 研究了PIN光电二极管和普通光电二极管^60Coγ辐照后的积分光电流,紫外光电流、光谱光电流的变化规律以及光谱光电流与器件反偏电压之间的关系,并对结果进行了定性分析,实验用辐照剂量分别为2×10^3GY(Si)和2×10^4GY(Si)。 展开更多
关键词 光电二极管 光电流 Γ辐照 硅光电二极管
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Analysis of I-V Thermal Characteristic on GaN-based p-i-n Ultraviolet Detector 预览
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作者 XIE Xue-song ZHANG Xiao-ling LV Chang-zhi LI Zhi-guo FENG Shi-wei XU Li-guo 《半导体光子学与技术:英文版》 CAS 2007年第1期 76-79,共4页
基于陷阱的 p-i-n 的 I-V 特征紫外察觉者被介绍。它在不同温度被测量并且与变化分析了温度。设备的想象力因素在房间温度是 2.09。最大的想象力因素在 100 点是 2.14,它超过 100 衰退,并且最小的想象力因素在 300 点是 1.26。前面的... 基于陷阱的 p-i-n 的 I-V 特征紫外察觉者被介绍。它在不同温度被测量并且与变化分析了温度。设备的想象力因素在房间温度是 2.09。最大的想象力因素在 100 点是 2.14,它超过 100 衰退,并且最小的想象力因素在 300 点是 1.26。前面的电压对温度的系数是有 1 个妈的前面的电流的 -1.97 mV/ 。基于两倍注射模型,在 i 区的深躺杂质激活精力是 0.1 343 eV。 展开更多
关键词 紫外光检测器 I-V热性能 氮化镓 活化能 PIN二极管
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工艺参数对低压TVS器件耐压的影响
6
作者 陈天 谷健 郑娥 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期106-111,共6页
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×10^14cm^-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大... 目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×10^14cm^-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。 展开更多
关键词 瞬间电压抑制(TVS)二极管 击穿电压 工艺参数 静电放电(ESD) 齐纳击穿
GaAsPIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 预览 被引量:1
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作者 蒋东铭 陈新宇 +1 位作者 杨立杰 黄子乾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期37-41,共5页
采用76.2mm(3英寸)GaAsPIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30~36GHzT作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离... 采用76.2mm(3英寸)GaAsPIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30~36GHzT作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5dB大于5W。 展开更多
关键词 毫米波 砷化镓 PIN二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路
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Characteristics and analysis of 4H-SiC PiN diodes with a carbon-implanted drift layer
8
作者 冯江梅 申华军 +5 位作者 马晓华 白云 吴佳 李诚瞻 刘可安 刘新宇 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2016年第4期77-81,共5页
The characteristics of 4H-SiC PiN diodes with a carbon-implanted drift layer was investigated and the reason of characteristics improvement was analyzed. The forward voltage drops of the diodes with carbonimplanted dr... The characteristics of 4H-SiC PiN diodes with a carbon-implanted drift layer was investigated and the reason of characteristics improvement was analyzed. The forward voltage drops of the diodes with carbonimplanted drift layer were around 3.3 V, which is lower than that of devices without carbon implantation, the specific-on resistance was decreased from 9.35 to 4.38 mΩcm2 at 100 A/cm2, and the reverse leakage current was also decreased. The influence of carbon incorporation in the Si C crystalline grids was studied by using deep-level transient spectroscopy(DLTS). The DLTS spectra revealed that the Z1/2 traps, which were regarded as the main lifetime limiting defects, were dramatically reduced. It is proposed that the reduction of Z1/2 traps can achieve longer carrier lifetime in the drift layer, which is beneficial to the performance of bipolar devices. 展开更多
关键词 4H-SIC PIN二极管 漂移 无碳 载流子寿命 特征 深能级瞬态谱 DLTS
Others:ROHM推出衰减器用AGC电路PIN二极管 预览
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《电子测试:新电子》 2005年第9期 106,共1页
ROHM株式会社日前开发了适用于汽车音响、汽车天线系统的AGC(Auto Gain Control)电路的PIN二极管RN771V、RN779F和RN779D。
关键词 PIN二极管 AGC电路 衰减器 汽车音响 株式会社 天线系统
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高功率微波下GaAs PIN限幅器的损伤机理分析 预览
10
作者 高金环 黄杰 席善斌 《环境技术》 2019年第3期6-8,共3页
GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定... GaAs PIN限幅器是置于通信接收前端抗电磁扰动的重要部件。本文对经受高功率微波后GaAs PIN限幅器损伤形貌的观察,结合其损伤机理分析,揭示了PIN二极管易于损伤的位置以及造成界面损伤的机理,对于GaAs PIN限幅器设计和工艺改进具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 限幅器 PIN界面 高功率微波 损伤形貌 失效机理
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Design of double-layer active frequency-selective surface with PIN diodes for stealth radome
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作者 邓斌 陈健 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期169-174,共6页
试验性的双层为秘密整流罩的活跃频率选择的表面(AFSS ) 被建议。AFSS 是固定频率选择的表面(FSS ) 镇静的平面结构,二极管穿的一根大头针,和 DC 偏导网络。合并可切换的大头针二极管的 AFSS 元素被讨论。借助于控制 DC 偏爱网络,为... 试验性的双层为秘密整流罩的活跃频率选择的表面(AFSS ) 被建议。AFSS 是固定频率选择的表面(FSS ) 镇静的平面结构,二极管穿的一根大头针,和 DC 偏导网络。合并可切换的大头针二极管的 AFSS 元素被讨论。借助于控制 DC 偏爱网络,为思考并且播送交换频率反应是可能的。测量并且模仿的数据当发生角度从 0 变化时,验证那 展开更多
关键词 频率选择表面 PIN二极管 有源 隐身 天线罩 设计 直流偏置 二极管阵列
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性 预览
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作者 包西昌 李超 +2 位作者 张文静 王玲 李向阳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2010年第5期 835-838,共4页
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm^2,278 nm的峰... 对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm^2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C^2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。 展开更多
关键词 日盲型紫外探测器 ALGAN 响应率 电容特性
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91~98GHz集成单刀单掷开关设计 预览 被引量:1
13
作者 姚常飞 罗运生 +1 位作者 周明 赵博 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期513-517,544共6页
为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开... 为解决W波段接收机保护开关和发射机调制开关芯片问题,本文基于0.1mm厚50.8mm(2英寸)熔制石英薄膜电路工艺,研制出了W波段PIN二极管SPST开关准单片。为了考察开关性能的一致性,随机抽取了5个SPST开关作了测试,在91~98GHz频率范围内,开关插损典型值1.0dB,不一致性小于0.45dB;91~98GHz测得开关隔离典型值25dB,不一致性小于5dB,92.5~94.5GHz隔离典型值32dB;开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18、20、10和18ns;开关尺寸2.8mm×2.6mm。其作为接收保护开关和发射调制开关可集成应用于W波段收发组件中。 展开更多
关键词 W波段 单刀单掷开关 PIN二极管 插损 隔离度
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PIN二极管原理及其在射频增益控制放大器中的作用 预览 被引量:1
14
作者 肖林立 《电子测试》 2017年第5期36-36,35共2页
文章主要介绍PIN二极管的原理及在射频增益控制放大器中的作用。
关键词 PIN二极管 射频增益控制
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GaN基p-i-n器件振动噪声研究 被引量:1
15
作者 刘飞 刘福浩 +1 位作者 袁永刚 李向阳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期560-563,582共5页
振动环境中,GaN基p-i-n器件的噪声会急剧增加,这限制了器件的探测能力。利用力锤和振动台分别模拟冲击振动和随机振动环境,研究了器件噪声在不同振动条件下的变化规律。实验结果表明,在冲击振动中,器件噪声呈现出周期特性,但噪声幅度随... 振动环境中,GaN基p-i-n器件的噪声会急剧增加,这限制了器件的探测能力。利用力锤和振动台分别模拟冲击振动和随机振动环境,研究了器件噪声在不同振动条件下的变化规律。实验结果表明,在冲击振动中,器件噪声呈现出周期特性,但噪声幅度随着时间减小。器件噪声主要的频率成分为429Hz,此频率下的器件噪声与激励力的大小、振动加速度的幅度成线性关系。随机振动的实验结果也表明,振动环境中测量到的噪声随着随机振动功率谱密度的增大而线性增加。 展开更多
关键词 氮化镓 振动噪声 随机振动 冲击振动 紫外探测
P—I—N型电力二极管反向恢复特性的仿真模型 预览 被引量:3
16
作者 裴云庆 伊濑敏史 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期 6-10,共5页
讨论了一种简单的二极管反向恢复模型,通过采用与存储电荷相关的寿命时间常数来考虑Auger复合过程及少子扩散电流的影响,从而得到更大精确的结果,该模型在电力电子系统CAD软件PECS中实现,采用该模型及软件对多种器件进... 讨论了一种简单的二极管反向恢复模型,通过采用与存储电荷相关的寿命时间常数来考虑Auger复合过程及少子扩散电流的影响,从而得到更大精确的结果,该模型在电力电子系统CAD软件PECS中实现,采用该模型及软件对多种器件进行了分析和比较。 展开更多
关键词 电力二极管 反向恢复 仿真 P-I-N型 二极管
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光控L波段平面GaAs—PIN二极管的实验研究 预览
17
作者 邵振亚 冷家波 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期 21-25,共5页
报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF.光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成... 报道光控平面GaAs-PIN二极管的实验结果。采用V形浅槽的全离子注入工艺,研制了GaAs-PIN二极管。器件击穿电压高达80V,最小电容0.2pF.光控I-V曲线类似晶体管特性,光控电流能力为300μA/mW。装成移相器电路,一L波段的光控相移20°--26°。 展开更多
关键词 光控微波 半导体器件 砷化镓-本征 二极管
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改善高压FRD结终端电流丝化的新结构 预览 被引量:1
18
作者 吴立成 吴郁 +4 位作者 魏峰 贾云鹏 胡冬青 金锐 査祎影 《电子科技》 2013年第10期98-100,104共4页
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优... 动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优.为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用p+/p阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区.仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解. 展开更多
关键词 快恢复二极管 动态雪崩 电流丝 终端结构
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新型高压半超结功率MOSFET的优化设计 预览 被引量:1
19
作者 荆吉利 钱钦松 +1 位作者 李海松 孙伟锋 《电子器件》 CAS 2009年第1期 21-23,共3页
给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法。通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为3... 给出了一个完整的半超结MOS的设计方法,包括超结部分浓度的确定,电压支持层部分的深度和浓度的优化。借助二维器件仿真讨论了在原胞尺寸不变的情况下导通电阻和击穿电压的折中关系的优化方法。通过模拟得到了一个750 V,特征导通电阻为32 mΩ.cm2的半超结结构。结果表明在不增加外延次数,工艺成本和难度的情况下,深宽比为5半超结MOS的特征导通电阻比VDMOS的下降了64%,比超结MOS的下降了8%。 展开更多
关键词 电力半导体器件 半超结 电压支持层 击穿电压
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Investigation of the polysilicon p-i-n diode and diode string as a process compatible and portable ESD protection device
20
作者 姜一波 杜寰 韩郑生 《半导体学报》 EI CAS CSCD 2012年第7期60-64,共5页
<正>The polysilicon p-i-n diode displays noticeable process compatibility and portability in advanced technologies as an electrostatic-discharge(ESD) protection device.This paper presents the reverse breakdown,c... <正>The polysilicon p-i-n diode displays noticeable process compatibility and portability in advanced technologies as an electrostatic-discharge(ESD) protection device.This paper presents the reverse breakdown,current leakage and capacitance characteristics of fabricated polysilicon p-i-n diodes.To evaluate the ESD robustness,the forward and reverse TLPⅠ-Ⅴcharacteristics were measured.The polysilicon p-i-n diode string was also investigated to further reduce capacitance and fulfill the requirements of tunable cut-in or reverse breakdown voltage. Finally,to explain the effects of the device parameters,we analyze and discuss the inherent properties of polysilicon p-i-n diodes. 展开更多
关键词 ESD保护器件 PIN二极管 多晶硅 管串 反向击穿电压 便携式 相容 电容特性
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