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MOSFET低温热载流子效应 预览
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作者 刘卫东 魏同立 《东南大学学报:自然科学版》 EI CAS CSCD 1994年第2期 15-21,共7页
与常温下相比,低温工作MOS器件具有许多优点,但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强,本文简要研究了这种效应,包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响,最后,从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低... 与常温下相比,低温工作MOS器件具有许多优点,但低温热载流子引起的器件蜕变却明显增强,本文简要研究了这种效应,包括低温热载流子的行为和界面态的产生及其对器件特性蜕变的影响,最后,从器件结构和工作条件等方面提出了抑制低温热载流子效应的设计考虑。 展开更多
关键词 低温 热载流子 MOS 场效应晶体管
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功率型LED封装趋势 预览 被引量:1
2
作者 柴储芬 《中小企业管理与科技》 2012年第21期311-312,共2页
本文重点介绍了陶瓷基板模封硅胶、COB封装、高压LED、Remote—phosphorLED、倒装心--N-片封装技术等几种LED的封装趋势,分析了各技术方案的优缺点。
关键词 封装 硅胶 COB LED 远程荧光体
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0.18μm NMOSFETS的衬底偏压增强电子注入的电荷泵技术 预览
3
作者 王庆学 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 702-706,共5页
分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降... 分别研究了0.18μm NMOSFETS的传统漏雪崩热载流子(DAHC)和衬底偏压增强电子注入(SEEI)的退化机制。结果表明,在这两个偏置条件下,界面缺陷的产生均是导致热载流子诱导器件性能退化的主导因素。界面缺陷诱导的反型层电子迁移率下降是导致先进深亚微米NMOSFETS电学特性退化的根本原因。 展开更多
关键词 SEEI 界面缺陷 电荷泵
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汽车电子 预览
4
《电子产品世界》 2008年第10期 136,共1页
飞思卡尔芯片提升汽车安全气囊技术,IR推出适合汽车应用的坚固可靠600V IC
关键词 汽车电子 汽车安全气囊 汽车应用 IC
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初级端调节PWM控制器 预览
5
《今日电子》 2009年第6期 67,共1页
FSEZ1016A是集成了一个初级端调节PWM控制器和一个功率MOSFET的EZSWITCH PSR PWM控制器,而FAN100是一个初级端调节PWM控制器。FSEZ1016A 和 FAN100具有专有的节能模式,提供关断时间调制功能,
关键词 PWM控制器 功率MOSFET 节能模式 时间调制 PSR
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IR推出增强型25V及30VMOSFET 预览
6
《单片机与嵌入式系统应用》 2009年第7期 88,共1页
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能,适用于消费和网络领域的计算应用。新M0s—FET系列采用了IR经过验证的硅技术... 国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能,适用于消费和网络领域的计算应用。新M0s—FET系列采用了IR经过验证的硅技术,可提供基准通态电阻(RDS(on)),并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能,即使在轻负载条件下,低转换损耗也有助于实现高效率。除了D—PAK、I—PAK和SO-8封装之外, 展开更多
关键词 IR 增强型 HEXFET 国际整流器公司 同步降压转换器 SO-8封装 传导损耗 热性能
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带保护功能的功率MOSFET驱动电路 预览 被引量:1
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作者 杨碧石 《微特电机》 北大核心 2009年第10期 66-67,共2页
0引言通常功率场效管内部(栅-源极间)制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大。因此,为了提高其开关速度,必须充分考虑栅极输入电容的影响,保证输入电容在开关过程中能很快充放电,因... 0引言通常功率场效管内部(栅-源极间)制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大。因此,为了提高其开关速度,必须充分考虑栅极输入电容的影响,保证输入电容在开关过程中能很快充放电,因此,在设计功率MOSFET栅极驱动电路时,还必须使控制回路与功率MOSFET构成的主回路之间完全隔离。 展开更多
关键词 功率MOSFET MOSFET驱动电路 保护功能 栅极驱动电路 MOSFET管 齐纳二极管 输入电容 开关速度
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Phase field simulation of the 180°domain-switching process in PbTiO3 single crystal under an antiparallel electric field 预览
8
作者 Ping-Li Liu Wu-Yang Chu Li-Jie Qiao 《矿物冶金与材料学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第4期 494-499,共6页
180 邝雦? 鮼铧? 的过程 ?? 蚢? 螈跦¢
关键词 开关时间 弱电场 场模拟 钛酸铅 平行 单晶 极化反转
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飞兆半导体IntelliMAX负载开关简化复杂功率设计难题
9
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期857-857,共1页
2010年7月19日,飞兆半导体公司推出先进负载管理开关产品FPF1038/FPF1039,这两款单一芯片解决方案在开关用于断开具有高输出电容(〉100μF)的负载时,能够帮助设计人员应对降低浪涌电流或高di/dt的挑战。如果使用传统的MOSFET/... 2010年7月19日,飞兆半导体公司推出先进负载管理开关产品FPF1038/FPF1039,这两款单一芯片解决方案在开关用于断开具有高输出电容(〉100μF)的负载时,能够帮助设计人员应对降低浪涌电流或高di/dt的挑战。如果使用传统的MOSFET/分立式解决方案将负载直接连接至电池或电源,当开关开启并消耗大量的电流时,分立元件的容差则可能造成过多的电压下降,从而引致电压轨超出规范要求。FPF1038/FPF1039在单芯片上集成了所需的功能性,能够防止这种情况的发生,并且减少电路板占用空间、减少元件数目、消除容差匹配问题,同时减少补偿电路的额外设计时间。 展开更多
关键词 飞兆半导体公司 负载开关 功率设计 MOSFET 浪涌电流 电压下降 分立元件 DI/DT
采用氮掺杂和现场HF蒸汽清洗的高性能 预览
10
《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第4期 62,共1页
关键词 氮掺杂 HF蒸汽清洗 MOSFET
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功率MOSFET反向特性的分析模拟 预览 被引量:5
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作者 周宝霞 王守觉 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期 32-35,共4页
本文对功率MOSFET的反向特性进行了模拟,着重分析了N沟功率MOSFET体内集成二极管的独特的作用,并对P沟器件在特性模拟时由于PSPICE模型参数的限制而表现出来的误差进行了分析,提出了改善措施,并得到了与实际相符合的结论.
关键词 功率MOSFET 场效应器件 反向特性
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《汽车实用技术》杂志 预览
12
《汽车实用技术》 2019年第14期F0003-F0003,共1页
《汽车实用技术》杂志创刊于1976年,是经国家新闻出版总署批准,由陕西省科学技术协会主管,陕西省汽车工程学会主办的汽车应用技术类科技期刊。本刊是中国核心期刊(遴选)数据库、CNKI中国期刊全文数据库、中国学术期刊(光盘版)、万方数据... 《汽车实用技术》杂志创刊于1976年,是经国家新闻出版总署批准,由陕西省科学技术协会主管,陕西省汽车工程学会主办的汽车应用技术类科技期刊。本刊是中国核心期刊(遴选)数据库、CNKI中国期刊全文数据库、中国学术期刊(光盘版)、万方数据-数字化期刊群'中文科技期刊数据库、中国学术期刊综合评价数据库(CAJCED)、超星期刊域出版平台'博看网、龙源期刊网、中邮阅读网全文收录的期刊。 展开更多
关键词 实用技术 汽车应用 中国期刊全文数据库 中国学术期刊(光盘版) 中文科技期刊数据库 杂志 国家新闻出版总署 科学技术协会
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征服——浅评曼琴MOS喇叭 预览
13
作者 彭英 《音响改装技术》 2009年第3期 132-133,共2页
2008年9月是曼琴(MACROM)成立25周年的日子,为了纪念这个特别的日子曼琴研发了一款优质材质的高品质套装喇叭MOS,MOS是Mastersofound(声音征服者)的缩写。MOS系列喇叭具有无与伦比的声音特性,同时它也是曼琴经过25年艰苦探索的... 2008年9月是曼琴(MACROM)成立25周年的日子,为了纪念这个特别的日子曼琴研发了一款优质材质的高品质套装喇叭MOS,MOS是Mastersofound(声音征服者)的缩写。MOS系列喇叭具有无与伦比的声音特性,同时它也是曼琴经过25年艰苦探索的结晶,代表着曼琴对音乐文化的独特贡献。 展开更多
关键词 MOS 喇叭 声音特性 音乐文化
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25V OptiMOS调压MOSFET和DrMOS系列 预览
14
《电子设计工程》 2010年第4期 144,共1页
英飞凌科技股份公司宣布,公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上,推出OptiMOS25V器件系列,壮大OptiMOS功率MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化,适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新... 英飞凌科技股份公司宣布,公司将在2010年应用电力电子会议和产品展示会上,推出OptiMOS25V器件系列,壮大OptiMOS功率MOSFET产品阵容。该系列器件经过优化,适合应用于计算机服务器电源的电压调节电路和电信/数据通信的开关。这种全新的MOSFET还被集成进满足英特尔DrMOS规范的TDA21220 DrMOS。 展开更多
关键词 功率MOSFET 产品展示会 调压 电压调节电路 服务器电源 股份公司 电子会议 数据通信
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不同气体退火La2O3栅介质GeMOS电容的电特性 预览
15
作者 刘红兵 陈娟娟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期 315-318,共4页
采用电子柬蒸发方法,在Ge衬底上淀积La2O3高k栅介质,研究了O2、NO、NH3和Nx不同气体退火对MOS电容电特性的影响。测量了器件的C—V和I-V特性,并进行了高场应力实验。结果表明La2o3在N2气氛中退火后,由于形成稳定的LaGeOX而有效地降... 采用电子柬蒸发方法,在Ge衬底上淀积La2O3高k栅介质,研究了O2、NO、NH3和Nx不同气体退火对MOS电容电特性的影响。测量了器件的C—V和I-V特性,并进行了高场应力实验。结果表明La2o3在N2气氛中退火后,由于形成稳定的LaGeOX而有效地降低了QQX和DIT从而获得低的栅极漏电流,同时获得较高的栅介质介电常数(18)。 展开更多
关键词 锗金属-氧化物-半导体 氧化镧 高K栅介质 淀积后退火
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短沟道双栅MOSFET二维表面势解析模型 预览 被引量:3
16
作者 王睿 赵青云 +1 位作者 朱兆旻 顾晓峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期323-328,共6页
采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的... 采用分解电势的方法求解二维泊松方程,建立了考虑电子准费米势的短沟道双栅MOSFET的二维表面势模型,并在其基础上导出了阈值电压、短沟道致阈值电压下降效应和漏极感应势垒降低效应的解析模型。研究了不同沟道长度、栅压和漏压情况下的沟道表面势,分析了沟道长度和硅膜厚度对短沟道效应的影响。研究结果表明,电子准费米势对开启后的器件漏端附近表面势有显著影响,新模型可弥补现有模型中漏端附近表面势误差较大的缺点;对于短沟道双栅MOSFET,适当减小硅膜厚度可抑制短沟道效应。 展开更多
关键词 双栅金属氧化物半导体场效应管 表面势 阈值电压 短沟道效应 解析模型
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高压大电流VDMOS研究 预览 被引量:3
17
作者 徐兴明 莫良华 +1 位作者 叶青 钱静 《微电子技术》 2001年第5期 22-26,共5页
本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制.这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω.设计中,按照要求 ,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数 .在大量参阅国... 本论文主要介绍高压大电流VDMOS功率晶体管的研制.这次研制的VDMOSFET,设计耐压高达600V,导通电流达到8A,导通电阻为1Ω.设计中,按照要求 ,确定外延层浓度和厚度;芯片元胞结构参数,阱掺杂浓度;器件边缘保护环,场极板参数 .在大量参阅国内外资料的基础上,我们提出新的芯片元胞设计方案,由此确定的垂直电流区宽度比以往方案缩小一个数量级,大大节约芯片面积,成功实现了把大约二万个元胞集成在一块芯片上.同时,在器件边缘终端结保护环设计中提出新思路,提高了器件可靠性,并有效减少芯片面积. 展开更多
关键词 VDMOS 高压 电流 功率晶体管 场效应管
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3D器件工艺技术研究 预览
18
作者 陆政 邢方园 朱英 《中国科技纵横》 2015年第22期38-38,共1页
本文针对电装生产中的“3D器件的焊接”存在的问题进行工艺研究,探讨印制板组件回流焊接过程中可能影响焊接质量的因素,如3D器件搪锡工艺,3D器件网板开口尺寸,使用的焊膏,焊接时的回流焊接曲线。并对影响质量的因素进行进行分析,对比分... 本文针对电装生产中的“3D器件的焊接”存在的问题进行工艺研究,探讨印制板组件回流焊接过程中可能影响焊接质量的因素,如3D器件搪锡工艺,3D器件网板开口尺寸,使用的焊膏,焊接时的回流焊接曲线。并对影响质量的因素进行进行分析,对比分析得到3D器件最佳焊接工艺方法。 展开更多
关键词 3D plus器件 模板(网板) 回流焊 回流焊接曲线
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Investigation of Cross-Correlation Characteristics for Multi-Link Channels in High-Speed Railway Scenarios 预览
19
作者 Tao Zhou Cheng Tao +1 位作者 Liu Liu Kai Liu 《中国通信:英文版》 SCIE CSCD 2018年第8期108-117,共10页
关键词 隧道模型 空间关联 高速度 连接 特征 铁路 通讯系统 阅读器
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深亚微米P^+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用 预览 被引量:1
20
作者 韩晓亮 郝跃 刘红侠 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期 84-87,共4页
究了p^+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制,即栅氧中氮形成的Si-N键不易被分解,但栅氧中的氮提供了H^+... 究了p^+栅pMOSFET中的NBTI效应.通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用,并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制,即栅氧中氮形成的Si-N键不易被分解,但栅氧中的氮提供了H^+的陷阱中心,导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加,其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加. 展开更多
关键词 NBTI效应 氮化栅氧 界面态 氧化层正固定电荷
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