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BESIII测量Ξ(1530)^-→γΞ^-的蒙特卡洛研究 预览
1
作者 姬清平 周祎卓 《河南师范大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2019年第1期52-57,共6页
基于BESIII合作组的离线软件框架BOSS,利用该合作组产生的1225M单举J/Ψ事例,研究在BESIII探测器上实现测量到超子辐射稀有衰变过程Ξ(1 530)^-→γΞ^-的分支比的可能性.以无信号事例的单举J/Ψ事例样本为背景样本,以纯信号蒙特卡罗事... 基于BESIII合作组的离线软件框架BOSS,利用该合作组产生的1225M单举J/Ψ事例,研究在BESIII探测器上实现测量到超子辐射稀有衰变过程Ξ(1 530)^-→γΞ^-的分支比的可能性.以无信号事例的单举J/Ψ事例样本为背景样本,以纯信号蒙特卡罗事例为信号样本,控制信号事例,在分别假设观测到Ξ(1 530)^-→γΞ^-衰变过程信号显著水平为3σ和5σ的情况下,得到该衰变过程对应的分支比. 展开更多
关键词 超子辐射衰变 BESIII探测器 蒙特卡洛研究 分支比
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基于蒙特卡罗法的一维弹道修正弹落点精度分析 被引量:3
2
作者 雷晓云 张志安 《系统仿真学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1685-1691,1700共8页
一维弹道修正弹出炮口后会因各种扰动因素影响形成落点散布,利用蒙特卡洛法研究影响射击精度的因素。根据实际试验数据,确定了3个主要扰动因素:阻尼片张开延时误差、阻力系数误差和目标测距误差。针对扰动因素,利用randn函数在Matlab... 一维弹道修正弹出炮口后会因各种扰动因素影响形成落点散布,利用蒙特卡洛法研究影响射击精度的因素。根据实际试验数据,确定了3个主要扰动因素:阻尼片张开延时误差、阻力系数误差和目标测距误差。针对扰动因素,利用randn函数在Matlab软件平台下,进行弹道仿真研究;基于确定的各因素误差分布,得到各个因素对落点影响的概率分布以及落点密集度,确定了各项误差的最大、最小允许范围,仿真研究表明,在最小误差源条件下可以保证落点精度要求,为提高修正精度提供依据。 展开更多
关键词 弹道修正弹 蒙特卡洛法 误差分析 落点精度
BESIII测量Xc J→ηη’的蒙特卡罗研究
3
作者 肖浩 姬清平 +1 位作者 王至勇 郑波 《湖南科技大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2016年第4期108-113,共6页
基于BOSS软件框架,利用BESIII合作组产生的400 M单举ψ(3686)事例,研究在BESIII探测器上实现测量到Xc J→ηη’分支比的可能性.以无信号事例的单举ψ(3686)样本为背景样本,以纯信号蒙特卡罗事例为信号样本,控制信号事例,在分别假... 基于BOSS软件框架,利用BESIII合作组产生的400 M单举ψ(3686)事例,研究在BESIII探测器上实现测量到Xc J→ηη’分支比的可能性.以无信号事例的单举ψ(3686)样本为背景样本,以纯信号蒙特卡罗事例为信号样本,控制信号事例,在分别假设观测到Xc J→ηη’衰变过程信号显著水平为3σ和5σ的情况下,得到该过程对应的分支比. 展开更多
关键词 XcJ衰变 BESIII探测器 XcJ→ηη’测量 蒙特卡罗研究
结构方程模型评价体系的可比性问题 被引量:9
4
作者 贾新明 《数理统计与管理》 CSSCI 北大核心 2011年第2期246-253,共8页
随着结构方程模型评价体系的推广应用,评价体系的可比性问题值得关注。本文以顾客满意度指数(CSI)为例说明结构方程模型评价体系的可比性问题,并通过模拟研究说明结构方程模型评价体系保持可比性的关键,那就是在其他条件一致的情况下... 随着结构方程模型评价体系的推广应用,评价体系的可比性问题值得关注。本文以顾客满意度指数(CSI)为例说明结构方程模型评价体系的可比性问题,并通过模拟研究说明结构方程模型评价体系保持可比性的关键,那就是在其他条件一致的情况下,各结构方程模型中对核心变量的显变量设定一致,而各结构方程模型纳入何种潜变量以及如何设定潜变量之间关系,对评价体系可比性的影响并不显著。 展开更多
关键词 结构方程模型 评价 可比性 顾客满意度指数 蒙特卡罗模拟
模拟软件SIMPHONY在科研项目进度计划中的应用 预览
5
作者 宇德明 郭乃正 罗鹏宇 《铁道科学与工程学报》 CAS CSCD 2011年第3期 84-87,共4页
描述了CEM_PERT模板的5个建模要素,即根要素、工作要素、连接要素、开始要素和结束要素,讨论了利用CEM_PERT模板建立不确定环境下科研项目进度计划的步骤,并利用该模板建立了某科研项目的进度计划,得到了该项目500次模拟运行的时间-完... 描述了CEM_PERT模板的5个建模要素,即根要素、工作要素、连接要素、开始要素和结束要素,讨论了利用CEM_PERT模板建立不确定环境下科研项目进度计划的步骤,并利用该模板建立了某科研项目的进度计划,得到了该项目500次模拟运行的时间-完成概率曲线;项目中不同工作最早开始时间、最早完成时间、最迟开始时间和最迟完成时间的最小值、最大值、均值和标准差;以及不同工作的关键指数。 展开更多
关键词 科研项目进度计划 蒙特卡罗模拟 SIMPHONY软件 实证分析
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Monte Carlo study of spatial resolution of the scintillation camera
6
作者 ZHU Jie OUYANG XiaoPing CHEN Da 《中国科学:技术科学英文版》 SCIE EI CAS 2011年第9期2373-2376,共4页
这研究的目的是在一个焕发照相机的内在的空间决定上评估闪烁器的不同入口表面处理的影响。一个闪烁器的入口表面上的主要焕发光思考可以被入口表面的光涂层影响,导致空间分辨率或系统察觉效率降级。基于 Geant4 代码,一个蒙特卡罗模... 这研究的目的是在一个焕发照相机的内在的空间决定上评估闪烁器的不同入口表面处理的影响。一个闪烁器的入口表面上的主要焕发光思考可以被入口表面的光涂层影响,导致空间分辨率或系统察觉效率降级。基于 Geant4 代码,一个蒙特卡罗模拟模型被开发以便与各种各样的光涂层的入口表面在闪烁器学习焕发光交通。结果证明焕发水晶罐头的入口表面上的回射器的应用程序显著地改进焕发照相机的内在的空间决定。空间分辨率的改进的物理机制被探索。 展开更多
关键词 空间分辨率 蒙特卡罗 闪烁光 相机 表面处理 GEANT4 光学镀膜 检测效率
采用蒙特卡洛法研究百色水利枢纽主坝坝基深层抗滑稳定 预览
7
作者 黄开华 《广西水利水电》 2009年第4期 5-8,33,共5页
百色水利枢纽工程ROC主坝高132m,本次研究是基于主坝溢流坝段、右岸挡水坝段坝基的软弱带和节理裂隙面的分布情况,分析确定合理的坝基失稳模式,建立正确的坝基稳定功能函数和极限状态方程,采用蒙特卡洛法研究坝基深层抗滑稳定的失... 百色水利枢纽工程ROC主坝高132m,本次研究是基于主坝溢流坝段、右岸挡水坝段坝基的软弱带和节理裂隙面的分布情况,分析确定合理的坝基失稳模式,建立正确的坝基稳定功能函数和极限状态方程,采用蒙特卡洛法研究坝基深层抗滑稳定的失效概率和可靠度。 展开更多
关键词 蒙特卡洛法 研究 坝基 深层抗滑稳定
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BESⅢ上τ轻子对产生阈附近衰变分支比测量的模拟研究 预览
8
作者 花春飞 莫晓虎 +49 位作者 李玉晓 边渐鸣 曹国富 曹学香 陈申见 邓子艳 傅成栋 高原宁 何康林 何苗 黄彬 黄性涛 季晓斌 李海波 李卫东 梁羽铁 刘春秀 刘怀民 刘秋光 刘锁 马秋梅 马想 冒亚军 毛泽普 潘明华 庞彩莹 平荣刚 秦亚红 邱进发 孙胜森 孙永昭 王纪科 王亮亮 文硕频 伍灵慧 谢宇广 徐敏 严亮 尤郑昀 俞国威 苑长征 袁野 张长春 张建勇 张学尧 张瑶 郑阳恒 朱永生 朱志丽 邹佳恒 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期 1081-1087,共7页
利用BESⅢ的离线软件系统模拟τ轻子对在其产生阈处衰变到包含eμ和eπ子的末态;借助粒子鉴别软件对衰变末态进行筛选,得到相应的探测效率及本底比率,由此估算出相应于特定统计误差精度要求的数据获取时间。
关键词 τ阈值 eμ和eπ末态 分支比 模拟研究
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GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化 预览 被引量:2
9
作者 符凯 张禹 +3 位作者 陈敦军 韩平 谢自力 张荣 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期 28-33,共6页
根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了... 根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟。结果表明,在950-1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率。另一方面,较高的V/III也会抑制GaN的生长速率。生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GaN薄膜在高温下(1073~1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整。 展开更多
关键词 氮化镓 计算流体力学 蒙特卡洛 计算机模拟
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基于参数识别的结构损伤概率诊断方法 预览 被引量:6
10
作者 张清华 李乔 唐亮 《工程力学》 EI CSCD 北大核心 2007年第8期 15-21,共7页
为解决观测噪声等不确定性因素影响下确定性损伤识别方法的损伤误判问题,提出了结构损伤识别的概率可靠度法.通过正则化修正改善参数识别问题的不适定性,利用数据摄动和蒙特卡罗法研究观测噪声对参数识别结果的影响并获得各待识别参数... 为解决观测噪声等不确定性因素影响下确定性损伤识别方法的损伤误判问题,提出了结构损伤识别的概率可靠度法.通过正则化修正改善参数识别问题的不适定性,利用数据摄动和蒙特卡罗法研究观测噪声对参数识别结果的影响并获得各待识别参数的统计特征,在此基础上基于概率统计理论推导了损伤概率的计算公式.根据损伤识别试验验证了方法的有效性和准确性,分析并比较了概率可靠度法和确定性方法的损伤识别结果.试验研究表明,损伤识别的概率可靠度法能够显著改善传统确定性损伤识别方法的损伤误判问题. 展开更多
关键词 桥梁工程 损伤识别 概率可靠度法 正则化 蒙特卡罗法 参数识别 试验研究
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多元正态的两个均匀性检验 预览
11
作者 梁家卷 Pawel Mensz 杨振海 《应用概率统计》 CSCD 北大核心 2005年第3期 267-277,共11页
本文提出两个均匀性统计量用于检验多元正态性.该检验建立在多元正态分布的一个特征性质基础上.模拟研究和实例分析显示该均匀性统计量可以帮助解释来自已有正态性检验统计量的结论.
关键词 多元正态性 模拟研究 球分布 T-分布 均匀性检验
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掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究 预览
12
作者 王平 杨燕 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期 1512-1515,共4页
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.... 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致. 展开更多
关键词 4H-SIC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度
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BES—Ⅲ主漂移室输出信号的模拟
13
作者 王铮 陈元柏 +2 位作者 盛华义 庄保安 江晓山 《高能物理与核物理》 CSCD 北大核心 2002年第12期1297-1301,共5页
小单元漂移室具有漂移电子扩散小、空间分辨好等特点,因而在北京谱仪的升级改造中被采用. 利用漂移室模拟程序GARFIELD7等进行了BES - Ⅲ主漂移室对带电粒子响应的Monte Carlo模拟. 据此得到主漂移室输出信号的特点,为其读出电子学系统... 小单元漂移室具有漂移电子扩散小、空间分辨好等特点,因而在北京谱仪的升级改造中被采用. 利用漂移室模拟程序GARFIELD7等进行了BES - Ⅲ主漂移室对带电粒子响应的Monte Carlo模拟. 据此得到主漂移室输出信号的特点,为其读出电子学系统的设计提供了较为准确的理论依据. 展开更多
关键词 输出信号 BES-Ⅲ 小单元漂移室 MONTE CARLO模拟 高能物理实验 北京谱仪系统
6H—SiC反型层电子库仑散射 预览 被引量:1
14
作者 尚也淳 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期 154-157,共4页
提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型,并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性.对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟,模拟结果和实验值相符.模拟结果表明,当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强,库仑... 提出了一种综合的SiC反型层库仑散射解析模型,并在模型中考虑了库仑电荷中心的相关性.对6H-SiC反型层电子迁移率进行了单电子MonteCarlo模拟,模拟结果和实验值相符.模拟结果表明,当有效横向电场变小时库仑散射的作用将增强,库仑电荷密度和分布也对反型层迁移率有着重要影响. 展开更多
关键词 碳化硅 6H-SIC 反型层迁移率 库仑散射
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6H—SiC电子输运的Monte Carlo模拟 被引量:4
15
作者 尚也淳 张义门 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期 1786-1791,共6页
从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律,在模拟中考虑了6H-SiC主要的散射机理,模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移率的各向异性,其横向迁移率和... 从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律,在模拟中考虑了6H-SiC主要的散射机理,模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移率的各向异性,其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍,模拟结果和实验数据的对比说明了对6H-SiC输运特性的模拟是正确的。 展开更多
关键词 MONTECARLO模拟 迁移率 碳化硅 电子输运
对齐(Alignment)——一种新的多群组分析法 预览
16
作者 温聪聪 伍伟平 林光杰 《心理科学进展》 CSSCI CSCD 北大核心 2019年第1期181-189,共9页
进行跨群组的因素均值比较需要检验测量工具的可比较性,常见的做法是使用多群组CFA检验各群组的截距恒定性,但截距恒定假设因其过于苛刻而往往无法满足。对齐法在这一背景下应运而生,通过检验构置恒定模型中参数的近似恒定性而进行跨群... 进行跨群组的因素均值比较需要检验测量工具的可比较性,常见的做法是使用多群组CFA检验各群组的截距恒定性,但截距恒定假设因其过于苛刻而往往无法满足。对齐法在这一背景下应运而生,通过检验构置恒定模型中参数的近似恒定性而进行跨群组因素均值比较。文章介绍了多群组CFA和对齐法的原理,运用某省4个学校的本科生职业价值观研究实例来演示如何在Mplus软件中使用对齐法进行研究,并总结了对齐法的优势与局限,回顾了对齐法近年的研究进展。 展开更多
关键词 多群组分析 多群组CFA 测量恒定性 对齐法 蒙特卡洛模拟研究
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删失数据下几种两样本检验的功效研究 被引量:2
17
作者 徐宇航 丁邦俊 《数理统计与管理》 CSSCI 北大核心 2011年第1期64-69,共6页
本文讨论了删失数据下的两样本检验问题,并提出了一个新的检验统计量.在样本来自指数分布和wemull分布及不同的删失水平下,我们把这种检验与其它检验的功效进行了比较.结果表明,在某些情况下.这种检验比其它检验好.
关键词 删失 MONTE Carlo研究 非参数两样本检验 Bootstrap检验 功效曲线
蒙特卡罗模拟法在顾客满意度指数研究中的应用 预览
18
作者 贾新明 田澎 《管理学报》 CSSCI 2010年第8期 1171-1174,共4页
归纳了在顾客满意度指数的相关研究中经常使用模特卡罗模拟研究方法的原因,提出使用蒙特卡罗模拟方法进行顾客满意度指数相关研究的一般过程。其中,模拟的设计过程尤其是有代表性模型的选择和总体参数的设定是决定整个模拟研究成功与否... 归纳了在顾客满意度指数的相关研究中经常使用模特卡罗模拟研究方法的原因,提出使用蒙特卡罗模拟方法进行顾客满意度指数相关研究的一般过程。其中,模拟的设计过程尤其是有代表性模型的选择和总体参数的设定是决定整个模拟研究成功与否的关键要素。模拟过程必须以理论研究为出发点,并以对理论的验证为主要任务。最后,用一个具体实例对模拟的过程加以说明。 展开更多
关键词 蒙特卡罗模拟法 模拟过程 顾客满意度指数
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6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究 预览 被引量:3
19
作者 王平 周津慧 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 杨燕 付俊兴 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期 322-325,共4页
采用非抛物性能带模型,对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明:温度为296K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×10^4V/cm处偏离线性区,5.0×10^5V/cm处达到饱和,由EMC方法得... 采用非抛物性能带模型,对6H-SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo)研究.研究表明:温度为296K时,电子横向漂移速度在电场为2.0×10^4V/cm处偏离线性区,5.0×10^5V/cm处达到饱和,由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为1.95×10^7cm/s,纵向为6.0×10^6cm/s,各向异性较为显著,当电场小于1.0×10^6V/cm时,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小。另一方面,高场下电子平均能量的各向异性非常明显,电场大于2.0×10^5V/cm时,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大,当电场一定时,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大,对非稳态高场输运特性的分析表明:阶跃电场强度为1.0×10^6V/cm时,电子横向瞬态速度峰值接近3.0×10^7cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。 展开更多
关键词 6H-SIC 多粒子蒙特卡罗研究 各向异性 漂移速度 平均能量 电子碰撞电离率
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2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究 预览
20
作者 王平 杨银堂 +2 位作者 崔占东 杨燕 付俊兴 《西北大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期 541-544,548,共5页
目的对2H-SiC体材料的电子输运特性进行研究.方法在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.结果计算表明:低场下,温度一定时,2H-SiC纵向电子迁移率比4H-SiC和6H-SiC都高,横... 目的对2H-SiC体材料的电子输运特性进行研究.方法在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(Ensemble Monte Carlo,EMC)方法.结果计算表明:低场下,温度一定时,2H-SiC纵向电子迁移率比4H-SiC和6H-SiC都高,横向迁移率则较为接近.296 K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107 cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107 cm/s.当电场条件相同时,2H-SiC同4H-SiC以及6H-SiC中的纵向电子平均能量相差较大.在阶跃电场强度为1 000 kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107 cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.结论可以被用来设计SiC 器件和电路. 展开更多
关键词 2H-SiC 多粒子蒙特卡罗研究 迁移率 漂移速度 平均能量
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