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基于反馈约束的SRAM接口时序分析方法 预览
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作者 左丽丽 刘国斌 +1 位作者 吴维林 陈云 《计算机测量与控制》 2020年第1期179-183,共5页
FPGA验证作为保证FPGA产品功能和可靠性的重要手段已经备受关注;对接口芯片时序的验证通常通过布局布线后仿真来进行,但布局布线后仿真需要耗费大量的时间;介绍了一种基于反馈的SRAM接口时序验证的方法,将FPGA输入输出连接成一个回路,... FPGA验证作为保证FPGA产品功能和可靠性的重要手段已经备受关注;对接口芯片时序的验证通常通过布局布线后仿真来进行,但布局布线后仿真需要耗费大量的时间;介绍了一种基于反馈的SRAM接口时序验证的方法,将FPGA输入输出连接成一个回路,验证结果表明,与动态仿真验证相比,该种静态时序验证方法可以较早、快速、精确定位FPGA接口时序设计存在的问题;缩短了验证时间,提高了验证效率、准确性和覆盖率。 展开更多
关键词 FPGA 静态时序分析 SRAM
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SRAM冗余存储阵列分析与控制电路设计 预览
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作者 陈泽翔 张立军 张强 《电视技术》 2019年第6期80-83,90共5页
SRAM存储阵列设计制造时常使用工艺允许的最小晶体管以提高面积效率,因此极易因工艺参数变化从而导致器件失配。而为提高存储阵列良率,本文提出一种在存储阵列中加入冗余行和冗余列存储单元的方式,并设计相应的冗余存储阵列控制电路。... SRAM存储阵列设计制造时常使用工艺允许的最小晶体管以提高面积效率,因此极易因工艺参数变化从而导致器件失配。而为提高存储阵列良率,本文提出一种在存储阵列中加入冗余行和冗余列存储单元的方式,并设计相应的冗余存储阵列控制电路。该方式可以通过冗余控制电路控制冗余存储阵列替代有缺陷存储阵列从而完成存储阵列纠错。该电路结构已成功应用于一款双端口异步SRAM存储器中。 展开更多
关键词 存储阵列纠错 SRAM 冗余控制
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一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法
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作者 桑胜男 张立军 +1 位作者 郑坚斌 彭增发 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第4期17-22,共6页
FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态... FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态故障的测试算法极少,并且复杂度很高.因此,本文提出了一种改进的动态故障测试算法,该算法能够覆盖所有连续两次敏化操作的单单元动态故障. 展开更多
关键词 SRAM MARCH算法 动态故障 故障原语 MBIST
一种0.11μm SRAM PUF芯片的测试与分析
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作者 刘登科 刘伟 +4 位作者 宋贺伦 殷志珍 茹占强 吴菲 赵俊君 《电子测量技术》 2019年第17期88-94,共7页
物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工... 物理不可克隆函数(PUF)是一种新型的信息安全硬件,在物联网、消费电子等领域正得到越来越广泛的应用。由于易于设计和制造,而且性能稳定,基于SRAM的PUF是目前得到工业界最广泛应用的PUF类型。针对一款自主设计的基于华虹0.11μm CMOS工艺的SRAM PUF,通过设计FPGA测试电路,PUF芯片测试板,对PUF芯片的片内汉明距离、片间汉明距离、稳定性等关键指标进行了详细测试和分析。测试结果表明,该PUF的片间汉明距离达到42.2%,片内汉明距离20.0%,可以满足身份识别、电子标签等应用的需求。同时,提出了对不稳定位进行筛选的系统级优化方法,可以在不进行模糊提取的情况下将片内汉明距离降低到2.1%。 展开更多
关键词 FPGA SRAM PUF 串口通信 芯片测试
FPGA大气中子辐射效应仿真研究 预览
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作者 赵鹏 梅亮 常成 《计算机与数字工程》 2019年第1期74-78,共5页
论文开展FPGA大气中子辐射效应仿真研究,通过分析FPGA尤其是SRAM型FPGA在临近空间内的运行环境,发现其容易受到临近空间中大气中子的辐射影响,发生单粒子翻转。造成这一现象的主要原因在于,SRAM型FPGA内部存储单元中的NMOS管受大气中子... 论文开展FPGA大气中子辐射效应仿真研究,通过分析FPGA尤其是SRAM型FPGA在临近空间内的运行环境,发现其容易受到临近空间中大气中子的辐射影响,发生单粒子翻转。造成这一现象的主要原因在于,SRAM型FPGA内部存储单元中的NMOS管受大气中子辐射影响,其漏极产生瞬态电流脉冲,进而影响整个FPGA的功能。《NMOS大气中子辐射效应研究》通过TCAD仿真软件,得出不同能量大气中子以及不同尺寸NMOS管等情况下,NMOS管漏极产生的漏极瞬态脉冲电流,论文利用该仿真结果,进行SRAM存储单元的电路仿真分析,得出FPGA受大气中子辐射发生单粒子翻转主要影响因素。 展开更多
关键词 FPGA SRAM 电路仿真
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一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
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作者 黄正峰 卢康 +4 位作者 郭阳 徐奇 戚昊琛 倪天明 鲁迎春 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第4期518-523,528共7页
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上... 提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上升19.91%,RSNM平均上升97.34%,WSNM平均上升15.37%,全工作状态下均具有较高的静态噪声容限,表现出优秀的稳定性能。虽然面积开销平均增加了9.56%,但是,读时间平均下降14.27%,写时间平均下降18.40%,能够满足高速电子设备的需求。 展开更多
关键词 低功耗 单粒子翻转 SRAM 抗辐照加固设计 稳定性
一种读写分离结构的SRAM译码器设计 预览
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作者 李山山 乔树山 李智 《电子设计工程》 2019年第14期6-9,15共5页
基于40nm超低电压标准(40ULP)CMOS工艺,设计了一种读写分离的SRAM译码器电路结构,得到了具有更小的版图面积和功耗的新型SRAM电路,同时结合读写辅助电路改善了因工艺节点减小产生的数据存储不稳定问题。通过在0.9V工作电压、200MHz工作... 基于40nm超低电压标准(40ULP)CMOS工艺,设计了一种读写分离的SRAM译码器电路结构,得到了具有更小的版图面积和功耗的新型SRAM电路,同时结合读写辅助电路改善了因工艺节点减小产生的数据存储不稳定问题。通过在0.9V工作电压、200MHz工作频率下对SRAM6T结构存储单元进行测试。与使用传统译码器SRAM相比,写周期内动态功耗减小约29.17%,译码器版图面积减小约59.9%。实验结果表明:本结构在保证读写稳定性的基础上不仅提高了存储器的性能,并且减小了面积。 展开更多
关键词 关动态功耗 版图面积 SRAM 辅助电路
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基于FPGA的目标颜色识别系统 预览
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作者 戴翊斌 陈悦 蒋源 《数字技术与应用》 2019年第4期97-98,共2页
针对AGV全自动视觉引导小车设计了一种基于FPGA的颜色识别系统。该系统使用OV7670对于路面数据进行采集,FPGA颜色识别系统将对BRAM进行操作,读取BRAM的数值到SRAM中,使用阈值判定法对于识别的物体进行颜色识别。该系统能适应AGV运输小... 针对AGV全自动视觉引导小车设计了一种基于FPGA的颜色识别系统。该系统使用OV7670对于路面数据进行采集,FPGA颜色识别系统将对BRAM进行操作,读取BRAM的数值到SRAM中,使用阈值判定法对于识别的物体进行颜色识别。该系统能适应AGV运输小车的高时序性要求的特性,提升了小车在运行时的精度与速度,具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 FPGA 颜色识别 SRAM 阈值判定法 AGV
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累积总吸收剂量对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响 预览
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作者 李俊霖 李瑞宾 +3 位作者 贺朝会 齐超 刘敏波 刘岩 《现代应用物理》 2019年第2期37-41,共5页
为研究累积总剂量辐照对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响,选取特征尺寸为 180 nm 的商用SRAM在 60 Co γ辐射源及“强光一号”加速器上进行了累积总剂量效应与瞬时剂量率效应的实验研究。实验结果表明,在累积总吸收剂量分别为100 krad(Si)... 为研究累积总剂量辐照对SRAM瞬时剂量率翻转效应的影响,选取特征尺寸为 180 nm 的商用SRAM在 60 Co γ辐射源及“强光一号”加速器上进行了累积总剂量效应与瞬时剂量率效应的实验研究。实验结果表明,在累积总吸收剂量分别为100 krad(Si)和150 krad(Si)时, 180 nm SRAM瞬时剂量率翻转对累积总剂量辐照实验过程中的写入数据都表现出“反印记效应”依赖性,即当SRAM芯片在累积总剂量辐照实验中与瞬时剂量率辐照实验中写入的数据类型相同时,该数据类型的瞬时剂量率敏感性增大,更容易发生翻转。 展开更多
关键词 累积总吸收剂量 SRAM 瞬时剂量率翻转效应 “反印记效应”
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SRAM全新的山地车无线传动系统 预览
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作者 清风 《中国自行车》 2019年第2期90-91,共2页
XX1 Eagle AXS^TM 和X01 Eagle AXS^TM 都结合了SRAM 久经考验的单盘传动系统的精髓,并搭配无线控制的后拨与指拨。这两款产品的指拨有着不同以往的全新拨杆设计,而后拨则更是针对电机驱动进行了优化,以挖掘最大的潜力。AXS^TM 驱动的... XX1 Eagle AXS^TM 和X01 Eagle AXS^TM 都结合了SRAM 久经考验的单盘传动系统的精髓,并搭配无线控制的后拨与指拨。这两款产品的指拨有着不同以往的全新拨杆设计,而后拨则更是针对电机驱动进行了优化,以挖掘最大的潜力。AXS^TM 驱动的零件都可通过AXS^TM APP 实现客制化的控制。 展开更多
关键词 无线控制 传动系统 SRAM 山地车 EAGLE 电机驱动 APP 客制化
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SRAM RED eTAP AXS^TM传动系统全新亮相 预览
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作者 清风 《中国自行车》 2019年第2期92-97,共6页
公路车手正在不断突破身体极限,他们正骑得更远更快,心中有一事从未改变:挑战之路,只愿专注向前。所以SRAM为当今的车手准备了eTap AXS^TM,一个凭直觉就能操作的高性能传动套件。这也意味着车手可以专注于最重要的事情——骑行。
关键词 SRAM 传动系统 RED 车手 公路
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Dependency of well-contact density on MCUs in 65-nm bulk CMOS SRAM
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作者 Cheng XIE Yueyue CHEN +1 位作者 Jianjun CHEN Jizuo ZHANG 《中国科学:信息科学(英文版)》 SCIE EI CSCD 2019年第6期171-173,共3页
Dear editor,In custom static random access memory (SRAM)cell, radiation-induced single bit upsets (SBUs)are considered as the main cause of soft error [1].Advanced technologies and scaling down of feature sizes have m... Dear editor,In custom static random access memory (SRAM)cell, radiation-induced single bit upsets (SBUs)are considered as the main cause of soft error [1].Advanced technologies and scaling down of feature sizes have made single-event multiple cell upsets (MCUs) as the vital source of soft error. 展开更多
关键词 DEPENDENCY of well-contact DENSITY on MCUs in 65-nm BULK CMOS SRAM MCU
一款抗辐射SRAM的后端物理设计 预览
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作者 孟少鹏 《电子世界》 2019年第11期12-13,16共3页
随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余... 随着半导体工艺的进步和器件的特征尺寸缩短,单粒子多位翻转事件和单粒子瞬态辐射效应事件显著增长,传统多模冗余技术无法满足加固要求。对一款抗辐射存储器进行后端物理设计,在布局和时钟树设计阶段实现了空间交织冗余和时间交织冗余的加固手段,最后对物理设计结果进行了分析。 展开更多
关键词 物理设计 抗辐射 SRAM 冗余技术 时间交织 半导体工艺 特征尺寸 辐射效应
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Single event upset on static random access memory devices due to spallation,reactor,and monoenergetic neutrons
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作者 金晓明 陈伟 +4 位作者 李俊霖 齐超 郭晓强 李瑞宾 刘岩 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第10期387-396,共10页
This paper presents new neutron-induced single event upset(SEU) data on the SRAM devices with the technology nodes from 40 nm to 500 nm due to spallation, reactor, and monoenergetic neutrons. The SEU effect is investi... This paper presents new neutron-induced single event upset(SEU) data on the SRAM devices with the technology nodes from 40 nm to 500 nm due to spallation, reactor, and monoenergetic neutrons. The SEU effect is investigated as a function of incident neutron energy spectrum, technology node, byte pattern and neutron fluence rate. The experimental data show that the SEU effect mainly depends on the incident neutron spectrum and the technology node, and the SEU sensitivity induced by low-energy neutrons significantly increases with the technology downscaling. Monte-Carlo simulations of nuclear interactions with device architecture are utilized for comparing with the experimental results. This simulation approach allows us to investigate the key parameters of the SEU sensitivity, which are determined by the technology node and supply voltage. The simulation shows that the high-energy neutrons have more nuclear reaction channels to generate more secondary particles which lead to the significant enhancement of the SEU cross-sections, and thus revealing the physical mechanism for SEU sensitivity to the incident neutron spectrum. 展开更多
关键词 NEUTRON SRAM SEU CROSS-SECTION
为速降而生,SRAM推出X01 DH^TM系统和GX DH^TM系统 预览
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作者 清风(整理) 《中国自行车》 2019年第4期92-93,共2页
SRAM X01 DH^TM系统相比较其他变速套件,X01 DH^TM专为速降车手研发,能提供更快的变档、更合理的齿比间隔,以及更精准的链条管理。从世界冠军到活跃于当地的专业车手,7速的X01 DH^TM传动系统是他们征服赛道的最好伙伴。
关键词 传动系统 SRAM 车手
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Short-channel effects on the static noise margin of 6T SRAM composed of 2D semiconductor MOSFETs
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作者 Qian XIE Chen CHEN +2 位作者 Mingjun LIU Shuang XIA Zheng WANG 《中国科学:信息科学(英文版)》 SCIE EI CSCD 2019年第6期98-105,共8页
This paper investigates the influence of the short-channel effects(SCEs) on the static noise margin(SNM) of 6 T(6 transistors) SRAM composed of 2 D MOSFETs. An analytical all-region I-V model for short-channel complem... This paper investigates the influence of the short-channel effects(SCEs) on the static noise margin(SNM) of 6 T(6 transistors) SRAM composed of 2 D MOSFETs. An analytical all-region I-V model for short-channel complementary 2 D MOSFETs has been developed, and a simulation model has been built to calculate SNM with the consideration of SCEs and velocity saturation. The results show that there exists an optimal value of channel length(Lopt) where SNM reaches a maximum, and Lopt is approximately three times the scale length. In the region where L>Lopt, SNM increases slightly as L decreases because of velocity saturation, while in the region where L<Lopt, SNM decreases rapidly as L decreases as the SCEs are dominant. The worst case of SNM reduction due to the threshold voltage(VT) fluctuation is investigated,and the maximum VTtolerance is studied as a function of L. In an SRAM with a scale length of 5 nm, as L decreases from 15 nm to 5 nm, SNM decreases from 155 mV to 98 mV, and the maximum VTtolerance decreases from 126 mV to 105 mV. 展开更多
关键词 2D SEMICONDUCTOR MODEL SNM SCEs SRAM
国产SRAM应用时序的研究分析 预览
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作者 陈川 《信息通信》 2019年第4期72-74,共3页
文章以国产512K×32bit的SRAM为研究对象,通过构建测试平台和设计验证流程对国产SRAM的应用时序进行验证,并对验证得到的结果进行深层次分析,指出国产SRAM目前在应用时序上存在的隐患问题。此分析结果对于相关集成电路制造行业或者... 文章以国产512K×32bit的SRAM为研究对象,通过构建测试平台和设计验证流程对国产SRAM的应用时序进行验证,并对验证得到的结果进行深层次分析,指出国产SRAM目前在应用时序上存在的隐患问题。此分析结果对于相关集成电路制造行业或者应用国产SRAM的各科研单位,都具有较好的参考价值和指导意义。 展开更多
关键词 SRAM 国产化 时序 测试验证
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一种超大规模集成电路内部存储单元单粒子效应仿真评估方法
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作者 郑宏超 初飞 +1 位作者 简贵胄 李月 《微电子学与计算机》 北大核心 2019年第5期96-100,共5页
本文提出了针对抗辐射加固超大规模集成电路内部存储单元的单粒子翻转效应仿真方法,通过设计存储单元的单粒子翻转传播因子算法,可以模拟单粒子翻转在目标电路内部存储单元的产生、传播、掩蔽和捕获等过程,并预估对整体电路单粒子翻转... 本文提出了针对抗辐射加固超大规模集成电路内部存储单元的单粒子翻转效应仿真方法,通过设计存储单元的单粒子翻转传播因子算法,可以模拟单粒子翻转在目标电路内部存储单元的产生、传播、掩蔽和捕获等过程,并预估对整体电路单粒子翻转截面的贡献.在此基础上开发了自动提取统计的仿真软件,开展了存储器内建自测试、典型功能模式下的重离子试验,仿真和试验结果具有相同的变化规律,误差小于1个数量级,表明该方法具有较高的仿真精度,可以应用于大规模集成电路的单粒子效应仿真. 展开更多
关键词 单粒子翻转 超大规模集成电路 存储器 仿真
基于NiosⅡ的井下静态随机存取存储器管理 预览
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作者 付绍凯 卢俊强 +2 位作者 门百永 鞠晓东 陈光建 《计算机测量与控制》 2019年第10期181-185,共5页
针对测井仪器中高速数据缓存的问题,提出了一种基于Nios Ⅱ的静态随机存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)控制器的IP核的设计方法,详细介绍了IP核的设计和实现过程并基于一定的硬件平台对SRAM控制器IP核的稳定性进行了测试;测试... 针对测井仪器中高速数据缓存的问题,提出了一种基于Nios Ⅱ的静态随机存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)控制器的IP核的设计方法,详细介绍了IP核的设计和实现过程并基于一定的硬件平台对SRAM控制器IP核的稳定性进行了测试;测试结果表明,所设计的SRAM控制器IP核能够在高温环境下实现对SRAM的有效管理而且通过修改配置参数就可应用在不同位宽和容量的SRAM上且运行稳定;该设计不仅实现测井仪器中高速数据缓存的管理,也提供了一套SRAM选型测试系统;另外设计介绍的可编程片上系统(System-on-a-Programmable-Chip,SOPC)开发流程对其它SOPC系统开发也具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 测井仪器 静态随机存储器 NIOS IP核 可编程片上系统
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星载计算机SRAM抗辐射加固策略与应用设计 预览 被引量:1
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作者 范延芳 张睿 《单片机与嵌入式系统应用》 2018年第10期35-38,42共5页
为了提升不具备EDAC功能的星载计算机SRAM在太空中的抗辐射加固能力,提出了一种应急模式与常规模式相结合,硬件检测与软件维护互补的星载SRAM单粒子翻转故障检测和故障恢复方案.该方案具有自主、灵活切换防护模式和维护步进,快速响应故... 为了提升不具备EDAC功能的星载计算机SRAM在太空中的抗辐射加固能力,提出了一种应急模式与常规模式相结合,硬件检测与软件维护互补的星载SRAM单粒子翻转故障检测和故障恢复方案.该方案具有自主、灵活切换防护模式和维护步进,快速响应故障恢复请求,多级防护共存的特点.另外,本文还介绍了基于活动对象模型的防护加固软件架构实现,并通过仿真实验数据证明了本设计方案的可行性和有效性. 展开更多
关键词 SRAM 单粒子翻转 事件驱动 异常应急维护 常规空闲维护
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