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InN量子点的液滴外延及物性表征 预览
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作者 陈启明 晏长岭 曲轶 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期171-176,共6页
由于1.55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1.55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在Ga... 由于1.55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1.55μm通信波段的发光,对InN量子点的液滴外延及物性进行了相关研究。首先利用射频等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术在GaN模板上,采用液滴外延方法在3种温度下生长了InN量子点结构。生长过程中靠反射高能电子衍射(RHEED)对样品进行原位监控。原子力显微镜(AFM)表征结果表明随着生长温度升高,量子点尺寸变大,密度减小。在生长温度350℃和400℃下,观测到了量子点;当温度高于450℃时,未观测到InN量子点。当生长温度为400℃时,量子点形貌最好,密度为6×108/cm2,对400℃下生长的InN量子点进行了变温PL测试,成功得到InN量子点在1.55μm波段附近的光致发光,并且随着测试温度的升高,量子点的发光峰位发生了先红移后蓝移最后又红移的S型曲线变化,这种量子点有望在未来应用于量子通信领域。 展开更多
关键词 氮化铟 量子点 分子外延 液滴外延
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基于异质外延薄膜的界面超导电性研究 预览
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作者 宋灿立 马旭村 薛其坤 《物理实验》 2019年第1期1-10,共10页
超导电性因其丰富的物理性质和潜在的应用价值已成为21世纪物理学中备受关注的前沿课题之一.本文从超导物理的发展历程与研究现状出发,介绍了基于异质外延薄膜界面超导电性的研究,着重展示了实验设计思路、研究方法及清华大学在本领域... 超导电性因其丰富的物理性质和潜在的应用价值已成为21世纪物理学中备受关注的前沿课题之一.本文从超导物理的发展历程与研究现状出发,介绍了基于异质外延薄膜界面超导电性的研究,着重展示了实验设计思路、研究方法及清华大学在本领域近年的研究进展,力图以此激发学生的创新性思维,同时为相关领域的科研人员提供借鉴. 展开更多
关键词 外延薄膜 界面超导 分子外延 电荷转移 高温超导机理
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InAs/GaSb应变超晶格红外调制光谱研究 预览
3
作者 申晨 折伟林 +3 位作者 李乾 邢伟荣 晋舜国 刘铭 《红外》 CAS 2019年第2期14-18,共5页
在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared,FTIR)调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级... 在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared,FTIR)调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响,并通过改变测试参数,总结出了针对不同材料的测试方法。这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值。 展开更多
关键词 InAs/GaSb应变超晶格材料 光致发光光谱 截止波长 分子外延
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SnSex薄膜中SnSe与SnSe2两相调控机理研究 预览
4
作者 陈娜 牛逸潇 +5 位作者 唐家豪 张凯凯 陈俏宇 朱希 唐曙锋 潘媛媛 《现代物理》 2019年第1期48-53,共6页
本论文利用分子束外延技术在BaF2 (111)衬底上制备了SnSex薄膜,并利用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)对SnSex薄膜中SnSe、SnSe2两组分的调控机理进行了系统研究,研究结果表明当锡硒原子比率Sn/Se ≈ 1时,以250℃和300℃衬底温度制备的SnSe... 本论文利用分子束外延技术在BaF2 (111)衬底上制备了SnSex薄膜,并利用拉曼光谱和X光电子能谱(XPS)对SnSex薄膜中SnSe、SnSe2两组分的调控机理进行了系统研究,研究结果表明当锡硒原子比率Sn/Se ≈ 1时,以250℃和300℃衬底温度制备的SnSex薄膜均存在SnSe和SnSe2两种组分,提高衬底温度将有利于薄膜中SnSe的形成,当衬底温度由250℃提高到300℃时,XPS中与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了0.54。进一步的研究结果表明,与提高衬底温度相比,通过增大生长过程中锡硒原子比率可更有效地提升薄膜中SnSe的比例,XPS数据显示当锡硒原子比率由Sn/Se ≈ 1提高到Sn/Se ≈ 1.02时,与SnSe、SnSe2相对应的Sn 3d5/2组分峰的强度比ISnSe/SnSe2由0.23提高到了2.38。本论文的研究将为今后纯SnSe相的可控制备提供理论依据。 展开更多
关键词 SnSe SnSe2 X射线光电子能谱 拉曼光谱 分子外延
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基于正交试验方法的Si基碲镉汞工艺优化 预览
5
作者 葛玉斌 高达 +1 位作者 王经纬 王丛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期209-212,共4页
采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率... 采用正交试验方法优化了Si基碲镉汞分子束外延工艺参数,以缺陷密度和缺陷尺度为评判标准。采用三因素三水平正交试验方法,分别使用生长温度、Hg/Te比、生长速率三个因素作为变化的参数。结果表明生长温度对HgCdTe缺陷影响最大,生长速率次之,Hg/Te比最小。使用正交试验获得的生长参数进行试验即生长温度212℃,Hg流量61sccm,生长速率为1.5μm/h,获得的HgCdTe材料缺陷密度控制在500cm-2以内,平均缺陷直径小于3.5μm。 展开更多
关键词 碲镉汞 正交试验 分子外延
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高应变InxGa1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性
6
作者 亢玉彬 唐吉龙 +5 位作者 张健 方铉 房丹 王登魁 林逢源 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期71-76,共6页
通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51... 通过分子束外延(MBE)生长技术,在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽,验证了InxGa1-xAs薄膜中存在应变。 展开更多
关键词 薄膜 应变 拉曼光谱 光致发光 分子外延 实时监测
高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长 预览
7
作者 尚林涛 周翠 +4 位作者 沈宝玉 周朋 刘铭 强宇 王彬 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第3期352-357,共6页
InSb是3~5pm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(lOO)衬底为基础,通过摸索InSb(lOO)衬底的脱氧、生长温度和V/III束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5pm样品的表面粗猶度RMS≈0.3nm(10pmX10pm),FWHM... InSb是3~5pm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(lOO)衬底为基础,通过摸索InSb(lOO)衬底的脱氧、生长温度和V/III束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5pm样品的表面粗猶度RMS≈0.3nm(10pmX10pm),FWHM≈7arcsec;采用相同的生长温度和V/III束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAS(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5pm样品的室温电子迁移率高达6.06xl04cm2pm的样品最好的FWHM低至126arc-SeC。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺A1的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。 展开更多
关键词 INSB InSb/GaAS 分子外延 同质外延 异质外延
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As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器性能的影响
8
作者 方俊 孙令 刘洁 《半导体光电》 北大核心 2018年第5期607-611,653共6页
对As_2和As_4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的性能进行了研究,发现As2条件下生长的单层AlGaAs材料荧光强度更大、深能级缺陷密度更低;相对于As4较为复... 对As_2和As_4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)的性能进行了研究,发现As2条件下生长的单层AlGaAs材料荧光强度更大、深能级缺陷密度更低;相对于As4较为复杂的吸附、生长机制引入的缺陷,在As2条件下生长的InGaAs/AlGaAs QWIP具有更低的暗电流密度、更好的黑体响应、更高的比探测率和更优异的器件均匀性。生长制备的InGaAs/AlGaAs QWIP在60K的工作温度、-2V偏压下,暗电流密度低至7.8nA/cm~2,光谱响应峰值波长为3.59μm,4V偏压下峰值探测率达到1.7×1011 cm·Hz1/2·W-1。另外,通过As元素的不同分子态下InGaAs/AlGaAs QWIP光响应谱峰位的移动可以推断出As元素的不同分子态也会影响In的并入速率。 展开更多
关键词 分子外延 InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 As元素分子 暗电流
低缺陷Si基碲镉汞分子束外延工艺研究 预览
9
作者 高达 王经纬 +2 位作者 王丛 吴亮亮 刘铭 《红外》 CAS 2018年第10期12-15,48共5页
随着焦平面探测器向超大面阵 、小像元方向发展 ,对盲元率尤其连续盲元 、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial, MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE... 随着焦平面探测器向超大面阵 、小像元方向发展 ,对盲元率尤其连续盲元 、均匀性等要求越来越高。材料表面缺陷已经成为抑制Si基碲镉汞分子束外延(Molecular Beam Epitaxial, MBE)技术在更广范围内应用的一个重要因素。通过解决MBE系统束流稳定性 、束流测量的精确性和生长温度控制的稳定性共3个MBE生长碲镉汞材料精确控制的关键问题 ,以及通过正交试验优化生长参数 ,将Si基碲镉汞材料缺陷密度控制在500 cm^-2 以内 ,最优值达到57.83 cm^-2 。 展开更多
关键词 Si基碲镉汞 分子外延 表面缺陷
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MBE法制备VO2薄膜及其中红外调制深度测量 预览
10
作者 刘志伟 路远 +1 位作者 侯典心 邹崇文 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第7期942-947,共6页
为了给VO_2薄膜在定向红外对抗系统防护方面的应用提供理论依据,我们用透过率调制深度表征VO_2薄膜在中红外波段的相变特性。本实验利用分子束外延法(MBE)制备VO_2外延单晶薄膜,经XRD、AFM表征,发现其具有(020)择优取向、纯度较高,... 为了给VO_2薄膜在定向红外对抗系统防护方面的应用提供理论依据,我们用透过率调制深度表征VO_2薄膜在中红外波段的相变特性。本实验利用分子束外延法(MBE)制备VO_2外延单晶薄膜,经XRD、AFM表征,发现其具有(020)择优取向、纯度较高,薄膜表面平整、均匀且致密。经VU-Vis-IR测量发现其近红外透过率相变特性显著,但在紫外和可见光范围内透过率相变特性较不明显。然后我们对制备时间为30 min、40min的两组薄膜分别进行25~70℃的升温和降温实验,观察其对波长为3 459 nm、脉宽50 ns、重频50 k Hz、功率密度0.14 W/cm2的中红外激光的透过率变化,并比较两组薄膜的温滞曲线特性。实验发现它们对中红外透过率的调制深度均可达60%以上,前者比后者对中红外的调制深度高出约4%。这说明利用分子束外延法制备的VO_2单晶薄膜具有良好的中红外调制特性,且调制深度和膜厚有关。进一步表明了利用VO_2薄膜实现中红外激光防护具有一定的可行性。 展开更多
关键词 分子外延 VO2薄膜 透过率调制深度 中红外激光防护
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偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究 预览
11
作者 王丛 高达 +2 位作者 王经纬 强宇 周立庆 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第7期876-879,共4页
晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe... 晶面偏角是提高(211)Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。 展开更多
关键词 碲化镉 偏转角Si衬底 分子外延
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短/中波双色碲镉汞红外焦平面探测器研究 预览
12
作者 王经纬 晋舜国 +2 位作者 陈慧卿 王亮 周立庆 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第11期1395-1398,共4页
报道了基于分子束外延碲镉汞短/中波双色材料、器件的最新研究进展。采用分子柬外延方法制备出了高喷量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料的喷量,材料表面缺陷密度控制在500个/cm^-2。以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层之... 报道了基于分子束外延碲镉汞短/中波双色材料、器件的最新研究进展。采用分子柬外延方法制备出了高喷量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料的喷量,材料表面缺陷密度控制在500个/cm^-2。以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层之问界面陡峭,使用傅里叶红外变换光谱仪(FTIR)、X射线衍射(xRD)等方法对材料进行了表征,基于此材料制静出了短/中波碲镉汞双色器件,器件测试性能良好。 展开更多
关键词 碲镉汞 短/中波双色 红外探测器 分子外延
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2~5 μm中红外波段GaSb半导体材料研究进展 预览
13
作者 余沛 房丹 +5 位作者 唐吉龙 方铉 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏 《应用物理》 2018年第1期45-61,共17页
III-V族半导体材料因其光电子应用中的优势而备受关注。这些材料中,GaSb和GaSb相关半导体材料因具有高的载流子迁移率和较窄的禁带宽度而被认为是中红外波段光电子半导体器件的首选材料。然而,半导体光电子器件的性能强烈依赖于材料的... III-V族半导体材料因其光电子应用中的优势而备受关注。这些材料中,GaSb和GaSb相关半导体材料因具有高的载流子迁移率和较窄的禁带宽度而被认为是中红外波段光电子半导体器件的首选材料。然而,半导体光电子器件的性能强烈依赖于材料的结构和光学性质,所以GaSb材料的研究工作重点是如何提高晶体质量,精确调整合金组分,提高发光性能等。本文对2~5 μm GaSb和GaSb相关半导体材料的外延生长和材料性质的研究进展做出了简要的概述,主要讨论了GaSb材料、GaSb合金薄膜材料以及GaSb基量子阱材料的外延生长过程及材料性质,以期获得GaSb基半导体材料外延生长的最优条件。 展开更多
关键词 锑化镓 I型量子阱 W型量子阱 分子外延
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Ga液滴在不同溶蚀时间下的形貌演变分析
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作者 汤佳伟 郭祥 +7 位作者 王一 罗子江 杨晨 张之桓 杨晓珊 许筱晓 马明明 丁召 《真空科学与技术学报》 CSCD 北大核心 2018年第11期1013-1018,共6页
采用分子束外延技术在Ga As缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响。实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层Ga液滴,在无As环境下分别溶蚀5、10和12. 5 min,待达到溶蚀时间后打开As阀,快速晶化Ga液滴。实验发现在... 采用分子束外延技术在Ga As缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响。实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层Ga液滴,在无As环境下分别溶蚀5、10和12. 5 min,待达到溶蚀时间后打开As阀,快速晶化Ga液滴。实验发现在低温、低沉积量的情况下,在溶蚀阶段Ga液滴并没有表现出在高温条件下的熟化现象而是进行一种原位的扩散。随着溶蚀时间的增加,液滴形貌逐渐由环盘结构向孔洞结构转变,内环的生长也表现出各向异性,倾向于沿[110]方向生长。随着溶蚀时间的延长内环的生长将集中于[110]方向的一边上,其高度明显高于其余三边。[110]方向上内环的高度差随溶蚀时间的增加而增加,但增速变缓。本文分析了这些现象的原因,并提出了Ga液滴在溶蚀阶段形貌演变的模型。 展开更多
关键词 分子外延 Ga液滴 溶蚀时间 各向异性
碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究 预览 被引量:1
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作者 杨春章 覃钢 +2 位作者 李艳辉 李达 孔金丞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第1期1-5,共5页
报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度... 报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术,实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长,外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、二次离子质谱仪(SIMS)及X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以及晶体质量进行了表征,表面缺陷数量低于600 cm-2,组分(300 K测试)和厚度均匀性分别为x≤0.001、d≤0.9m,X-Ray双晶衍射摇摆曲线FWHM=65 arcsec,得到了质量较高的中长波双色碲镉汞薄膜材料。 展开更多
关键词 碲锌镉 中长波双色 碲镉汞 分子外延
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2.0μm中红外量子阱激光器研制及其性能测试与分析
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作者 杨维凯 王海龙 +4 位作者 曹春芳 严进一 赵旭熠 周长帅 龚谦 《光电子.激光》 CSCD 北大核心 2018年第9期933-937,共5页
利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值 电流密度随激光器腔长的变化规律, 得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm... 利用固态源分子束外延技术在GaSb衬底上生长In GaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器结构,研制了激 射波长为2.0μm波段的GaSb基量子阱激光器。测量了激光器的阈值 电流密度随激光器腔长的变化规律, 得出无限腔长时器件的阈值电流密度为135A/cm^2,在室温连续波 工作模式下,测得激光器的内量子效率 为61.1%,内部损耗为8.3cm^-1,激光 输出功率斜效率为112mW/A,最高输出功率达到72mW,器件性 能优异。另外,还研究了改变激光器的腔长和改变注入电流的条件下器件激射波长的调谐特 性。器件激射 波长随注入电流的红移速度为0.475nm/mA。对于不同腔长的器件, 腔长越长,器件工作波长越长,工作波 长和腔长之间呈单调关系。上述波长变化规律是GaSb量子阱激光器的典型特征。 展开更多
关键词 分子外延 阈值电流密度 量子阱 激射波长
薄膜制备技术的发展现状及应用 预览
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作者 郎贺然 《军民两用技术与产品》 2018年第24期167-168,共2页
在生产力快速发展的当今社会,薄膜这类薄层材料因其众多新奇的物理性质以及在器件上的广阔应用前景而备受研究者们的关注.为了制备高质量的薄膜材料,各类薄膜制备技术在半导体材料、超导材料、生物材料、铁电和铁磁材料等多方面领域发... 在生产力快速发展的当今社会,薄膜这类薄层材料因其众多新奇的物理性质以及在器件上的广阔应用前景而备受研究者们的关注.为了制备高质量的薄膜材料,各类薄膜制备技术在半导体材料、超导材料、生物材料、铁电和铁磁材料等多方面领域发挥了巨大的作用.本文介绍了分子束外延、脉冲激光沉积、磁控溅射和化学气相沉积等制备技术的原理、方法、特点及研究进展,对各类薄膜材料的应用范围进行了综述. 展开更多
关键词 薄膜材料 分子外延 脉冲激光沉积 化学气相沉积 磁控溅射
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基于泵浦探针法研究VO2薄膜多波段红外激光相变特性 预览
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作者 刘志伟 路远(导师) +3 位作者 冯云松 胡杰 刘瑞煌 路远 《光子学报》 CSCD 北大核心 2018年第12期79-86,共8页
用泵浦探针法实验研究了红外激光辐照二氧化钒薄膜的相变特性.首先利用氧源-分子束外延法制备了薄膜厚度分别为20nm、40nm、60nm的三组VO2单晶外延薄膜,并且以10.6μm的CO2连续激光作为泵浦光,分别以1064nm和3459nm的纳秒脉冲激光作为... 用泵浦探针法实验研究了红外激光辐照二氧化钒薄膜的相变特性.首先利用氧源-分子束外延法制备了薄膜厚度分别为20nm、40nm、60nm的三组VO2单晶外延薄膜,并且以10.6μm的CO2连续激光作为泵浦光,分别以1064nm和3459nm的纳秒脉冲激光作为探针光,对这三组薄膜分别进行了辐照实验.实验发现三组薄膜相变后对1064nm探针光的透过率降低量平均值分别为5.26%、6.2%、8.92%,反射率降低量分别为3.09%、6.56%、4.93%;对3459nm探针光透过率降低量平均值分别为28.4%、47.78%、55.13%,反射率升高量平均值分别为6.65%、17.87%、7.49%.结果表明:利用分子束外延法制备的纳米级VO2薄膜相变前后对入射激光为镜面反射;薄膜对3459nm探针光的相变特性比对1064nm探针光相变特性显著;薄膜厚度的增加会降低相变前透过率,但是对相变后透过率降低更为明显;薄膜对10.6μmCO2连续激光相变前后始终保持几乎不透.研究结果可为薄膜的应用提供参考. 展开更多
关键词 分子外延 VO2薄膜 泵浦探针法 激光辐照 相变特性
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InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化 预览
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作者 张见 陈星佑 +6 位作者 顾溢 龚谦 黄卫国 杜奔 黄华 马英杰 张永刚 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期699-703,710共6页
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83 Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手... 利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83 Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X射线衍射倒易空间图、原子力显微镜、光致发光和霍尔等测量手段进行了表征.结果表明,InAlAs异变缓冲层的生长温度越低,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Q x方向的衍射峰半峰宽就越宽,外延层和衬底之间的倾角就越大,同时样品表面粗糙度越高.这意味着材料的缺陷增加,弛豫不充分.对于生长在具有相同生长温度的InAlAs异变缓冲层上的In0.83Ga0.17As外延层,采用较高的生长温度时,X射线衍射倒易空间图(004)反射面沿Qx方向的衍射峰半峰宽较小,77K下有更强的光致发光,但是表面粗糙度会有所增加.这说明生长温度提高后,材料中的缺陷得到抑制. 展开更多
关键词 分子外延 INGAAS InAlAs异变缓冲层 生长温度
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高灵敏度Sb基量子阱2DEG的霍尔器件 预览
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作者 武利翻 苗瑞霞 商世广 《发光学报》 CSCD 北大核心 2018年第5期687-691,共5页
用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件... 用分子束外延技术将高灵敏度的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件赝配生长在Ga As衬底上。设计了由双δ掺杂构成的Hall器件的新结构,有效地提高了器件的面电子浓度。与传统的没有掺杂的In As/Al Sb量子阱结构的Hall器件相比,室温下器件电子迁移率从15 000 cm2·V-1·s-1提高到16 000 cm2·V-1·s-1。AFM测试表明材料有好的表面形态和结晶质量。从77 K到300 K对Hall器件进行霍尔测试,结果显示器件不同温度范围有不同散射机构。双δ掺杂结构形成高灵敏度、高二维电子气(2DEG)浓度的In As/Al Sb异质结Hall器件具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 霍尔器件 量子阱 双δ掺杂 分子外延
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