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2019年全球半导体产业的资本投入与晶圆产能状况分析 预览
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作者 闵钢 《集成电路应用》 2020年第2期4-7,共4页
分析数据包括全球半导体产业的资本投入,全球半导体产业的研发支出,全球晶圆产能规模和晶圆产能状况。全球半导体产业投资10亿美元以上的成员分析,全球研发支出前十大半导体厂商的分析。
关键词 集成电路 半导体器件 产业状况
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半导体器件的温度参数与质量等级 预览
2
作者 黄雄文 《电子质量》 2020年第3期60-62,共3页
该文对半导体器件质量等级的由来进行了说明,并对国内外军用半导体器件的质量保证等级作了介绍,以期对从事半导体器件设计选型、采购管理的人员有所帮助,加深对于半导体器件质量等级的认识。
关键词 半导体器件 温度参数 质量等级
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不同机电混合式有载分接开关工作特性实验研究 预览
3
作者 宋冬冬 董彪 +1 位作者 李鹏程 杜海江 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2020年第3期208-213,共6页
为阐明机电混合式有载分接开关(EHOLTC)的工作特性,确定不同半导体器件切换过程的差异,针对不同半导体器件的EHOLTC工作特性进行了实验研究。选用晶闸管、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为研究对象,利... 为阐明机电混合式有载分接开关(EHOLTC)的工作特性,确定不同半导体器件切换过程的差异,针对不同半导体器件的EHOLTC工作特性进行了实验研究。选用晶闸管、金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为研究对象,利用级绕组取电方式作为控制电源,搭建了3种实验样机平台。结合实验数据,分别计算了各器件工作参数及功耗数据。实测数据表明,EHOLTC燃弧能量约为机械式OLTC燃弧能量的1‰,能够有效抑制燃弧,MOSFET单元转移电弧电流能力最强。功率器件损耗接近过渡电阻损耗的5%,以IGBT单元损耗最低。全控器件换流时间较短,因换流点相位存在不确定因素,有承受高压的风险,可考虑用于中性点调压。从经济和安全角度,半控件具有一定优势。 展开更多
关键词 机电混合式有载分接开关 半导体器件 功率损耗 电弧能量 换流暂态
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高功率微波效应的多物理场建模方法研究 预览
4
作者 丁大志 成爱强 +2 位作者 王林 张天成 陈如山 《电波科学学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期93-105,共13页
为了实现对微波器件高功率微波效应的分析,主要从不同尺度半导体器件和波导器件出发,基于具有谱精度的谱元时域法,开展从微米尺度到纳米尺度半导体器件电热耦合一体化分析的方法以及高功率微波气体放电效应及抑制机理的研究.得到了半导... 为了实现对微波器件高功率微波效应的分析,主要从不同尺度半导体器件和波导器件出发,基于具有谱精度的谱元时域法,开展从微米尺度到纳米尺度半导体器件电热耦合一体化分析的方法以及高功率微波气体放电效应及抑制机理的研究.得到了半导体器件在电磁信号作用下发生的电热参数分布变化规律和微波器件在高功率微波下发生的气体放电及其抑制机理,根据以上相关效应机理,可为复杂电磁环境中的器件设计提供理论指导. 展开更多
关键词 高功率微波 半导体器件 高功率微波气体放电 谱元时域法 多物理场
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2019年中国集成电路产业的状况分析 预览
5
作者 王龙兴 《集成电路应用》 2020年第1期1-4,9共5页
基于统计数据,分析中国集成电路产品的市场规模和产业规模,中国集成电路产品的进出口情况,集成电路产业的投资状况,以及技术水平和技术创新状况。
关键词 集成电路 半导体器件 产业状况
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2019年全球半导体市场与产业状况分析 预览
6
作者 闵钢 《集成电路应用》 2020年第1期5-9,共5页
分析表明,全球经济发展态势和电子系统产品市场是带动全球半导体市场发展的主要因素,2019 年全球半导体市场规模先扬后抑。数据包括全球半导体器件产品的出货数量,全球各主要地区半导体市场规模,全球半导体市场的产品结构,以及全球前 10... 分析表明,全球经济发展态势和电子系统产品市场是带动全球半导体市场发展的主要因素,2019 年全球半导体市场规模先扬后抑。数据包括全球半导体器件产品的出货数量,全球各主要地区半导体市场规模,全球半导体市场的产品结构,以及全球前 10 大半导体厂商排名。 展开更多
关键词 集成电路 半导体器件 产业状况
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有机小分子半导体生长及光电性能原位实时测量表征之集成系统
7
作者 迟力峰 王文冲 +3 位作者 黄丽珍 王燕东 申学礼 孙迎辉 《中国科技成果》 2019年第8期17-18,共2页
有机小分子半导体器件制作过程分为薄膜和器件制作及表征两个方面。真空沉积是其常用的薄膜制备技术。所谓真空沉积,是将分子材料安装在容器中,通过加热使分子源材料温度高于其升华点或蒸发点,进而使分子脱离容器并定向喷射向衬底表面... 有机小分子半导体器件制作过程分为薄膜和器件制作及表征两个方面。真空沉积是其常用的薄膜制备技术。所谓真空沉积,是将分子材料安装在容器中,通过加热使分子源材料温度高于其升华点或蒸发点,进而使分子脱离容器并定向喷射向衬底表面并形成薄膜的过程。分子在衬底表面的薄膜形成涉及到吸附、迁移、成核或者脱附等一系列过程,其与分子与表面的作用、温度和生长速率等参数息息相关。 展开更多
关键词 有机小分子 半导体生长 集成系统 实时测量 光电性能 表征 半导体器件 衬底表面
半导体功率器件的引路人——陈星弼院士小记 预览
8
《变频器世界》 2019年第12期50-56,共7页
陈星弼,1931年1月出生于上海,半导体器件及微电子学专家,中国科学院院士,电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼院士1952年毕业于同济大学,分配到厦门大学,次年调到南京工学院,1956年调入成都电讯工程学院随即到科学院应用物理研究所进... 陈星弼,1931年1月出生于上海,半导体器件及微电子学专家,中国科学院院士,电子科技大学教授、博士生导师。陈星弼院士1952年毕业于同济大学,分配到厦门大学,次年调到南京工学院,1956年调入成都电讯工程学院随即到科学院应用物理研究所进修半导体,1959年回到成都电讯工程学院工作。上世纪80年代初,先后在俄亥俄州大学、加州大学伯克莱分校作访问学者。 展开更多
关键词 中国科学院院士 南京工学院 电子科技大学 工程学院 应用物理研究 半导体器件 俄亥俄州 陈星
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史上最大芯片 预览
9
《办公自动化》 2019年第18期14-15,45共3页
初创公司Cerebras将在Hot Chips上展出号称是'世界上最大'的半导体器件——一个16nm工艺、晶圆大小的处理器阵列Cerebras Wafer Scale Engine,旨在取代英伟达(Nvidia)GPU在训练神经网络方面的主导地位;但同时,网友从多方面对这... 初创公司Cerebras将在Hot Chips上展出号称是'世界上最大'的半导体器件——一个16nm工艺、晶圆大小的处理器阵列Cerebras Wafer Scale Engine,旨在取代英伟达(Nvidia)GPU在训练神经网络方面的主导地位;但同时,网友从多方面对这块'史上最大的芯片'提出了质疑……EETimes加利福尼亚州圣何塞报道. 展开更多
关键词 GPU 处理器阵列 半导体器件 神经网络
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产业铺路者Brewer Science 预览
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作者 Janey 《电子工业专用设备》 2019年第3期76-77,共2页
只有你追求价值和长期成功或客户利益,才能赋能于客户。真正地赋能于客户,要使其经得起未来的考验,而不是光卖东西给他们。——Dr.Terry Brewer2019年,5G、IOT、AI等应用的崛起之势如风中的樯帆,阵上的战马,不但拉开了半导体器件庞大需... 只有你追求价值和长期成功或客户利益,才能赋能于客户。真正地赋能于客户,要使其经得起未来的考验,而不是光卖东西给他们。——Dr.Terry Brewer2019年,5G、IOT、AI等应用的崛起之势如风中的樯帆,阵上的战马,不但拉开了半导体器件庞大需求的序幕,还掀起了一场创新技术革命。 展开更多
关键词 铺路 产业 半导体器件 新技术革命 客户 IOT 赋能 5G
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韦尔股份一个转型升级的成功样本
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作者 魏志强 《中国新时代》 2019年第5期12-15,共4页
上海韦尔半导体股份有限公司(以下简称“韦尔股份”)坐落在被誉为"中国硅谷”的上海张江高科技园区,成立于2007年5月,是一家致力于半导体器件研发和设计的高新技术企业。经过十几年的发展,该公司现已在上海、北京、深圳、武汉'... 上海韦尔半导体股份有限公司(以下简称“韦尔股份”)坐落在被誉为"中国硅谷”的上海张江高科技园区,成立于2007年5月,是一家致力于半导体器件研发和设计的高新技术企业。经过十几年的发展,该公司现已在上海、北京、深圳、武汉'成都、厦门、青岛、中国台湾和中国香港等城市和地区,以及韩国、美国等国家设有30余家子公司、分公司或办事处。2017年5月,韦尔股份首次公开发行股票并在上海证券交易所上市,正式登陆A股资本市场。 展开更多
关键词 股份 转型升级 上海证券交易所 首次公开发行股票 张江高科技园区 半导体器件 样本 高新技术企业
VNPN激光辐射效应模拟分析 预览
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作者 左慧玲 高吴昊 +3 位作者 刘承芳 夏云 孙鹏 陈万军 《电子与封装》 2019年第6期41-46,共6页
通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管... 通过仿真模拟脉冲激光对半导体器件光生载流子的影响,重点研究纵向NPN三极管(VNPN)的激光辐照效应。光照强度较小时,只有集电结反偏,而发射结处的光生电动势不足以抵消发射结的内建电势,发射结尚未开启,器件工作在以集电结为主的二极管模式;光照强度增加时,发射结逐渐开启,器件工作在三极管模式;光照强度进一步增大,由于外部限流电阻的作用,集电极电流达到饱和,器件工作在以发射结为主的二极管模式。因此,随着光照强度的增加,VNPN器件的激光辐射效应经历三个阶段,其响应曲线呈非线性变化。改变VNPN的尺寸和脉冲激光的参数,会影响器件进入三极管模式的临界点,改变非线性响应的触发光照强度,体现了器件对激光辐照效应的敏感性。 展开更多
关键词 激光辐照效应 半导体器件 初始光生电流 非线性
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半导体器件的工艺及测试分析 预览
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作者 陈晖 《华东科技(综合)》 2019年第11期0024-0025,共2页
半导体器件导电性位于良导体与绝缘体之间,由于其材料的特殊性质用于制作特定功能的电子器件,主要用于信号的产生,控制,接收,放大以及能量的转换。这些特殊的性质使得半导体器件在生活中被运用,存在于各个领域,由此可见其工业检测就显... 半导体器件导电性位于良导体与绝缘体之间,由于其材料的特殊性质用于制作特定功能的电子器件,主要用于信号的产生,控制,接收,放大以及能量的转换。这些特殊的性质使得半导体器件在生活中被运用,存在于各个领域,由此可见其工业检测就显得尤为重要,半导体器件的加工工艺以及相应的检测分析都会对半导体器具的性能参考有重要意义。因此本文通过对半导体器件生产和测试进行简要分析,对其工艺设计流程进行一定改进。 展开更多
关键词 半导体器件 工艺 检测
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面向红外气体检测的半导体器件温控系统及应用 预览
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作者 闫万红 周言文 +4 位作者 余迪 刘志伟 宋芳 郑传涛 王一丁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期113-122,共10页
研制了一种针对半导体器件的温度控制系统,不仅可用于对内置热电制冷器的半导体器件的温度控制,同时实现了在宽环境温度范围内对无热电制冷器及热敏电阻的半导体器件的温度控制.系统硬件主要由两部分组成,第一部分包括主控制器模块、温... 研制了一种针对半导体器件的温度控制系统,不仅可用于对内置热电制冷器的半导体器件的温度控制,同时实现了在宽环境温度范围内对无热电制冷器及热敏电阻的半导体器件的温度控制.系统硬件主要由两部分组成,第一部分包括主控制器模块、温度采集模块和热电制冷器电流控制模块,实现对内置热电制冷器的半导体器件的温度控制;第二部分包括辅控制器模块、温度采集模块、金属氧化物场效应管开关电路模块及附加四级热电制冷器,实现对无热电制冷器的半导体器件的温度控制.软件部分,主辅控制器分别实时采集半导体器件的工作温度,采用积分限幅式数字比例-积分-微分算法,调整热电制冷器驱动器的电流实现恒定的温度控制.利用本文研制的温度控制系统对内置热电制冷器的半导体激光器的温度控制准确度为±0.01℃,温度稳定性为0.0048℃;在无热电制冷器的半导体光源的温度控制实验中,-18℃、室温、40℃环境下的温控准确度分别为±0.05℃、±0.01℃、±0.02℃.利用研制的温控系统连续5h测试了1.563μm激光器的输出光谱,峰值输出波长稳定;采用1.653μm激光器,分别利用研制的温控系统和商用系统开展了甲烷气体检测实验,与商用控制器相比,本文研制的温控仪获得的系统检测下限更低.该系统具有体积小、成本低、便于集成、工作稳定可靠的优点,在气体检测中有良好的应用前景. 展开更多
关键词 光电子学 半导体器件 温度控制 近红外 气体检测
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基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET 预览
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《变频器世界》 2019年第1期54-56,共3页
近十年来,第三代半导体技术已趋于成熟。碳化桂作为第三代半导体器件的重要代表,已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐,采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V... 近十年来,第三代半导体技术已趋于成熟。碳化桂作为第三代半导体器件的重要代表,已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐,采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化挂MOSFET,助推国内第三代半导体技术发展。基本半导体1200V碳化硅MOSFET采用4寸平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受时间长,导通电阻小,阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。 展开更多
关键词 MOSFET 半导体技术 碳化硅 高可靠性 半导体器件 可靠性测试 第三代 生产工艺
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科锐与德尔福科技开展汽车SiC器件合作
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《半导体信息》 2019年第5期13-14,共2页
科锐与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)宣布开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。科锐是碳化硅(SiC)半导体全球领先企业,德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商,双方的此次合作将通过采用碳化硅(SiC)半导体器件技术,为未来电动汽车(EV... 科锐与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)宣布开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。科锐是碳化硅(SiC)半导体全球领先企业,德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商,双方的此次合作将通过采用碳化硅(SiC)半导体器件技术,为未来电动汽车(EV)提供更快、更小、更轻、更强劲的电子系统。科锐碳化硅(SiC)基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术与德尔福科技的牵引驱动逆变器、DC/DC转换器和充电器技术的结合,将助力电动13 Power Integrations宣布交付采用该公司PowiGaN氮化镓技术的第一百万颗InnoSwitch3开关电源IC。在安克创新深圳总部的活动现场,Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan亲手将第一百万颗氮化镓IC交到了安克CEO阳萌手中。 展开更多
关键词 德尔福 安克 半导体器件 领先企业 电子系统 氮化镓 DC/DC转换器 全球供应商
高频双Buck全桥逆变器的功率损耗分布分析 预览
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作者 陈梦颖 王议锋 +1 位作者 涂世杰 周标 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2019年第2期119-125,共7页
为了对高频条件下的变换器效率进行更加精准的估算,基于一台400kHz高频双buck逆变器,提出了适用于高频变换器的损耗分布分析方法。该方法在分析开关过程的基础上,对开关管、二极管的开关损耗和导通损耗进行了详细估算,并根据电感磁滞回... 为了对高频条件下的变换器效率进行更加精准的估算,基于一台400kHz高频双buck逆变器,提出了适用于高频变换器的损耗分布分析方法。该方法在分析开关过程的基础上,对开关管、二极管的开关损耗和导通损耗进行了详细估算,并根据电感磁滞回线,同时计及高频条件下的电容损耗对其磁性损耗进行了估算。此法充分考虑了高频工况对变换器损耗分布的影响,更好地实现了对系统变换效率的估算,对指导参数设计和功率元件选择具有重要意义。为验证理论分析的可靠性,对由不同半导体器件组成的1kW实验样机进行了实验测试和分析对比。实验结果表明,所述方法在高频工况下有更高的估算精度,计算效率为97.32%,相应实验效率为96.1%. 展开更多
关键词 小型可再生能源发电 损耗分布 双Buck 逆变器 高频率 半导体器件
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使用异质外延技术的原子“拼凑”用于下一代半导体器件 预览
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《家电科技》 2019年第4期24-25,共2页
来自东京都立大学的研究人员已经生长出原子级薄的过渡金属二硫化物(TMDCs)结晶层,其在空间上具有不同的成分,不断地将不同类型的TMDC“喂”入生长室以定制性质的变化。实例包括由具有原子直接界面的不同TMDC包围的20nm条带和分层结构... 来自东京都立大学的研究人员已经生长出原子级薄的过渡金属二硫化物(TMDCs)结晶层,其在空间上具有不同的成分,不断地将不同类型的TMDC“喂”入生长室以定制性质的变化。实例包括由具有原子直接界面的不同TMDC包围的20nm条带和分层结构。他们还直接探测了这些异质结构的电子特性,潜在的应用包括具有超高电源效率的电子产品。 展开更多
关键词 异质结构 原子级 半导体器件 外延技术 二硫化物 过渡金属 研究人员 分层结构
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基于LK8810平台的集成电路开短路测试方案设计 预览
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作者 杜晓岚 张磊 《电子设计工程》 2019年第14期51-54,共4页
集成电路产业已经成为我国重点发展产业。集成电路生产封装后都要先进行引脚开短路测试,从而尽早筛出失效芯片以缩短整体测试时长,提升经济效益。针对集成电路引脚开短路测试要求,本文提出一种基于LK8810平台的集成电路开短路测试方案... 集成电路产业已经成为我国重点发展产业。集成电路生产封装后都要先进行引脚开短路测试,从而尽早筛出失效芯片以缩短整体测试时长,提升经济效益。针对集成电路引脚开短路测试要求,本文提出一种基于LK8810平台的集成电路开短路测试方案。该方案具备可操作性强的优点,只需要配合平台搭接简单的测试电路,然后使用C语言编写测试程序就能快速的将一个型号芯片的引脚开短路问题测试出来,并将结果反馈至上位机,使用户能够直观地判别被测芯片的好坏。 展开更多
关键词 IC开短路测试 LK8810平台 集成电路测试 半导体器件
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半导体器件分析仪高压参数现场校准方法
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作者 丁晨 丁立强 +2 位作者 李灏 乔玉娥 郑世棋 《中国计量》 2019年第4期112-115,共4页
半导体器件特性分析仪能够满足器件各项直流特性参数的测试需求,如器件的I-V曲线、C-V曲线、表面漏电流、击穿电压等,在半导体器件的各个环节有着不可替代的关键作用。由于半导体器件分析仪自身体积过大,精度高,拆卸繁琐,送往计量机构... 半导体器件特性分析仪能够满足器件各项直流特性参数的测试需求,如器件的I-V曲线、C-V曲线、表面漏电流、击穿电压等,在半导体器件的各个环节有着不可替代的关键作用。由于半导体器件分析仪自身体积过大,精度高,拆卸繁琐,送往计量机构过程中难免会遇到磕碰等各种问题,可能会导致测量结果不准确,因此现场计量变得尤为重要。 展开更多
关键词 半导体器件 现场校准 测量不确定度评定 高压分压器 不确定度分量 测量结果 电压系数 数字多用表 分析仪
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