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Gate-Voltage-Induced Magnetization Reversal and Tunneling Anisotropic Magnetoresistance in a Single Molecular Magnet with Temperature Gradient
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作者 李淑静 张玉颖 +1 位作者 徐卫平 聂一行 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第6期116-120,共5页
We study the control of gate voltage over the magnetization of a single-molecule magnet(SMM) weakly coupled to a ferromagnetic and a normal metal electrode in the presence of the temperature gradient between two elect... We study the control of gate voltage over the magnetization of a single-molecule magnet(SMM) weakly coupled to a ferromagnetic and a normal metal electrode in the presence of the temperature gradient between two electrodes.It is demonstrated that the SMM's magnetization can change periodically with periodic gate voltage due to the driving of the temperature gradient.Under an appropriate matching of the electrode polarization,the temperature difference and the pulse width of gate voltage,the SMM's magnetization can be completely reversed in a period of gate voltage.The corresponding flipping time can be controlled by the system parameters.In addition,we also investigate the tunneling anisotropic magnetoresistance(TAMR) of the device in the steady state when the ferromagnetic electrode is noncollinear with the easy axis of the SMM,and show the jump characteristic of the TAMR. 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 单分子磁体 栅极电压 磁化强度 温度梯度 周期性变化 隧穿 反转
Y2O3插层对Ni81Fe19薄膜各向异性磁电阻的影响 预览
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作者 黄华雪 王书运 +1 位作者 姚远 高铁军 《磁性材料及器件》 CAS 2015年第5期10-13,共4页
以Y2O3作为Ni81Fe19薄膜的氧化插层,利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni81Fe19薄膜样品Ta(4nm)/ Y2O3(t)/Ni81Fe19(20nm)/ Y2O3(t)/Ta(3nm),利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻(AMR),用振动样品... 以Y2O3作为Ni81Fe19薄膜的氧化插层,利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni81Fe19薄膜样品Ta(4nm)/ Y2O3(t)/Ni81Fe19(20nm)/ Y2O3(t)/Ta(3nm),利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻(AMR),用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线,利用X射线衍射仪(XRD)分析样品薄膜结构,研究了Y2O3插层厚度对 Ni81Fe19薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明,在基片温度为450℃时,Ni81Fe19薄膜 AMR 值随插层厚度增加先增后减,在插层厚度为2.5nm时样品具有最大AMR,其值为4.61%,比无插层样品的2.69%提高了71.3%。 展开更多
关键词 Ni81Fe19薄膜 各向异性磁电阻 Y2O3插层
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Co原子浓度对Co-Mn-Si薄膜各向异性磁电阻及半金属性的影响 被引量:2
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作者 杨辅军 康泽威 +3 位作者 姚军 李继辉 肖君 陈晓琴 《中国科学:技术科学》 CSCD 北大核心 2015年第4期389-395,共7页
向原子比为2:1:1的Co-Mn-Si合金薄膜中掺杂Co原子,试图发现Co-Mn-Si合金薄膜半金属性的变化规律.通过制备系列不同成分Co-Mn-Si合金薄膜,并测试薄膜的各向异性磁电阻比.结果发现制备的Co50Mn Si薄膜具有良好的B2结构,杂质及缺陷数量... 向原子比为2:1:1的Co-Mn-Si合金薄膜中掺杂Co原子,试图发现Co-Mn-Si合金薄膜半金属性的变化规律.通过制备系列不同成分Co-Mn-Si合金薄膜,并测试薄膜的各向异性磁电阻比.结果发现制备的Co50Mn Si薄膜具有良好的B2结构,杂质及缺陷数量少(剩余电阻比大),各向异性磁电阻比为负值,从而具有良好的半金属属性.随着Co原子浓度的增加,Co-Mn-Si薄膜B2结构取向度降低,剩余电阻比减小,各向异性磁电阻比增大,其半金属属性随Co原子浓度的增加被逐渐破坏. 展开更多
关键词 半金属 哈斯勒合金 各向异性磁电阻
W/NiFe/W的各向异性磁电阻效应分析 预览
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作者 王一飞 姜宏伟 《企业技术开发:下旬刊》 2015年第2期75-77,共3页
文章采用钨(W)作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层制备W/NiFe/W系列膜,同时制备了Ta/NiFe/Ta系列膜作对照,研究W/NiFe/W中W对NiFe薄膜AMR的影响,并对样品的磁性和微结构进行了测试和表征。通过观察可以看出,利用电阻率大、表面能大的... 文章采用钨(W)作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层制备W/NiFe/W系列膜,同时制备了Ta/NiFe/Ta系列膜作对照,研究W/NiFe/W中W对NiFe薄膜AMR的影响,并对样品的磁性和微结构进行了测试和表征。通过观察可以看出,利用电阻率大、表面能大的钨作为缓冲层以及覆盖层可以很好地保证NiFe薄膜优异的软磁性能,其AMR值与利用钽元素时的结果相近。经过退火处理后,W/NiFe/W薄膜的磁性死层更小,磁性能更稳定。结果表明,W也适合作NiFe薄膜的缓冲层以及覆盖层。 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 磁性死层
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Large and anisotropic linear magnetoresistance in bulk stoichiometric Cd3As2 crystals
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作者 WU DeSheng WANG Xia +4 位作者 ZHANG Xu YANG ChongLi ZHENG Ping LI PeiGang SHI YouGuo 《中国科学:物理学、力学、天文学英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第1期133-138,共6页
Cd3As2 was recently identified as a novel three-dimensional(3D)topological semimetal hosting the long-pursuing 3D Dirac Fermion.Crystals of Cd3As2 grown preferentially along the[100]and[112]directions were obtained th... Cd3As2 was recently identified as a novel three-dimensional(3D)topological semimetal hosting the long-pursuing 3D Dirac Fermion.Crystals of Cd3As2 grown preferentially along the[100]and[112]directions were obtained through the modified chemical vapor transfer growth method,thus allowing the examination of transport anisotropy.The resistivity and magnetoresistance(MR)are basically linear with respect to magnetic field(H)in the measured temperature range of 2–300 K irrespective of the directions.The linear resistivity and MR are significantly anisotropic not only along[100]and[112]directions but also with respect to tilt angle between the growth directions and H,thus providing transport signatures of the 3D Dirac Fermion as well as the possible linear and anisotropic change of Weyl Fermi surface in H.Very large MR along the[100]direction is observed,even approaching 3100%at 2 K and 14 k Oe(1 Oe=79.5775 A m-1).The results would be helpful in renewing interest in studying emergent phenomena arising from bulk 3D Dirac Fermion as well as in paving the way for Cd3As2 to be used in magnetoelectronic sensors. 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 化学计量 晶体 散装 生长方法 线性无关 传输特征 电子传感器
NiFeNb缓冲层和NiO插层对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响
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作者 王书运 张慧 +2 位作者 高垣梅 高铁军 姚远 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期847-851,共5页
采用NiFeNb材料为坡莫合金薄膜的缓冲层,利用磁控溅射系统制备了一系列(Ni81Fe19)80.7Nb19.3(x)/NiO(y)/Ni81Fe19(20 nm)/NiO(y)/Nb(3 nm)坡莫合金薄膜样品,研究了(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层厚度、NiO插层厚度和基片温... 采用NiFeNb材料为坡莫合金薄膜的缓冲层,利用磁控溅射系统制备了一系列(Ni81Fe19)80.7Nb19.3(x)/NiO(y)/Ni81Fe19(20 nm)/NiO(y)/Nb(3 nm)坡莫合金薄膜样品,研究了(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层厚度、NiO插层厚度和基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用X射线衍射仪分析样品的微结构,用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应实验系统测量不同基片温度下制备的薄膜的磁滞回线。结果表明:(Ni81Fe19)80.7Nb19.3缓冲层及NiO插层都可有效的提高坡莫合金薄膜的AMR值;对于厚度为20 nm的Ni81Fe19坡莫合金薄膜,在NiFeNb缓冲层厚度为2 nm,NiO层厚度为4 nm,基片温度为450℃的条件下,其AMR值最大达到5.25%,比以Ta为缓冲层的薄膜的AMR值提高了60.6%。此时的坡莫合金薄膜出现了较好的(111)织构和大晶粒现象,减少了晶界对传导电子的散射,导致薄膜的AMR值提高。 展开更多
关键词 坡莫合金薄膜 NiFeNb缓冲层 NiO插层 各向异性磁电阻
ZnO插层对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 被引量:1
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作者 王存涛 王书运 +1 位作者 高垣梅 张慧 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1124-1127,共4页
利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4 nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20 nm)/ZnO(t)/Ta(3nm),研究了ZnO插层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)和微结构的影响。利用四探针法测量薄膜样品的AMR值,利... 利用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品Ta(4 nm)/ZnO(t)/Ni81Fe19(20 nm)/ZnO(t)/Ta(3nm),研究了ZnO插层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻(AMR)和微结构的影响。利用四探针法测量薄膜样品的AMR值,利用X射线衍射仪分析样品的微结构。结果表明:由于ZnO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的ZnO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜AMR值,对于厚度为20 nm的Ni81Fe19薄膜,在基片温度为400℃时,通过插入2 nm厚的ZnO插层使得AMR值较不加插层提高了11%。 展开更多
关键词 坡莫合金薄膜 各向异性磁电阻 ZnO插层 基片温度
NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究 预览
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作者 李明华 李伟 +1 位作者 滕蛟 于广华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2630-2632,共3页
采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表... 采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表明,薄膜不仅具有很强的NiFe(111)织构。同时还出现了MgO的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。 展开更多
关键词 MGO NiFeCr 各向异性磁电阻 退火
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NiO插层和基片温度对超薄坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 预览 被引量:1
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作者 张慧 王书运 +1 位作者 高垣梅 王存涛 《磁性材料及器件》 CAS 北大核心 2013年第6期1-4,9共5页
利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁... 利用多靶磁控溅射系统在康宁玻璃基片上制备了Ta(4nm)/NiO(t)/Ni81Fe19(20nm)/NiO(t)/Ta(3nm)系列坡莫合金薄膜样品,研究了NiO插层厚度、基片温度对其各向异性磁电阻和微结构的影响。利用四探针技术测量薄膜样品的各向异性磁电阻比(AMR),利用X射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构,用原子力显微镜(AFM)分析样品的表面形貌。结果表明,由于NiO插层的"镜面反射"作用,选择适当厚度的NiO插层能够大幅度提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻比和磁场灵敏度。对于厚度为20nm的Ni81Fe19薄膜,当基片温度为450℃时,通过插入4nm厚的NiO插层可使AMR值达到5.01%,比无NiO插层时提高了40%。 展开更多
关键词 坡莫合金薄膜 各向异性磁电阻 NiO插层 基片温度
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NiFeNb缓冲层对纳米级坡莫合金薄膜各向异性磁电阻的影响 预览 被引量:1
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作者 王存涛 王书运 +1 位作者 高垣梅 张慧 《磁性材料及器件》 CAS 北大核心 2013年第3期8-11,30共5页
以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fel9)l小峨(0/Ni81Fel9(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。... 以NiFeNb作为坡莫合金薄膜的缓冲层,用多靶磁控溅射系统制备了一系列坡莫合金薄膜样品:(Ni81Fel9)l小峨(0/Ni81Fel9(20nm)/Ta(3nm),研究了Nb原子含量、缓冲层厚度、基片温度对坡莫合金薄膜各向异性磁电阻和微结构的影响。用四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻值(AMR),用原子力显微镜(AFM)分析样品表面形貌,用x射线衍射仪(XRD)分析样品的相结构。结果表明,(Ni81Fel9)o80TNb0193缓冲层对提高坡莫合金薄膜AMR值的作用明显大于Ta缓冲层。对于Ni81Fel9厚度为20nm的坡莫合金薄膜,缓冲层中Nb含量为0.193时薄膜的AMR效应及相结构最佳;随着缓冲层厚度的增加,薄膜的AMR效应先增后减,在厚度为4rim时AMR达到最大值;随着基片温度的升高,薄膜的AMR随之增大,在温度为450℃时达到最大值,之后趋于稳定,最大AMR值达到3.76%。 展开更多
关键词 坡莫合金薄膜 NiFeNb缓冲层 各向异性磁电阻 微结构
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Research progress in anisotropic magnetoresistance 预览 被引量:1
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作者 Chong-Jun Zhao Lei Ding +2 位作者 Jia-Shun HuangFu Jing-Yan Zhang Guang-Hua Yu 《稀有金属:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第3期213-224,共12页
各向异性的磁致电阻(AMR ) 是在许多相关领域里有宽广应用程序潜力的重要物理现象。因此, AMR 迄今为止是在材料科学的最吸引人的研究方向之一。在这篇文章,我们在 AMR 总结最近的进展,包括传统的透磁合金 AMR,隧道 AMR,弹道的 AM... 各向异性的磁致电阻(AMR ) 是在许多相关领域里有宽广应用程序潜力的重要物理现象。因此, AMR 迄今为止是在材料科学的最吸引人的研究方向之一。在这篇文章,我们在 AMR 总结最近的进展,包括传统的透磁合金 AMR,隧道 AMR,弹道的 AMR,库仑封锁 AMR,异常 AMR,和 antiferromagnetic AMR。在开发更先进的 AMR 的存在问题和可能的挑战简短被讨论,并且未来发展趋势和前景是也推测了。 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 磁阻效应 AMR 物理现象 材料科学 坡莫合金 库仑封锁 发展趋势
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新型磁电阻效应实验仪研制及应用 预览 被引量:1
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作者 倪敏 许美新 时晨 《实验技术与管理》 CAS 北大核心 2012年第5期 76-79,共4页
利用新型的磁电阻效应实验仪对多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器以及各向异性磁电阻传感器的电阻随外加磁场的变化进行了研究,从而了解各种磁电阻的特性。该新型仪器可在高校实验中应用,有助于学生掌握磁电阻传感器的定标方... 利用新型的磁电阻效应实验仪对多层膜巨磁电阻传感器、自旋阀巨磁电阻传感器以及各向异性磁电阻传感器的电阻随外加磁场的变化进行了研究,从而了解各种磁电阻的特性。该新型仪器可在高校实验中应用,有助于学生掌握磁电阻传感器的定标方法,测量并计算3种磁电阻传感器灵敏度,也可用于研究3种磁电阻传感器输出电压与通电导线电流的关系,以及磁电阻的其他效应。 展开更多
关键词 多层膜巨磁电阻 自旋阀巨磁电阻 各向异性磁电阻 传感器
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超薄Ni81Fe19薄膜的各向异性磁电阻及磁性能 预览
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作者 王书运 何建方 王存涛 《理化检验:物理分册》 CAS 2012年第9期572-575,共4页
利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fel9(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测... 利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta(5nm)/Ni81Fel9(20nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻(AMR)及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻;用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明:在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻为3.5%,最低磁化饱和场为739.67A/m。基片温度为500。C制备的薄膜,饱和磁化强度腿值最大。随着缓冲层厚度3g的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。 展开更多
关键词 Ni81Fe19薄膜 基片温度 超薄薄膜 各向异性磁电阻 缓冲层厚度
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基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜结构和各向异性磁电阻的影响 预览 被引量:4
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作者 何建方 王书运 王存涛 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期 20-23,共4页
利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁... 利用磁控溅射方法制备了一系列Ta(x)/Ni81Fe19(100nm)/Ta(3nm)磁性薄膜。着重研究基片温度、缓冲层厚度对薄膜结构和各向异性磁电阻的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向;用四探针法测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻。结果表明,基片温度对薄膜的各向异性磁电阻及饱和场有显著影响,随着基片温度的升高,薄膜各向异性磁电阻随之增大,饱和场则相反。基片温度在400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻比和较低的磁化饱和场,薄膜最大各向异性磁电阻比为4.23%,最低磁化饱和场为739.67A/m;随着缓冲层厚度的增加,坡莫合金薄膜的AMR值先变大后减小,在x=5nm时达到最大值。 展开更多
关键词 Ni81Fe19薄膜 基片温度 结构 各向异性磁电阻 磁控溅射 缓冲层厚度
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基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象 被引量:1
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作者 程浩 杨维 +1 位作者 刘鸿 汪令江 《科学通报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第35期 2941-2946,共6页
比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250nm和10nm的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和I-V特性,得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之... 比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250nm和10nm的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和I-V特性,得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之间没有必然关系,说明铁磁金属薄膜纳米点连接的中间部位纳米局部区域的电阻与它两端的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比不起绝对决定作用,也就是说,我们所测得的铁磁金属薄膜纳米点连接的电阻主要来自于它的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极.比较了铁磁金属薄膜纳米点连接和在同样真空薄膜沉积条件下制备的同样厚度的0.2cm×0.8cm的铁磁金属薄膜的磁电阻之间的关系,发现与薄膜相比,纳米点连接样品的磁电阻比例普遍得到较大的提高,也就是说我们所测量的铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻主要来自于纳米点连接样品的中间部位纳米局部区域.可以得出在铁磁金属薄膜纳米点连接中,由于具有很高磁电阻比例的中间部位纳米局部区域的电阻与具有很低磁电阻比例的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比很小,所以整个铁磁金属薄膜纳米点连接的电子输运行为由样品的微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电子输运行为决定,表现为它所呈现的是线性的I-V特性曲线和类似于铁磁金属薄膜的各向异性磁电阻现象. 展开更多
关键词 真空薄膜 铁磁纳米点连接 各向异性磁电阻 弹道磁电阻
铁磁金属薄膜纳米点连接的各向异性磁电阻
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作者 程浩 杨维 +2 位作者 刘鸿 汪令江 郑勇林 《低温物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期390-394,共5页
首次运用电子束光刻技术和真空沉积技术在硅片表面制备了宽度在20纳米Ni80Fe20薄膜铁磁金属纳米点连接,通过对铁磁金属薄膜纳米点连接样品在不同温度下的磁电阻和I~V的研究,得出宽度在20纳米的铁磁金属薄膜纳米点连接中所观察到的磁电... 首次运用电子束光刻技术和真空沉积技术在硅片表面制备了宽度在20纳米Ni80Fe20薄膜铁磁金属纳米点连接,通过对铁磁金属薄膜纳米点连接样品在不同温度下的磁电阻和I~V的研究,得出宽度在20纳米的铁磁金属薄膜纳米点连接中所观察到的磁电阻现象是各向异性磁电阻,其导电行为主要是金属导体导电行为,受量子化电导作用较小;通过对宽度在20纳米至250纳米之间的不同宽度的纳米点连接的磁电阻的测量,发现纳米点连接的磁电阻比例以及电阻值均与纳米点连接的宽度没有必然关系;实验结果表明在20纳米宽的铁磁金属薄膜点连接样品中可能不存在铁磁金属纳米点接触样品中所观察到高比例的弹道磁电阻现象,其磁电阻行为仍然是在铁磁金属体材料中常见的各向异性磁电阻现象,受尺寸效应的影响较小. 展开更多
关键词 真空薄膜 铁磁纳米点连接 各向异性磁电阻 弹道磁电阻
几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响
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作者 许涌 蔡建旺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期 618-624,共7页
文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层(包括Ru,Pd,Ag和Au)的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进行了测试和表征.结果显示,Pd和Pt一样界面效应显著,能有效地提高NiFe薄膜退火前后的AMR比值,并抑制磁性... 文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层(包括Ru,Pd,Ag和Au)的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进行了测试和表征.结果显示,Pd和Pt一样界面效应显著,能有效地提高NiFe薄膜退火前后的AMR比值,并抑制磁性死层.表面能比较小、熔点相对低的插层材料Ag,Au在退火过程中容易通过晶界扩散,强烈破坏其AMR性能.对于熔点高、表面能比较大的插层材料如Ru,磁性死层同样得到了抑制,NiFe薄膜的温度稳定性也可以得到提高.结果表明界面插层从界面电子自旋-轨道散射、界面死层和界面原子扩散等方面深刻影响NiFe薄膜的AMR. 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 界面效应 原子扩散
各向异性磁电阻材料的研究进展 预览 被引量:7
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作者 皇甫加顺 盛树 +1 位作者 李宝河 于广华 《中国材料进展》 CSCD 2011年第10期 14-21,共8页
各向异性磁电阻效应是自旋电子学中的一种非常重要的物理现象,其在诸多相关领域有着广泛的应用前景,因而也是材料科学研究中最具吸引力的方向之一。分别介绍了传统坡莫合金各向异性磁电阻、隧穿各向异性磁电阻、弹道各向异性磁电阻、... 各向异性磁电阻效应是自旋电子学中的一种非常重要的物理现象,其在诸多相关领域有着广泛的应用前景,因而也是材料科学研究中最具吸引力的方向之一。分别介绍了传统坡莫合金各向异性磁电阻、隧穿各向异性磁电阻、弹道各向异性磁电阻、库仑阻塞各向异性磁电阻、异常各向异性磁电阻以及反铁磁隧穿各向异性磁电阻的研究进展,提出了一些研究中面ll缶的挑战并对发展方向作出展望。 展开更多
关键词 各向异性磁电阻 自旋轨道耦合 自旋电子学
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Co/CoO双层膜的各向异性磁电阻与交换偏置行为研究
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作者 付新闻 曹桂新 +3 位作者 康保娟 敬超 曹世勋 张金仓 《低温物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期431-435,共5页
本文系统研究了Co/CoO双层膜的各向异性磁电阻(AMR)与交换偏置行为,并给出了外加微扰场对交换偏置磁锻炼效应恢复程度影响的实验结果.结果表明磁锻炼效应发生后,施加0.15T的倾斜微扰场可致使铁磁畴分裂进而诱导磁锻炼效应的恢复,揭示... 本文系统研究了Co/CoO双层膜的各向异性磁电阻(AMR)与交换偏置行为,并给出了外加微扰场对交换偏置磁锻炼效应恢复程度影响的实验结果.结果表明磁锻炼效应发生后,施加0.15T的倾斜微扰场可致使铁磁畴分裂进而诱导磁锻炼效应的恢复,揭示磁锻炼效应恢复程度与微扰场的角度有紧密关联.在微扰场作用下FM自旋在两个方向分裂,一部分自旋沿微扰场方向,另一部则被冷却场的AFM自旋钉扎住而沿原来方向不变.当微扰场和冷却场夹角大于30°时,FM畴被分裂,磁锻炼效应开始恢复,表明一个磁畴内的铁磁自旋偏离夹角最大为30°,而磁锻炼效应发生后,部分AFM自旋偏离冷却场方向的角度则小于30°,实验结果与相应的理论计算结果一致.此外,恢复程度随微扰场角度的增加而增加,最大恢复程度时角度为90°.同时,磁锻炼效应的恢复增加了交换偏置值,为器件设计提供理论支持,在自旋电子学基础和应用研究方面具有重要的指导意义. 展开更多
关键词 Co/CoO双层膜 各向异性磁电阻 交换偏置 磁锻炼效应
磁电子罗盘倾斜误差分析 被引量:1
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作者 李希胜 舒雄鹰 +2 位作者 刘洪毅 李忠虎 朱晓明 《计量技术》 2009年第9期24-26,共3页
基于各向异性磁阻(AMR)传感器的磁电子罗盘利用地磁场实现载体定向。当磁电子罗盘的基准平面“倾斜”时,需要测量俯仰角、滚动角以及地磁场的三个分量来计算航向角。通过对地磁场水平分量传统计算公式的分析,找出了导致计算误差的... 基于各向异性磁阻(AMR)传感器的磁电子罗盘利用地磁场实现载体定向。当磁电子罗盘的基准平面“倾斜”时,需要测量俯仰角、滚动角以及地磁场的三个分量来计算航向角。通过对地磁场水平分量传统计算公式的分析,找出了导致计算误差的原因,并推导了新的计算公式。数值仿真结果表明,新公式优于传统公式。磁电子罗盘轻微倾斜时,传统计算公式与新的计算公式相似,在精度要求不是太高的情况下,可以使用传统计算公式求取地磁场水平分量;而当倾斜较为严重时,两者相差较大,不能使用传统计算公式求取地磁场水平分量。 展开更多
关键词 磁电子罗盘 地磁场 各向异性磁电阻 磁电阻传感器
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