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镍基高温合金单晶的生长和氧化行为 预览
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作者 梁肖肖 童健 +4 位作者 马昕迪 雷云 陈媛芝 武英 徐家跃 《应用技术学报》 2019年第2期119-124,共6页
采用改进型坩埚下降法生长了镍基高温合金单晶,使用氧化铝坩埚和〈001〉方向的籽晶,生长得到直径为30~40mm、长度260mm的晶棒。采用异型氧化铝坩埚,生长出特殊形状且中空的高温合金单晶涡轮机叶片构件。腐蚀显示所生长的晶体具有典型的... 采用改进型坩埚下降法生长了镍基高温合金单晶,使用氧化铝坩埚和〈001〉方向的籽晶,生长得到直径为30~40mm、长度260mm的晶棒。采用异型氧化铝坩埚,生长出特殊形状且中空的高温合金单晶涡轮机叶片构件。腐蚀显示所生长的晶体具有典型的镍基高温合金单晶形貌,在枝晶区域有少量的γ′/γ共晶,枝晶的平均间距是367μm,γ′相是立方结构且分布均匀。研究了晶体在900和1000℃氧化200h的氧化行为,氧化120h后其增重达到一个恒定值。 展开更多
关键词 NI基高温合金 晶体生长 微观结构 坩埚下降法 氧化行为
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坩埚下降法在新材料探索及晶体生长中的应用 预览
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作者 徐家跃 申慧 +5 位作者 金敏 张彦 田甜 陈媛芝 周鼎 储耀卿 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第6期975-984,共10页
坩埚下降法是一种重要的晶体生长技术,成功用于生长闪烁晶体锗酸铋(Bi4Ge3O12)、声光晶体氧化碲(TeO2)、压电晶体四硼酸锂(Li2B4O7)以及新型弛豫铁电晶体等材料,并实现了产业化。坩埚下降法在层状结构晶体、异型晶体、高通量生长等新材... 坩埚下降法是一种重要的晶体生长技术,成功用于生长闪烁晶体锗酸铋(Bi4Ge3O12)、声光晶体氧化碲(TeO2)、压电晶体四硼酸锂(Li2B4O7)以及新型弛豫铁电晶体等材料,并实现了产业化。坩埚下降法在层状结构晶体、异型晶体、高通量生长等新材料探索中也有巨大的潜力。本文主要介绍我们团队近年来在坩埚下降法生长硒化锡(SnSe)晶体、全无机铅卤基钙钛矿晶体、高温合金、硅酸铋晶体高通量筛选等方面的研究结果。 展开更多
关键词 坩埚下降法 晶体生长 高温合金单晶 高通量筛选
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K2LaCl5:Ce晶体的生长及闪烁性能研究 预览
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作者 章政 张建裕 +3 位作者 杜飞 李倩倩 潘尚可 潘建国 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第3期369-373,共5页
利用坩埚下降法生长出复合稀土卤化物K2LaCl5:Ce单晶,该晶体为正交结构,晶胞参数为a=1.2745 nm,b=0.8868 nm,c=0.8018 nm,熔点为625℃。通过切割研磨抛光后得到Φ12 mm×5 mm的透明圆柱体晶体。将该晶体进行X射线激发发射光谱、光... 利用坩埚下降法生长出复合稀土卤化物K2LaCl5:Ce单晶,该晶体为正交结构,晶胞参数为a=1.2745 nm,b=0.8868 nm,c=0.8018 nm,熔点为625℃。通过切割研磨抛光后得到Φ12 mm×5 mm的透明圆柱体晶体。将该晶体进行X射线激发发射光谱、光致发光光谱、脉冲高度谱、γ射线衰减能谱、透过率等测试。在一定波段的紫外光以及X射线的激发下,K2LaCl5:Ce晶体在355 nm与375 nm波长左右有宽的发射峰,分别对应于Ce3+的5d1→2F5/2和5d1→2F7/2能级跃迁。在紫外和γ射线的激发下,K2LaCl5:Ce晶体的衰减时间分别为33 ns和23 ns,晶体的能量分辨率为5.9%。 展开更多
关键词 K2LaCl5:Ce 坩埚下降法 能级跃迁 闪烁性能
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CdLa2(WO4)4晶体的生长及发光性能的研究 预览
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作者 杜飞 殷洁 +3 位作者 栗茹 张鹏 潘尚可 潘建国 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期235-239,共5页
以高温固相法成功合成了CdLa2(WO4)4多晶料,采用垂直坩埚下降法进行了晶体的生长。CdLa2(WO4)4晶体属于四方晶系白钨矿结构,其晶胞参数为:a=b=5.209,c=11.325,晶胞的体积为307.26^3,其密度为7.494 g/cm^3。在室温下测量了晶体的光... 以高温固相法成功合成了CdLa2(WO4)4多晶料,采用垂直坩埚下降法进行了晶体的生长。CdLa2(WO4)4晶体属于四方晶系白钨矿结构,其晶胞参数为:a=b=5.209,c=11.325,晶胞的体积为307.26^3,其密度为7.494 g/cm^3。在室温下测量了晶体的光致发光光谱、X射线激发发射光谱、光致发射衰减时间等。结果表明:在296nm紫外光的激发下,样品在350-600 nm范围内具有宽阔的蓝绿发光带,发射峰的峰值为470 nm。并且其光致发射衰减时间为3.4 ns,在X射线激发下也有良好的发光性能。 展开更多
关键词 CdLa2(WO4)4 坩埚下降法 光学性能
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坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究 预览 被引量:1
5
作者 金敏 徐家跃 +3 位作者 范世骥 申慧 何庆波 谈慧祖 《应用技术学报》 2017年第1期10-13,88共5页
利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm... 利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体,坩埚下降炉控温1260℃,晶体以2.5mm/h速度在温度梯度为10℃/cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核、尺寸为1~3mm的砷化镓单晶颗粒.生长的砷化镓晶体直径约50.8mm,总长约140mm.晶体头部放肩阶段存在异相成核,尾部出现多晶.截断后获得的砷化镓单晶长约100mm,成晶率达70%.砷化镓单晶结晶质量良好,头尾平均位错密度分别为868cm-2和1436cm-2,电阻率达10^7Ω·cm量级.砷化镓单晶整体红外透过率约为55%,接近最高理论透过率55.8%.满足工业界使用要求. 展开更多
关键词 坩埚下降法 红外 砷化镓晶体 透过率
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Dy3+掺杂TeO2单晶的生长及其发光性能研究
6
作者 田甜 崔庆芝 +2 位作者 雷云 沈志杰 徐家跃 《中国照明电器》 2017年第9期15-19,共5页
通过坩埚下降法成功生长出直径为1inch、等径部分长度达到7cm的掺0.2mol%Oy^3+的TeO2晶体,该晶体主体部分无色透明、无裂纹、无明显包裹物,但后半部有裂痕,且有灰白色析出物,在可见光波段透过率约为70%。测试了TeO2:Dy晶体的... 通过坩埚下降法成功生长出直径为1inch、等径部分长度达到7cm的掺0.2mol%Oy^3+的TeO2晶体,该晶体主体部分无色透明、无裂纹、无明显包裹物,但后半部有裂痕,且有灰白色析出物,在可见光波段透过率约为70%。测试了TeO2:Dy晶体的荧光光谱,观察到了Dy^3+离子外层4厂电子能级跃迁产生的特征激发峰和吸收峰,并给出了简单的能级跃迁发光机理图。结果表明,它在363nm近紫外光激发下,能够发射中性白光,在348nm和387nm近紫外光、453nm蓝光激发下,能够发射稳定的暖白光,从而实现通过改变激发光波长调节该晶体发射不同的白光。因此,TeO2:Dy是一种能够实现可调谐白光发射的荧光单晶候选材料。 展开更多
关键词 Dy3+掺杂 二氧化碲单晶 坩埚下降法 白光LED
硅酸铋闪烁晶体及其掺杂改性 被引量:1
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作者 徐家跃 冯海威 +2 位作者 潘芸芳 张彦 范世(马岂) 《硅酸盐学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期1748-1757,共10页
硅酸铋(Bi4Si3O(12),BSO)晶体是一种具有闪铋矿结构的氧化物闪烁材料,其衰减时间快于锗酸铋(BGO)晶体,光输出高于钨酸铅(PWO)晶体,被认为是双读出量能器最佳的候选材料之一。综述了硅酸铋晶体在相关系、晶体生长、闪烁性能、掺... 硅酸铋(Bi4Si3O(12),BSO)晶体是一种具有闪铋矿结构的氧化物闪烁材料,其衰减时间快于锗酸铋(BGO)晶体,光输出高于钨酸铅(PWO)晶体,被认为是双读出量能器最佳的候选材料之一。综述了硅酸铋晶体在相关系、晶体生长、闪烁性能、掺杂改性等方面的研究进展,比较了不同生长方法的优缺点,总结了稀土掺杂对硅酸铋晶体性能以及结晶习性的影响。研究发现:少量Dy^3+掺杂能显著提高硅酸铋晶体的光输出,其发光机理可能与Dy3+的占位有关,高浓度掺杂因为引入竞争性的发光中心而导致光输出下降。此外,掺杂硅酸铋晶体在荧光发光和激光等领域有潜在应用。 展开更多
关键词 硅酸铋晶体 坩埚下降法 闪烁发光 掺杂 析晶行为
Cs2LiYCl6:Ce闪烁晶体的光学及闪烁性能 预览 被引量:2
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作者 王晴晴 史坚 +4 位作者 李焕英 陈晓峰 潘尚可 卞建江 任国浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期175-179,共5页
用坩埚下降法生长得到Cs2Li Y 0.95Cl6:5%Ce(CYLC)闪烁晶体,通过X射线衍射分析证明Cs2Li YCl6:Ce的晶体结构属于钾冰晶石结构,并与理论计算结果基本吻合。在吸收光谱中观测到源于Ce3+离子从4f向5d1-5电子跃迁的吸收峰和自陷激子吸... 用坩埚下降法生长得到Cs2Li Y 0.95Cl6:5%Ce(CYLC)闪烁晶体,通过X射线衍射分析证明Cs2Li YCl6:Ce的晶体结构属于钾冰晶石结构,并与理论计算结果基本吻合。在吸收光谱中观测到源于Ce3+离子从4f向5d1-5电子跃迁的吸收峰和自陷激子吸收峰。X射线和紫外激发和发射光谱测试表明,位于300 nm的发光属于Cs2Li YCl6:Ce晶体的本征芯价发光,321 nm的发光归因于自陷激子发光,350-450 nm范围的发光属于Ce3+离子5d-4f跃迁发光。在37Cs源伽马射线激发下,CYLC晶体的能量分辨率达到8.1%,衰减时间分别为58 ns和580 ns。综上所述可知,Cs2Li YCl6:Ce晶体将是一种在中子和伽马射线分辨领域具有广泛应用前景的闪烁晶体。 展开更多
关键词 Cs2Li YCl6:Ce晶体 坩埚下降法 晶体结构 闪烁性能
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GdI3:Ce晶体的生长及其闪烁性能研究 预览
9
作者 叶乐 史坚 +4 位作者 李焕英 陈晓峰 黄跃峰 徐家跃 任国浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期346-350,共5页
通过坩埚下降法生长GdI3:2%Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到?15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能。XR... 通过坩埚下降法生长GdI3:2%Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到?15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能。XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3:2%Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同。X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3:2%Ce晶体在450-700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce^3+的5d-4f跃迁发光。以550 nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm。GdI3:2%Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4%,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns。研究表明,GdI3:2%Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 GdI3:2%Ce晶体 坩埚下降法 闪烁性能
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大功率暖白光LED用Dy:BGSO单晶的生长及其发光性能 预览 被引量:2
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作者 田甜 宋晨 +4 位作者 冯海威 李雨萌 郭芸芸 张彦 徐家跃 《应用技术学报》 2017年第3期201-206,共6页
采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy^3+和Ge^4+的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy^3+和Ge^4+的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54cm(1in),长度达8cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy^3+和Ge^4+能够有效改善BS... 采用坩埚下降法成功生长出共掺Dy^3+和Ge^4+的硅酸铋(BSO)单晶,其中Dy^3+和Ge^4+的摩尔分数分别为1%和3%,其直径为2.54cm(1in),长度达8cm,外观无色透明,无包裹物和裂纹等缺陷,表明共掺入Dy^3+和Ge^4+能够有效改善BSO晶体的偏析现象;双摇摆曲线半峰全宽为24"表明晶体具有较高的结晶质量.Dy:BGSO晶体的荧光光谱包含Bp和Dy^3+的特征峰,Bi抖吸收的能量能够传递给Dy^3+.色坐标和色谱计算结果表明,其在多种波长的紫外光激发下均可以发射暖白光.该晶体在365nm紫外光灯辐照下的实际发光效果说明,其能够高效率、360。全方位立体发射肉眼可见的明亮暖白光.故Dy:BGSO单晶是一种可用于大功率LED器件的候选荧光单晶材料. 展开更多
关键词 Dy:BGSO单晶 坩埚下降法 成分偏析 大功率暖白光发光二极管
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氟化钙晶体生长及性能研究 预览
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作者 许蓝云 董嘉铭 +4 位作者 马婧 谷亮 曾繁明 李春 林海 《长春理工大学学报:自然科学版》 2016年第4期54-57,共4页
采用液-固-溶液法(LSS法)制备了CaF_2纳米粉体,通过X射线衍射分析(XRD)测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压力对于粉体质量的影响;当水热合成温度为160℃,填充比为70%时,制得的CaF_2纳米粉体的质量更佳。... 采用液-固-溶液法(LSS法)制备了CaF_2纳米粉体,通过X射线衍射分析(XRD)测试手段对纳米粉体进行了性能表征,研究了水热合成温度及水热压力对于粉体质量的影响;当水热合成温度为160℃,填充比为70%时,制得的CaF_2纳米粉体的质量更佳。采用坩埚下降法,制备出了位错少,红外透过率大于90%,在紫外到中红外范围内折射率随波长的变化率小,光密度小于0.1,且上下波动范围较小的CaF_2光学晶体。通过显微镜、XRD、红外和紫外分光光度计等测试手段对CaF_2晶体的物相结构、光学性能及晶体表面性能进行了表征。 展开更多
关键词 坩埚下降法 CaF2晶体 生长工艺 性能研究
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大尺寸硅酸铋晶体的原料合成、晶体生长及闪烁性能研究 预览
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作者 徐家跃 王杰 +5 位作者 陈炜 肖学峰 杨波波 王占勇 李飞 谢会东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1147-1150,共4页
以Si(OC2H5)4和Bi(NO3)3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12多晶粉末,每批次可合成250g。以此为原料、〈001〉取向BSO为籽晶,在坩埚下降炉内生长了BS... 以Si(OC2H5)4和Bi(NO3)3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12多晶粉末,每批次可合成250g。以此为原料、〈001〉取向BSO为籽晶,在坩埚下降炉内生长了BSO晶体,讨论了晶体的析晶行为,获得了30mm×30mm×210mm的高质量BSO晶体。闪烁性能测试表明,该晶体能量分辨率为18.9%,光输出为同等条件下CSI(T1)晶体的7.2%。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 硅酸铋晶体 坩埚下降法 晶体生长 闪烁性能
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溴化铈晶体的生长与性能研究 预览 被引量:1
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作者 桂强 张春生 +1 位作者 邹本飞 张明荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期69-72 84,共5页
采用改进的坩埚下降法生长出Φ1.5"×1.5"的无宏观缺陷的溴化铈晶体毛坯。研究测试了溴化铈晶体的荧光光谱、紫外-可见透射光谱及光输出、能量分辨率、本底等闪烁性能。结果表明:在光致激发下,溴化铈晶体的发光主峰位于39... 采用改进的坩埚下降法生长出Φ1.5"×1.5"的无宏观缺陷的溴化铈晶体毛坯。研究测试了溴化铈晶体的荧光光谱、紫外-可见透射光谱及光输出、能量分辨率、本底等闪烁性能。结果表明:在光致激发下,溴化铈晶体的发光主峰位于390 nm;其10 mm厚度样品在390 nm处的光透过率为60%;Φ1"×1"大小的样品在137Cs源的662 keV伽马射线作用下能量分辨率为4.26%,光输出相当于NaI(Tl)晶体的125%;溴化铈晶体中在0.005 Bq/g探测限下未检测到138La和227Ac元素,本底水平显著低于掺铈溴化镧晶体。 展开更多
关键词 闪烁晶体 溴化铈 坩埚下降法
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高相变温度弛豫铁电单晶PMN-PT-PZ的生长与性能表征 预览
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作者 吴冠洁 邓安猛 +3 位作者 蔡帅 汪振海 罗来慧 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期2741-2746,共6页
按照0.624Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.336Pb TiO3-0.04Pb ZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶。应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物... 按照0.624Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.336Pb TiO3-0.04Pb ZrO3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出PMN-PT-PZ多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×90 mm的PMN-PT-PZ单晶。应用X射线衍射对所获多晶和单晶试样进行了物相分析,测试了PMN-PT-PZ晶片的介电温谱、电滞回线和压电常数。结果表明,所得三元固溶体单晶PMN-PT-PZ为不含焦绿石相的纯钙钛矿相结构,其三方-四方相变温度Trt达130℃,居里温度Tc为165-170℃,取自单晶原坯三方相区段的(001)取向晶片的压电常数d33在1300-1800 p C/N之间;其矫顽电场Ec为4-4.5 k V/cm,剩余极化强度Pr为20-31.5μC/cm2。跟PMN-PT单晶比较,PMN-PT-PZ单晶仍具有较大压电常数d33,而三方-四方相变温度明显提高,其矫顽电场有所增大。 展开更多
关键词 弛豫铁电单晶 PMN-PT-PZ 坩埚下降法 相变温度 电学性能
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大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长
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作者 徐家跃 李欣 +3 位作者 陆宝亮 申慧 侍敏莉 张爱琼 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1435-1439,共5页
四硼酸锂(Li2B4O7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102mm的LBO晶体产业化还有很大难度。... 四硼酸锂(Li2B4O7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60mm×110mm×120mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60mm、直径为102mm(4in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。 展开更多
关键词 四硼酸锂晶体 坩埚下降法 大尺寸晶体生长 转向晶体生长
Ho^3+掺杂Bi4Si3O12晶体的生长与光谱特性 被引量:1
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作者 温裕贤 张彦 +2 位作者 储耀卿 杨波波 徐家跃 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1446-1450,共5页
采用坩埚下降法生长了尺寸为φ25mm×100mm的Ho^3+掺杂的Bi4Si3O12(BSO:Ho)晶体,研究了所得晶体的透射光谱、激发光谱、发射光谱等特性。结果表明:BSO:Ho晶体透射光谱与纯BSO晶体基本一致,在350~800nm波长范围的透过率约... 采用坩埚下降法生长了尺寸为φ25mm×100mm的Ho^3+掺杂的Bi4Si3O12(BSO:Ho)晶体,研究了所得晶体的透射光谱、激发光谱、发射光谱等特性。结果表明:BSO:Ho晶体透射光谱与纯BSO晶体基本一致,在350~800nm波长范围的透过率约为80%,吸收边在286nm处;在360、454和537nm处存在与Ho^3+有关的吸收峰:激发光谱在240~310nm波段出现1个宽的激发带,峰值在290nm左右;发射光谱中除480nm发射带外,在573nm附近有多个与Ho^3+有关的尖锐发射峰。BSO:Ho晶体的主要发光分量的荧光衰减时间为94.41ns,表明掺杂0.1%Ho^3+(摩尔分数)有利于提高BSO晶体的闪烁性能。 展开更多
关键词 硅酸铋晶体 坩埚下降法 晶体生长 钬掺杂 光谱性能
钼酸锌晶体生长与发光特性研究 预览 被引量:1
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作者 魏冉 王敏刚 +3 位作者 胡旭波 许咨宗 潘建国 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3406-3410,共5页
采用垂直坩埚下降法生长出黄棕色ZnMoO4晶体,通过X射线粉末衍射和差热分析证实了所获晶体的结晶物相和熔融特性;测试了晶体试样的紫外可见透射光谱和光致发射光谱及其发光衰减时间,就晶体试样在21300K温度范围的变温发光特性进行了系统... 采用垂直坩埚下降法生长出黄棕色ZnMoO4晶体,通过X射线粉末衍射和差热分析证实了所获晶体的结晶物相和熔融特性;测试了晶体试样的紫外可见透射光谱和光致发射光谱及其发光衰减时间,就晶体试样在21300K温度范围的变温发光特性进行了系统表征。结果表明,所获晶体试样在可见光区具有良好光学透过性,在紫外光激发作用下,该晶体具有发光峰值位于黄橙光区的荧光发射;证实了该晶体的发光性能随同环境温度呈现明显规律性变化,在100 K低温下该晶体具有最大的相对荧光强度,其发光衰减时间约10 ms。 展开更多
关键词 ZnMoO4 晶体生长 坩埚下降法 发光性能
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钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应 预览 被引量:2
18
作者 胡旭波 赵学洋 +3 位作者 魏冉 王敏刚 向军涛 陈红兵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1432-1437,共6页
以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达Φ25mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光... 以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达Φ25mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间。结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375nm以上波长具有良好光学透过性,在300nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804~1054ns。该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强。 展开更多
关键词 钼酸镉 单晶生长 坩埚下降法 光谱性能 退火效应
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人工晶体学报第44卷第1~12期总目次 预览
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《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3833-3867,共35页
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关键词 金刚石单晶 第一性原理 微波介质陶瓷 微晶玻璃 水热法 坩埚下降法 卷第 HUANG 薄膜光学 多孔陶瓷
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退火热处理对ZnGeP2晶体光学性能的影响 预览
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作者 赵欣 吴小娟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第23期23096-23100,23103共6页
采用坩埚下降法生长出尺寸为Ф22mm×30mm 的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体.分别采用真空P氛围和真空ZnGeP2多晶粉末包裹对生长的ZnGeP2晶体进行退火处理.利用X射线衍射仪、能量分散光谱仪、红外分光光度计,测试了不同退火条件下ZnGeP2晶... 采用坩埚下降法生长出尺寸为Ф22mm×30mm 的磷锗锌(ZnGeP2)单晶体.分别采用真空P氛围和真空ZnGeP2多晶粉末包裹对生长的ZnGeP2晶体进行退火处理.利用X射线衍射仪、能量分散光谱仪、红外分光光度计,测试了不同退火条件下ZnGeP2晶体中的元素组成和红外透光谱.结果表明,采用真空ZnGeP2多晶粉末包裹,580-600℃保温300h的退火工艺,能够较好地弥补晶片中Zn、P原子缺失,成分更接近ZnGeP2理想化学计量比.退火后的晶体在近红外波段范围内(0.7-2μm)的透过率有约30%的提高,在2-10μm 范围内的平均透过率接近60%.晶体光学质量显著提高,满足光学器件的制作要求. 展开更多
关键词 磷锗锌 坩埚下降法 晶体生长 退火 红外光谱
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