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Ka波段平面Goubau线与超材料相结合的宽带滤波器 预览
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作者 乔绅 马向峰 +1 位作者 李宝森 祁高品 《电子器件》 北大核心 2018年第5期1145-1147,共3页
平面Goubau线(PGL)可作为单导体波导进行Ka波段表面电磁波传输。通过与超材料共面集成,可抑制PGL特定频点的表面波。在此基础上将超材料组成阵列形式,实现了宽带滤波特性。采用CST对所设计模型进行仿真,通过设置场监视器,重点研究了PGL... 平面Goubau线(PGL)可作为单导体波导进行Ka波段表面电磁波传输。通过与超材料共面集成,可抑制PGL特定频点的表面波。在此基础上将超材料组成阵列形式,实现了宽带滤波特性。采用CST对所设计模型进行仿真,通过设置场监视器,重点研究了PGL与超材料的场分布特征与互作用结果。通过不断优化设计,最终获得了20%相对带宽的宽带滤波器。Ka波段平面器件的研究有助于微波毫米波器件小型化、平面化、集成化方向的发展。 展开更多
关键词 平面器件 宽带滤波 超材料 平面Goubau线 互作用
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太赫兹振荡器件之间同相位锁定机制的研究 预览 被引量:1
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作者 潘金涛 王越 许坤远 《华南师范大学学报:自然科学版》 北大核心 2018年第1期55-60,共6页
基于单个平面太赫兹振荡器输出特性, 深入分析了振荡器阵列中器件之间的相位关系. 研究表明: 将 2个振荡器直接并联组成阵列时, 由于器件之间的耦合较弱, 两器件无法协同工作, 因而输出信号随时间无规律波动. 通过在器件之间引入额外... 基于单个平面太赫兹振荡器输出特性, 深入分析了振荡器阵列中器件之间的相位关系. 研究表明: 将 2个振荡器直接并联组成阵列时, 由于器件之间的耦合较弱, 两器件无法协同工作, 因而输出信号随时间无规律波动. 通过在器件之间引入额外的表面栅, 利用栅极偏压增强耦合, 使器件工作于基波同相位锁定状态, 从而输出幅度稳定、 工作频率约为0 . 3 7T H z 的信号. 通过对器件沟道内部电子浓度分布的进一步分析发现, 器件之间同相位锁定机制的微观实质为两沟道内部动力学偶极畴处于同步状态. 由于双器件阵列的输出信号幅值为单器件的 2倍, 信号强度则为 4倍, 可见这种结构的设计实现了完全相干的功率合成. 展开更多
关键词 太赫兹 平面器件 阵列 表面栅极 耦合
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Tunneling field effect transistors based on in-plane and vertical layered phosphorus heterostructures
3
作者 冯申艳 张巧璇 +2 位作者 杨洁 雷鸣 屈贺如歌 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第9期421-427,共7页
通道域效果晶体管(TFET ) 尽最大努力基于二维的材料正在答应竞争者到传统的金属氧化物半导体域效果晶体管,主要由于潜在的应用设备。这里,我们基于二种不同集成类型调查 TFET:在里面飞机和垂直 heterostructures 创作了二种有点(由 ... 通道域效果晶体管(TFET ) 尽最大努力基于二维的材料正在答应竞争者到传统的金属氧化物半导体域效果晶体管,主要由于潜在的应用设备。这里,我们基于二种不同集成类型调查 TFET:在里面飞机和垂直 heterostructures 创作了二种有点(由 ab initio 量的 -P 和 -P) 搬运模拟。NDR 效果在在里面飞机和垂直 heterostructures 被观察了,并且当内在的区域长度在零附近时,效果与最高的 peak-to-valley 比率(PVR ) 变得重要。与在里面飞机 TFET 相比基于 -P 和 -P, 有 ~ 的更高的开/关水流比率的更好的性能 10 <sup>6</sup> 和 ~ 的一个更陡峭的次于最低限度的秋千(SS ) 23 mV/dec 在垂直 TFET 被完成。在 NDR 效果,开/关水流比率和 SS 的如此的差别在在里面飞机和垂直 heterostructures 被归因于 -P 和 -P 层的不同相互作用性质。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 平面器件 异质结构 垂直 层状 隧穿 功率器件
Control of Conduction Type and Construction of Novel Planar Devices Realized in Black Phosphorus
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《中国科学院院刊:英文版》 2016年第4期238-240,共3页
<正>The discovery of graphene has brought unprecedented opportunities for next-generation electronic devices which promise to extend the scaling limits in silicon-based complementary metal oxide semiconductor fi... <正>The discovery of graphene has brought unprecedented opportunities for next-generation electronic devices which promise to extend the scaling limits in silicon-based complementary metal oxide semiconductor field-effect transistors(FETs).Although capable of possessing an extremely high mobility(~20000 cm~2/Vs),graphene lacks a bandgap,and this sets a hurdle for its application in logic transistors. 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 平面器件 导电型 控制 电子器件 FET 石墨
我国基于聚焦离子束技术构建三维纳米结构研究获进展 预览
5
《功能材料信息》 2013年第4期54-55,共2页
作为信息社会进步基础的微电子器件与电路的发展历程突出表现为小型化、高密度和多功能化的趋势。当平面器件的发展遇到技术与理论上的瓶颈时,三维立体器件与电路成为必然的发展方向。三维器件与电路不仅体积小、集成度高,更重要的是三... 作为信息社会进步基础的微电子器件与电路的发展历程突出表现为小型化、高密度和多功能化的趋势。当平面器件的发展遇到技术与理论上的瓶颈时,三维立体器件与电路成为必然的发展方向。三维器件与电路不仅体积小、集成度高,更重要的是三维结构的引入使之具有更优越的性能、更新颖的效应,以及更广泛的功能。 展开更多
关键词 离子束技术 三维立体 纳米结构 微电子器件 聚焦 多功能化 社会进步 平面器件
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The total ionizing dose effects of non-planar triple-gate transistors
6
作者 刘诗尧 贺威 +1 位作者 曹建民 黄思文 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2013年第9期49-52,共4页
This paper investigates the total ionizing dose response of different non-planar triple-gate transistor structures with different fin widths. By exposing the pseudo-MOS transistor to different amounts of radiation, di... This paper investigates the total ionizing dose response of different non-planar triple-gate transistor structures with different fin widths. By exposing the pseudo-MOS transistor to different amounts of radiation, different interface trap densities and trapped-oxide charges can be obtained. Using these parameters together with Altal 3D simulation software, the total dose radiation response of various non-planar triple-gate devices can be simulated. The behaviors of three kinds of non-planar devices are compared. 展开更多
关键词 MOS晶体管 总剂量效应 平面 栅极 界面陷阱密度 模拟软件 平面器件 剂量响应
3-D分析进展满足器件要求 预览
7
《集成电路应用》 2008年第5期 34-35,共2页
尽管已经出现了多种工具和概念,但超浅结(USJ)的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上,要夺得这一圣杯,你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子,”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wi... 尽管已经出现了多种工具和概念,但超浅结(USJ)的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上,要夺得这一圣杯,你需要绘制出器件完整的3-D分布——包括掺杂和载流子,”IMECS工艺技术部门材料与元件分析组的负责人Wilfried Vandervorst这样说。“随着平面器件逐渐被像finFET这样的3-D结构所取代,探测掺杂或载流子分布的方法变得非常必要。这些方法需要在灵敏、定量、精确、可重复和空间/深度分辨率多个方面,提供与目前1-D和2-D工具类似的能力。” 展开更多
关键词 平面器件 3-D 载流子分布 FINFET 深度分辨率 技术部门 超浅结 方法学
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平面器件表面干涉效应所引起的反,透射率计算误差及消除方法 预览
8
作者 隋成华 徐志君 陈抗生 《光学仪器》 1998年第3期 9-13,共5页
对高斯光束在传输过程中,由于光路上平面光学器件的两平行平面反射光的干涉效应所引起的反、透射率的计算误差进行了理论分析,并提出了消除该误差的方法。
关键词 高斯光束 平面器件 表面干涉 透射率 反射率
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场板的设计和分析 预览 被引量:2
9
作者 卓伟 刘光廷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第4期 29-31,共3页
着重说明了场板设计中需要考虑的因素,给出了模拟结果与分析,并且给出设计结论。
关键词 场板 设计 分析 平面器件
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有多个场限制环的平面器件的设计方法 预览
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作者 丁辰 《上海半导体》 1992年第2期 1-4,8,共5页
关键词 半导体器件 场限制环 平面器件
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平面高反压器件的两维数值模拟 预览
11
作者 邓蓓 包宗明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期 155-160,共6页
本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得... 本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得到的新结果在器件的优化设计及实际生产中的重要意义。 展开更多
关键词 平面器件 高反压器件 数值模拟
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平面器件表面干涉效应所引起的反、透射率计算误差及消除方法 预览
12
作者 隋成华 徐志君 陈抗生 《光学仪器》 1997年第Z1期142-142,共1页
对高斯光束在传输过程中,由于光路上平面光学器件的两平行平面的反射光的干涉效应所引起的反、透射率的计算误差进行了理论分析,并提出了消除该误差的方法。
关键词 高斯光束 平面器件 表面干涉 反、透射率
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长波碲镉汞材料表面的氢化处理研究 预览
13
作者 林占文 韩福忠 +5 位作者 耿松 李雄军 史琪 王海澎 王向前 蒋俊 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期668-672,711共6页
本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表... 本文基于ICP方法对长波HgCdTe材料表面进行了氢化处理,首次在同一焦平面器件上实现了氢化工艺效果的对比。利用原子力显微镜(AFM)、低温探针台系统和焦平面测试系统对HgCdTe材料表面微观形貌及相关器件的电学特性进行了表征分析,结果表明:对长波HgCdTe材料表面进行氢化处理能有效降低MIS器件的界面态、改善二极管器件性能,同时能够增大焦平面器件的信号响应度、减小盲元率。该研究对改善长波HgCdTe/钝化层的界面态以及提高长波HgCdTe器件性能提供了依据。 展开更多
关键词 长波碲镉汞 氢化处理 AFM 界面电学特性 I-V 平面器件测试
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激光干扰红外焦平面器件的干扰图像仿真 被引量:4
14
作者 亓凤杰 李华 +3 位作者 王敏 黄成功 邹前进 王彦斌 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期213-215,共3页
在激光干扰的仿真试验中,要进行干扰效果评估,最直观的方法就是仿真出干扰图像。干扰图像的仿真是进行激光干扰内场仿真试验亟待解决的问题。文章研究了采用CTIA输入级电路以及CDS相关双采样预处理电路的HgCdTe探测器的干扰图像仿真。... 在激光干扰的仿真试验中,要进行干扰效果评估,最直观的方法就是仿真出干扰图像。干扰图像的仿真是进行激光干扰内场仿真试验亟待解决的问题。文章研究了采用CTIA输入级电路以及CDS相关双采样预处理电路的HgCdTe探测器的干扰图像仿真。首先研究了激光干扰线阵探测器的干扰图像仿真,然后通过进一步分析串扰现象产生的原理,研究了激光功率密度分布不均匀时激光干扰面阵探测器的干扰图像仿真。分析了带背景的干扰图像仿真。 展开更多
关键词 干扰图像仿真 激光 红外焦平面器件
CO_2激光对HgCdTe焦平面器件热力作用的理论分析 预览 被引量:1
15
作者 雷鹏 聂劲松 +2 位作者 李化 卞进田 王玺 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期360-365,共6页
利用有限元分析方法,对CO2连续激光辐照HgCdTe红外焦平面器件的温升效应和热应力效应进行模拟计算,模型的建立加入了In柱对实验的影响。对温度及热应力分布进行分析,结果表明,探测器的温度分布随着激光辐照时间的增加而出现明显的变化... 利用有限元分析方法,对CO2连续激光辐照HgCdTe红外焦平面器件的温升效应和热应力效应进行模拟计算,模型的建立加入了In柱对实验的影响。对温度及热应力分布进行分析,结果表明,探测器的温度分布随着激光辐照时间的增加而出现明显的变化。在感光层与In柱阵列的交界面上所产生的热应力对HgCdTe红外焦平面器件造成的损伤有可能先于温升损伤而发生。 展开更多
关键词 HgCdTe红外焦平面器件 有限元方法 In柱 温升效应 热应力
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基于三代红外探测器的一种新型材料——硒镉汞 预览 被引量:2
16
作者 王经纬 巩锋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1089-1094,共6页
介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞(HgCdSe)的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si(211)和GaSb(211)的最新研究情况.通过与碲镉汞(HgCdTe)材料的对比可看出,硒镉汞材料的性能优良,比碲镉汞性能更稳定、更易生长,并... 介绍了一种新型的红外探测器材料硒镉汞(HgCdSe)的最新研究进展,以及其所使用的衬底材料ZnTe/Si(211)和GaSb(211)的最新研究情况.通过与碲镉汞(HgCdTe)材料的对比可看出,硒镉汞材料的性能优良,比碲镉汞性能更稳定、更易生长,并且有较为成熟的衬底材料,辅以在同是汞基材料-碲镉汞上面所取得的生长经验,有望成为替代碲镉汞的下一代红外探测材料,极具应用前景. 展开更多
关键词 硒镉汞 分子束外延 第三代焦平面器件
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10.6μm激光对HgCdTe焦平面器件热应力的分析 预览
17
作者 郝向南 聂劲松 +2 位作者 李化 卞进田 雷鹏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期790-794,共5页
建立了HgCdTe红外焦平面器件的多膜层理论模型,利用有限元分析的方法,对10.6μm激光辐照下HgCdTe红外焦平面器件的升温情况与热应力分布情况进行模拟,并通过参考已有文献的实验结果,验证了理论模型的合理性。理论分析结果表明:激光作... 建立了HgCdTe红外焦平面器件的多膜层理论模型,利用有限元分析的方法,对10.6μm激光辐照下HgCdTe红外焦平面器件的升温情况与热应力分布情况进行模拟,并通过参考已有文献的实验结果,验证了理论模型的合理性。理论分析结果表明:激光作用时探测器的温度场变化剧烈,200 W/cm^2连续激光作用1 s后,HgCdTe感光层所受热应力为-986 MPa;脉宽100 ns,功率密度15 MW/cm^2脉冲激光作用后,HgCdTe感光层所受热应力为-1300 MPa,都比器件制造过程中由于热失配而产生的热应力大;应力损伤发生的概率增大,可能比热损伤先发生,是HgCdTe红外焦平面器件激光损伤中的重要原因。 展开更多
关键词 HgCdTe红外焦平面器件 热失配效应 激光热应力作用 有限元分析
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HgCdTe红外探测器性能分析 预览 被引量:12
18
作者 曾戈虹 《红外技术》 CSCD 北大核心 2012年第1期 1-3,15,共4页
根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3um、5um、10.5um的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能... 根据碲镉汞材料的性能、碲镉汞红外探测器物理机理和基本器件模型,对截止波长为3um、5um、10.5um的碲镉汞探测器,在不同工作温度下的探测率性能进行了理论计算。计算结果表明:碲镉汞探测器在短波、中波和长波三个主要红外波段均能满足第三代红外焦平面器件对灵敏度和工作温度的要求。 展开更多
关键词 HGCDTE 红外探测器 第三代红外焦平面器件 理论计算
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InSb焦平面器件表面末处理技术研究 预览
19
作者 耿东锋 王海珍 +1 位作者 李明华 郑克霖 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第2期 96-99,共4页
InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能。通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的... InSb焦平面器件经过减薄后,表面有细微的划痕,且存在一定厚度的损伤层,影响芯片性能。通过对InSb焦平面器件表面末处理工艺方法的探索,确定了器件抛光后,去除表面损伤层和表面溅射ZnS抗反射膜的工艺实施方案,有效地改善了器件的表面质量,提高了焦平面器件的性能。 展开更多
关键词 平面器件 腐蚀 抗反射膜
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一种低噪声红外焦平面器件采集电路的设计 预览 被引量:7
20
作者 祝红彬 李伟 +2 位作者 刘子骥 蒋亚东 金中 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第3期 165-168,172,共5页
提出了384×288非制冷红外焦平面UL03162驱动电路和焦平面器件模拟输出信号数字化的设计方法,从理论和实际上论述了偏置电压对焦平面器件性能的影响,阐明了偏置电压的产生方案,并简要说明时序控制产生和转换器选择的方法,为焦... 提出了384×288非制冷红外焦平面UL03162驱动电路和焦平面器件模拟输出信号数字化的设计方法,从理论和实际上论述了偏置电压对焦平面器件性能的影响,阐明了偏置电压的产生方案,并简要说明时序控制产生和转换器选择的方法,为焦平面高性能、稳定可靠的工作提供了必要条件。通过测试系统检测,RMS噪声为312.4uV,充分发挥了该器件的优良性能。 展开更多
关键词 采集电路 红外焦平面 低噪声 红外焦平面器件
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