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二硫化钼/石墨烯异质结在电子束辐照轰击下发光能量的鲁棒特性
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作者 洪聖哲 傅德颐 +5 位作者 侯纪伟 周段亮 王博伦 孙雨飞 柳鹏 刘锴 《中国科学:材料科学(英文版)》 CSCD 2018年第10期1351-1359,共9页
在许多恶劣的工作环境中,器件难免会曝露在电子束辐照下.对于单原子层厚度的二维材料而言,电子束辐照经常会造成其本征性能的衰减.如何避开这一影响对于多功能化的二维异质结器件来讲至关重要.然而,电子束辐照对于二维异质结的影响至今... 在许多恶劣的工作环境中,器件难免会曝露在电子束辐照下.对于单原子层厚度的二维材料而言,电子束辐照经常会造成其本征性能的衰减.如何避开这一影响对于多功能化的二维异质结器件来讲至关重要.然而,电子束辐照对于二维异质结的影响至今仍缺乏充分深入的研究.本工作发现利用异质结的堆垛可以阻碍单层二硫化钼(MoS2)由于电子束辐照带来的性能衰退.通过在MoS2与基底之间插入单层石墨烯,在同样剂量的电子束辐照轰击下,异质结区域的光致发光强度始终大于纯单层MoS2;而且与纯单层区域明显的发光能量变化相比,MoS2/石墨烯异质结区域的发光能量具有更佳的稳定性.这一现象归因于石墨烯的阻隔效应:由于单层石墨烯的存在抑制了基板对MoS2的影响.此外,我们也系统地揭示了电子束辐照对MoS2/石墨烯异质结拉曼光谱及电学传输特性的影响.本工作不仅有助于加深人们对二维异质结辐照效应的认知,同时也为新型抗辐射器件的设计开辟了新的途径. 展开更多
关键词 异质器件 电子束辐照 二硫化钼 光能量 石墨 鲁棒特性 MOS2 二维材料
Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2 p-n heterojunctions
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作者 Xiaoting Wang Le Huang +6 位作者 Yuting Peng Nengjie Huo Kedi Wu Congxin Xia Zhongming Wei Sefaattin Tongay Jingbo Li 《纳米研究:英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第2期507-516,共10页
关键词 光电流 输运性质 P-N 二硫化钼 异质器件 电子迁移率 整改 场效应晶体管
射频磁控溅射法制备SnS2薄膜结构和光学特性的研究 预览 被引量:2
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作者 李学留 刘丹丹 +2 位作者 梁齐 史成武 于永强 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1521-1531,共11页
采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色... 采用射频磁控溅射法溅射SnS_2靶,在玻璃基片上以不同射频功率和氩气压强制备一系列薄膜样品,研究了不同工艺条件对薄膜特性的影响。利用X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)对薄膜样品的晶体结构和物相进行表征分析。利用X射线能量色散谱(EDS)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)对SnS_2薄膜的化学组分、光学特性等进行测试,计算或分析了SnS_2薄膜样品的组分原子比、光学常数和光学带隙。结果表明:制备SnS_2薄膜的最佳工艺条件为射频功率60 W、氩气压强0.5 Pa。在该条件下,所制备的SnS_2薄膜沿(001)晶面择优取向生长,可见光透过率和折射率较高,消光系数较小,直接带隙为2.81 e V。在此基础上,进一步制备了n-SnS_2/p-Si异质结器件。器件具有良好的整流特性及弱光伏特性,反向光电流随光照强度的增加而增大。器件的光电导机制是由SnS_2禁带中陷阱中心的指数分布所控制。 展开更多
关键词 SnS2薄膜 射频磁控溅射 光学特性 异质器件
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Thermoelectric transport across graphene/hexagonal boron nitride/graphene heterostructures
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作者 Chun-Chung Chen Zhen Li +1 位作者 Li Shi Stephen B. Cronin 《纳米研究:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第2期666-672,共7页
我们越过 graphene/hexagonal 硼氮化物(h-BN ) 报导热电的运输大小 /graphene heterostructure 设备。用一种交流占据技术,我们能分开热电的贡献到这些重要设备结构的 IV 特征。温度坡度用拉曼光谱学光学地被测量,它使我们能探索在... 我们越过 graphene/hexagonal 硼氮化物(h-BN ) 报导热电的运输大小 /graphene heterostructure 设备。用一种交流占据技术,我们能分开热电的贡献到这些重要设备结构的 IV 特征。温度坡度用拉曼光谱学光学地被测量,它使我们能探索在材料接口生产的热电的运输,越过就 12 nm 的长度规模。基于观察热电的电压(V) 和温度坡度(T) , 99.3 V/K 的一个 Seebeck 系数为 heterostructure 设备被查明。获得的 Seebeck 系数能为在新兴的 2D heterostructure 设备的跨飞机的 IV 行为理解热电的部件是有用的。这些结果提供一条途径给在二维的分层的 heterostructures 探查热电的精力变换。 展开更多
关键词 异质器件 六方氮化硼 热电 石墨 运输 塞贝克系数 异质 温度梯度
PLD制备的Cu掺杂SnS薄膜的结构和光学特性 预览 被引量:1
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作者 刘磊 余亮 +2 位作者 李学留 汪壮兵 梁齐 《发光学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期1311-1319,共9页
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(... 利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、7.5%和10%)。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见-近红外分光光度计(UV-Vis-NIR)、Keithley4200-SCS半导体参数分析仪研究了Cu掺杂量对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和电学性能的影响。结果表明:所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,SnS∶5%Cu薄膜的结晶质量最好且具有SnS特征拉曼峰。随着Cu掺杂量的增大,平均颗粒尺寸逐渐增大。不同Cu掺杂量的薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105cm-1数量级。SnS∶5%Cu薄膜的禁带宽度Eg为2.23eV,光暗电导率比值为2.59。同时,在玻璃衬底上制备了p-SnS∶Cu/n-ZnS异质结器件,器件在暗态及光照的条件下均有良好的整流特性,并具有较弱的光伏特性。 展开更多
关键词 SnS薄膜 脉冲激光沉积 CU掺杂 异质器件
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Recent progress in ZnO-based heterojunction ultraviolet light-emitting devices 被引量:1
6
作者 Yichun Liu Haiyang Xu +1 位作者 Chunyang Liu Weizhen Liu 《中国科学通报:英文版》 SCIE CAS 2014年第12期1219-1227,共9页
宽 bandgap (3.37 eV ) 和 ZnO (60 兆电子伏) 的高激子绑定精力为紫外轻射出的二极管(LEDs ) 和低阀值的放射激光二极管(LD ) 使它成为一个有希望的候选人。然而,在生产稳定、可再现的高质量的 p 类型 ZnO 的困难妨碍了 ZnO pn homoju... 宽 bandgap (3.37 eV ) 和 ZnO (60 兆电子伏) 的高激子绑定精力为紫外轻射出的二极管(LEDs ) 和低阀值的放射激光二极管(LD ) 使它成为一个有希望的候选人。然而,在生产稳定、可再现的高质量的 p 类型 ZnO 的困难妨碍了 ZnO pn homojunction LEDs 的发展。为完成 ZnO electroluminescence 的其他的策略是由采用另外的可得到的 p 类型材料制作异质接面设备(例如 p 轧) 或造新设备结构。在这篇文章,我们将简短基于 pn heterostructures 和 metalinsulator 半导体 heterostructures 在 ZnO LEDs/LDs 考察最近的进步。改进设备效率的一些方法也详细被介绍,包括进 ZnO LEDs/LDs 的 Ag 局部性的表面电浆子和单人赛水晶的 nanowires 的介绍。 展开更多
关键词 紫外发光二极管 异质器件 ZNO 光发射器件 表面等离子体激元 异质 氧化锌 激光二极管
White electroluminescence of n-ZnO:Al/p-diamond heterostructure devices
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作者 杨灿 王小平 +3 位作者 王丽军 潘秀芳 李松坤 井龙伟 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第8期675-678,共4页
An n-ZnO:Al/p-boron-doped diamond heterostructure electroluminescent device is produced, and a rectifying behavior can be observed. The electroluminescence spectrum at room temperature exhibits two visible bands centr... An n-ZnO:Al/p-boron-doped diamond heterostructure electroluminescent device is produced, and a rectifying behavior can be observed. The electroluminescence spectrum at room temperature exhibits two visible bands centred at 450 nm-485 nm (blue emission) and 570 nm-640 nm (yellow emission). Light emission with a luminance of 15 cd/m 2 is observed from the electroluminescent device at a forward applied voltage of 85 V, which is distinguished from white light by the naked eye. 展开更多
关键词 电致发光器件 异质器件 氧化锌 金刚石 电致发光光谱 可见光波段 异质 发光亮度
GaN_SinpnHBT特性研究 预览 被引量:3
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作者 董果香 李建清 《电子器件》 CAS 北大核心 2013年第1期5-8,共4页
采用二维器件仿真软件对GaNJSi异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN/Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型,包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型。结果表明,GaN/Si异质结开启电压为2.... 采用二维器件仿真软件对GaNJSi异质结双极晶体管进行了特性仿真研究。对GaN/Si异质结双极晶体管建立了合理准确的物理模型,包括不完全电离模型、能带模型、能带变窄模型、迁移率模型与复合模型。结果表明,GaN/Si异质结开启电压为2.5eV。在Ib=0.2mA时,电流放大倍数为100倍。击穿电压为900V,使其在大功率器件方面有很大应用前景。最高截止频率为100GHz,使其可工作在射频和微波频段。 展开更多
关键词 异质器件 物理模型 仿真 GAN
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Potential of asymmetrical Si/Ge and Ge/Si based hetero-junction transit time devices over homo-junction counterparts for generation of high power
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作者 Moumita Mukherjee Pravash R. Tripathy S. P. Pati 《半导体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期 24-30,共7页
<正>Static and dynamic properties of both complementary n-Ge/p-Si and p-Ge/n-Si hetero-junction Double-Drift IMPATT diodes have been investigated by an advanced and realistic computer simulation technique,develo... <正>Static and dynamic properties of both complementary n-Ge/p-Si and p-Ge/n-Si hetero-junction Double-Drift IMPATT diodes have been investigated by an advanced and realistic computer simulation technique,developed by the authors,for operation in the Ka-,V- and W-band frequencies.The results are further compared with corresponding Si and Ge homo-junction devices.The study shows high values of device efficiency,such as 23%, 22%and 21.5%,for n-Ge/p-Si IMPATTs at the Ka,V and W bands,respectively.The peak device negative conductances for n-Si/p-Ge and n-Ge/p-Si hetero-junction devices found to be 50.7×10~6 S/m~2 and 71.3×10~6 S/m~2, which are~3-4 times better than their Si and Ge counterparts at the V-band.The computed values of RF power-density for n-Ge/p-Si hetero-junction IMPATTs are 1.0×10~9,1.1×10~9 and 1.4×10~9 W/m~2,respectively,for Ka-,V- and W-band operation,which can be observed to be the highest when compared with Si,Ge and n-Si/p-Ge devices.Both of the hetero-junctions,especially the n-Ge/p-Si hetero-junction diode,can thus become a superior RF-power generator over a wide range of frequencies.The present study will help the device engineers to choose a suitable material pair for the development of high-power MM-wave IMPATT for applications in the civil and defense-related arena. 展开更多
关键词 异质器件 设备效率 HOMO 锗/硅 硅/锗 不对称 异质二极管 计算机模拟技术
Influence of thermal stress on the relative permittivity of the AlGaN barrier layer in an AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
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作者 吕元杰 林兆军 +5 位作者 张宇 孟令国 曹芝芳 栾崇彪 陈弘 王占国 《中国物理:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第9期 350-354,共5页
Ni Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures were fabricated.Some samples were thermally treated in a furnace with N 2 ambience at 600 C for different times (0.5 h,4.5 h,10.5 h,18 h,33 h,48 h,and 72 h),the other... Ni Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures were fabricated.Some samples were thermally treated in a furnace with N 2 ambience at 600 C for different times (0.5 h,4.5 h,10.5 h,18 h,33 h,48 h,and 72 h),the others were thermally treated for 0.5 h at different temperatures (500℃,600℃,700℃,and 800℃).With the measured current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) curves and by self-consistently solving Schrodinger’s and Poisson’s equations,we found that the relative permittivity of the AlGaN barrier layer was related to the piezoelectric and the spontaneous polarization of the AlGaN barrier layer.The relative permittivity was in proportion to the strain of the AlGaN barrier layer.The relative permittivity and the strain reduced with the increased thermal stress time until the AlGaN barrier totally relaxed (after 18 h at 600℃ in the current study),and then the relative permittivity was almost a constant with the increased thermal stress time.When the sample was treated at 800℃ for 0.5 h,the relative permittivity was less than the constant due to the huge diffusion of the contact metal atoms.Considering the relation between the relative permittivity of the AlGaN barrier layer and the converse piezoelectric effect,the conclusion can be made that a moderate thermal stress can restrain the converse piezoelectric effect and can improve the stability of AlGaN/GaN heterostructure devices. 展开更多
关键词 相对介电常数 异质器件 肖特基接触 热应力 屏障 逆压电效应 时间常数 泊松方程
High-performance n-channel organic thin-film transistors based on the dual effects of heterojunction and surface modification
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作者 曹进 洪飞 +6 位作者 邢菲菲 顾文 郭新安 张浩 魏斌 张建华 王军 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第3期456-461,共6页
This paper presents two n-channel organic heterojunction transistors with modified insulator by using hexadecafluorophthalocyaninatocopper(F 16 CuPc)/copper phthalocyanine(CuPc) and F 16 CuPc/pentacene as the active l... This paper presents two n-channel organic heterojunction transistors with modified insulator by using hexadecafluorophthalocyaninatocopper(F 16 CuPc)/copper phthalocyanine(CuPc) and F 16 CuPc/pentacene as the active layers.Compared with a single-layer device,it reports that an improved field-effect mobility and a 6-fold higher drain current are observed.The highest mobility of 0.081 cm 2 /(V·s) was obtained from F 16 CuPc/CuPc heterojunction devices.This result is attributed to the dual effects of the organic heterojunction and interface modification.Furthermore,for two heterojunction devices,the performance of the F 16 CuPc/CuPc-based transistor is better than that of F 16 CuPc/pentacene.This is attributed to the morphologic match of two organic components. 展开更多
关键词 异质晶体管 表面改性 有机薄膜 性能 N通道 异质器件 重影 CUPC
The Sr content influence on the positive magnetoresistance in La1-xSrxMnO3/Si heterojunctions
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作者 杨芳 金奎娟 +3 位作者 黄延红 何萌 吕惠宾 杨国桢 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第8期14-17,共4页
<正>We fabricated La_(1-x)Sr_xMnO_3/Si(LSMO/Si) heterojunctions with different Sr doping concentrations(x = 0.1, 0.2,0.3) in LSMO and studied the Sr content influence on magnetoresistance(MR) ratio.The hetero ju... <正>We fabricated La_(1-x)Sr_xMnO_3/Si(LSMO/Si) heterojunctions with different Sr doping concentrations(x = 0.1, 0.2,0.3) in LSMO and studied the Sr content influence on magnetoresistance(MR) ratio.The hetero junctions show positive MR and high sensitivity of MR ratio in a low applied magnetic field.The MR ratio is dependent on Sr content and the low Sr doping in LSMO causes a large positive MR in LSMO/Si junctions.The MR ratio for 0.1 Sr doping in the LSMO/Si heterostructure is 116%in 100 Oe(1 Oe=79.5775 A/m) at 210 K.The mechanism for the positive MR dependence on the doping density is considered to be the competition between the tunneling rate of electrons in e_g~1↑to t_(2g)↓band and that to e_g~2↑band at the interface region of LSMO.The experimental results are in agreement with those observed in La_(0.9)Sr_(0.1)MnO_3/SrNb_(0.01)Ti_(0.99)O_3 p-n junction.The results indicate that choosing low doping concentration to improve the low field sensitivity of the heterojunction devices is a very efficacious method. 展开更多
关键词 异质器件 锶含量 LSMO 掺杂浓度 高灵敏度 比例 MR 低磁场
PTPD/Alq_3器件ETL厚度对发光和复合的影响
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作者 聂海 陈祝 吴丽娟 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期共4页
以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器件发光性能随Alq3电子传输层(ETL)厚度变化的规律,研究了聚合物/小分子异质结发光器件的电场对载流子复... 以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器件发光性能随Alq3电子传输层(ETL)厚度变化的规律,研究了聚合物/小分子异质结发光器件的电场对载流子复合区域的影响。基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。 展开更多
关键词 PTPD 异质器件 载流子输运 复合区域
双层异质结器件载流子复合位置的研究 预览 被引量:1
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作者 黎威志 蒋亚东 +2 位作者 钟志有 季兴桥 阳秀 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期 373-375,共3页
载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节,它直接影响着器件的效率,稳定性,寿命等性能。以双层器件ITO/N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/tri-(8-hydroxy-quinoline)-... 载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节,它直接影响着器件的效率,稳定性,寿命等性能。以双层器件ITO/N,N'-Diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)/tri-(8-hydroxy-quinoline)-aluminum(Alq3)/Mg:Ag为基础,以红光掺杂剂4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)为探针,通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度,研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明,对于双层器件NPB/Alq3,载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0~10nm范围内。 展开更多
关键词 复合位置 激子 掺杂剂 异质器件
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GaAs/Si/AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究 预览 被引量:2
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作者 李永平 田强 +3 位作者 牛智川 杨锡震 吴正龙 王亚非 《北京师范大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期 474-477,共4页
用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.
关键词 GaAs/Si/AlAs异质 生长温度 Si夹层 CV测量 实验研究 导带带阶 异质器件 热扩散 半导体 空间分布
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GaAs超高速集成电路的发展与展望 预览 被引量:1
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作者 蒋昌凌 《半导体情报》 1999年第1期 22-26,共5页
概述了GaAs超高速集成电路的现状与发展趋势,介绍了门阵列,A/D(D/A0转换器,MUX/DEMUX以及异质结器件的发展和应用前景。
关键词 超高速集成电路 门阵列 异质器件 砷化镓
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低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨 预览 被引量:11
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作者 王玉林 郑雪帆 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期 448-452,共5页
介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜工艺技术,可调控氮化硅薄膜的应力,从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变... 介绍了一种掺氦的等离子增强化学气相淀积(PECVD)氮化硅薄膜工艺技术,可调控氮化硅薄膜的应力,从而在较低的射频功率下生长低应力的氮化硅薄膜。文中对其机理作了初步的探讨。所生长的氮化硅薄膜的折射率和腐蚀速率没有明显变化,对器件,尤其是对砷化镓异质结器件几乎没有应力损伤。 展开更多
关键词 异质器件 氮化硅薄膜 工艺 PECVD
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应变p型Si1—xGex层中载流子冻析 预览 被引量:4
18
作者 张万荣 李志国 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期 51-54,共4页
本文用解析的方法研究了应变P型Si1-xGex层中载流子冻析现象,研究发现,用Si归一化的Si1-xGex价带有效态密度、随x的增加而减小,而且温度T越低,随Ge组份x的增加而减少的速度越快,与Si相比,常温下Ge组... 本文用解析的方法研究了应变P型Si1-xGex层中载流子冻析现象,研究发现,用Si归一化的Si1-xGex价带有效态密度、随x的增加而减小,而且温度T越低,随Ge组份x的增加而减少的速度越快,与Si相比,常温下Ge组份x几乎对电离 杂质浓度没有什么影响,而在低温下,随Ge组份x的增加,电离杂质浓度随之增加,载流子冻析减弱,这对低温工作的Si1-xGex器件有利。 展开更多
关键词 载流子冻析 电离杂质浓度 异质器件
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半导体技术
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《中国无线电电子学文摘》 1997年第2期35-46,共12页
丁N3 97020366美国和日本评中国半导体工业/翁寿松抚锡元件四厂)11半导体杂志一1996,22(4)一45~48 美国和日本对中国半导体工业进行了全面的评价,包括厂商、产量、市场和技术,指出了中国半导体工业的弱点和展望.表3参4(木)~15,21 文中... 丁N3 97020366美国和日本评中国半导体工业/翁寿松抚锡元件四厂)11半导体杂志一1996,22(4)一45~48 美国和日本对中国半导体工业进行了全面的评价,包括厂商、产量、市场和技术,指出了中国半导体工业的弱点和展望.表3参4(木)~15,21 文中综述了国际上siGe/si异质结器件的发展状况,分析了该器件的结构机理、特点、优越性及制造技术,阐述了该器件的广阔应用前景和对微电子技术将产生的重大影响,图2表1参6(金)TN3OI 97020367GaA.表面光强反射率的温度敏感特性/肖韶荣,曾庆城,管永红,熊黎明(南昌大学)11传感器技术一1996,(6)一16~17,20 对GaA 展开更多
关键词 光强反射率 半导体技术 半导体工业 异质器件 应用前景 微电子技术 GAAS表面 制造技术 敏感特性 优越性
微波半导体器件和能带工程研究概况 预览
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作者 薛舫时 《半导体杂志》 1996年第4期 28-42,共15页
本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面的最新进展。从半导体异质结器及其电路发展的剖析中指出了能带工程所起的重要作用。最后讨论了发展这一... 本文简要介绍了近年来微波半导体器件及集成电路的发展概况。重点阐述异质结材料生长、器件设计和工艺研究、以及微波集成电路方面的最新进展。从半导体异质结器及其电路发展的剖析中指出了能带工程所起的重要作用。最后讨论了发展这一门新技术的要素。 展开更多
关键词 异质器件 量子阱器件 微波半导体器件
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