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钴掺杂摩尔分数对二氧化钛粉体热致变色变发射率性能的研究
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作者 相杉杉 徐晨 +2 位作者 徐国跃 郭腾超 刘初阳 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期36-40,共5页
采用固相合成法制备不同摩尔分数Co的TiO2粉体,用X射线电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱、IR-2双波段发射率测量仪对粉末进行结构表征和变色变发射率性能测试。结果表明:掺杂CoO的摩尔分数不超过5%时,Co能完全进入TiO2晶格... 采用固相合成法制备不同摩尔分数Co的TiO2粉体,用X射线电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外可见吸收光谱、IR-2双波段发射率测量仪对粉末进行结构表征和变色变发射率性能测试。结果表明:掺杂CoO的摩尔分数不超过5%时,Co能完全进入TiO2晶格,超过5%时会形成第二相CoTiO3;随掺杂CoO摩尔分数的增加,Co/TiO2粉末的晶粒尺寸逐渐增加,颜色由宝绿色向鲜绿色转变,从浅绿逐渐变深;在测试温度从25℃逐渐升高到800℃时,粉体都是从绿色变到黄色,降至室温时,又会恢复至原来的绿色;从室温升到800℃时,发射率变化量随掺杂摩尔分数的增加逐渐变大,从0.139增大到0.376。 展开更多
关键词 固相合成法 Co掺杂TiO2 掺杂浓度 热致变色变发射率
“死层”掺杂浓度和厚度对太阳能电池性能的影响 预览
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作者 林星星 杨党强 《上海电机学院学报》 2019年第1期1-5,共5页
通过金属辅助化学刻蚀及碱修饰方法制备纳米结构多晶硅太阳能电池,按照“死层”模型运用PC1D模拟软件拟合样品的内量子效率曲线。以“死层”掺杂浓度和厚度变化,分析“死层”结构参数对纳米结构多晶硅太阳能电池的内量子效率曲线、开路... 通过金属辅助化学刻蚀及碱修饰方法制备纳米结构多晶硅太阳能电池,按照“死层”模型运用PC1D模拟软件拟合样品的内量子效率曲线。以“死层”掺杂浓度和厚度变化,分析“死层”结构参数对纳米结构多晶硅太阳能电池的内量子效率曲线、开路电压、短路电流和电池效率的影响。研究表明,当掺杂浓度减少到与第2层发射区相同时,拟合电池效率可达18.10%,比样品电池效率提高0.35%;当“死层”厚度变为0时,拟合电池效率可达18.31%,比样品电池效率提高0.56%。 展开更多
关键词 纳米结构 多晶硅太阳能电池 死层模型 掺杂浓度 厚度
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3.3kV/50A SiC JBS二极管及混合功率模块研制 预览
3
作者 曹琳 王曦 +1 位作者 蒲红斌 谌娟 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第7期134-136,共3页
通过理论计算、仿真与实验验证的方式研制出3.3 kV/50 A 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管芯片。芯片漂移区厚度33μm,掺杂浓度2×1015 cm-3,p+结区深度0.6μm,p+结区掺杂浓度5×1018 cm-3。芯片终端采用非均匀场限环结... 通过理论计算、仿真与实验验证的方式研制出3.3 kV/50 A 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管芯片。芯片漂移区厚度33μm,掺杂浓度2×1015 cm-3,p+结区深度0.6μm,p+结区掺杂浓度5×1018 cm-3。芯片终端采用非均匀场限环结构。芯片静态测试表明,反向电压3.3 kV时漏电流低于100μA,正向电流50 A时压降小于2.4 V,与设计目标相符。基于该SiC JBS芯片完成了3.3 kV/400 A Si IGBT/SiC JBS混合功率模块研制,测试结果表明混合功率模块降低开关损耗明显,为实现变流装置高效化、小型化及轻量化打下了基础。 展开更多
关键词 结势垒肖特基二极管 混合功率模块 掺杂浓度
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超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展(续)
4
作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第2期81-86,共6页
4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm... 4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而导致空穴的有效质量非常大。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 击穿场强 掺杂浓度 纳米薄膜 MOSFET GA2O3 漏极电流 击穿电压
电阻负载型NMOS反相器输出低电平优化 预览
5
作者 刘春艳 李媛 《微处理机》 2019年第2期26-29,共4页
反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反... 反相器是几乎所有数字集成电路设计的核心,然而在针对反相器设计的大量研究当中,对于电阻负载型NMOS反相器的参数对NMOS反相器在性能上的影响,很少被报道。基于此,利用Silvaco TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了电阻型负载NMOS反相器器件参数,包括衬底掺杂浓度,栅氧化层厚度,晶体管导电沟道宽长比,电阻RL的阻值等,研究其对反相器输出低电平性能的影响。仿真结果表明,增加衬底掺杂浓度和P^+区掺杂浓度可以改变阈值电压,优化电路的输出电平;增大栅氧化层的厚度也可同样实现对电阻型NMOS反相器输出电平的优化。 展开更多
关键词 阈值电压 栅氧化层厚度 掺杂浓度 导电沟道宽长比 瞬态特性
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LD端面泵浦全固态连续单纵模3微米激光器的理论研究
6
作者 魏叶 刘青梅 +1 位作者 李渊骥 张宽收 《量子光学学报》 北大核心 2019年第2期234-240,共7页
理论研究了LD端面泵浦全固态连续单纵模3μm激光器的输出特性。基于对Er:YAG激光器的能量过程的分析,建立了考虑晶体热效应影响的速率方程模型,讨论了晶体控温温度、掺杂浓度、晶体长度、泵浦-振荡激光模式匹配比率、输出镜透射率、单... 理论研究了LD端面泵浦全固态连续单纵模3μm激光器的输出特性。基于对Er:YAG激光器的能量过程的分析,建立了考虑晶体热效应影响的速率方程模型,讨论了晶体控温温度、掺杂浓度、晶体长度、泵浦-振荡激光模式匹配比率、输出镜透射率、单向器插入损耗等参数对连续单纵模3μm激光输出特性的影响,为高功率连续单纵模3μm激光光源的设计和优化提供了理论依据。 展开更多
关键词 激光器 3μm Er:YAG晶体 掺杂浓度
氮掺杂双层石墨烯吸附钠的第一性原理研究
7
作者 孟玲 《原子与分子物理学报》 北大核心 2018年第5期745-750,共6页
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,对Na在本征双层石墨烯(PBLG)和不同掺杂浓度的N掺杂石墨烯(NBLG)表面的吸附性质进行了研究.确定了不同N掺杂浓度时NBLG的最稳定N分布结构,计算了Na在PBLG和不同掺杂浓度的NBLG表面的吸附能.计算... 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,对Na在本征双层石墨烯(PBLG)和不同掺杂浓度的N掺杂石墨烯(NBLG)表面的吸附性质进行了研究.确定了不同N掺杂浓度时NBLG的最稳定N分布结构,计算了Na在PBLG和不同掺杂浓度的NBLG表面的吸附能.计算结果表明,N原子掺杂倾向于取代对位或次临近位置的C原子,并与下层C原子相对;随着N掺杂浓度的增加,吸附高度逐渐增加,且与掺杂N原子分布相匹配;Na在PBLG表面吸附使平均层间距增加,而在NBLG表面吸附使之减小;Na与C27N9表面的结合最稳定. 展开更多
关键词 第一性原理 N掺杂双层石墨烯 Na吸附 掺杂浓度
硼掺杂双层石墨烯吸附钠的第一性原理研究 被引量:1
8
作者 孟玲 《原子与分子物理学报》 北大核心 2018年第4期681-687,共7页
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,对Na在本征双层石墨烯(PBLG)和不同掺杂浓度的B掺杂石墨烯(BBLG)表面的吸附性质进行了研究.确定了不同B掺杂浓度时BBLG的最稳定B分布结构,计算了Na在PBLG和不同掺杂浓度的BBLG表面的吸附能... 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,对Na在本征双层石墨烯(PBLG)和不同掺杂浓度的B掺杂石墨烯(BBLG)表面的吸附性质进行了研究.确定了不同B掺杂浓度时BBLG的最稳定B分布结构,计算了Na在PBLG和不同掺杂浓度的BBLG表面的吸附能.计算结果表明,B原子掺杂倾向于占据上层中对位或次临近位置,并与下层中六边形碳环中心相对,B4C(32)的形成能最小;B掺杂浓度的增加使BBLG中上层石墨烯片层结构起伏增大,而对下层影响较小;Na在BBLG表面吸附高度和平均层间距受上层结构起伏影响显著;Na倾向于吸附在B9C(27)表面B原子的上方,使原始平面结构产生起伏,Na与B9C(27)表面的结合最稳定. 展开更多
关键词 第一性原理 石墨烯 B掺杂双层石墨烯 Na吸附 掺杂浓度
量子阱红外探测器探测波长与掺杂关系研究 预览
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作者 王文鑫 贾华宇 +3 位作者 李灯熬 吕玉祥 罗飚 刘应军 《光通信研究》 北大核心 2018年第4期39-43,共5页
文章利用理论模型研究了 GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器( QWIP )中掺杂参数对探测器探测波长的影响,并借助2×2哈密顿方法计算了此模型的特征能态。通过将模拟结果与现有实验数据进行对比、分析可知,当掺杂浓度增加时,峰值... 文章利用理论模型研究了 GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器( QWIP )中掺杂参数对探测器探测波长的影响,并借助2×2哈密顿方法计算了此模型的特征能态。通过将模拟结果与现有实验数据进行对比、分析可知,当掺杂浓度增加时,峰值归一化吸收率、吸收系数和响应度等呈非线性增大。同时还发现,在 AlxGa1-xAs势垒中, Al 的摩尔分数(x) 增加时,子带间吸收能力增强,但吸收的峰值波长会向较短的波长方向移动,进而判定掺杂浓度是高性能QWIP设计的重要参数之一。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 哈密顿方法 摩尔分数 掺杂浓度
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Dy3+替位敏化CaWO4∶Eu3+荧光材料及其发光性能
10
作者 高杨 董默 +1 位作者 于广浩 吕强 《稀土》 CSCD 北大核心 2018年第4期110-118,共9页
采用微乳液法合成具有不同Dy~(3+)掺杂浓度的CaWO4∶Eu3+,Dy~(3+)荧光粉。通过使用TEM和XRD对荧光体的形貌和结构进行表征,荧光分光光度计测试其光致发光谱。实验结果表明,在395 nm光源激发下,Dy~(3+)掺杂浓度为0.5%(摩尔分... 采用微乳液法合成具有不同Dy~(3+)掺杂浓度的CaWO4∶Eu3+,Dy~(3+)荧光粉。通过使用TEM和XRD对荧光体的形貌和结构进行表征,荧光分光光度计测试其光致发光谱。实验结果表明,在395 nm光源激发下,Dy~(3+)掺杂浓度为0.5%(摩尔分数)和8%时会极大地提高Eu3+的特征发光;在272 nm光源激发下,0.5%Dy~(3+)掺杂会提高Eu3+的特性发光,而Dy~(3+)高浓度掺杂则抑制CaWO4基质和Eu3+的特征发光。因此,在紫外光激发下低浓度掺杂Dy~(3+)可以增强CaWO4∶Eu3+荧光材料的发光特性。 展开更多
关键词 CaWO4∶Eu3+ Dy3+ JUDD-OFELT理论 掺杂浓度 光致发光
硅异质结太阳电池窗口层性能研究及高效电池制备
11
作者 谷士斌 张娟 +3 位作者 任明冲 杨荣 李立伟 郭铁 《太阳能学报》 CSCD 北大核心 2018年第11期3069-3075,共7页
主要研究a-Si:H(p)作为电池的发射极和ITO作为电池载流子收集层的材料性能及结构对HJT电池性能的影响。通过调整a—Si:H(p)材料的掺杂浓度、材料厚度和ITO的氧气,氩气分压、功率等工艺参数,获得工艺参数、材料性能和电池性能之间的关系... 主要研究a-Si:H(p)作为电池的发射极和ITO作为电池载流子收集层的材料性能及结构对HJT电池性能的影响。通过调整a—Si:H(p)材料的掺杂浓度、材料厚度和ITO的氧气,氩气分压、功率等工艺参数,获得工艺参数、材料性能和电池性能之间的关系。借助a-Si:H(p)和ITO工艺优化,电池的填充因子FF达到80.2%,转换效率Eff可达23.05%。 展开更多
关键词 HJT太阳电池 ITO薄膜 a-Si:H(p) 掺杂浓度 电导率
N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究
12
作者 赵强 徐骅 +4 位作者 刘畅咏 韩波 彭春雨 王静 吴秀龙 《微电子学》 CSCD 北大核心 2018年第4期515-519,共5页
基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击... 基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况。研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度。该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义。 展开更多
关键词 PMOS 单粒子瞬态 工艺波动 掺杂浓度 N阱
静态存储器用非晶硅薄膜晶体管输出特性研究 预览
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作者 叶常茂 卢利清 《科技视界》 2018年第20期225-226,共2页
利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流... 利用TCAD半导体器件仿真软件,对影响非晶硅薄膜晶体管输出特性的缺陷态参数及温度进行了分析和讨论。仿真结果表明:漏电流随着掺杂浓度的增大而增大,减小而减小;漏电流随着类施主态和类受主态高斯分布的增大而减小,减小而增大;漏电流随着定义模型的温度升高而增大,温度降低而减小。 展开更多
关键词 非晶硅薄膜晶体管 漏电流 掺杂浓度 高斯分布 态密度 能带密度
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矿用MEMS甲烷传感器硅微加热器功率优化设计 预览
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作者 王丽影 秦顺利 马洪宇 《工矿自动化》 北大核心 2018年第10期19-23,共5页
在ANSYS有限元分析软件中对矿用微机电系统(MEMS)甲烷传感器硅微加热器功率进行了优化设计。首先建立了基于已知掺杂浓度求解一定温度范围内硅电阻率的计算模型;然后根据计算结果,利用ANSYS软件对U型双悬臂梁式硅微加热器进行了以... 在ANSYS有限元分析软件中对矿用微机电系统(MEMS)甲烷传感器硅微加热器功率进行了优化设计。首先建立了基于已知掺杂浓度求解一定温度范围内硅电阻率的计算模型;然后根据计算结果,利用ANSYS软件对U型双悬臂梁式硅微加热器进行了以掺杂浓度、两悬臂间距、悬臂梁宽度为影响因素的正交试验,研究了不同因素对硅微加热器功率的影响。试验结果表明:悬臂梁宽度和掺杂浓度为硅微加热器功率的主要影响因素,两悬臂间距影响较小;硅微加热器功率随悬臂梁宽度的减小而减小,随掺杂浓度的升高先增大后减小;温度为600℃时,选取悬臂梁宽度为25μm、掺杂浓度为10 19 cm-3、两悬臂间距为10μm可使硅微加热器功率最优。 展开更多
关键词 煤矿安全 MEMS甲烷传感器 硅微加热器 功率优化 掺杂浓度 有限元分析 正交试验
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Li^+掺杂浓度对CaTiO3:Eu^3+荧光粉光学性能影响 预览
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作者 曹盛洪 涂威 +3 位作者 蔡锐 王清梦 杨建会 范强 《内江科技》 2018年第11期102-104,共3页
本文采用高温固相法合成了Ca0.95-xTiO3:0.05Eu^3+,xLi^+(x=0,0.02,0.05,0.08)(CTE)系列荧光粉,研究了电荷补偿剂(Li^+)掺杂浓度对其晶体结构与光学性能的影响。XRD研究结果表明,Li+掺杂浓度对荧光粉的晶体结构影响较小,其主晶相为典型... 本文采用高温固相法合成了Ca0.95-xTiO3:0.05Eu^3+,xLi^+(x=0,0.02,0.05,0.08)(CTE)系列荧光粉,研究了电荷补偿剂(Li^+)掺杂浓度对其晶体结构与光学性能的影响。XRD研究结果表明,Li+掺杂浓度对荧光粉的晶体结构影响较小,其主晶相为典型的正交钙钛矿型结构;当Li^+掺杂浓度为x=0.05时,荧光粉的结晶性能最佳。光学性质研究表明,CTE系列荧光粉可被397 nm光波有效激发,发出位于615 nm处的强红光,当Li+掺杂浓度为x=0.05时,相对发光强度在未掺杂基础上提高了1.5倍,表明适量的电荷补偿剂有助于提高CTE红色荧光粉的发光性能。 展开更多
关键词 红色荧光粉 掺杂浓度 光学性能 Li+ 电荷补偿剂 钙钛矿型结构 晶体结构 LI^+
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Fe∶ZnSe晶体吸收光谱测量及计算 预览
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作者 陶蒙蒙 黄珂 +4 位作者 吴涛涛 栾昆鹏 黄超 周孟莲 赵军 《现代应用物理》 2018年第2期30-35,共6页
对Fe∶ZnSe晶体的吸收光谱进行了实验测量和理论计算。通过测量Fe∶ZnSe晶体的透射光谱,给出了Fe∶ZnSe晶体的整体损耗曲线;受限于分光光度计的反射光谱测量范围,无法对该晶体在3μm附近的反射光谱进行直接测量。因此,基于几何光学理论... 对Fe∶ZnSe晶体的吸收光谱进行了实验测量和理论计算。通过测量Fe∶ZnSe晶体的透射光谱,给出了Fe∶ZnSe晶体的整体损耗曲线;受限于分光光度计的反射光谱测量范围,无法对该晶体在3μm附近的反射光谱进行直接测量。因此,基于几何光学理论,对晶体的反射光谱进行了理论计算。经对比,计算得到的反射光谱曲线与分光光度计可测区间的反射光谱吻合较好。这样,通过理论计算与实验测量相结合的方法,得到了可信的晶体反射光谱数据。在考虑晶体反射损耗的情况下,计算得到了晶体的吸收光谱曲线,并在此基础上计算了晶体的掺杂浓度,结果与标称掺杂浓度相符。 展开更多
关键词 中红外光源 吸收谱 掺杂浓度
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氮掺杂单层石墨烯储钠性能的第一性原理研究 预览
17
作者 孟玲 《化学研究与应用》 CSCD 北大核心 2017年第12期1884-1889,共6页
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,对Na在本征石墨烯和不同掺杂浓度的N掺杂石墨烯(NG)表面的吸附性质进行了研究。确定了不同N掺杂浓度时NG的最稳定N分布结构,计算了Na在PG和不同掺杂浓度的NG表面的吸附能。计算结果表明,N原... 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,对Na在本征石墨烯和不同掺杂浓度的N掺杂石墨烯(NG)表面的吸附性质进行了研究。确定了不同N掺杂浓度时NG的最稳定N分布结构,计算了Na在PG和不同掺杂浓度的NG表面的吸附能。计算结果表明,N原子掺杂倾向于取代对位或次临近位置的C原子;随着N掺杂浓度的增加,吸附高度逐渐增加,且与N掺杂分布相匹配;N掺杂浓度大于C∶N=2∶1(摩尔数比)时,Na在NG表面的吸附相对稳定,Na与C_9N_9表面的结合最稳定。 展开更多
关键词 第一性原理 石墨烯 N掺杂石墨烯 Na吸附 掺杂浓度
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Fe掺杂VO2中的相变和磁性研究 被引量:1
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作者 李季凡 王忠龙 +2 位作者 尹重阳 Gebru Zerihun 龚高尚 《低温物理学报》 CSCD 北大核心 2017年第1期6-11,共6页
本文主要研究了不同掺杂浓度下V1-xFexO2的相变特性及其磁性能.我们通过水热法结合固相法制备了粉体样品.在升温和降温的过程中,掺杂量的提升引起了晶格膨胀和相变点的变化,且金属绝缘体转变(MIT)温度附近磁化率的变化越来越弱.磁测... 本文主要研究了不同掺杂浓度下V1-xFexO2的相变特性及其磁性能.我们通过水热法结合固相法制备了粉体样品.在升温和降温的过程中,掺杂量的提升引起了晶格膨胀和相变点的变化,且金属绝缘体转变(MIT)温度附近磁化率的变化越来越弱.磁测量确定了掺杂浓度在0.01到0.05区间内的相分布.随掺杂量x的上升,V1-xFexO2分别经历了M1-R相变(x=0)、T-M2-R相变(0.01≤x≤0.04)和M2-R(x=0.05).掺杂浓度为0.05时相变过程中没有出现三斜结构的T相.磁测量和拟合的结果表明,在Fe掺杂取代了V离子的二聚体中,当掺杂浓度达到0.03时,V4+-Fe3+的磁交换作用达到最大值,且在0.02≤x≤0.03区间内可能存在着磁结构的转变. 展开更多
关键词 相变 FE掺杂 磁特性 掺杂浓度
不同退火条件下Sn掺杂浓度对ZnO薄膜性能影响 预览
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作者 刘涛 《商洛学院学报》 2017年第2期13-16,79共5页
采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结... 采用溶肢-凝肢法提拉镀膜制备Sn掺杂ZnO薄膜,研究了空气退火、高真空退火(10-2Pa)、低真空退火(1Pa)和循环退火四种条件下Sn掺杂浓度对SZO薄膜光电性能的影响.结果表明:四种退火条件下不同Sn掺杂浓度时制备的SZO薄膜均为纤锌矿结构且具有C轴择优取向生长特性,当Sn掺杂浓度为5at.%时SZO薄膜的结晶生长最好.高真空退火条件下Sn掺杂浓度为3at.%时,电学性能最优,其电阻率可达到5.4×10^-2Ω·cm.当Sn掺杂浓度小于3at.%时,薄膜的可见光区平均透过率均大于85%,当掺杂浓度高于3at.%时,薄膜的透过率随着掺杂浓度的增大而降低. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜 掺杂浓度 光电性能
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Ag掺杂(CdTe)12纳米团簇电子性质理论研究 预览
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作者 索凤怡 《哈尔滨商业大学学报:自然科学版》 CAS 2017年第5期616-618,625共4页
通过采用密度泛函理论对Ag掺杂Cd(12)Te(12)纳米团簇稳定结构进行了理论分析研究,尤其是掺杂浓度对其特性的影响.详细地分析了不同掺杂浓度的纳米团簇Cd(11)Te(12)Ag和Cd(10)Te(12)Ag2的结构,掺杂位及其电子性质.研究显示... 通过采用密度泛函理论对Ag掺杂Cd(12)Te(12)纳米团簇稳定结构进行了理论分析研究,尤其是掺杂浓度对其特性的影响.详细地分析了不同掺杂浓度的纳米团簇Cd(11)Te(12)Ag和Cd(10)Te(12)Ag2的结构,掺杂位及其电子性质.研究显示掺杂位和掺杂浓度对结合能、能带隙和态密度有着直接的影响.结果表明掺杂提高了纳米团簇的稳定性,且稳定性随掺杂浓度增加而增加,能带隙及受主能级均随掺杂浓度变化. 展开更多
关键词 CDTE AG掺杂 掺杂浓度 密度泛函理论
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