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MOSFET栅极寄生电容对电参数测试影响 预览
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作者 范春帅 张扬 彭丽君 《电子世界》 2019年第17期37-38,共2页
在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄... 在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄生电容干扰导致测试结果不准确的测试程序编写方法。 展开更多
关键词 功率MOSFET器件 电参数测试 寄生电容 栅极 IGSS 延迟时间 测试程序 测试值
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香港高校和台湾公司合作将电容器集成到硅上P型氮化镓栅极晶体管中显著提高器件性能
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《半导体信息》 2018年第4期8-9,共2页
香港科技大学(HKUST)和台湾半导体制造公司联合实现硅衬底上p型氮化镓(p—GaN)栅极高频功率晶体管上集成电容。P栅极GaN晶体管具有增强模式,其中晶体管处于电流关断状态,栅极电位为零。这样可以降低功耗。该研究成果已发表于IEEE... 香港科技大学(HKUST)和台湾半导体制造公司联合实现硅衬底上p型氮化镓(p—GaN)栅极高频功率晶体管上集成电容。P栅极GaN晶体管具有增强模式,其中晶体管处于电流关断状态,栅极电位为零。这样可以降低功耗。该研究成果已发表于IEEE电子器件快报。 展开更多
关键词 功率晶体管 香港科技大学 集成电容 氮化镓 硅衬底 器件性能 栅极 台湾地区
大功率电子管特点及使用维护 预览
3
作者 李旭芳 《电子制作》 2018年第16期87-91,共5页
大功率电子管应用在广播、工业、科学实验、军用通讯等领域,由于其生产制造工艺复杂导致生产检验设备昂贵利用率低运输贮存困难,不同领域不同频段不同功率等级应用导致产品品种多产量低因此无论进口还是国产此类电子管价格都很贵,价格... 大功率电子管应用在广播、工业、科学实验、军用通讯等领域,由于其生产制造工艺复杂导致生产检验设备昂贵利用率低运输贮存困难,不同领域不同频段不同功率等级应用导致产品品种多产量低因此无论进口还是国产此类电子管价格都很贵,价格要几万到上百万人民币/只。所以无论从保证电子管正常工作延长使用寿命降低设备的运行成本,都必须在电子管出厂到使用寿命终结整个周期内把它维护好。 展开更多
关键词 电子管 灯丝 阴极 栅极 阳极 结构 维护
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多晶硅栅极刻蚀过程中边缘刻蚀缺陷的研究及改善 预览
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作者 任昱 聂钰节 唐在峰 《科技资讯》 2017年第25期87-90,92共5页
刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。但实际上,多晶硅栅极等离子体刻蚀过程中,生成的反应聚合物(polymer)无法由真空泵抽离... 刻蚀缺陷是半导体制程中最关键和最基本的问题,理想的等离子体刻蚀工艺过程中,刻蚀气体必须完全参与反应而形成气态生成物,最后由真空泵抽离反应室。但实际上,多晶硅栅极等离子体刻蚀过程中,生成的反应聚合物(polymer)无法由真空泵抽离反应室而附着在刻蚀腔壁上,造成反应室的污染,有些甚至附着在晶圆表面而形成元器件的微粒子污染,造成产品良率下降甚至报废。本文通过改变调整刻蚀工艺参数等方式,成功解决了多晶硅栅极刻蚀工艺制程中反应生成物转变为微粒子污染物这一问题,使得产品良率提升了3%,刻蚀反应腔体保养时数延长了一倍,晶圆报废率降低了0.03%。 展开更多
关键词 多晶硅刻蚀 干法刻蚀 等离子体 栅极 刻蚀缺陷
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Passivation of Ge surface treated with trimethylaluminum and investigation of electrical properties of HfTiO/Ge gate stacks
5
作者 Juan Gao Gang He +5 位作者 Dongqi Xiao Peng Jin Shanshan Jiang Wendong Li Shuang Liang Li Zhu 《材料科学技术学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期901-906,共6页
在当前的工作,在 situ 表面钝化 Ge,由在 HfTiO 以前使用 trimethylaluminum (TMA ) 的底层拍摄免职和 HfTiO/Ge 门栈的电的性质被 X 光检查光电子光谱学(XPS ) 和电的大小系统地调查了。从 XPS 大小基于分析, HfTiO/Ge 门栈的界面... 在当前的工作,在 situ 表面钝化 Ge,由在 HfTiO 以前使用 trimethylaluminum (TMA ) 的底层拍摄免职和 HfTiO/Ge 门栈的电的性质被 X 光检查光电子光谱学(XPS ) 和电的大小系统地调查了。从 XPS 大小基于分析, HfTiO/Ge 门栈的界面的层在 20 half-ALD 周期 TMA 预告的处理以后有效地被压制了,这被证实了。metal-oxide-semiconductor (瞬间) 的电的性质电容器基于 HfTiO 门电介质证明了有清洗的 20 周期 TMA 的瞬间电容器展出最低接口状态密度(7.56 ? eV <sup>1</sup>?cm<sup>2</sup>) 和最小的漏电流(2.67 ??  ?  ? 展开更多
关键词 表面钝化处理 介电系数 电气性能 三甲基铝 化合物 栅极 堆叠 MOS电容器
栅极液压成型专用设备的研制 预览
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作者 沈建成 程仲文 +2 位作者 赵又新 胡彦军 李宝栋 《制造技术与机床》 北大核心 2017年第10期47-49,共3页
根据航天工业需要,设计了国内首台栅极液压成型专用设备。该设备由机械系统、液压系统和控制系统组成。该设备的成功研制,满足了航天使用栅极成型的工艺要求,实现了栅极成型的自动化生产,为栅极成型工艺提供更加直观的数据,为工艺的进... 根据航天工业需要,设计了国内首台栅极液压成型专用设备。该设备由机械系统、液压系统和控制系统组成。该设备的成功研制,满足了航天使用栅极成型的工艺要求,实现了栅极成型的自动化生产,为栅极成型工艺提供更加直观的数据,为工艺的进一步优化提供设备保障。经实验验证,该设备工作可靠,满足生产要求。 展开更多
关键词 栅极 控制系统 机械系统 专用设备
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功率MOSFET电压额定值揭密 预览
7
作者 Sanjay Havanur 《今日电子》 2017年第12期32-34,共3页
MOSFET产品数据表提供两种电压额定值:VDS和VGS,并分别规定其绝对最大值电压和额定电压。这两个数字通常是相同的,但制造商使用它们的语境和目的有所不同。按照定义,绝对最大值电压是与长期可靠性和/或存续(survival)有关的限值,而... MOSFET产品数据表提供两种电压额定值:VDS和VGS,并分别规定其绝对最大值电压和额定电压。这两个数字通常是相同的,但制造商使用它们的语境和目的有所不同。按照定义,绝对最大值电压是与长期可靠性和/或存续(survival)有关的限值,而额定电压用于描述器件的特性和作为其他测量的参考值。大多数认证测试都是在额定电压或其一定百分比条件下进行。 展开更多
关键词 认证测试 长期可靠性 栅极 额定电压 数据表 参考值 功率 器件 源极 百分比
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栅极液压成型专用设备液压系统的设计 预览
8
作者 沈建成 程仲文 胡彦军 《制造技术与机床》 北大核心 2017年第2期57-59,共3页
根据航天工业需要,设计了国内首台栅极液压成型专用设备。该设备的液压系统由合模液压系统与成型洫压系统组成。合模液压系统在1.0-16.0MPa范围内控制精度为±0.1MPa。且连续可调;成型油压系统工作区油温在80-88℃,在0.3-5.... 根据航天工业需要,设计了国内首台栅极液压成型专用设备。该设备的液压系统由合模液压系统与成型洫压系统组成。合模液压系统在1.0-16.0MPa范围内控制精度为±0.1MPa。且连续可调;成型油压系统工作区油温在80-88℃,在0.3-5.0MPa范围内控制精度为±O.1MPa,且连续可调。经实验验证,该液压系统工作可靠,满足生产要求。 展开更多
关键词 栅极 控制精度 液压系统 专用设备
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喷墨打印硅基太阳电池栅极金属化工艺研究
9
作者 张磊 朱云龙 +1 位作者 程晓鼎 王驰远 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期212-217,共6页
以低粘度纳米银墨水为喷墨材料,采用自主研发的喷墨打印设备实现太阳电池栅极金属化。通过数值模拟和实验方法研究喷印过程中“咖啡环”、“马鞍型”缺陷的形成机制及抑制方法。研究喷印分辨率、喷印层数及在线固化温度等参数对栅极高... 以低粘度纳米银墨水为喷墨材料,采用自主研发的喷墨打印设备实现太阳电池栅极金属化。通过数值模拟和实验方法研究喷印过程中“咖啡环”、“马鞍型”缺陷的形成机制及抑制方法。研究喷印分辨率、喷印层数及在线固化温度等参数对栅极高宽比及三维形貌的影响,并进行实验研究,结果表明,当点间距控制在35μm时,得到栅极宽度最小;在线固化温度控制在80~90℃时,纳米银墨水溶剂蒸发完全,多层喷印后栅极高度呈线性增加,每层增高0.5μm,且栅极宽度维持在40μm,其三维形貌光滑且均匀。烧结温度200℃时,栅极电阻率5.04×10^-6Ω·cm。 展开更多
关键词 喷墨打印 栅极 金属化 纳米银 高宽比
离子推力器碳基材料栅极研究进展 预览 被引量:1
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作者 郭德洲 顾左 +2 位作者 郑茂繁 杨福全 孔令轩 《真空与低温》 2016年第3期125-131,共7页
栅极组件是离子推力器的关键部组件之一,直接影响推力器的性能和寿命.相比传统金属钼,碳基材料具备较低的热膨胀系数和较强的耐离子溅射性,是离子推力器栅极组件的理想材料,可以有效提高推力器的寿命和可靠性,碳基材料栅极组件已被国外... 栅极组件是离子推力器的关键部组件之一,直接影响推力器的性能和寿命.相比传统金属钼,碳基材料具备较低的热膨胀系数和较强的耐离子溅射性,是离子推力器栅极组件的理想材料,可以有效提高推力器的寿命和可靠性,碳基材料栅极组件已被国外先进离子推力器广泛采用.在调研国外碳基材料栅极研制过程的基础上,结合国内碳基材料研制水平,针对目前我国离子推力器的长远发展部署,提出开展碳基材料栅极组件制造的初步建议. 展开更多
关键词 离子推力器 栅极 碳-碳复合材料 热解石墨
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高电压、大压缩比无截获栅控电子枪分析 预览
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作者 王娟 吴刚 苏小刚 《真空电子技术》 2016年第4期60-63,共4页
本文利用三维仿真软件设计无截获栅控电子枪,分析了各电极对电子轨迹的影响,并通过实际制管对电子枪的设计进行r验证。
关键词 KA波段 栅控电子枪 栅极 电子注 行波管
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Fairchild新一代PowerTrenchMOSFET提供一流性能
12
《半导体信息》 2016年第2期8-9,共2页
新款100 VMOSFET问世,Fairchild极具开创性的PowerTrench MOS—FET产品组合又添新成员 Fairchild在2016年APEC上发布了新一代100VN沟道PowerMOSFET旗舰产品——FDMS86181IOOV屏蔽栅极PowerTrench MOSFET。
关键词 FAIRCHILD VMOSFET 性能 产品组合 APEC N沟道 栅极
Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate
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作者 张家琦 王磊 +4 位作者 李柳暗 王青鹏 江滢 朱慧超 敖金平 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期357-360,共4页
Self-aligned-gate heterostructure field-effect transistor(HFET) is fabricated using a wet-etching method.Titanium nitride(TiN) is one kind of thermal stable material which can be used as the gate electrode.A Ti/Au cap... Self-aligned-gate heterostructure field-effect transistor(HFET) is fabricated using a wet-etching method.Titanium nitride(TiN) is one kind of thermal stable material which can be used as the gate electrode.A Ti/Au cap layer is fixed on the gate and acts as an etching mask.Then the T-shaped gate is automatically formed through over-etching the TiN layer in 30% H_2O_2 solution at 95 ℃.After treating the ohmic region with an inductively coupled plasma(ICP) method,an Al layer is sputtered as an ohmic electrode.The ohmic contact resistance is approximately 0.3 Ω·mm after annealing at a low-temperature of 575 ℃ in N_2 ambient for 1 min.The TiN gate leakage current is only 10~(-8) A after the low-temperature ohmic process.The access region length of the self-aligned-gate(SAG) HFET was reduced from 2 μm to 0.3 μm compared with that of the gate-first HFET.The output current density and transconductance of the device which has the same gate length and width are also increased. 展开更多
关键词 异质结场效应晶体管 ALGAN/GAN 自对准栅 氮化钛 栅极 欧姆接触电阻 等离子体处理 欧姆接触电极
太阳电池超细栅电极喷印控制系统设计与实现 被引量:2
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作者 张磊 朱云龙 +1 位作者 王驰远 程晓鼎 《信息与控制》 CSCD 北大核心 2016年第3期377-384,共8页
针对传统丝网印刷技术制造太阳电池金属化栅极容易造成基材破损,且制造的栅极精度和高宽比很难提高的问题,采用喷墨技术直接将纳米银墨水打印到太阳电池基材上实现栅极金属化,并设计实现了太阳电池栅极喷印样机系统.样机系统通过USB模... 针对传统丝网印刷技术制造太阳电池金属化栅极容易造成基材破损,且制造的栅极精度和高宽比很难提高的问题,采用喷墨技术直接将纳米银墨水打印到太阳电池基材上实现栅极金属化,并设计实现了太阳电池栅极喷印样机系统.样机系统通过USB模块实现高速数据通信;两组动态随机存储器(SDRAM)内存模块构成乒乓操作,实现不间断打印;喷印控制模块采用现场可编程门阵列(FPGA)产生喷头复杂时序波形和压电驱动波形.基于流体体积法建立了微液滴喷射模型,研究了微滴喷射机制及压电驱动波形幅值对微液滴尺寸、速度一致性的影响,并进行实验验证.通过优化喷印分辨率和在线固化温度进行系统测试,结果表明,多晶硅硅片固化温度80℃条件下,随着喷印层数的增加,栅极高度线性增加,喷印一层大约增高0.5μm,栅极宽度基本维持在35~40μm,打印层数60~80层时,形成三维形貌均匀的具有高"高宽比"的栅极. 展开更多
关键词 喷墨控制 流体体积法 太阳电池 栅极 高宽比
Effect of annealing temperature of Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7 gate insulator on performance of ZnO based thin film transistors
15
作者 叶伟 任巍 +1 位作者 史鹏 蒋庄德 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2016年第7期76-81,共6页
The bottom-gate structure ZnO based thin film transistors(ZnO-TFTs) using Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)thin films as gate insulator were fabricated on Pt/SiO2/Si substrate by radio frequency magnetic sputtering.We invest... The bottom-gate structure ZnO based thin film transistors(ZnO-TFTs) using Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7(BZN)thin films as gate insulator were fabricated on Pt/SiO2/Si substrate by radio frequency magnetic sputtering.We investigated the effect of annealing temperature at 300,400,and 500 ℃ on the performance of BZN thin films and ZnO-TFTs.XRD measurement confirmed that BZN thin films were amorphous in nature.BZN thin films annealed at 400 ℃ obtain the high capacitance density of 249 nF/cm2,high dielectric constant of 71,and low leakage current density of 10-7 A/cm2 on/off current ratio and field effect mobility of ZnO-TFTs annealed at 400 ℃are approximately one order of magnitude and two times,respectively higher than that of ZnO-TFTs annealed at300 ℃.When the annealing temperature is 400 ℃,the electrical performance of ZnO-TFTs is enhanced remarkably.Devices obtain a low sub-threshold swing of 470 mV/dec and surface states density of 3.21 × 1012cm-2. 展开更多
关键词 薄膜晶体管 退火温度 电学性能 ZNO 绝缘体 漏电流密度 栅极 射频磁控溅射
离子推力器栅极力学性能模拟分析研究
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作者 郭德洲 顾左 孔令轩 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期891-897,共7页
为了对LIPS-100离子推力器栅极优化设计提出合理建议,利用结构动力学计算模型开展栅极力学特性分析,研究8.6 grms随机振动和800 g加速度冲击力学环境对栅极的影响。采用ABAQUS有限元软件模拟分析了两种不同弹性模量的碳纤维复合材料层... 为了对LIPS-100离子推力器栅极优化设计提出合理建议,利用结构动力学计算模型开展栅极力学特性分析,研究8.6 grms随机振动和800 g加速度冲击力学环境对栅极的影响。采用ABAQUS有限元软件模拟分析了两种不同弹性模量的碳纤维复合材料层合结构栅极力学性能,并和传统金属钼栅作对比,研究发现:碳栅和钼栅都满足技术要求中首阶共振频率大于100 Hz的要求,且最大应力均满足输入载荷条件,不存在破坏性应力,其中碳栅应力安全系数要高于传统金属钼栅。栅极形变量应是设计过程中考虑的首要因素,冲击造成的形变要大于随机振动,提升弹性模量31.16%可使碳栅冲击形变减小13.17%。采用模量较高的碳纤维制备碳栅可使栅间距由现有的0.80降低至0.69 mm,从而可使最大推力提升10.72%。 展开更多
关键词 离子推力器 栅极 力学分析 随机振动 冲击
Oxygen Scavenging Effect of LaLuO3/TiN Gate Stack in High-Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-Well Transistors
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作者 冯锦锋 刘畅 +1 位作者 俞文杰 彭颖红 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2016年第5期108-110,共3页
Higher-κ dielectric LaLuO_3,deposited by molecular beam deposition,with TiN as gate stack is integrated into high-mobility Si/SiGe/SOI quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors.Threshold ... Higher-κ dielectric LaLuO_3,deposited by molecular beam deposition,with TiN as gate stack is integrated into high-mobility Si/SiGe/SOI quantum-well p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors.Threshold voltage shift and capacitance equivalent thickness shrink are observed,resulting from oxygen scavenging effect in LaLuO_3 with Ti-rich TiN after high temperature annealing.The mechanism of oxygen scavenging and its potential for resistive memory applications are analyzed and discussed. 展开更多
关键词 金属氧化物 场效应晶体管 清除作用 高流动性 锗/硅 量子阱 栅极 堆栈
fT=260 GHz andfmax = 607 GHz of 100-nm-gate In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMTs with Gm.max=1441 mS/mm
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作者 王庆 丁芃 +4 位作者 苏永波 丁武昌 Muhammad Asif 唐武 金智 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2016年第7期49-55,共7页
The 100-nm T-gate InP-based InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors(HEMTs) with the width of 2 × 50 μm and source-drain space of 2.4 μm are systematically investigated.High indium(In) composition o... The 100-nm T-gate InP-based InAlAs/InGaAs high electron mobility transistors(HEMTs) with the width of 2 × 50 μm and source-drain space of 2.4 μm are systematically investigated.High indium(In) composition of InGaAs layer was adopted to acquire the higher mobility of the channel layer.A sandwich structure was adopted to optimize the cap layers and produce a very low contact resistance.The fabricated devices exhibit extrinsic maximum transconductance Gm.max = 1441 mS/mm,cutoff frequency fT = 260 GHz,and maximum oscillation frequency fmax = 607 GHz.A semi-empirical model has been developed to precisely fit the low-frequency region of scattering parameters(S parameters) for InP-based HEMTs.Excellent agreement between measured and simulated S parameters demonstrates the validity of this approach. 展开更多
关键词 HEMT GHZ 毫秒 高电子迁移率晶体管 INGAAS 栅极 纳米 INP基
大功率短波发射机通用控制系统之数字鉴向器 预览
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作者 王荣飞 《现代国企研究》 2016年第8期217-,219共2页
短波发射机高周系统属于谐振功率放大器,是一种用谐振系统作为匹配网络的功率放大器,调谐回路是否处于谐振状态对发射机的工作状态影响非常大,本文分析了当前发射机上使用的二极管平衡鉴向器的工作原理及缺陷,提出了新型数字鉴向器检测... 短波发射机高周系统属于谐振功率放大器,是一种用谐振系统作为匹配网络的功率放大器,调谐回路是否处于谐振状态对发射机的工作状态影响非常大,本文分析了当前发射机上使用的二极管平衡鉴向器的工作原理及缺陷,提出了新型数字鉴向器检测出失谐状态并输出相应电压信号的方法,具有原理简单、鉴向精度高、一致性好、射频取样幅度适应范围宽等特点。 展开更多
关键词 鉴向器 比较器 栅极 屏级
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Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor
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作者 罗俊 赵胜雷 +5 位作者 宓珉瀚 陈伟伟 侯斌 张进成 马晓华 郝跃 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期421-425,共5页
The effects of gate length L_G on breakdown voltage VBRare investigated in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs) with L_G= 1 μm~20 μm. With the increase of L_G, VBRis first increased, and then saturate... The effects of gate length L_G on breakdown voltage VBRare investigated in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs) with L_G= 1 μm~20 μm. With the increase of L_G, VBRis first increased, and then saturated at LG= 3 μm. For the HEMT with L_G= 1 μm, breakdown voltage VBRis 117 V, and it can be enhanced to 148 V for the HEMT with L-_G= 3 μm. The gate length of 3 μm can alleviate the buffer-leakage-induced impact ionization compared with the gate length of 1 μm, and the suppression of the impact ionization is the reason for improving the breakdown voltage.A similar suppression of the impact ionization exists in the HEMTs with LG> 3 μm. As a result, there is no obvious difference in breakdown voltage among the HEMTs with LG= 3 μm~20 μm, and their breakdown voltages are in a range of 140 V–156 V. 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 击穿电压 长度 栅极 HEMT 碰撞电离 LG
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