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Self-aligned-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor with titanium nitride gate
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作者 张家琦 王磊 +4 位作者 李柳暗 王青鹏 江滢 朱慧超 敖金平 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第8期357-360,共4页
Self-aligned-gate heterostructure field-effect transistor(HFET) is fabricated using a wet-etching method.Titanium nitride(TiN) is one kind of thermal stable material which can be used as the gate electrode.A Ti/Au cap... Self-aligned-gate heterostructure field-effect transistor(HFET) is fabricated using a wet-etching method.Titanium nitride(TiN) is one kind of thermal stable material which can be used as the gate electrode.A Ti/Au cap layer is fixed on the gate and acts as an etching mask.Then the T-shaped gate is automatically formed through over-etching the TiN layer in 30% H_2O_2 solution at 95 ℃.After treating the ohmic region with an inductively coupled plasma(ICP) method,an Al layer is sputtered as an ohmic electrode.The ohmic contact resistance is approximately 0.3 Ω·mm after annealing at a low-temperature of 575 ℃ in N_2 ambient for 1 min.The TiN gate leakage current is only 10~(-8) A after the low-temperature ohmic process.The access region length of the self-aligned-gate(SAG) HFET was reduced from 2 μm to 0.3 μm compared with that of the gate-first HFET.The output current density and transconductance of the device which has the same gate length and width are also increased. 展开更多
关键词 异质结场效应晶体管 ALGAN/GAN 自对准栅 氮化钛 栅极 欧姆接触电阻 等离子体处理 欧姆接触电极
Improvement of Metal-Graphene Ohmic Contact Resistance in Bilayer Epitaxial Graphene Devices
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作者 何泽召 杨克武 +5 位作者 蔚翠 李佳 刘庆彬 芦伟立 冯志红 蔡树军 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第11期118-121,共4页
关键词 欧姆接触电阻 金属石墨 载流子传输 器件 接触电阻测量 制造方法 光致抗蚀剂 载流子密度
Ti/Al Based Ohmic Contact to As-Grown N-Polar GaN
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作者 冯志红 王现彬 +4 位作者 王丽 吕元杰 房玉龙 敦少博 赵正平 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第8期132-134,共3页
关键词 欧姆接触电阻 GAN 极性 生长 铝基 透射电子显微镜 能量色散谱
Effect of Pt diffusion barrier layer in Ni/AuGe/Pt/Au on ohmic contact to n-GaAs 被引量:1
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作者 王勇 刘丹丹 +3 位作者 冯国庆 叶镇 高占琦 王晓华 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2015年第3期141-143,共3页
The multi-layer metals of Ni/Au Ge/Pt/Au with a Pt diffusion barrier layer of ohmic contact to n-GaAs were studied. The surface morphology and ohmic contact resistivity of multi-layer metals were characterized, with a... The multi-layer metals of Ni/Au Ge/Pt/Au with a Pt diffusion barrier layer of ohmic contact to n-GaAs were studied. The surface morphology and ohmic contact resistivity of multi-layer metals were characterized, with and without the Pt diffusion barrier layer for comparison. The SEM and EDS measurements show the Pt diffusion barrier layer can block the interdiffusion of atoms in multi-layer metals, and improve the surface morphology.The TLM results show that the samples with a Pt diffusion barrier layer have uniform ohmic contact resistance,indicating that the Pt diffusion barrier layer can increase the repetition and uniformity of ohmic contact to n-GaAs,and improve the thermal stability and reliability of GaAs-based devices. 展开更多
关键词 欧姆接触电阻 扩散阻挡层 金属带 Ni AU 多层金属 表面形态
High-Frequency A1GaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Regrown Ohmic Contacts by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 被引量:1
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作者 郭红雨 吕元杰 +7 位作者 顾国栋 敦少博 房玉龙 张志荣 谭鑫 宋旭波 周幸叶 冯志红 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第11期166-168,共3页
关键词 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN 欧姆接触电阻 金属有机化学气相沉积 再生长 高频率 化学气相沉积法 有机金属
Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD
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作者 顾国栋 敦少博 +4 位作者 吕元杰 韩婷婷 徐鹏 尹甲运 冯志红 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2013年第11期42-44,共3页
AlN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)and then characterized.An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmiccontactresistan... AlN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)and then characterized.An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmiccontactresistance(0.33 mm)atalowannealingtemperature.Thefabricateddevicesexhibitedamaximum drain current density of 1.07 A/mm(VGS D1 V)and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm.The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate–drain distance of 1.9 m.The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 m gate length,respectively. 展开更多
关键词 MOCVD生长 HEMT器件 欧姆接触电阻 GaN 金属有机物化学气相沉积 AIN 高电子迁移率晶体管 漏电流密度
Fabrication of 150-nm Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As mHEMTs on GaAs substrates
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作者 WU XiaoFeng LIU HongXia +4 位作者 LI HaiOu LI Qi HU ShiGang XI ZaiFang ZHAO Jin 《中国科学:物理学、力学、天文学英文版》 SCIE EI CAS 2012年第12期2389-2391,共3页
高效 150-nm 门长度有很好的设备性能的变形 Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As 高电子活动性晶体管(mHEMTs ) 成功地被制作了。一扇T形门被使用一种联合技术制作光并且电子横梁影印石版术,它对减少的寄生电容和门的寄生抵抗有益。欧姆... 高效 150-nm 门长度有很好的设备性能的变形 Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As 高电子活动性晶体管(mHEMTs ) 成功地被制作了。一扇T形门被使用一种联合技术制作光并且电子横梁影印石版术,它对减少的寄生电容和门的寄生抵抗有益。欧姆的接触抵抗 R c 象 0.03 堠爭祡搠晩牦捡楴湯 ? 剈剘? 一样低 ? 瑡浯映牯散洠捩潲 ' 盏???? 猠慣湮湩 ? 汥' 虪箿珱^驿麙盏?匨?? 瀠潨潴畬業敮 ' 諟I??? 湡 ? 慒慭? 宅嬚麡 L 杮洠慥畳敲敭瑮 ? 慨敶戠敥 ? 浥汰祯摥琠? 瑳摵 ? 桴 ? 牣獹慴? 畱污瑩 ? 琠牨慥楤杮搠獩潬慣楴湯搠湥楳祴 ? ?晲捡 ? 潭灲潨潬祧 ? 灯楴慣? 牰灯牥楴獥愠摮瀠潨潮 ? 牰灯牥楴獥漠 ? 桴捩 ? 汁慇? 灥晩汩獭 展开更多
关键词 制作 砷化镓 欧姆接触电阻 基板 高电子迁移率 RF性能 漏电流密度 制造设备
Effects of Different Plasma Energy Treatments on n-Type Al0.4Ga0.6N Material
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作者 杨凌 郝跃 +1 位作者 周小伟 马晓华 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2009年第7期267-269,共3页
关键词 离子能量 材料 欧姆接触电阻 X射线电子能谱 N型 对等 原子力显微镜 等离子处理
有机薄膜晶体管(OTFT)的研究进展 预览 被引量:4
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作者 刘翔 邓振波 +2 位作者 王章涛 崔祥彦 贾勇 《现代显示》 2007年第12期 54-60,共7页
有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点,成为下一代显示技术的研究焦点.本文综述了有机薄膜晶体管的研究现状和未来的发展趋势,比较了采用不同材料的OTFT器件的性能,总结了影响OTF... 有机薄膜晶体管(organic thin film transistor,OTFT)具有工艺简单、成本低及柔韧性良好等优点,成为下一代显示技术的研究焦点.本文综述了有机薄膜晶体管的研究现状和未来的发展趋势,比较了采用不同材料的OTFT器件的性能,总结了影响OTFT性能的两大主要因素,即栅极绝缘层与有机有源层之间的界面特性和有机有源层与源/漏电极之间欧姆接触电阻的大小,并详细综述了改善OTFT性能的最新方法和研究成果. 展开更多
关键词 有机薄膜晶体管 界面 欧姆接触电阻
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Bi2Sr2CaCu2O8+δAu界面性质的研究 预览
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作者 朱晓波 赵士平 +4 位作者 于洪伟 任育峰 陈赓华 解思深 杨乾声 《低温物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期 247-250,共4页
采用高真空下(2~3×10-5Pa)原位,低温(77K)解理,高速原位蒸发金膜的方法,我们得到了接近"本征"的CuO2/Au接触界面.测量结果显示接触界面为欧姆接触.四端法测量的结果显示这样的界面有着较小的电阻率(<1.5×10-8Ω... 采用高真空下(2~3×10-5Pa)原位,低温(77K)解理,高速原位蒸发金膜的方法,我们得到了接近"本征"的CuO2/Au接触界面.测量结果显示接触界面为欧姆接触.四端法测量的结果显示这样的界面有着较小的电阻率(<1.5×10-8Ωcm2).我们认为,一种可能是因为临近效应的影响造成了CuO2/Au接触界面电阻的消失,而所测量到的剩余电阻实际应为外电路引入的电阻,而另一种可能是界面仍然存在一极小的欧姆接触电阻.这将对研究高温超导体与金属接触的界面性质有着积极的意义. 展开更多
关键词 高温超导体 界面性质 表面结 接触界面 欧姆接触电阻 超导器件 Bi2Sr2CaCu2O8+δAu 超导电性
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网络法测量光电导欧姆接触电阻的技术与分析 被引量:1
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作者 顾冠清 支婷婷 《应用激光》 CSCD 北大核心 1991年第3期 123-125,共3页
给出了高电阻率光电导体在受力情况下欧姆接触咀阻的测量技术。分别不用 Si(ρ≈3×10~4Ω·cm)及 Cr:GaAs(ρ≈10~8Ω·cm)晶体测量其铟(In)欧姆接触电阻值,并对该方法测量精度进行了分析。
关键词 光电导体 欧姆接触电阻 测量
太阳能电池不同组分银浆电性能研究 预览 被引量:2
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作者 王海亮 李翠双 +1 位作者 张晓朋 杨伟光 《科技创新导报》 2015年第18期51-51,共1页
该文研究了不同组分的丝网印刷用正面银浆的电性能,通过PECVD工序后严格均分镀膜硅片,在同一印刷设备上使用同种丝网、不同银浆进行印刷、烧结、测试,并通过SEM分析研究了多晶硅太阳能实验银浆电池栅线的形貌及微观结构。结果表明,银粉... 该文研究了不同组分的丝网印刷用正面银浆的电性能,通过PECVD工序后严格均分镀膜硅片,在同一印刷设备上使用同种丝网、不同银浆进行印刷、烧结、测试,并通过SEM分析研究了多晶硅太阳能实验银浆电池栅线的形貌及微观结构。结果表明,银粉拉径大小、玻璃粉含量对电性能均有较明显的影响。银粉粒径增大电极的比接触电阻率降低,理想的玻璃粉含量应控制在2.0-2.5wt%之间。找到合适的玻璃软化点温度、合适的玻璃粉含量可有效改善电极欧姆接触电阻,提升电池效率。 展开更多
关键词 欧姆接触电阻 丝网印刷 多晶硅电池
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光导开关欧姆接触电阻率测量方法研究 预览
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作者 许世峰 何晓雄 孙飞翔 《合肥工业大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期929-933,共5页
光导开关对重掺杂半导体基底与多层金属电极形成的欧姆接触有很高的要求,欧姆接触的质量直接影响光导开关的效率、增益和开关速度等性能,因此准确地测量光导开关欧姆接触的参数非常重要。文章对适合光导开关的欧姆接触电阻率的测量方... 光导开关对重掺杂半导体基底与多层金属电极形成的欧姆接触有很高的要求,欧姆接触的质量直接影响光导开关的效率、增益和开关速度等性能,因此准确地测量光导开关欧姆接触的参数非常重要。文章对适合光导开关的欧姆接触电阻率的测量方法进行了系统的归纳和整理,分析了各种测试方法的优点和局限性,明确了各测试方法的适用范围,对后续测试方法的改进提出了建议。 展开更多
关键词 光导开关 欧姆接触电阻 矩形传输线模型 圆形传输线模型
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应变补偿InGaN/AlGaN超晶格改善近紫外LED性能 预览
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作者 尹以安 章勇 +1 位作者 范广涵 李述体 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第8期42-46,共5页
通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,... 通过应变平衡理论设计出应变补偿的In0.1Ga0.9N/Al0.2Ga0.8N超晶格结构。为了验证该结构具有低的应变,实验生长了相应的样品,并通过双晶衍射(XRD)和拉曼(Raman)光谱实验证实其具有低应力。最后把该结构用于近紫外LED的两处构建,一是替代量子阱中的GaN垒层,二是作p型层的接触层。实验发现,该结构的应用不但可以减弱量子阱的Stark效应和抑制电子泄露,而且降低p型接触层的欧姆接触电阻。且发现不用电子阻挡层情况下,其输出功率、PL光谱和I-V特性等都得到极大改善。 展开更多
关键词 应变平衡 InGaN/AlGaN超晶格 应变补偿 极化效应 p型欧姆接触电阻 近紫外LED
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两种欧姆接触电阻率测量方法的研究 预览 被引量:1
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作者 崔虹云 吴云飞 +3 位作者 张海丰 韩海生 朱雪彤 李金鑫 《佳木斯大学学报:自然科学版》 CAS 2012年第5期746-748,共3页
用低压化学气相淀积的方法制备了欧姆接触的样品,分别对退火前后的样品采用两种测量方法线性传输线模型和原点传输线模型法进行测试分析,得出在制备工艺相同的条件下,从精度上看,线性传输线模型这种测试结构更能真实地反映实际的比接触... 用低压化学气相淀积的方法制备了欧姆接触的样品,分别对退火前后的样品采用两种测量方法线性传输线模型和原点传输线模型法进行测试分析,得出在制备工艺相同的条件下,从精度上看,线性传输线模型这种测试结构更能真实地反映实际的比接触电阻率的大小. 展开更多
关键词 欧姆接触电阻 线性传输线模型 原点传输线模型
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