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绘制硅基毫米波集成电路的“油画家”——记中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员田彤 预览
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作者 肖贞林 《科学中国人》 2018年第01X期44-47,共4页
科技必将引领时代的进步,随着5G通信、自动驾驶、机器人等高科技应用,人们对未来充满了美好的憧憬与想象.在这些高科技应用的背后.涉及到一项重要的技术——毫米波相关技术,尤其是硅基毫米波集成电路技术.这项技术,对大多数局外人而言... 科技必将引领时代的进步,随着5G通信、自动驾驶、机器人等高科技应用,人们对未来充满了美好的憧憬与想象.在这些高科技应用的背后.涉及到一项重要的技术——毫米波相关技术,尤其是硅基毫米波集成电路技术.这项技术,对大多数局外人而言晦巡难懂甚至高深莫测.在全球的微电子专家都在努力对其进行研究和探索之际,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师田彤已经取得了重大突破. 展开更多
关键词 毫米波集成电路 信息技术 中国科学院 研究员 研究所 微系统 上海 硅基
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应用于5G基站的硅基毫米波相控阵IC研发成功
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《半导体信息》 2017年第1期5-6,共2页
IBM和爱立信(Ericsson)近日联合发布公告,正式宣布成功推出了应用于未来5G基站的硅基毫米波相控阵集成电路。根据公告,该相控阵集成电路在28GHz毫米波频率下工作,并已经在相控阵列天线模块中成功演示,为未来5G网络铺平了道路。该... IBM和爱立信(Ericsson)近日联合发布公告,正式宣布成功推出了应用于未来5G基站的硅基毫米波相控阵集成电路。根据公告,该相控阵集成电路在28GHz毫米波频率下工作,并已经在相控阵列天线模块中成功演示,为未来5G网络铺平了道路。该产品是两家公司历时两年的合作成果(早在2014年11月底两家公司就展开了关于5G天线研发的合作),它结合了IBM在高集成相控阵毫米波集成电路和天线封装解决方案的优势,以及爱立信在设计移动通信电路和系统的技术积累。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 相控阵列天线 研发 硅基 基站 应用 IC 通信电路
24 GHz CMOS功率放大器芯片设计 预览 被引量:1
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作者 彭娜 谢蓉芳 +2 位作者 陈珂 吴风松 叶松 《无线电通信技术》 2017年第5期82-85,共4页
24 GHz频段在车载雷达和无人机方面应用广泛,但面临着提高集成度、降低成本的挑战,而CMOS毫米波芯片因其成本低和易于系统集成的优点,在毫米波通信系统的应用中占据着越来越重要的地位。因此提出一种基于CMOS工艺的24 GHz功率放大器芯... 24 GHz频段在车载雷达和无人机方面应用广泛,但面临着提高集成度、降低成本的挑战,而CMOS毫米波芯片因其成本低和易于系统集成的优点,在毫米波通信系统的应用中占据着越来越重要的地位。因此提出一种基于CMOS工艺的24 GHz功率放大器芯片的设计方法,包括24 GHz功放芯片的应用,以及有源器件的版图对其特征的影响及设计,给出了CMOS毫米波无源器件的特征及建模设计,最后对无源与有源器件进行了联合仿真,得到一个PAE为17%、Pout为10.7 d Bm的单级24 GHz功率放大器芯片。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 功率放大器 CMOS 雷达
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毫米波化合物半导体材料研究进展 预览 被引量:1
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作者 时翔 张超 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第12期12-16,共5页
毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目... 毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 化合物半导体 综述 砷化镓 磷化铟 氮化镓
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An 88 nm gate-length In05s3Ga0.47As/Ino.s2Al0.48As InP-based HEMT with fmax of 201 GHz
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作者 Zhong Yinghui Wang Xiantai +4 位作者 SuYongbo Cao Yuxiong Jin Zhi Zhang Yuming Liu Xinyu 《半导体学报》 EI CAS CSCD 2012年第7期39-42,共4页
关键词 HEMT器件 INP基 GHZ 栅极 长度 纳米 高电子迁移率晶体管 毫米波集成电路
Design and manufacture of planar GaAs Gunn diode for millimeter wave application
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作者 黄杰 杨浩 +3 位作者 田超 董军荣 张海英 郭天义 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2010年第12期451-455,共5页
GaAs-based planar Gunn diodes with AlGaAs hot electron injector have been successfully developed to be used as a local oscillator of 76 GHz in monolithic millimeter-wave integrated circuits.We designed two kinds of st... GaAs-based planar Gunn diodes with AlGaAs hot electron injector have been successfully developed to be used as a local oscillator of 76 GHz in monolithic millimeter-wave integrated circuits.We designed two kinds of structure diode,one has a fixed distance between the anode and cathode,but has variational cathode area,the other has a fixed cathode area,but has different distances between two electrodes.The fabrication of Gunn diode is performed in accordance with the order of operations:cathode defining,mesa etching,anode defining,isolation,passivation,via hole and electroplating.A peak current density of 29.5 kA/cm 2 is obtained.And the characteristics of negative differential resistance and the asymmetry of the current-voltage curve due to the AlGaAs hot electron injector are discussed in detail.It is demonstrated that the smaller size of active area corresponds to the smaller current,and the shorter distance between anode and cathode also corresponds to the lower threshold voltage and higher peak current,and hot electron injector can effectively enhance the radio frequency conversion efficiency and output power. 展开更多
关键词 毫米波集成电路 耿氏二极管 平面设计 制造 砷化镓 热电子注入 应用 电流密度
单片毫米波CMOS集成电路技术发展动态 预览
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作者 彭洋洋 吴文光 +1 位作者 王肖莹 隋文泉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期 689-695,共7页
论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点。同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电... 论述了深亚微米下CMOS集成电路在毫米波应用中的潜力,分析了单片毫米波CMOS集成电路的特点。同时,根据已有研究成果,综述了CMOS工艺在毫米波应用中的关键问题,并且通过对现有研究成果及工艺发展的分析,讨论了单片毫米波CMOS集成电路的发展趋势。 展开更多
关键词 CMOS 毫米波 毫米波集成电路 通信
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Ka波段单平衡混频器的集成设计 预览
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作者 王亮 费元春 +1 位作者 张斌 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期,共4页
结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本振频率为32GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于... 结合0.25μm PHEMT工艺线提供的模型,采用Agilent ADS软件设计了Ka波段单平衡混频器,并且在南京电子器件研究所的GaAs工艺线进行了流片生产。经测量,当射频频率为34.1GHz,本振频率为32GHz时,射频和本振端口的驻波比皆小于2,变频损耗小于8dB,噪声系数小于11.5dB,最终给出芯片照片及尺寸:2665μm×1770μm×100μm。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 朗格耦合器 单平衡结构 仿真
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毫米波雷达的应用及发展 预览 被引量:6
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作者 同武勤 凌永顺 +1 位作者 蒋金水 张鑫 《光电技术应用》 2004年第4期 51-54,共4页
随着毫米波技术的应用,毫米波频率的雷达也得到了更深的研究和发展.毫米波雷达具有导引精度高、抗干扰能力强、多普勒分辨率高、等离子体穿透能力强等特点;因此其广泛的用于末制导、引信、工业、医疗等方面.评述了毫米波雷达的优缺点,... 随着毫米波技术的应用,毫米波频率的雷达也得到了更深的研究和发展.毫米波雷达具有导引精度高、抗干扰能力强、多普勒分辨率高、等离子体穿透能力强等特点;因此其广泛的用于末制导、引信、工业、医疗等方面.评述了毫米波雷达的优缺点,以及它的应用,详细阐述了军用毫米波雷达发展的新技术和新方法. 展开更多
关键词 毫米波 毫米波雷达 毫米波集成电路 毫米波雷达应用
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MMIC的微带线中瞬态信号失真的联合时频分析 预览 被引量:2
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作者 孙树风 傅君眉 《电波科学学报》 EI CSCD 2004年第1期 103-108,共6页
用联合时频分析的方法对微带线中传输的瞬态信号的失真进行了分析,在时频二维平面上得到了信号波形的畸变、色散、功率谱的分布,克服了传统分析方法中时域与频域相分离的缺点.应用FDTD计算出皮秒高斯脉冲在MMIC的三种典型微带结构中传... 用联合时频分析的方法对微带线中传输的瞬态信号的失真进行了分析,在时频二维平面上得到了信号波形的畸变、色散、功率谱的分布,克服了传统分析方法中时域与频域相分离的缺点.应用FDTD计算出皮秒高斯脉冲在MMIC的三种典型微带结构中传输一段距离后的波形,利用Wigner-Ville分布对其进行分析,结果更清晰的显示了三种微带结构对瞬态信号传播特性的差别. 展开更多
关键词 MMIC 微带线 瞬态信号失真 联合时频分析 FDTD 毫米波集成电路 信号波形
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毫米波固态器件及模块技术进展 预览 被引量:2
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作者 李祖华 王霄 +2 位作者 陈辰 林罡 戴新峰 《真空电子技术》 2003年第6期 1-7,共7页
毫米波固态器件及模块技术由于其体积小、重量轻、可靠性高等优势,已在毫米波技术领域逐步占据了重要地位,本文重点介绍了从雪崩管、耿氏管、隧道管等两端器件到三端器件MESFET,再到新型器件,如PHEMT,HBT等的发展历程,以及毫米波集成电... 毫米波固态器件及模块技术由于其体积小、重量轻、可靠性高等优势,已在毫米波技术领域逐步占据了重要地位,本文重点介绍了从雪崩管、耿氏管、隧道管等两端器件到三端器件MESFET,再到新型器件,如PHEMT,HBT等的发展历程,以及毫米波集成电路技术和毫米波模块电路技术的进展情况. 展开更多
关键词 毫米波固态器件 毫米波集成电路 毫米波模块电路
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军用毫米波雷达近况 预览
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作者 章卫民 《导航与雷达动态》 2003年第5期 8-11,共4页
关键词 毫米波雷达 发射机 快波器件 螺旋形行波管 高效固态组件 脉冲合 毫米波集成电路
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平面带隙结构在微波和毫米波集成电路中的应用 预览
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作者 张文梅 李小卫 +1 位作者 毛军发 孙晓玮 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期 12-17,44,共7页
介绍了平面带隙结构在微波集成电路应用方面的最新进展.光子带隙(PBG)结构是具有带阻特性的周期结构,最初应用于光学领域,后来扩展到其他领域.目前从可见光到红外都有研究,在微波和毫米波频段也有应用.PBG结构可以采用金属、介质、铁磁... 介绍了平面带隙结构在微波集成电路应用方面的最新进展.光子带隙(PBG)结构是具有带阻特性的周期结构,最初应用于光学领域,后来扩展到其他领域.目前从可见光到红外都有研究,在微波和毫米波频段也有应用.PBG结构可以采用金属、介质、铁磁或铁电物质植入衬底材料,或者直接由各种材料周期性排列而成.目前国内外所提出的光子带隙结构多种多样,一维和二维的平面带隙结构由于易于实现且便于集成,因而在微波毫米波集成电路中得到了广泛的应用. 展开更多
关键词 平面光子带隙结构 微波集成电路 毫米波集成电路 周期性 PBG
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微波集成电路、毫米波集成电路
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《电子科技文摘》 2000年第5期32-33,共2页
【正】 Y2000-62085-229 0007558集成了微加工滤波器和倒装有源器件的 K 波段接收机前端集成电路=K-band receive front-end IC integrat-ing micromachined filter and flip-chip assemble active de-vices[会,英]//1999 IEEE MTT-S I... 【正】 Y2000-62085-229 0007558集成了微加工滤波器和倒装有源器件的 K 波段接收机前端集成电路=K-band receive front-end IC integrat-ing micromachined filter and flip-chip assemble active de-vices[会,英]//1999 IEEE MTT-S International Mi-crowave Symposium,Vol.1.—229~232(U)现已开发出一种在硅衬底上集成了微加工低损耗滤波器和倒装片有源器件的新型三维 K 波段接收机前端集成电路。在滤波器中引入了可转微带线和新型 展开更多
关键词 微波集成电路 毫米波集成电路 低损耗滤波器 微加工 接收机前端 毫米波单片集成电路 有源器件 倒装片 微带线 硅衬底
微波集成电路、毫米波集成电路
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《电子科技文摘》 2000年第11期28-29,共2页
【正】 Y2000-62351-103 0018175毫米波电路与前端设备=Session F:millimeter wavecircuits and front-end devices[会,英]//1999 IEEE GaAsIC Symposium.—103~120(PC)本部分收入3篇论文。题名为:日本的毫米波单片 GaAs 集成电路互... 【正】 Y2000-62351-103 0018175毫米波电路与前端设备=Session F:millimeter wavecircuits and front-end devices[会,英]//1999 IEEE GaAsIC Symposium.—103~120(PC)本部分收入3篇论文。题名为:日本的毫米波单片 GaAs 集成电路互连与封装技术发展趋势,40GHz多点视频分配系统(MVDS)收发两用机副载波终端用的高度集成毫米波集成电路(MMIC)芯片集,以 In-GaAs/InAlAs/InP 高电子迁移率晶体管(HEMT)二极 展开更多
关键词 毫米波集成电路 高电子迁移率晶体管 毫米波电路 技术发展趋势 收发两用机 视频分配系统 高度 电路互连 前端设备 单片微波集成电路
半导体集成电路、单片和多片集成电路
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《电子科技文摘》 2000年第3期25-26,共2页
【正】 Y90-62020-121 0003787PCS CDMA 用的低静止电流效率为40%的三级高电子迁移率晶体管功率放大器毫米波集成电路=A lowquiescent current,40% efficiency three-stage PHEMTpower amplifier MMIC for PCS CDMA application[会,英]... 【正】 Y90-62020-121 0003787PCS CDMA 用的低静止电流效率为40%的三级高电子迁移率晶体管功率放大器毫米波集成电路=A lowquiescent current,40% efficiency three-stage PHEMTpower amplifier MMIC for PCS CDMA application[会,英]/Waug,X.W.& Cao,J.//1999 IEEE radiofre-quency integrated circuits symposium.—121~124(UC)Y90-62020-127 0003788具有低损耗芯片匹配网络的 Ku 波段硅 MOSFET 单片放大器=Ku-band Si MOSFET monolithic amplifierswith low-loss on-chip matching networks[会,英]/Yano,H.& Nakahara,Y.//1999 IEEE radiofrequency inte-grated circuits symposium.—127~130(UC) 展开更多
关键词 多片集成电路 半导体集成电路 高电子迁移率晶体管 功率放大器 电流效率 毫米波集成电路 匹配网络 低损耗 单片 视频芯片
微波集成电路、毫米波集成电路
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《电子科技文摘》 2000年第3期26-27,共2页
【正】 Y90-62020 00037971999年 IEEE 射频集成电路会议录=1999 IEEE ra-diofrequency integrated circuits symposium[会,英]/
关键词 毫米波集成电路 微波集成电路基片 射频集成电路 收录论文 会议录 复介电常数 收发两用机 混合信号处理 射频系统 射频技术
微波集成电路、毫米波集成电路
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《电子科技文摘》 2000年第1期37-38,共2页
【正】 Y99-61525-15 0000403共平面毫米波集成电路(MMIC)(含5篇文章)=Ses-sionⅡ:coplanar MM-wave MMICs[会,英]//1998IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Sympo-sium.—15~36(AZ)小型共平面毫米波集成电路(MMIC)是大容量低... 【正】 Y99-61525-15 0000403共平面毫米波集成电路(MMIC)(含5篇文章)=Ses-sionⅡ:coplanar MM-wave MMICs[会,英]//1998IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Sympo-sium.—15~36(AZ)小型共平面毫米波集成电路(MMIC)是大容量低成本毫米波应用中不可缺少的。共平面介质模型正走向成熟,共平面 MMIC 正产生现代水平的高性能。在逐步地制造着共平面配置中采用新型无源结构的 Si/SiGe MMIC。本部分主要介绍共平面技术在从 K 波段到 W 波段的各种单个用和重要标准部件上的应用。倒装焊封装的 W 波段共平面 MMIC 可能是未来的自动 MMIC。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 共平面 异质结双极晶体管 倒装焊 平面配置 平面技术 介质模型 微波集成电路 标准部件
半导体二极管
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《电子科技文摘》 2000年第8期26-27,共2页
【正】 Y2000-62067-228 0012674采用0.8μm BiCMOS 技术的硅发光二极管光谱特性=Spectral characteristics of Si light emitting diodes in a0.8μm BiCMOS technology[会,英]/Plessis,M.du &Aharoni,H.//1998 IEEE Internationa... 【正】 Y2000-62067-228 0012674采用0.8μm BiCMOS 技术的硅发光二极管光谱特性=Spectral characteristics of Si light emitting diodes in a0.8μm BiCMOS technology[会,英]/Plessis,M.du &Aharoni,H.//1998 IEEE International Conference onOptoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—228~231(EC) 展开更多
关键词 半导体二极管 光谱特性 二极管特性 发光二极管阵列 硅发光 毫米波集成电路 谐振隧道二极管 生长技术 有机发光二极管 室温
印制电路与集成电路
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《电子科技文摘》 2000年第6期24-26,共3页
【正】 Y2000-62085-307 0009284利用电阻串联反馈电路的12/24GHz 双倍频毫米波集成电路=A 12/24GHz frequency doubler MMIC usingresistive series feedback circuit[会,英]/Shizuki,Y.&Fuchida,Y.//1999 IEEE MTT-S Internation... 【正】 Y2000-62085-307 0009284利用电阻串联反馈电路的12/24GHz 双倍频毫米波集成电路=A 12/24GHz frequency doubler MMIC usingresistive series feedback circuit[会,英]/Shizuki,Y.&Fuchida,Y.//1999 IEEE MTT-S International Mi-crowave Symposium,Vol.1.—307~310(UC) 展开更多
关键词 毫米波集成电路 印制电路 反馈电路 电阻串联 双倍频 光接收机 低电压 衬底噪声 低功率 梯度估计
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