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分子束外延用碲锌镉(211)B衬底湿化学预处理技术研究 预览
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作者 吴亮亮 王丛 +3 位作者 高达 王经纬 刘铭 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期571-576,共6页
主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0nm),但表面RHEED衍射图样无任何... 主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0nm),但表面RHEED衍射图样无任何衍射点或者条纹;采用0.05%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底时,即使腐蚀极短的时间,衬底表面粗糙度也达到2.0nm以上,且表面存在高密度的柱状物,衬底表面RHEED图样呈圆点状或条纹较粗且存在亮点;采用0.01%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底,表面粗糙度可控制在1.0nm左右,同时RHEED图样为特征的CZT(211)B晶面短条纹衍射图样,条纹清晰,同时多片衬底重复实验结果一致。同时在其上分子束外延的未优化的中波碲镉汞材料半峰宽为(49.1±5.9)arcsec,组分为0.3083±0.0003,厚度为6.54±0.019μm。 展开更多
关键词 溴甲醇 表面粗糙度 反射式高能电子衍射
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长波碲镉汞薄膜外延用碲锌镉衬底筛选方法研究 预览
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作者 折伟林 周立庆 +5 位作者 刘铭 李乾 申晨 晋舜国 李达 师景霞 《红外》 CAS 2019年第4期12-17,共6页
主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲... 主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲镉汞薄膜的X射线形貌像和X射线衍射半峰宽进行测试评估,发现目前X射线形貌像和锌组分是影响LPE长波碲镉汞薄膜用碲锌镉衬底的重要参数。结果表明,锌组分处于4.2%~4.8%之间、形貌像衍射强度高且均匀性好是长波碲镉汞薄膜外延用衬底的理想选择。 展开更多
关键词 缺陷 半峰宽 位错密度
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红外光热吸收成像技术在碲锌镉材料检测中的应用 预览
3
作者 徐超 孙士文 +2 位作者 杨建荣 董敬涛 赵建华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期325-330,共6页
红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明... 红外光热吸收效应作为一种无损伤非接触的检测技术已经被广泛用于硅等半导体材料中的微缺陷表征分析.采用光热吸收技术对碲锌镉晶体中的缺陷进行扫描成像分析时发现了一种连续性的光貌相条纹并对这些条纹的形成机理进行了研究.研究表明碲锌镉晶体中的这种连续性条纹源自于光热测试系统中入射光的干涉这种干涉和入射光参数、测试样品的厚度、禁带宽度以及热导率等材料特性密切相关.最后实验通过优化红外光热吸收测量系统获得了碲锌镉材料中的微缺陷结构及其在样品深度方向的三维分布图像. 展开更多
关键词 红外 光热吸收
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碲锌镉室温核辐射探测器性能的研究 预览
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作者 郑伟 吴召平 《集成电路应用》 2019年第4期37-38,共2页
研究碲锌镉室温半导体晶体用于核辐射探测器的器件制备过程及其性能与工艺参数的相关性。在探测漏器电的流研,制提过高程探中测,器发性现能晶。体载的流表子面迁化移学率抛和光寿对命探的测乘器积特为性1.有0 E较-3大V的/c影m响2,,由它... 研究碲锌镉室温半导体晶体用于核辐射探测器的器件制备过程及其性能与工艺参数的相关性。在探测漏器电的流研,制提过高程探中测,器发性现能晶。体载的流表子面迁化移学率抛和光寿对命探的测乘器积特为性1.有0 E较-3大V的/c影m响2,,由它此能晶有体效制降备低的碲探锌测镉器探有测器效的地探测了Co-57 122 keV的能谱,满足核辐射探测器的应用要求。 展开更多
关键词 半导体晶体 核辐射探测
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碲锌镉晶片研抛加工表面层损伤的研究 预览
5
作者 张文斌 郭俊伟 葛劢翀 《电子工业专用设备》 2019年第5期26-28,47共4页
介绍了碲锌镉晶片背面研抛机的工艺过程和原理,研究了研抛工艺中砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速对晶片表面层损伤深度的影响。
关键词 研抛 表面层损伤
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一种CdZnTe探测器的制备电路系统设计与研究 预览
6
作者 莫毅 翟红云 谢彤 《电子器件》 CAS 北大核心 2019年第4期1002-1006,共5页
为了研究CdZnTe核聚变探测过程中输出信号的特点,基于CZT工作特性及S-K低通滤波器理论,对电荷灵敏前置放大器电路进行仿真计算,搭建试验平台进行两级S-K滤波测试,得到核聚变信号滤波整形结果。试验结果表明电荷灵敏前置放大器仿真过程... 为了研究CdZnTe核聚变探测过程中输出信号的特点,基于CZT工作特性及S-K低通滤波器理论,对电荷灵敏前置放大器电路进行仿真计算,搭建试验平台进行两级S-K滤波测试,得到核聚变信号滤波整形结果。试验结果表明电荷灵敏前置放大器仿真过程精度较高,两级S-K滤波器的滤波效果较好,具有高增益以及高信噪比优势,能够满足核聚变过程中探测能谱的高分辨率要求。 展开更多
关键词 核聚变 电荷灵敏前置放大器 滤波整形
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碲锌镉探测器中子探测性能研究 预览
7
作者 范磊 左亮周 +2 位作者 陈祥磊 王杰 周宇琳 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2019年第4期463-467,共5页
研究了基于碲锌镉可以吸收其与中子的113Cd(n,γ)反应产生的瞬发γ,采用241Am-Be源进行中子探测实验,结果表明碲锌镉探测器对中子有较好的响应,能量分辨率较高;通过探测带电粒子间接探测中子,即在碲锌镉晶体表面涂硼,基于硼与中子反应... 研究了基于碲锌镉可以吸收其与中子的113Cd(n,γ)反应产生的瞬发γ,采用241Am-Be源进行中子探测实验,结果表明碲锌镉探测器对中子有较好的响应,能量分辨率较高;通过探测带电粒子间接探测中子,即在碲锌镉晶体表面涂硼,基于硼与中子反应产生的α和7Li在碲锌镉中电离进行探测。采用MCNPX及Geant4两种软件模拟硼层厚度及CZT厚度对中子探测效率的影响,设置适当的甄别阈以降低γ射线的影响。模拟结果表明:当硼层厚度为2.7μm,碲锌镉厚度为1.6μm时可达到最大探测效率。对两种探测方法进行了对比研究,证明了碲锌镉应用于中子探测的可行性。 展开更多
关键词 中子探测器 MCNPX GEANT4
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温度对碲锌镉光子计数探测器计数性能的影响及机理研究 预览
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作者 李颖锐 吴森 +4 位作者 郭玉 席守智 符旭 查钢强 介万奇 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第10期240-245,共6页
基于线阵光子计数探测器模块,实现了碲锌镉探测器的光子计数应用。研究了大剂量X射线下碲锌镉探测器的计数性能,发现碲锌镉光子计数探测器根据其典型计数性能可分为两类:C1,C2。分析了这两类典型的光子计数探测器的计数性能与X射线能谱... 基于线阵光子计数探测器模块,实现了碲锌镉探测器的光子计数应用。研究了大剂量X射线下碲锌镉探测器的计数性能,发现碲锌镉光子计数探测器根据其典型计数性能可分为两类:C1,C2。分析了这两类典型的光子计数探测器的计数性能与X射线能谱响应特性、前放脉冲信号上升时间以及碲锌镉探测器缺陷水平的内在联系,在此基础上研究了温度对C2类碲锌镉光子计数探测器计数性能的影响规律,升高温度可以抑制探测器的极化失效,提高计数率,且当温度升高至33℃时,探测器计数性能可得到显著改善。最后利用线阵光子计数探测器模块,获得了不同温度下C2类碲锌镉光子计数探测器的多能区成像结果,升高温度可以显著增加其图像衬度,提高成像质量。该研究为通过控制外部条件提高碲锌镉光子计数探测器性能提供了有效手段。 展开更多
关键词 光子计数 极化效应 温度 多能区成像
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碲锌镉光子计数探测器的制备及性能的研究 预览
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作者 郑伟 吴召平 《集成电路应用》 2019年第3期27-29,共3页
研究移动加热器法THM生长的碲锌镉室温半导体用于光子计数探测器的可行性。它要求探测器具有较低的漏电流、较高的光子计数率。在探测器的研制过程中,发现晶体退火能在原有探测器特性的基础上能进一步提高碲锌镉探测器的性能,使探测器... 研究移动加热器法THM生长的碲锌镉室温半导体用于光子计数探测器的可行性。它要求探测器具有较低的漏电流、较高的光子计数率。在探测器的研制过程中,发现晶体退火能在原有探测器特性的基础上能进一步提高碲锌镉探测器的性能,使探测器达到漏电流能小于0.1nA,光子计数率达到1.5Mc/s,可应用于光子计数及能谱CT等应用场合。 展开更多
关键词 光子计数 探测器 化合物半导体
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CdZnTe中富碲沉积相缺陷引起的液相外延HgCdTe薄膜表面缺陷 预览
10
作者 张阳 吴军 +2 位作者 木胜 左大凡 李东升 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期728-733,共6页
为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹... 为了研究液相外延碲镉汞薄膜表面缺陷形成机制,采用光刻工艺结合化学腐蚀方法在碲锌镉衬底表面实现了网格化,研究了碲锌镉近表面富碲沉积相与外延薄膜表面缺陷的关系.结果表明:衬底近表面富碲沉积相会导致碲镉汞薄膜表面孔洞、类针形凹陷坑缺陷以及三角形凹陷坑聚集区;在液相外延过程中,高温碲镉汞熔液与CdZnTe衬底间的回熔作用可以减少与富碲沉积相相关的表面缺陷,薄膜表面缺陷与衬底表面富碲沉积相的匹配度与回熔深度负相关;回熔过程以及富碲沉积相形态、深度影响HgCdTe薄膜表面缺陷形态和分布. 展开更多
关键词 沉积相 液相外延 表面缺陷
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碲锌镉衬底上中长双色红外碲镉汞分子束外延生长研究 预览 被引量:1
11
作者 杨春章 覃钢 +2 位作者 李艳辉 李达 孔金丞 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第1期1-5,共5页
报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度... 报道了使用分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术,在(211)B碲镉汞(CdZnTe,CZT)衬底上生长中长波双色碲镉汞(HgCdTe,MCT)薄膜材料,生长温度为180℃,研究了双色碲镉汞薄膜材料衬底脱氧技术、分子束外延薄膜生长温度与缓冲层生长等关键技术,实现了中长波双色碲镉汞薄膜生长,外延薄膜采用相差显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、二次离子质谱仪(SIMS)及X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面缺陷、厚度、组分及其均匀性、薄膜纵向组分以及晶体质量进行了表征,表面缺陷数量低于600 cm-2,组分(300 K测试)和厚度均匀性分别为x≤0.001、d≤0.9m,X-Ray双晶衍射摇摆曲线FWHM=65 arcsec,得到了质量较高的中长波双色碲镉汞薄膜材料。 展开更多
关键词 中长波双色 分子束外延
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碲锌镉衬底晶向对碲镉汞薄膜表面形貌的影响 预览
12
作者 杨海燕 周晓珺 +1 位作者 侯晓敏 何越阳 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第11期1391-1394,共4页
利用定向仪对啄生晶片及加工后的碲锌镉衬底的晶向进行比较,观察不同晶向衬底液相外延碲镉汞薄膜的表面形貌,考察了衬底晶向偏差对液相外延碲镉汞薄膜表面形貌的影响。通过进一步的追踪碲锌镉衬底在加工过程中的晶向变化,研究衬底晶... 利用定向仪对啄生晶片及加工后的碲锌镉衬底的晶向进行比较,观察不同晶向衬底液相外延碲镉汞薄膜的表面形貌,考察了衬底晶向偏差对液相外延碲镉汞薄膜表面形貌的影响。通过进一步的追踪碲锌镉衬底在加工过程中的晶向变化,研究衬底晶向变化的啄因和解决方法。研究发现,碲锌镉晶体在初次定向切割后的加工过程中晶向会发生明显变化,而在厚度减薄较大的粗磨工艺后不会发生较大晶向偏差,因此,可将粗磨后衬底的再次定向结果作为进一步筛选碲锌镉衬底的依据,以保证液相外延碲镉汞薄膜的喷量。 展开更多
关键词 晶向偏差 定向
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从薄膜太阳能碲锌镉废料中回收碲的研究 预览
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作者 殷亮 朱刘 《广东化工》 CAS 2018年第5期63-64,共2页
碲锌镉靶材生产与使用过程中会产生大量的废料,采用氧化浸出的方法,使碲锌镉靶材中的锌和镉浸出进入溶液中,碲以单质的形式留在浸出渣中,碲的回收率达到95%,碲的纯度也达到99%以上,并且流程简单,全湿法回收,对环境无危害。
关键词 浸出 回收 氧化浸出
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叠层碲锌镉探测器制备及γ能谱特性测试 预览 被引量:1
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作者 席发元 宋凤军 《强激光与粒子束》 CSCD 北大核心 2018年第3期157-161,共5页
实验制备了单层和叠层(双层)碲锌镉探测器,并利用241Am@59.54keV和57Co@122keVγ射线源测试了其γ能谱特性。相比单层探测器,对于较高能量的57Co@122keVγ射线,叠层碲锌镉探测器表现出较高的探测效率和光峰值效率,较好地改善了康普顿连... 实验制备了单层和叠层(双层)碲锌镉探测器,并利用241Am@59.54keV和57Co@122keVγ射线源测试了其γ能谱特性。相比单层探测器,对于较高能量的57Co@122keVγ射线,叠层碲锌镉探测器表现出较高的探测效率和光峰值效率,较好地改善了康普顿连续统一体,表现出与整块等厚度碲锌镉探测器类似的性能;但光生载流子收集效率变差,能谱峰位向低道区偏移;能量分辨率未得到改善。实验初步表明,通过叠加方法制备叠层碲锌镉探测器是可行的,并可推断制备更大厚度的叠层探测器将有利于中高能γ射线能谱测量。 展开更多
关键词 叠层 探测器 制备 测试
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CdZnTe晶体热激电流谱分析 预览
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作者 符旭 王方宝 +2 位作者 徐凌燕 徐亚东 介万奇 《光谱学与光谱分析》 CSCD 北大核心 2018年第2期340-345,共6页
热激电流谱测试技术(TSC)是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度(E_(a,i)),浓度(N_i)以及俘获截面(σ_i)等重要物理信息。研究了基于变升温速率的Arrhenius公式作图法和同步多峰分析法(SIMP... 热激电流谱测试技术(TSC)是宽禁带半导体深能级缺陷非常有效的测试方法,能够精准获得缺陷类型,深度(E_(a,i)),浓度(N_i)以及俘获截面(σ_i)等重要物理信息。研究了基于变升温速率的Arrhenius公式作图法和同步多峰分析法(SIMPA)对热激电流谱数据处理的差异及影响规律。结果表明,Arrhenius公式作图法在陷阱能级深度确认方面较为准确,但需要通过多次变升温速率提高其准确性,实验操作周期较长,并且无法分解热激电流谱峰重叠的情况。相比之下,同步多峰分析法能够通过单次温度扫描的数据处理得到E_(a,i),N_i及σ_i等陷阱参数,所需实验周期较短。但β,E_(a,i),σ_i和载流子迁移率寿命积(μt)等参数的选择对谱峰的位置,幅值及峰宽影响较大。初值的设定对拟合结果和数据吻合程度影响显著。此外,红外透过成像结果表明,头部样品Te夹杂相的浓度较低且呈现明显的带状分布,而尾部样品夹杂相浓度呈均匀分布。通过对比不同样品的热激电流谱测试结果发现,尾部样品浅能级陷阱浓度远高于头部样品,且其低温光电导弛豫过程呈现明显的曲线变化规律。这一研究结果表明,Te夹杂相的分布及浓度可能会导致晶体内部浅能级缺陷的浓度变化,并且浅能级缺陷对光激发载流子的俘获时间更长,去俘获时间更短。 展开更多
关键词 深能级缺陷 热激电流谱 Arrhenius方法 SIMPA方法
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碲锌镉晶体表面磨抛方法研究 预览
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作者 程雨 李春领 肖钰 《红外》 CAS 2018年第11期11-16,共6页
碲锌镉是一种性能优异的 Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体材料。随锌含量不同 ,其禁带宽度可连续调节 ,是用于制备红外探测器的碲镉汞材料的优良衬底。介绍了多种碲锌镉晶体的磨抛方法 ,包括手工研磨 、机械抛光 、化学抛光和机械化学抛光。借... 碲锌镉是一种性能优异的 Ⅱ-Ⅵ 族化合物半导体材料。随锌含量不同 ,其禁带宽度可连续调节 ,是用于制备红外探测器的碲镉汞材料的优良衬底。介绍了多种碲锌镉晶体的磨抛方法 ,包括手工研磨 、机械抛光 、化学抛光和机械化学抛光。借助多种表征技术和改良手段 ,碲锌镉晶体的表面加工取得了显著 进步。 展开更多
关键词 磨抛 机械化学抛光 精密加工
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碲锌镉心脏专用SPECT一日法快速成像可行性初步研究 预览
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作者 薛冰冰 李剑明 《医疗卫生装备》 CAS 2018年第12期52-56,共5页
目的:探讨一日法碲锌镉(cadmium zinc telluride,CZT)心脏专用SPECT(NM530c)早期快速心肌灌注显像(myocardial perfusion imaging,MPI)的可行性,以期缩短显像等待时间。方法:连续收集2018年4月1—30日行一日法静息/运动负荷门控心肌灌... 目的:探讨一日法碲锌镉(cadmium zinc telluride,CZT)心脏专用SPECT(NM530c)早期快速心肌灌注显像(myocardial perfusion imaging,MPI)的可行性,以期缩短显像等待时间。方法:连续收集2018年4月1—30日行一日法静息/运动负荷门控心肌灌注显像(gated myocardial perfusion imaging,G-MPI)的患者,静息、负荷显像均于注射显像剂15 min内行早期显像(early imaging,EI)、至少30 min后行延迟显像(late imaging,LI),对EI和LI 2种图像质量、心肌灌注及心功能参数进行统计学对比分析。结果:共收集30例患者(男11例、女19例),静息显像EI、LI分别有26例(86%)、29例(97%)的图像质量为好或优秀(两者比较P>0.05),负荷显像EI、LI均有29例(97%)图像质量为好或优秀(两者比较P>0.05)。静息、负荷EI与LI心肌灌注及心功能参数均无统计学差异(P>0.05),并且具有强相关性及良好的一致性。结论:一日法CZT SPECT MPI早期快速成像方便可行且不影响图像诊断,具有较好的临床实用性和可行性。 展开更多
关键词 单光子发射型计算机断层成像 心肌灌注显像 早期显像 延迟显像
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碲锌镉晶片的超精密飞切减薄工艺研究 预览
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作者 石广丰 史国权 +1 位作者 蔡洪彬 肖建国 《制造业自动化》 CSCD 2018年第4期11-13,26共4页
运用晶体材料的脆塑转变理论,建立了碲锌镉晶体材料生长晶面(111)面上的脆塑转变临界切削深度模型。然后通过碲锌镉典型样件(111)晶面的超精密飞切铣削实验进行了弧形槽结构的检测和分析,获得了碲锌镉晶体材料(111)晶面的脆塑转变临界... 运用晶体材料的脆塑转变理论,建立了碲锌镉晶体材料生长晶面(111)面上的脆塑转变临界切削深度模型。然后通过碲锌镉典型样件(111)晶面的超精密飞切铣削实验进行了弧形槽结构的检测和分析,获得了碲锌镉晶体材料(111)晶面的脆塑转变临界切削深度数值。并确定了切削单晶碲锌镉材料时的最佳飞切晶向,实现了飞切方向和最小切削厚度值的匹配。最后通过组合夹具的使用,进行了超精密飞切减薄试验,实现了一整套晶体材料的超精密飞切减薄加工工艺。 展开更多
关键词 超精密飞切 减薄 各向异性 脆塑转变
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CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质 预览
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作者 谢经辉 刘雨从 +7 位作者 王超 殷子薇 陈嘉栋 邓惠勇 沈悦 王林军 张建国 戴宁 《无机材料学报》 CSCD 北大核心 2018年第3期273-278,共6页
为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆... 为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密,接触势垒的高度较低,电极欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极的欧姆接触特性,100℃退火后,化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915,势垒高度由0.492降低至0.487 e V。交流阻抗谱分析表明,化学沉积法制备电极具有最低的接触势垒,这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关。 展开更多
关键词 Au薄膜制备 欧姆接触 交流阻抗谱
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不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析 预览 被引量:1
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作者 吴亮亮 王经纬 +3 位作者 高达 王丛 刘铭 周立庆 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第10期1268-1273,共6页
主要分析了不同澳甲醇(澳体积比为0.05%)蒋蚀时间对CZT(211)B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽(FWHM)的影响。研究发现即使使用澳体积比0.05%的澳甲醇溶液蒋蚀5S,衬底表面粗糙度都会由0.5n... 主要分析了不同澳甲醇(澳体积比为0.05%)蒋蚀时间对CZT(211)B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽(FWHM)的影响。研究发现即使使用澳体积比0.05%的澳甲醇溶液蒋蚀5S,衬底表面粗糙度都会由0.5nm增加至1.5nm以上。随着蒋蚀时间的增加CZT(211)B衬底总厚度偏差逐渐增加。使用澳甲醇作为抛光液的两个样品的Zn值明显低于使用氨水作为抛光液的样品,同时该两样品的X射线衍射半峰宽和红外透过率随蒋蚀时问的变化趋势一致,怛不同于使用氨水作为抛光液的样品,说明不同的抛光液影响CZT(211)B衬底表面Zn值以及表面损伤层等表面状态。 展开更多
关键词 澳甲醇 表面粗糙度 总厚度偏差
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