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大学分析化学实验:磷化铟荧光纳米探针检测镉离子含量
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作者 张颖 许海 +3 位作者 刘松艳 李政 张雷 解仁国 《化学教育(中英文)》 CAS 北大核心 2019年第16期39-43,共5页
利用磷化铟(InP)纳米探针遇镉离子发射绿色荧光的原理,将磷化铟有机溶液直接加入到待测的样品中,根据有无荧光产生即可判断样品中是否含有镉离子,并可借助荧光分光光度计定量检测镉离子的含量。本实验提供了一种可在水相和有机相中定性... 利用磷化铟(InP)纳米探针遇镉离子发射绿色荧光的原理,将磷化铟有机溶液直接加入到待测的样品中,根据有无荧光产生即可判断样品中是否含有镉离子,并可借助荧光分光光度计定量检测镉离子的含量。本实验提供了一种可在水相和有机相中定性和定量检测镉离子的方法,具有操作简便、应用广泛、灵敏度高、选择性强等特点。通过本实验,使学生能够了解纳米探针这一前沿科学技术的实际应用,激发学生对科学研究的兴趣,培养学生的动手操作能力和善于思考的科学精神。 展开更多
关键词 磷化铟 纳米探针 镉离子含量 分光光度计 分析化学实验
基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器
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作者 李晓鹏 王志功 +4 位作者 张有涛 张敏 程伟 张翼 陈新宇 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期97-101,共5页
介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。 展开更多
关键词 全加器 双异质结双极型晶体管 磷化铟 超高速电路 电流模逻辑
基于InP DHBT工艺集成高速同步功能的13 GS/s单比特ADC
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作者 李晓鹏 王志功 +2 位作者 张翼 张有涛 张敏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期29-33,共5页
实现了一款集成同步电路的超高速超宽带单比特模数转换器(ADC),芯片采用锁存型高灵敏度比较器实现单比特量化,采用数字鉴相方法实现多芯片时钟自同步,集成1∶8数据分接器以降低输出端口数据速率,极大地方便了系统应用。该芯片采用0.7μm... 实现了一款集成同步电路的超高速超宽带单比特模数转换器(ADC),芯片采用锁存型高灵敏度比较器实现单比特量化,采用数字鉴相方法实现多芯片时钟自同步,集成1∶8数据分接器以降低输出端口数据速率,极大地方便了系统应用。该芯片采用0.7μm InP DHBT工艺实现,测试结果显示,芯片最高采样率达13 GS/s,模拟输入带宽大于18 GHz,输入灵敏度小于-25 dBm,功耗为1.4 W。该芯片解决国内缺乏单比特超宽带收发系统及单比特量化大规模天线系统中核心芯片的问题,与国外同类芯片相比,采用的自同步的同步电路,具有系统应用简单,可实现超高速采样时钟同步的特点,便于实现多通道同步采样。 展开更多
关键词 单比特量化 模数转换器 磷化铟 超宽带 同步电路
第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇 预览
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作者 陈秀芳 杨祥龙 +3 位作者 徐现刚 杨学林 魏同波 刘建利 《新材料产业》 2018年第1期43-46,共4页
宽禁带半导体——碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),是继第l代硅(si)、锗(Ge)和第2代砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等材料之后发展起来的第3代半导体材料。
关键词 半导体材料 第3代 通讯 宽禁带半导体 碳化硅 氮化镓 砷化镓 磷化铟
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磷化铟的化学机械抛光技术研究进展
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作者 孙世孔 路家斌 阎秋生 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第3期201-210,共10页
磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层... 磷化铟单晶作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于光电器件。衬底外延生长和电子器件制备要求磷化铟晶片表面具有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需对磷化铟晶片表面进行抛光加工,其表面质量决定了后续的外延层质量并最终影响磷化铟基器件的性能。综述了磷化铟晶体化学机械抛光(CMP)技术进展;介绍了磷化铟表面的化学反应原理、CMP去除机理;详细分析了磷化铟抛光液组分及pH值、抛光工艺参数(抛光压力、抛光盘转速、抛光垫特性、磨料种类、粒径及浓度)等对磷化铟抛光质量的影响;介绍了磷化铟抛光片的清洗工艺,并对磷化铟CMP的后续研究方向提出一些建议。 展开更多
关键词 磷化铟 化学机械抛光(CMP) 抛光机理 抛光液 加工工艺
太赫兹InP基InAlAs/InGaAs PHEMTs的研制 预览 被引量:1
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作者 王志明 黄辉 +6 位作者 胡志富 赵卓彬 崔玉兴 孙希国 李亮 付兴昌 吕昕 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第2期135-139,共5页
研制了一种T型栅长为90nm的InP基In0.52Al0.48 As/In0.65 Ga35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2x25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 mA/mm和1 640 mS/mm.采用LRM+(Li... 研制了一种T型栅长为90nm的InP基In0.52Al0.48 As/In0.65 Ga35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).该器件的总栅宽为2x25μm,展现了极好的DC直流和RF射频特性,其最大饱和电流密度和最大有效跨导分别为894 mA/mm和1 640 mS/mm.采用LRM+(Line-Reflect-Reflect-Match)校准方法实现系统在1~110 GHz全频段内一次性校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的误差,且测试数据的连续性较好.在国内完成了器件的1~110 GHz全频段在片测试,基于1~110 GHz在片测试的S参数外推获得的截止频率/t和最大振荡频率/_分别为252 GHz和394 GHz.与传统的测试到40 GHz外推相比,本文外推获得的/_更加准确.这些结果的获得是由于栅长的缩短,寄生效应的减小以及1~110 GHz全频段在片测试的实现.器件的欧姆接触电阻率减小为0.035Ω·mm. 展开更多
关键词 磷化铟 赝配高电子迁移率晶体管 INALAS/INGAAS 在片测试 单片集成电路
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高质量量子点的可控合成及其在LED照明中的应用研究 预览
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作者 张万路 郭睿倩 +1 位作者 周洁 吴祎鹏 《灯与照明》 2018年第4期1-4,共4页
量子点是一种空间三维尺寸都在1~100 nm以内的半导体纳米晶体,由于尺寸太小,受到量子限域效应等因素影响,具有一些独特优异的光学性质,如吸收光谱宽、发射光谱窄、发光效率高等,其中最突出的特点是光谱调谐方便,只需要改变材料的尺寸,... 量子点是一种空间三维尺寸都在1~100 nm以内的半导体纳米晶体,由于尺寸太小,受到量子限域效应等因素影响,具有一些独特优异的光学性质,如吸收光谱宽、发射光谱窄、发光效率高等,其中最突出的特点是光谱调谐方便,只需要改变材料的尺寸,就可实现发光光谱的调谐。但是,目前稳定高效的量子点大多含Cd元素等有毒物质,限制了其在照明领域内的使用。结合照明的需求,选取钙钛矿材料以及InP材料为主要研究对象,通过改进工艺,获得了高效稳定的量子点;对含Cd量子点的无毒化处理也进行了研究,通过合金掺杂及表面包覆等方式,成功制备低毒高效的量子点;对量子点在LED照明中的应用进行了研究,获得了高显指数高光效的白光光谱组装方案。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 钙钛矿 磷化铟 光谱组装
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Surface activation of colloidal indium phosphide nanocrystals
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作者 Yang Li Chaodan Pu Xiaogang Peng 《纳米研究:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期941-958,共18页
对在结晶化的一般智慧, InP 和 III-V 量点(QD ) 的成核经常统治他们的生长。InP QD 上的系统的研究为这识别了关键原因:在每 nanocrystal 附近的稠密、紧密的 alkanoate-ligand 壳。不同策略被探索启用必要 ligand dynamicsi.e,很... 对在结晶化的一般智慧, InP 和 III-V 量点(QD ) 的成核经常统治他们的生长。InP QD 上的系统的研究为这识别了关键原因:在每 nanocrystal 附近的稠密、紧密的 alkanoate-ligand 壳。不同策略被探索启用必要 ligand dynamicsi.e,很快在被结合到并且在热 agitationon nanocrystals 之上从 nanocrystal 分开了同时保留胶体的稳定性并且允许可估计的生长之间切换的 ligands。在测试的所有表面激活试剂之中, 2,4-diketones (例如 acetylacetone ) 作为先锋与铟 alkanoates 和 trimethylsilylphosphine 允许 InP QD 的完整的生长。当小时丰满的酸(例如醋酸) 部分活跃的、普通中立 ligands (例如丰满的胺, organophosphines,和磷化氢氧化物) 显示出的有限激活效果。存在 InP QD 的基于胺的合成被在 situ 形成的醋酸激活。有普通先锋的表面激活与在 ~ 之间的一座可区分的吸收山峰启用了 InP QD 的生长在温和温度的 450 和 650 nm (140-180 ' 展开更多
关键词 表面活化 纳米晶 磷化铟
面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺 预览
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作者 程伟 张有涛 +4 位作者 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2017年第2期167-172,共6页
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频... 报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平. 展开更多
关键词 磷化铟 异质结双极型晶体管 分频器
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基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术 被引量:1
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作者 郑秀 刘永 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第5期1-9,共9页
随着光网络通信容量的高速增长,将分立的光学器件集成化以减小器件尺寸、降低成本成为光电子器件发展的必然趋势。光子集成回路具有尺寸小、功耗低、质量轻等优点,是解决未来宽带光网络能耗大、体积大、容量小等问题的关键技术。综述... 随着光网络通信容量的高速增长,将分立的光学器件集成化以减小器件尺寸、降低成本成为光电子器件发展的必然趋势。光子集成回路具有尺寸小、功耗低、质量轻等优点,是解决未来宽带光网络能耗大、体积大、容量小等问题的关键技术。综述了基于多项目晶圆流片的规模化光子集成技术,主要包括硅基光子集成技术、Ⅲ-V族磷化铟集成技术,以及以氮化硅和二氧化硅多层波导结构为基础的TriPleX集成技术;介绍了目前可以提供这3种多项目晶圆流片光子集成技术的代工平台以及利用这些代工平台实现的一些光子集成芯片,并对这些平台的工艺参数进行了比较。 展开更多
关键词 集成光学 光子集成器件 多项目晶圆流片 光子集成回路 硅基光电子学 磷化铟
磷化铟微球的制备、表征及其性能 预览
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作者 刘淑玲 韩晓莉 +1 位作者 仝建波 朱红姣 《陕西科技大学学报》 2017年第3期95-100,共6页
以四水合氯化铟和白磷为主要原料,水和二乙烯三胺(DETA)为混合溶剂,通过溶剂热法制备出磷化铟(InP)纳米微球,并用X射线粉末衍射仪和X射线光电子能谱仪对产物的物相和表面元素组成进行了表征,同时用扫描电子显微镜和透射电子显微镜... 以四水合氯化铟和白磷为主要原料,水和二乙烯三胺(DETA)为混合溶剂,通过溶剂热法制备出磷化铟(InP)纳米微球,并用X射线粉末衍射仪和X射线光电子能谱仪对产物的物相和表面元素组成进行了表征,同时用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物的形貌和尺寸进行了表征.结果表明,所得到的产物为尺寸均一的直径为500nm左右的立方相InP实心微球.为了得到最佳的制备条件,我们还进行了一系列温度和时间的条件实验,最终确定最佳条件为180℃,16h.最后通过紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计对产物的光学性能进行了研究. 展开更多
关键词 磷化铟 溶剂热 荧光性能
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4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究 预览
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作者 赵有文 段满龙 +11 位作者 卢伟 杨俊 董志远 刘刚 高永亮 杨凤云 王风华 王俊 刘京明 谢辉 王应利 卢超 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期792-796,共5页
采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)In P单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2。对4 inch In P晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且... 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)In P单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2。对4 inch In P晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试,其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀。与液封直拉法(LEC)相比,VGF-In P单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加。然而大量晶体生长结果表明VGF-In P晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inch VGF-In P(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片。由于铁在In P中的分凝系数很小,掺Fe-In P单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长。通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁In P单晶成晶率。对VGF-In P单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究。 展开更多
关键词 磷化铟(In P) 垂直温度梯度凝固(VGF) 孪晶 组份过冷
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基于InP HBT的5 GS/s采样保持电路设计 预览
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作者 罗宁 张有涛 +1 位作者 李晓鹏 张敏 《电子与封装》 2017年第5期20-23,36共5页
基于0.7μm、ft=280 GHz的InP HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路。芯片面积1.5 mm×1.8 mm,总功耗小于2.1 W。仿真结果表明,电路可以在5 GS/s采样速率下正常工作。当采样速率分别为5 GS/s和1 GS/s时,在输入信号功率为... 基于0.7μm、ft=280 GHz的InP HBT工艺设计了一种双开关宽带超高速采样保持电路。芯片面积1.5 mm×1.8 mm,总功耗小于2.1 W。仿真结果表明,电路可以在5 GS/s采样速率下正常工作。当采样速率分别为5 GS/s和1 GS/s时,在输入信号功率为4 d Bm的情况下,采样带宽分别为16 GHz和20 GHz;在输入信号功率为4 d Bm且其频率小于5 GHz的情况下,电路的SFDR分别不低于43 d Bc和50 d Bc。 展开更多
关键词 采样保持电路 超高速 宽带 磷化铟 异质结双极晶体管
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磷化铟量子点合成的研究进展 预览
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作者 沈炜 唐海燕 邓正涛 《中国材料进展》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期95-102,共8页
综述了磷化铟量子点合成研究的最新进展。由于磷化铟量子点材料具有低毒性(不含铅镉等重金属有毒性元素),且具有优异的发光性质(如荧光发光峰在可见至近红外发光范围内可调,荧光量子产率高,稳定性好),在新型发光器件、显示器件、光... 综述了磷化铟量子点合成研究的最新进展。由于磷化铟量子点材料具有低毒性(不含铅镉等重金属有毒性元素),且具有优异的发光性质(如荧光发光峰在可见至近红外发光范围内可调,荧光量子产率高,稳定性好),在新型发光器件、显示器件、光检测器件和生物荧光成像中有广泛的应用前景。经过近三十年的发展,磷化铟量子点的合成研究取得了长足的进步,其光学性质已经可以和II-VI和IV-VI族量子点材料的性能参数相媲美。围绕如何开发和优化磷化铟量子点的合成策略,提高材料的光学性能这一主题进行介绍,分别从磷化铟量子点的体相成分、表面配体、核壳结构的调控及优化等方面进行了阐述。最后对磷化铟量子点材料的目前合成研究存在的问题和未来趋势进行展望。 展开更多
关键词 磷化铟 量子点 合成 成份调控 表面配体 核壳结构
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把握第3代半导体产业历史机遇,准备好了吗? 预览
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《新材料产业》 2017年第8期5-8,共4页
长期以来,我国从半导体材料到器件再延伸至模块,始终没能迈进世界先进行列。从硅、锗第1代半导体到砷化镓、磷化铟第2代半导体,我国已经在制造和工艺技术上落后2个代差,核心技术和设备受制于人。而被行业寄予厚望的以碳化硅和氮化... 长期以来,我国从半导体材料到器件再延伸至模块,始终没能迈进世界先进行列。从硅、锗第1代半导体到砷化镓、磷化铟第2代半导体,我国已经在制造和工艺技术上落后2个代差,核心技术和设备受制于人。而被行业寄予厚望的以碳化硅和氮化镓为代表的第3代半导体材料和应用,在产业化的道路上依然步履蹒跚,遇到许多“卡脖子”的问题。究其原因为何?“卡脖子”究竟“卡”在哪儿?我国第3代半导体材料及器件能否完全走上“领跑”的道路? 展开更多
关键词 半导体产业 第3代 半导体材料 历史 碳化硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓
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InP DHBT器件与电路的研究进展
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作者 杨中月 王绛梅 《微电子学》 CSCD 北大核心 2017年第6期881-884,共4页
介绍了磷化铟(InP)基异质结双极晶体管制作技术的发展动向,对近几年InP双异质结双极晶体管(DHBT)的制作技术与电路的研究成果进行了归纳总结。介绍了InP DHBT在微波、超高速集成电路、微系统异质集成等领域的应用,以及InP DHBT应用... 介绍了磷化铟(InP)基异质结双极晶体管制作技术的发展动向,对近几年InP双异质结双极晶体管(DHBT)的制作技术与电路的研究成果进行了归纳总结。介绍了InP DHBT在微波、超高速集成电路、微系统异质集成等领域的应用,以及InP DHBT应用于功率放大器、倍频器、太赫兹单片电路、数模转换器等取得的进展,显示出InP DHBT在高频、高速和微系统集成三个方面的巨大应用价值。 展开更多
关键词 磷化铟 DHBT 超高速集成电路 太赫兹 微系统 异质集成
一款130~140 GHz MMIC低噪声放大器 被引量:2
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作者 王雨桐 吴洪江 刘永强 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第6期426-430,共5页
基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最... 基于90 nm栅长的InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作于130~140 GHz的MMIC低噪声放大器(LNA)。该款放大器采用三级级联的双电源拓扑结构,第一级电路在确保较低的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声,后两级则采用最大增益的匹配方式,保证了放大器具有良好的增益平坦度和较小的输出回波损耗。在片测试结果表明,在栅、漏极偏置电压分别为-0.25 V和3 V的工作条件下,该放大器在130~140 GHz工作频带内噪声系数小于6.5 dB,增益为18 dB±1.5 dB,输入电压驻波比小于2∶1,输出电压驻波比小于3∶1。芯片面积为1.70 mm×1.10 mm。该低噪声放大器有望应用于D波段的收发系统中。 展开更多
关键词 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 磷化铟 高增益
太赫兹InP HEMT器件的建模 预览 被引量:1
18
作者 何美林 刘亚男 +1 位作者 胡志富 崔玉兴 《太赫兹科学与电子信息学报》 2017年第3期349-353,共5页
采用减小栅长(Lg)的方法可以显著提高磷化铟基高电子迁移率晶体管(InP HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段。采用T形栅工艺制备了70 nm栅长的InP HEMT器件,器件的直流跨导达到了2.87 S/mm,截止频率f t和最... 采用减小栅长(Lg)的方法可以显著提高磷化铟基高电子迁移率晶体管(InP HEMT)器件的直流和微波性能,并使器件的工作频率上升到太赫兹频段。采用T形栅工艺制备了70 nm栅长的InP HEMT器件,器件的直流跨导达到了2.87 S/mm,截止频率f t和最大振荡频率fmax分别为230 GHz和310 GHz。对器件的寄生参数进行了提取和去嵌入,得到了器件的本征S参数。采用经典的9参数模型拓扑结构对器件进行了小信号建模,模型仿真与测试结果拟合良好。针对电流的短沟道效应,采用电流分段的方法来拟合I-V曲线,取得了较好的拟合结果。最后采用Angelov模型对器件的电容进行建模,并最终建立了器件的大信号模型。 展开更多
关键词 太赫兹 磷化铟 高电子迁移率晶体管 建模
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SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响 预览
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作者 谢俊领 程伟 +3 位作者 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期424-428,共5页
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件... 报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件在1 000h应力时间时仅下降了1.6%,说明基于SiN介质薄膜的表面钝化工艺有效提高了InP HBT的可靠性,这对于InP基器件和电路的实际应用具有重要意义。 展开更多
关键词 可靠性 热应力 存储加速寿命试验 磷化铟 双异质结双极性晶体管
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GaN微波及功率器件在电子信息产业中的市场前景 预览
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作者 何钧 梁瑶 张孔欣 《新材料产业》 2016年第5期11-14,共4页
<正>一、概述作为一种新型电子和光电子器件半导体材料,氮化镓(Ga N)与碳化硅(Si C)一起,被认为是继第1代锗(Ge)、硅(Si)半导体材料、第2代砷化镓(Ga As)和磷化铟(In P)化合物半导体材料之后的所谓第3代半导体材料,其研究与应用... <正>一、概述作为一种新型电子和光电子器件半导体材料,氮化镓(Ga N)与碳化硅(Si C)一起,被认为是继第1代锗(Ge)、硅(Si)半导体材料、第2代砷化镓(Ga As)和磷化铟(In P)化合物半导体材料之后的所谓第3代半导体材料,其研究与应用是目前全球半导体产业化研究的前沿和热点之一。它具有带隙宽(而且是直接带隙)、键强度大、电子迁移率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等优良性质和强 展开更多
关键词 半导体材料 GAN 直接带隙 键强度 电子迁移率 光电子器件 优良性质 磷化铟 器件技术 氮化镓
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