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超薄封装肖特基整流桥研制 预览
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作者 李明奂 《中国集成电路》 2019年第3期65-68,共4页
整流桥是一种常用的整流元器件,它利用二极管具有单向导电的特性,将交流电压整流为直流电压以供给电路使用的元器件。其被广泛用于LED照明、大中小型计算机、微机外设、程控交换机、广播电视通讯、工控仪器仪表等领域;随着各行业整机的... 整流桥是一种常用的整流元器件,它利用二极管具有单向导电的特性,将交流电压整流为直流电压以供给电路使用的元器件。其被广泛用于LED照明、大中小型计算机、微机外设、程控交换机、广播电视通讯、工控仪器仪表等领域;随着各行业整机的小型化、使用寿命延长化、低功耗节能等,相对应对整流元器件提出了小型化、扁平化、耐高压反偏、微功耗等要求。本文以ABS110肖特基整流桥为例介绍了其超薄封装思路、封装工艺探讨、封装原材料的运用、封装试投产及出现的问题的解决方案等,为同行业工程师能起到一定的参考借鉴意义。 展开更多
关键词 超薄封装 肖特基 整流桥 制造工艺
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基于Sentaurus的SiC肖特基二极管模拟研究 预览
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作者 刘乃生 苑龙军 《潍坊学院学报》 2018年第6期18-20,31共4页
基于宽禁带半导体碳化硅材料,设计了一款4H-SiC基肖特基二极管,并利用Sentaurus模拟器对器件的正向特性和反向击穿特性进行了模拟研究。一方面介绍了Sentaurus模拟器在本文模拟中应着重解决的器件结构设计及网格优化问题,另一方面,模拟... 基于宽禁带半导体碳化硅材料,设计了一款4H-SiC基肖特基二极管,并利用Sentaurus模拟器对器件的正向特性和反向击穿特性进行了模拟研究。一方面介绍了Sentaurus模拟器在本文模拟中应着重解决的器件结构设计及网格优化问题,另一方面,模拟结果表明设计的4H-SiC肖特基二极管正向开启电压达到2.24V,反向击穿电压达到1278V,反向击穿电流达到12A。因此,碳化硅材料在肖特基二极管制造领域将具有极大的应用潜力及优势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体 碳化硅 肖特基
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超薄封装肖特基整流桥研制 预览
3
作者 高钧 《科学技术创新》 2018年第5期6-7,共2页
整流桥是一种常用的整流元器件,它利用二极管具有单向导电的特性,将交流电压整流为直流电压以供给电路使用的元器件,其广泛用于LED照明、大中小型计算机、微机外设、程控交换机、广播电视通讯、工控仪器仪表行业的电源整流;随着各行业... 整流桥是一种常用的整流元器件,它利用二极管具有单向导电的特性,将交流电压整流为直流电压以供给电路使用的元器件,其广泛用于LED照明、大中小型计算机、微机外设、程控交换机、广播电视通讯、工控仪器仪表行业的电源整流;随着各行业整机的小型化、使用寿命延长化、低功耗节能等,相对应对整流元器件提出了小型化、扁平化、耐高压反偏、微功耗等要求。本文以ABS110肖特基整流桥为例介绍了其超薄封装思路、封装工艺探讨、封装原材料的运用、封装试投产及出现的问题的解决等,为同行业工程师起到一定的参考借鉴意义。 展开更多
关键词 超薄封装 肖特基 整流桥 制造工艺
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场发射ZrO/W肖特基式场发射阴极研究进展 预览
4
作者 刘华荣 《电子制作》 2018年第12期21-23,共3页
ZrO/W肖特基式场发射阴极具有高亮度、高稳定、长寿命等显著优势,广泛应用于电子束光刻、电子显微镜领域。本文从基本原理出发,系统分析了其主要特点,并对其使用中的注意事项进行了介绍,讨论了其热稳定性和环境适应性。
关键词 亮度 ZrO/W 肖特基
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基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征 预览
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作者 黄文超 王晓芳 +2 位作者 陈效双 薛玉雄 杨生胜 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期668-672,共5页
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模... 目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10 nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布。基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从10^16/cm^3到10^18/cm^3)局域电导分布,推导出了其载流子分布。相对误差在30%之内。 展开更多
关键词 载流子浓度 量子阱 扫描分布电阻显微术 肖特基
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Littelfuse新推经过扩展的SiC肖特基二极管系列可降低开关损耗提高效率和耐用性
6
《半导体信息》 2018年第1期15-16,共2页
Littelfuse,Inc.新推出了四个隶属于其第2代产品家族的1200V碳化硅(SIC)肖特基二极管系列产品,该产品家族最初于2017年5月发布。
关键词 肖特基 低开关损耗 管系 耐用性 SiC 产品 碳化硅 Inc
δ-掺杂磁电垒纳米结构中的巨磁阻效应及调控 预览
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作者 陈赛艳 韦宁燕 +1 位作者 王星 杨达莉 《中国科技信息》 2018年第1期83-84,共2页
我们研究了δ-掺杂CaAs半导体异质结中的巨磁阻效应,该异质结可通过在二维电子气上沉积两条平行的铁磁条带和一条肖特基金属条带获得。研究发现,该结构具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率可通过δ-掺杂进行调控。因此,我们可以通过调节... 我们研究了δ-掺杂CaAs半导体异质结中的巨磁阻效应,该异质结可通过在二维电子气上沉积两条平行的铁磁条带和一条肖特基金属条带获得。研究发现,该结构具有明显的巨磁阻效应,且其磁阻比率可通过δ-掺杂进行调控。因此,我们可以通过调节δ-掺杂的权重和位置来调控该巨磁阻器件,设计出磁阻比率可调的磁信息存储器。由于磁纳米结构中磁阻效应的巨大经济效益,最近,该研究在理论和实验上均引起了学术界的广泛关注。 展开更多
关键词 巨磁阻效应 纳米 信息存储器 金属条 磁电 肖特基 二维电子气 权重和 异质结 器件
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SiC结势垒肖特基二极管及JMoS介绍 预览
8
作者 许甫任 颜诚廷 +1 位作者 洪建中 李传英 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期8-11,共4页
介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiCJMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积。当SiCMOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS... 介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiCJMOS)的特性。JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额外的工艺和面积。当SiCMOSFET中的寄生体二极管导通时,集成的JBS还可以防止由于注入的少数载流子的复合而导致的位错缺陷转变为堆垛层错的潜在风险。进行特征比较,并构建一个测试平台,以验证SiCJMOS比传统SiCDMOS的效率和可靠性有所提高。实验结果表明,SiCJMOS能以更低的成本和更高的功率密度获得更好的系统性能和可靠性。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应晶体管 结势垒 肖特基
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肖特基型光催化剂研究进展 预览
9
作者 樊启哲 钟立钦 +2 位作者 冯庐平 余长林 廖春发 《材料导报》 CSCD 北大核心 2017年第9期106-111,共6页
贵金属与半导体复合形成的催化剂具备肖特基结结构,该结构具有整流特性和较低的界面电压,可以调控光生电子的产生和流向,使电子和空穴更有效地分离,提升光催化性能。综述了近年来肖特基半导体光催化剂的研究进展,分析了晶面沉积、... 贵金属与半导体复合形成的催化剂具备肖特基结结构,该结构具有整流特性和较低的界面电压,可以调控光生电子的产生和流向,使电子和空穴更有效地分离,提升光催化性能。综述了近年来肖特基半导体光催化剂的研究进展,分析了晶面沉积、形貌结构、表面等离子体效应及共掺杂等因素对该类催化剂性能的影响,从降解污染物、制氢、二氧化碳还原等方面阐述了这类催化剂在环境控制领域的实际应用,并提出了势垒高度、产物控制及催化剂循环利用等潜在的研究方向。肖特基型光催化剂独特的性质将使其成为新的研究热点,得到更深入的研究和应用。 展开更多
关键词 肖特基 光催化 降解 废水
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高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET漏致势垒降低效应研究 预览
10
作者 许立军 张鹤鸣 杨晋勇 《四川大学学报:自然科学版》 CSCD 北大核心 2017年第4期753-758,共6页
高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应... 高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET结合了应变硅工程、高k栅介质、SOI结构和肖特基源漏四者的优点,是一种实现小尺寸MOSFET的潜力器件.通过求解二维泊松方程建立了该结构的阈值电压模型,模型中考虑了镜像力势垒和小尺寸量子化效应对源漏极的电子本征肖特基势垒高度的影响,在阈值电压模型基础上获得了漏致势垒降低模型.从文献中提取漏致势垒降低的实验数据与模型进行对比,验证了其正确性,随后在此基础上讨论分析了漏致势垒降低和各项参数的变化关系.结果表明,漏致势垒降低随应变硅层厚度的变厚、沟道掺杂浓度的提高和锗组分的增大而增大,随沟道长度的变长、栅介质介电常数的增大、电子本征肖特基势垒高度的提高和漏源电压的增大而减小.适当调节模型参数,该结构可很好的抑制漏致势垒降低效应,对高k栅介质SOI应变硅肖特基源漏MOSFET器件以及电路设计具有一定的参考价值. 展开更多
关键词 MOSFET 漏致势垒降低 应变硅 高K栅介质 SOI 肖特基
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Pt/ZnO/Pt结构紫外探测器件的构建与性能研究 预览
11
作者 方勇 檀汤亮 《赤峰学院学报:自然科学版》 2017年第13期45-46,共2页
本文通过水热法制备ZnO纳米阵列,基于不同生长时间的ZnO阵列构建了Pt-ZnO-Pt型紫外探测器,对器件性能进行了研究.研究表明,器件对紫外线有明显的光响应,响应度为0.13~0.77A/W;响应时间为20~150s.生长24小时制备的ZnO纳米阵列组建的器... 本文通过水热法制备ZnO纳米阵列,基于不同生长时间的ZnO阵列构建了Pt-ZnO-Pt型紫外探测器,对器件性能进行了研究.研究表明,器件对紫外线有明显的光响应,响应度为0.13~0.77A/W;响应时间为20~150s.生长24小时制备的ZnO纳米阵列组建的器件性能最优,ZnO纳米阵列缺陷峰低,结晶性能好,阵列缺陷少;生长16h的缺陷峰最高,结晶性较差. 展开更多
关键词 ZNO 肖特基 PN结 紫外探测器
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平面低压降肖特基二极管外延氧化工艺 预览
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作者 李小锋 《电子制作》 2017年第9期52-53,共2页
太阳能平面低压降肖特基二极管采用常规外延加扩散氧化工艺,存在压降临界,漏电流不稳问题。通过在平板外延炉上进行工艺实验,采用优化的衬底及外延氧化工艺,在外延炉里同时完成外延及氧化工艺的过程。外延氧化工艺解决了常规平面氧化工... 太阳能平面低压降肖特基二极管采用常规外延加扩散氧化工艺,存在压降临界,漏电流不稳问题。通过在平板外延炉上进行工艺实验,采用优化的衬底及外延氧化工艺,在外延炉里同时完成外延及氧化工艺的过程。外延氧化工艺解决了常规平面氧化工艺由于扩散氧化工艺吸硼排磷[1]作用带来的外延表面磷浓度偏高引起漏电漏增加问题,同时可改善采用薄氧化层工艺带来背面处理不足,引起势垒金属淀积前清洗颗粒不稳定,影响肖特基势垒合金质量导致局部漏电流增加问题。 展开更多
关键词 外延 氧化 肖特基 低压降 吸硼排磷
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Electrical transport and current properties of rare-earth dysprosium Schottky electrode on p-type GaN at various annealing temperatures
13
作者 G.Nagaraju K.Ravindranatha Reddy V.Rajagopal Reddy 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2017年第11期39-47,共9页
The electrical and current transport properties of rapidly annealed Dy/p-GaN SBD are probed by I–V and C–V techniques. The estimated barrier heights(BH) of as-deposited and 200 °C annealed SBDs are 0.80 eV(I–V... The electrical and current transport properties of rapidly annealed Dy/p-GaN SBD are probed by I–V and C–V techniques. The estimated barrier heights(BH) of as-deposited and 200 °C annealed SBDs are 0.80 eV(I–V)/0.93 eV(C–V) and 0.87 eV(I–V)/1.03 eV(C–V). However, the BH rises to 0.99 eV(I–V)/1.18 eV(C–V)and then slightly deceases to 0.92 eV(I–V)/1.03 eV(C–V) after annealing at 300 °C and 400 °C. The utmost BH is attained after annealing at 300 °C and thus the optimum annealing for SBD is 300 °C. By applying Cheung's functions, the series resistance of the SBD is estimated. The BHs estimated by I–V, Cheung's and Ψ_S–V plot are closely matched; hence the techniques used here are consistency and validity. The interface state density of the as-deposited and annealed contacts are calculated and we found that the NSS decreases up to 300 °C annealing and then slightly increases after annealing at 400 °C. Analysis indicates that ohmic and space charge limited conduction mechanisms are found at low and higher voltages in forward-bias irrespective of annealing temperatures. Our experimental results demonstrate that the Poole–Frenkel emission is leading under the reverse bias of Dy/p-GaN SBD at all annealing temperatures. 展开更多
关键词 退火温度 电流特性 电输运 肖特基 GaN 电极 稀土 p型
碳化硅肖特基器件技术研究 预览
14
作者 赵欢 王国树 《微处理机》 2016年第6期12-14,共3页
针对碳化硅肖特基二极管的关键技术,促进国内碳化硅肖特基二极管有理论研究走向实际产品并向应用发展,力求解决碳化硅肖特基二极管设计及制造过程中的技术问题,深入分析氧化技术,刻蚀技术,掺杂技术,金属化技术等关键技术,研制出碳化硅... 针对碳化硅肖特基二极管的关键技术,促进国内碳化硅肖特基二极管有理论研究走向实际产品并向应用发展,力求解决碳化硅肖特基二极管设计及制造过程中的技术问题,深入分析氧化技术,刻蚀技术,掺杂技术,金属化技术等关键技术,研制出碳化硅肖特基二极管器件,并且器件技术指标良好。器件已应用在开关模式电源的有源功率因数校正和电机驱动器等电源转换方面,达到了漏电流小,通态电阻低,高温工作稳定性良好等要求。 展开更多
关键词 碳化硅 二极管 肖特基 大功率 半导体 电子器件
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POS机的电源分析和检修 预览
15
作者 梁海珍 冼照明 《电子世界》 2016年第12期105-106,共2页
POS机是一款高度集成的电子设备。它通过读卡器读取银行卡上的持卡人磁条信息,由收银员输入交易金额、持卡人输入密码,然后把这些信息通过银联中心,上送发卡银行系统,完成联机交易,给出成功与否的信息,并打印相应的票据。一、保护电路... POS机是一款高度集成的电子设备。它通过读卡器读取银行卡上的持卡人磁条信息,由收银员输入交易金额、持卡人输入密码,然后把这些信息通过银联中心,上送发卡银行系统,完成联机交易,给出成功与否的信息,并打印相应的票据。一、保护电路原理分析1.过流与反接保护电路(1)电路构成如图1所示,电源适配器的DC12V通过P1插座输入,经C96,C3电容滤波到整流二极D1(MBRD620,肖特基开关二极管)。 展开更多
关键词 卡人 发卡银行 POS 开关二极管 电路原理 保护电路 读卡器 电路构成 肖特基 银联
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肖特基二极管用硅外延片过渡区控制研究 预览
16
作者 侯志义 高国智 王铁刚 《科技传播》 2016年第8期137-138,共2页
肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件,具有正向压降小、开关频率高等特点,高性能的肖特基二极管器件需要高质量的外延材料,生长出高质量的外延层成了制作高频肖特基二极管的关键。
关键词 肖特基 二极管实验 工艺改善
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Reverse blocking characteristics and mechanisms in Schottky-drain AlGaN/GaN HEMT with a drain field plate and floating field plates
17
作者 毛维 佘伟波 +4 位作者 杨翠 张金风 郑雪峰 王冲 郝跃 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第1期777-782,共6页
In this paper, a novel Al Ga N/Ga N HEMT with a Schottky drain and a compound field plate(SD-CFP HEMT) is presented for the purpose of better reverse blocking capability. The compound field plate(CFP) consists of a dr... In this paper, a novel Al Ga N/Ga N HEMT with a Schottky drain and a compound field plate(SD-CFP HEMT) is presented for the purpose of better reverse blocking capability. The compound field plate(CFP) consists of a drain field plate(DFP) and several floating field plates(FFPs). The physical mechanisms of the CFP to improve the reverse breakdown voltage and to modulate the distributions of channel electric field and potential are investigated by two-dimensional numerical simulations with Silvaco-ATLAS. Compared with the HEMT with a Schottky drain(SD HEMT) and the HEMT with a Schottky drain and a DFP(SD-FP HEMT), the superiorities of SD-CFP HEMT lie in the continuous improvement of the reverse breakdown voltage by increasing the number of FFPs and in the same fabrication procedure as the SD-FP HEMT.Two useful optimization laws for the SD-CFP HEMTs are found and extracted from simulation results. The relationship between the number of the FFPs and the reverse breakdown voltage as well as the FP efficiency in SD-CFP HEMTs are discussed. The results in this paper demonstrate a great potential of CFP for enhancing the reverse blocking ability in Al Ga N/Ga N HEMT and may be of great value and significance in the design and actual manufacture of SD-CFP HEMTs. 展开更多
关键词 AlGaN/GaN HEMT器件 反向击穿电压 物理机制 肖特基 场板 浮空 二维数值模拟
石墨烯-GaN肖特基紫外探测器
18
作者 许坤 徐晨 +1 位作者 郭旺 解意洋 《半导体光电》 CAS 北大核心 2016年第1期30-35,共6页
报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修... 报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修饰,使峰值响应度增加到0.23A/W。并根据热电子发射理论,计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477eV和0.882eV,验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加。 展开更多
关键词 GAN 肖特基 紫外探测器 石墨烯 响应光谱
X射线在肖特基与酞菁氧钛界面剂量增强系数的模拟 预览
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作者 张建芳 特木尔巴根 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期374-376,418共4页
用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了S... 用蒙特卡罗方法计算不同能量的X射线在Schottky-TiOPc-Schottky界面处产生的剂量增强系数(DEF)与肖特基(Schottky)和酞菁氧钛(TiOPc)厚度的关系。结果表明,界面下的DEF随TiOPc厚度的增加而增大,随Schottky厚度的增加而减小。同时模拟了Schottky-TiOPc单层与Schottky-TiOPc-Schottky双层结构在TiOPc一侧的DEF,对于Schottky-TiOPc-Schottky结构,界面下产生的剂量增强效应更明显。此外还研究了X射线从不同角度照射Schottky-TiOPc器件时,界面处DEF的变化情况,0°时较大,90°时最小。 展开更多
关键词 X射线 肖特基 剂量增强系数 蒙特卡罗方法 酞菁氧钛
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Effect of graphene tunnel barrier on Schottky barrier height of Heusler alloy Co_2MnSi/graphene/n-Ge junction
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作者 李桂芳 胡晶 +4 位作者 吕辉 崔智军 候晓伟 刘诗斌 杜永乾 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第2期426-429,共4页
We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co2MnSi and the germanium(Ge) channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. We... We demonstrate that the insertion of a graphene tunnel barrier between Heusler alloy Co2MnSi and the germanium(Ge) channel modulates the Schottky barrier height and the resistance–area product of the spin diode. We confirm that the Fermi level is depinned and a reduction in the electron Schottky barrier height(SBH) occurs following the insertion of the graphene layer between Co2MnSi and Ge. The electron SBH is modulated in the 0.34 eV–0.61 eV range. Furthermore,the transport mechanism changes from rectifying to symmetric tunneling following the insertion. This behavior provides a pathway for highly efficient spin injection from a Heusler alloy into a Ge channel with high electron and hole mobility. 展开更多
关键词 势垒高度 肖特基 石墨层 n-Ge HEUSLER合金 信道调制 旋转二极管 空穴迁移率
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