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二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究 预览
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作者 郭丽娟 胡吉松 +1 位作者 马新国 项炬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期221-229,共9页
采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显示异质结中二硫化钨和石墨烯各自的电子性质得到了保留,同时,由于... 采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显示异质结中二硫化钨和石墨烯各自的电子性质得到了保留,同时,由于石墨烯的结合作用,二硫化钨呈现出n型半导体.通过改变界面的层间距可以调控二硫化钼/石墨烯异质结的肖特基势垒类型,层间距增大,肖特基将从p型转变为n型接触.三维电荷密度差分图表明,负电荷聚集在二硫化钨附近,正电荷聚集在石墨烯附近,从而在界面处形成内建电场.肖特基势垒变化与界面电荷流动密切相关,平面平均电荷密度差分图显示,随着层间距逐渐增大,界面电荷转移越来越弱,且空间电荷聚集区位置向石墨烯层方向靠近,导致费米能级向上平移,证实了肖特基势垒随着层间距的增加由p型接触向n型转变.本文的研究结果将为二维范德瓦耳斯场效应管的设计与制作提供指导. 展开更多
关键词 异质结 能带结构 肖特基接触 第一性原理
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不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析
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作者 董升旭 白云 +4 位作者 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第9期625-629,670共6页
为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压(I-V)及电容-电压(CV)测试,运用Tung理论模型和"T0反常"中的T0值评价势垒不均匀程度,X... 为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压(I-V)及电容-电压(CV)测试,运用Tung理论模型和"T0反常"中的T0值评价势垒不均匀程度,X射线衍射(XRD)分析肖特基接触的物相组成。分析结果表明,测试温度升高时I-V测试提取的势垒高度接近于C-V测试提取的势垒高度,退火温度500℃及以上时Mo与4H-SiC发生反应,且导致较低的势垒高度。退火温度为600℃时,肖特基接触具有最低的势垒不均匀程度,且此退火温度下势垒高度相对500℃及700℃时较高,物相组成为Mo2C及Mo4.8Si3C0.6。 展开更多
关键词 4H-SIC 肖特基接触 X射线衍射(XRD) 势垒不均匀 退火温度
不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析
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作者 董升旭 白云 +4 位作者 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第7期523-528,共6页
为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得... 为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性。根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N_(ss))的能级分布情况,N_(ss)约为1012eV~(-1)·cm~(-2)量级。退火温度升高,N_(ss)的能级分布靠近导带底;测试温度升高,N(ss)增加且其能级分布远离导带底。利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO。SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo—C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应。 展开更多
关键词 4H-SIC 肖特基接触 X射线光电子能谱(XPS) 退火温度 测试温度 界面态密度
On the reverse leakage current of Schottky contacts on free-standing GaN at high reverse biases
4
作者 雷勇 苏静 +2 位作者 吴红艳 杨翠红 饶伟锋 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第2期403-405,共3页
In this work, a dislocation-related tunneling leakage current model is developed to explain the temperature-dependent reverse current–voltage(I–V –T) characteristics of a Schottky barrier diode fabricated on free-s... In this work, a dislocation-related tunneling leakage current model is developed to explain the temperature-dependent reverse current–voltage(I–V –T) characteristics of a Schottky barrier diode fabricated on free-standing GaN substrate for reverse-bias voltages up to-150 V. The model suggests that the reverse leakage current is dominated by the direct tunneling of electrons from Schottky contact metal into a continuum of states associated with conductive dislocations in GaN epilayer.A reverse leakage current ideality factor, which originates from the scattering effect at metal/GaN interface, is introduced into the model. Good agreement between the experimental data and the simulated I–V curves is obtained. 展开更多
关键词 反向漏电流 肖特基接触 氮化镓 偏压 肖特基二极管 电流模型 偏置电压 温度依赖性
表面处理对肖特基接触的影响 预览
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作者 霍荡荡 郑英奎 +2 位作者 陈诗哲 魏珂 李培咸 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第6期66-69,共4页
研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比(HF:NH4F)为1:7的BOE溶液对AlGaN/GaN异质结材料表面进行处理后,其肖特基接触特性比盐酸或者氨水溶液处理有了明显的改善。当栅压为–50V时,... 研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明,采用氧等离子体及体积比(HF:NH4F)为1:7的BOE溶液对AlGaN/GaN异质结材料表面进行处理后,其肖特基接触特性比盐酸或者氨水溶液处理有了明显的改善。当栅压为–50V时,栅反向漏电仅为3.8×10–5A/mm,相比降低了1~2个数量级。另外,电容电压CV测试结果显示,经过BOE溶液处理表面,明显降低了器件表面态密度,达到1013cm–2·eV–1量级,表面态密度的降低,提高了肖特基势垒高度,降低了隧穿电流和表面漏电。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 肖特基接触 表面处理 反向漏电 电导法 表面态密度
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Improvement of reverse blocking performance in vertical power MOSFETs with Schottky-drain-connected semisuperjunctions
6
作者 毛维 王海永 +7 位作者 王晓飞 杜鸣 张金风 郑雪峰 王冲 马晓华 张进成 郝跃 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第4期425-432,共8页
To enhance the reverse blocking capability with low specific on-resistance,a novel vertical metal-oxidesemiconductor field-effect transistor(MOSFET) with a Schottky-drian(SD) and SD-connected semisuperjunctions(SDD-se... To enhance the reverse blocking capability with low specific on-resistance,a novel vertical metal-oxidesemiconductor field-effect transistor(MOSFET) with a Schottky-drian(SD) and SD-connected semisuperjunctions(SDD-semi-SJ),named as SD-D-semi-SJ MOSFET is proposed and demonstrated by two-dimensional(2D) numerical simulations.The SD contacted with the n-pillar exhibits the Schottky-contact property,and that with the p-pillar the Ohmic-contact property.Based on these features,the SD-D-semi-SJ MOSFET could obviously overcome the great obstacle of the ineffectivity of the conventional superjunctions(SJ) or semisuperjunctions(semi-SJ) for the reverse applications and achieve a satisfactory trade-off between the reverse breakdown voltage(BV) and the specific on-resistance(R_(on)A).For a given pillar width and n-drift thickness,there exists a proper range of n-drift concentration(N),in which the SD-D-semi-SJ MOSFET could exhibit a better trade-off of R_(on)A-BV compared to the predication of SJ MOSFET in the forward applications.And what is much valuable,in this proper range of N,the desired BV and good trade-off could be achieved only by determining the pillar thickness,with the top assist layer thickness unchanged.Detailed analyses have been carried out to get physical insights into the intrinsic mechanism of R_(on)A-BV improvement in SD-D-semi-SJ MOSFET.These results demonstrate a great potential of SD-D-semi-SJ MOSFET in reverse applications. 展开更多
关键词 功率MOSFET 肖特基接触 金属氧化物半导体场效应晶体管 阻塞性能 垂直 连接 反向击穿电压 方位漂移
选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性
7
作者 黄溥曼 陈杰 +5 位作者 韩小标 钟昌明 潘郑州 邢洁莹 杨杭 张佰君 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第10期774-778,共5页
半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD)。通过测量SBD在不同温度下的I-V特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向... 半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义。采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD)。通过测量SBD在不同温度下的I-V特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向偏压影响,证明半极性GaN基SBD的电流传输机制为热电子场发射模型。光致发光光谱和X射线光电子能谱测试进一步表明,相比极性c面GaN材料,半极性GaN材料表面存在较高的氧杂质原子浓度和氮空位,此为半极性GaN肖特基特性偏离热电子发射模型的主要因素。 展开更多
关键词 GAN 半极性 电流传输机制 光致发光 肖特基接触
Modulation of WNx/Ge Schottky barrier height by varying N composition of tungsten nitride 被引量:1
8
作者 魏江镔 池晓伟 +7 位作者 陆超 王尘 林光杨 吴焕达 黄巍 李成 陈松岩 刘春莉 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期459-462,共4页
Modulation of the Schottky barrier heights was successfully demonstrated for WNx/p-Ge and WNx/n-Ge contacts by increasing the nitrogen component in the WNx films. The WN0.38/p-Ge contact exhibits rectifying characteri... Modulation of the Schottky barrier heights was successfully demonstrated for WNx/p-Ge and WNx/n-Ge contacts by increasing the nitrogen component in the WNx films. The WN0.38/p-Ge contact exhibits rectifying characteristic and an apparent Schottky barrier of 0.49 e V while the WN0.38/n-Ge Schottky contact exhibits quasi-Ohmic current–voltage characteristics. Dipoles formed at the contact interface by the difference of the Pauling electronegativities of Ge and N are confirmed to alleviate the Fermi-level pinning effect. 展开更多
关键词 肖特基接触 势垒高度 氮化钨 调制 组成 电流电压特性 场效电晶体 肖特基势垒
The Cu Based AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode
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作者 李迪 贾利芳 +4 位作者 樊中朝 程哲 王晓东 杨富华 何志 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第6期192-194,共3页
关键词 ALGAN/GAN 肖特基二极管 泄漏电流 起始电压 肖特基接触 铜/镍 电气特性
Electronic properties of the SnSe-metal contacts: First-principles study
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作者 戴宪起 王小龙 +1 位作者 李伟 王天兴 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第11期473-477,共5页
The geometries and electronic properties of Sn Se/metal contact have been investigated using first-principles calculation. It is found that the geometries of monolayer Sn Se were affected slightly when Sn Se adsorbs o... The geometries and electronic properties of Sn Se/metal contact have been investigated using first-principles calculation. It is found that the geometries of monolayer Sn Se were affected slightly when Sn Se adsorbs on M(M = Ag, Au, Ta)substrate. Compared with the corresponding free-standing monolayer Sn Se, the adsorbed Sn Se undergoes a semiconductorto-metal transition. The potential difference ?V indicates that Sn Se/Ta contact is the best candidate for the Schottky contact of the three Sn Se/M contacts. Two types of current-in-plane(CIP) structure, where a freestanding monolayer Sn Se is connected to Sn Se/M, are identified as the n-type CIP structure in Sn Se/Ag contact and p-type CIP structure in Sn Se/Au and Sn Se/Ta contact. The results can stimulate further investigation for the multifunctional Sn Se/metal contact. 展开更多
关键词 金属接触 单层薄膜 电子性质 第一性原理 第一原理计算 几何结构 IP结构 肖特基接触
高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备 预览
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作者 王进军 王侠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3597-3600,共4页
采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,利用EB蒸镀Ni/Au肖特基接触电极制备了AlGaN/GaN SBD,对外延材料和器件的性能进行了相关测试,测试结果表... 采用MOCVD制备了带有AlN插入层的高Al组份AlGaN/GaN异质结构外延材料,在此外延材料的基础上利用磁控溅射Ti/Al/Ti/Au欧姆接触电极,利用EB蒸镀Ni/Au肖特基接触电极制备了AlGaN/GaN SBD,对外延材料和器件的性能进行了相关测试,测试结果表明:器件开启电压约为1.1 V,-10 V时反向漏电流小于0.5μA,反向击穿电压68.3 V,器件具有非常明显的整流特性,同时有AlN插入层的器件的正向、反向特性均优于不带AlN的器件,Al N插入层可以有效地提高器件的性能。 展开更多
关键词 AlN插入层 ALGAN/GAN SBD 欧姆接触 肖特基接触
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酞菁锌有机光电三极管的特性解析 预览 被引量:1
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作者 王长昊 陈殿伟 于春雨 《吉林化工学院学报》 CAS 2015年第8期60-62,共3页
采用真空蒸镀与溅射工艺,以酞菁锌(ZnPc)为有源层制备了叠层结构的氧化铟锡(ITO)/ZnPc/铝(Al)/ZnPc/铜(Cu)有机光电三极管.Al与两侧的ZnPc分别成肖特基接触,根据酞菁锌的光吸收特性,对器件在无光与618nm波长光照下进行测试,结... 采用真空蒸镀与溅射工艺,以酞菁锌(ZnPc)为有源层制备了叠层结构的氧化铟锡(ITO)/ZnPc/铝(Al)/ZnPc/铜(Cu)有机光电三极管.Al与两侧的ZnPc分别成肖特基接触,根据酞菁锌的光吸收特性,对器件在无光与618nm波长光照下进行测试,结果表明三极管表现为明显的不饱和I-V特性,在Vec=3V,Ib=0V时光电流达到1.9×10^-5A,显示出良好的光响应特性. 展开更多
关键词 有机光电三极管 酞菁锌 肖特基接触
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Fast response ultraviolet photodetectors based on solution-processed ZnO nanocrystals
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作者 ZHANG TongShuo YU Ji +2 位作者 DENG YuFu TIAN Ning GAO Peng 《中国科学:技术科学英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第8期1328-1332,共5页
由在设备制造利用 Schottky 接触,我们构造了快反应紫外光电探测器基于处理答案的 ZnO nanocrystals。在 5 V,察觉者与 20 ns 的一上升时间和 350 ns 的秋天时间展出快 photoresponse,它是在报导基于 ZnO 的光电探测器之中的最快的... 由在设备制造利用 Schottky 接触,我们构造了快反应紫外光电探测器基于处理答案的 ZnO nanocrystals。在 5 V,察觉者与 20 ns 的一上升时间和 350 ns 的秋天时间展出快 photoresponse,它是在报导基于 ZnO 的光电探测器之中的最快的反应时间之一。结果在这报导纸可以基于处理答案的 nanocrystals 为快反应 optoelectronic 设备显示出大诺言。 展开更多
关键词 紫外探测器 快速响应 纳米晶体 溶液处理 ZnO 上升时间 肖特基接触 光电探测器
基于Pd/SWNT/Al结构的场效应晶体管的研究 被引量:1
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作者 钟汉清 陈长鑫 +4 位作者 刘晓东 魏良明 苏言杰 张丽英 张亚非 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第3期435-438,共4页
碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟... 碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟道,两种不同功函数的金属被用来与SWNT形成肖特基接触;SWNT一端与低功函数金属Al形成源极,另一端与高功函数金属Pd形成漏极。该类器件可应用于下一代纳米集成电路中。 展开更多
关键词 碳纳米管 肖特基接触 电子束光刻 碳纳米管场效应晶体管 整流特性
High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes 被引量:1
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作者 康贺 王权 +8 位作者 肖红领 王翠梅 姜丽娟 冯舂 陈竑 殷海波 王晓亮 王占国 侯洵 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2014年第6期237-240,共4页
关键词 肖特基势垒二极管 ALGAN 高电压 肖特基接触 击穿电压 反向漏电流 欧姆接触 导通电阻
Effects of rapid thermal annealing on ohmic contact of AIGaN/GaN HEMTs
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作者 朱彦旭 曹伟伟 +2 位作者 范玉宇 邓叶 徐晨 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2014年第2期147-150,共4页
Ohmic contacts with Ti/Al/Ti/Au source and drain electrodes on AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) were fabricated and subjected to rapid thermal annealing(RTA) in flowing N2. The wafer was divided int... Ohmic contacts with Ti/Al/Ti/Au source and drain electrodes on AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) were fabricated and subjected to rapid thermal annealing(RTA) in flowing N2. The wafer was divided into 5 parts and three of them were annealed for 30 s at 700,750,and 800 oC,respectively,the others were annealed at 750 oC for 25 and 40 s. Due to the RTA,a change from Schottky contact to Ohmic contact has been obtained between the electrode layer and the AlGaN/GaN heterojunction layer. We have achieved a low specific contact resistance of 7.41 10 6 cm2 and contact resistance of 0.54 mm measured by transmission line mode(TLM),and good surface morphology and edge acuity are also desirable by annealing at 750 oC for 30 s. The experiments also indicate that the performance of ohmic contact is first improved,then it reaches a peak,finally degrading with annealing temperature or annealing time rising. 展开更多
关键词 快速热退火 HEMT器件 欧姆接触 ALGAN 高电子迁移率晶体管 接触电阻 肖特基接触 传输线模式
Annealing temperature influence on the degree of inhomogeneity of the Schottky barrier in Ti/4H–SiC contacts
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作者 韩林超 申华军 +6 位作者 刘可安 王弋宇 汤益丹 白云 许恒宇 吴煜东 刘新宇 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第12期418-422,共5页
Tung’s model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly’ and t... Tung’s model was used to analyze anomalies observed in Ti/Si C Schottky contacts. The degree of the inhomogeneous Schottky barrier after annealing at different temperatures is characterized by the ‘T0anomaly’ and the difference(△Φ)between the uniformly high barrier height(Φ0B) and the effective barrier height(Φeff B). Those two parameters of Ti Schottky contacts on 4H–Si C were deduced from I–V measurements in the temperature range of 298 K–503 K. The increase in Schottky barrier(SB) height(ΦB) and decrease in the ideality factor(n) with an increase measurement temperature indicate the presence of an inhomogeneous SB. The degree of inhomogeneity of the Schottky barrier depends on the annealing temperature, and it is at its lowest for 500-°C thermal treatment. The degree of inhomogeneity of the SB could reveal effects of thermal treatments on Schottky contacts in other aspects. 展开更多
关键词 肖特基势垒 退火温度 均匀程度 肖特基接触 势垒高度 测量温度 不均匀性
Piezotronic effect enhanced Schottky-contact ZnO micro/nanowire humidity sensors 被引量:2
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作者 Guofeng Hu Ranran Zhou +3 位作者 Ruomeng Yu Lin Dong Caofeng Pan Zhong Lin Wang 《纳米研究:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第7期1083-1091,共9页
关键词 湿度传感器 肖特基接触 纳米线 ZNO 传感器灵敏度 肖特基势垒 信号电平 压缩应变
光辐照对单根In掺杂ZnO纳米线电学性质的影响 预览
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作者 王明姣 高红 +2 位作者 温静 唐欣月 张锷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期345-349,共5页
通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325nm的He-cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖... 通过化学气相沉积方法成功制备了高质量的In掺杂ZnO纳米线。选用325nm的He-cd激光器做为光源,进一步探究了单根In掺杂ZnO纳米线的光响应特性。结果表明:紫外光辐照可使金属电极与纳米线之间的有效肖特基接触势垒下降,使接触类型由肖特基接触转变到欧姆接触;撤去紫外光后,电极与纳米线之间的接触可以恢复到未光照时的肖特基接触。讨论了肖特基接触与欧姆接触之间转变的物理机制。 展开更多
关键词 铟掺杂ZnO纳米线 紫外光辐照 肖特基接触 欧姆接触
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Schottky forward current transport mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs over a wide temperature range
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作者 武玫 郑大勇 +5 位作者 王媛 陈伟伟 张凯 马晓华 张进成 郝跃 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第9期409-413,共5页
The behavior of Schottky contacts in AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) is investigated by temperature-dependent current–voltage(T –I–V) measurements from 300 K to 473 K. The ideality factor and ba... The behavior of Schottky contacts in AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs) is investigated by temperature-dependent current–voltage(T –I–V) measurements from 300 K to 473 K. The ideality factor and barrier height determined based on the thermionic emission(TE) theory are found to be strong functions of temperature, while present a great deviation from the theoretical value, which can be expounded by the barrier height inhomogeneities. In order to determine the forward current transport mechanisms, the experimental data are analyzed using numerical fitting method,considering the temperature-dependent series resistance. It is observed that the current flow at room temperature can be attributed to the tunneling mechanism, while thermionic emission current gains a growing proportion with an increase in temperature. Finally, the effective barrier height is derived based on the extracted thermionic emission component, and an evaluation of the density of dislocations is made from the I–V characteristics, giving a value of 1.49 × 107cm-2. 展开更多
关键词 AlGaN HEMT器件 电流增益 肖特基接触 温度范围 传输机制 高电子迁移率晶体管 热电子发射
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