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大尺寸四硼酸锂压电晶体转向生长
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作者 徐家跃 李欣 +3 位作者 陆宝亮 申慧 侍敏莉 张爱琼 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1435-1439,共5页
四硼酸锂(Li2B4O7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102mm的LBO晶体产业化还有很大难度。... 四硼酸锂(Li2B4O7,LBO)晶体是一种性能优异的压电基片材料,坩埚下降法生长的直径为76mm LBO晶体已成功应用于声表面波(SAW)和体波(BW)器件。由于硼酸盐熔体粘度大、晶体易开裂,生长直径为102mm的LBO晶体产业化还有很大难度。本工作根据坩埚下降法技术特点,提出了转向生长LBO晶体的工艺方案,成功生长出60mm×110mm×120mm板状晶体。晶体沿[001]方向快速生长,侧面主面为(110)。生长的板状晶体经准确定向、加工后即可获得高度60mm、直径为102mm(4in)的[110]取向LBO晶体,生长速率和晶体产率较传统方法都有显著提高。 展开更多
关键词 四硼酸锂晶体 坩埚下降法 大尺寸晶体生长 转向晶体生长
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