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电荷与自旋的联姻:磁性半导体
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作者 王海龙 赵建华 《现代物理知识》 2019年第1期11-16,共6页
1.引言上古时代,人类祖先就见识了电闪雷鸣带来的感官震撼,而摩擦起电和静电积累现象则不断激励人们去接近直至揭示其中的物理规律。从富兰克林风筝引电证明闪电与静电无异,到库仑提出平方反比定律指出电力与引力同形,标志着人类开始摆... 1.引言上古时代,人类祖先就见识了电闪雷鸣带来的感官震撼,而摩擦起电和静电积累现象则不断激励人们去接近直至揭示其中的物理规律。从富兰克林风筝引电证明闪电与静电无异,到库仑提出平方反比定律指出电力与引力同形,标志着人类开始摆脱对电的原始崇拜与畏惧,迈进了电学研究的科学时代;从伏特制造电池提供连续高强度电流. 展开更多
关键词 磁性半导体 载流子浓度
银掺杂氧化亚铜薄膜的制备及其光电性能
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作者 伍泳斌 赵英杰 +2 位作者 王晓娟 莫德清 钟福新 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期291-296,320共7页
采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O(Ag/Cu2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体... 采用水热法以Cu片为基底,Cu(NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O(Ag/Cu2O)薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm^-2,比Cu2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm^-2;Ag/Cu2O薄膜的载流子浓度达到3.10×10^20 cm^-3,比Cu2O薄膜提高了2.38×10^20 cm^-3。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu2O薄膜的结晶性比Cu2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。 展开更多
关键词 水热法 氧化亚铜 光电性能 AG掺杂 载流子浓度
Sn掺杂ZnO纳米结构湿度传感器的制备与特性
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作者 匡旭良 叶子 +2 位作者 孙宁 宋小军 刘伟景 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第2期111-118,共8页
首先采用水热法制备了四种不同Sn掺杂量的一维Zn1-xSnxO纳米结构材料,然后通过介电泳纳米操控技术将制备的四种纳米结构排布到预先设计的Ti/Au电极之间,进而构建四种湿度传感器,并进行传感特性测试。通过对四种传感结构的测试结果分析发... 首先采用水热法制备了四种不同Sn掺杂量的一维Zn1-xSnxO纳米结构材料,然后通过介电泳纳米操控技术将制备的四种纳米结构排布到预先设计的Ti/Au电极之间,进而构建四种湿度传感器,并进行传感特性测试。通过对四种传感结构的测试结果分析发现,采用原子数分数为3%的Sn掺杂ZnO纳米材料构建的传感器具有较好的传感特性,相对湿度在11.3%-97.3%内其最大灵敏度为7 397%,响应与恢复时间均为2 s。结合湿度多层吸附理论深入研究掺杂对湿度传感特性的影响。结果表明,通过Sn掺杂对纳米结构中载流子浓度以及晶格应变的调控,可以有效改善材料的电导与表面特性,提升Zn1-xSnxO纳米湿度传感器的灵敏度、响应与恢复时间和迟滞等传感特性。 展开更多
关键词 湿度传感器 ZNO纳米结构 水热法 载流子浓度 传感特性
基于半导体等离子体频率光学调控的太赫兹波调制系统 预览
4
作者 杨涛 葛嘉程 +1 位作者 周源 黄维 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第2期54-59,共6页
介绍了一种太赫兹波光学调制系统,该系统首先通过刀片与半导体之间的狭缝实现太赫兹波和太赫兹表面等离子体波之间的耦合,然后通过改变照射到本征半导体表面的光强用以调控半导体表面的等离子体频率,使得半导体表面的等离子体频率在有... 介绍了一种太赫兹波光学调制系统,该系统首先通过刀片与半导体之间的狭缝实现太赫兹波和太赫兹表面等离子体波之间的耦合,然后通过改变照射到本征半导体表面的光强用以调控半导体表面的等离子体频率,使得半导体表面的等离子体频率在有光照和无光照条件下分别大于和小于其上传输的太赫兹表面等离子体波的频率,从而实现对在半导体表面传输的太赫兹表面等离子体波以及由其耦合出的太赫兹波的强度调控。该调制方法与传统方法相比具有调控频带宽、速度快、成本低、常温工作等优点,可用于太赫兹波通讯。仿真和实验结果进一步验证了该调制系统应用的可行性。 展开更多
关键词 太赫兹 表面等离子体波 半导体 等离子体频率 载流子浓度
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碲镉汞器件光敏元电容测试与分析 预览
5
作者 任士远 林春 +6 位作者 魏彦锋 周松敏 王溪 郭慧君 陈路 丁瑞军 何力 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第5期413-417,共5页
报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N... 报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。 展开更多
关键词 HGCDTE 电容 载流子浓度 缓变PN结
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(Ag2Se)1–x(Bi2Se3)x的热电性能研究 预览
6
作者 刘虹霞 李文 +2 位作者 张馨月 李娟 裴艳中 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期341-348,共8页
具有本征低晶格热导率的I-V-VI2族三元硫属化合物在热电领域引起了广泛关注。AgBiSe2作为这类化合物中少有的n型半导体,成为一种有潜力的热电材料。本工作系统研究了AgBiSe2的热电性能。基于Ag2Se-Bi2Se二元相图,单相的(Ag2Se)1–x(Bi2S... 具有本征低晶格热导率的I-V-VI2族三元硫属化合物在热电领域引起了广泛关注。AgBiSe2作为这类化合物中少有的n型半导体,成为一种有潜力的热电材料。本工作系统研究了AgBiSe2的热电性能。基于Ag2Se-Bi2Se二元相图,单相的(Ag2Se)1–x(Bi2Se3)x的成分在x=0.4~0.62范围可调,使得该材料载流子浓度具有可调性。结果表明,通过组分调控获得了较宽范围的载体浓度1.0×10^19~5.7×10^19 cm^-3,并基于声学声子散射的单一抛物带模型对其电传输性能进行了综合评估。本研究获得的最高载流子浓度接近理论最优值,在700 K实现了最高ZT值0.5。本研究有助于深入理解AgBiSe2的传输特性和决定热电性能的基本物理参数。 展开更多
关键词 热电材料 热电性能 AgBiSe2 载流子浓度 SPB模型
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湿化学方法掺杂Na对多晶SnS热电性能的影响
7
作者 唐怀超 董金峰 +3 位作者 孙富华 Asfandiyar 尚鹏鹏 李敬锋 《中国科学:材料科学(英文版)》 CSCD 2019年第7期1005-1012,共8页
SnS作为一种与SnSe特征结构相似且元素丰度更高的热电材料,受到越来越多的关注,但是其较低的本征载流子浓度限制了热电性能的提升.本工作利用了一种改进的化学共沉淀方法调节基体中Na+含量来提高载流子浓度,进而提升了多晶SnS的热电性能... SnS作为一种与SnSe特征结构相似且元素丰度更高的热电材料,受到越来越多的关注,但是其较低的本征载流子浓度限制了热电性能的提升.本工作利用了一种改进的化学共沉淀方法调节基体中Na+含量来提高载流子浓度,进而提升了多晶SnS的热电性能.最大功率因子在873K达到362μWm^-1K^-2,高于目前关于多晶SnS的最高报道值.得益于提升的电输运性能以及较低的热导率, ZT值在873K达到0.52 .该工作为其他热电化合物的掺杂改性技术提供了新思路. 展开更多
关键词 热电性能 SNS Na+ 湿化学方法 多晶 掺杂 化学共沉淀方法 载流子浓度
钠掺杂碲化铅热电材料的高压合成及性能研究
8
作者 蔡博文 李江华 +8 位作者 孙浩 张隆 徐波 胡文涛 于栋利 何巨龙 赵智胜 柳忠元 田永君 《中国科学:材料科学(英文版)》 CSCD 2018年第9期1218-1224,共7页
尽管钠可以对碲化铅进行有效的p型掺杂,但其较低的固溶度限制了对掺杂样品热电性能的全面优化.本工作采用高压合成方法合成钠掺杂的碲化铅样品.结构及成分分析表明样品具有典型的岩盐矿结构,且钠的含量显著提高.相应的,Na0.03Pb0.97Te... 尽管钠可以对碲化铅进行有效的p型掺杂,但其较低的固溶度限制了对掺杂样品热电性能的全面优化.本工作采用高压合成方法合成钠掺杂的碲化铅样品.结构及成分分析表明样品具有典型的岩盐矿结构,且钠的含量显著提高.相应的,Na0.03Pb0.97Te样品的载流子浓度也提高至3.2×10^20cm^-3.此外,显微结构分析确认在高压合成样品的晶粒中形成了高密度的位错.受益于增强的功率因数和大大抑制晶格热导率,Na0.03Pb0.97Te样品的热电优值达到1.7.该工作展示了压力在合成碲化铅基热电材料中的优势. 展开更多
关键词 高压合成 热电材料 热电性能 钠掺杂 碲化铅 显微结构分析 合成样品 载流子浓度
ITO薄膜表面等离子体共振波长的可控调节 被引量:1
9
作者 蔡昕旸 王新伟 +7 位作者 李如雪 王登魁 方铉 房丹 张玉苹 孙秀平 王晓华 魏志鹏 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第5期330-334,共5页
采用直流磁控溅射的方式,在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间,制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16nm逐渐增大到271nm,其结晶程度得到增强,对应的载流子浓度由4.79×1020 cm-3增大到2.41×102... 采用直流磁控溅射的方式,在浮法玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过改变薄膜沉积时间,制备出不同厚度的ITO薄膜。随着膜厚由16nm逐渐增大到271nm,其结晶程度得到增强,对应的载流子浓度由4.79×1020 cm-3增大到2.41×1021 cm-3,表面等离子体共振(SPR)波长由1802nm逐渐蓝移到1204nm,实现了近红外区域SPR波长较宽范围的可控调节。采用Drude自由电子气模型,对不同厚度ITO薄膜的SPR波长进行了理论计算,进一步证明了SPR波长的有效调节取决于膜厚对载流子浓度的影响作用。 展开更多
关键词 材料 表面等离子体 氧化铟锡薄膜 薄膜厚度 载流子浓度
4H-SiC中点缺陷的第一性原理研究
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作者 郭楠伟 邓二平 +3 位作者 赵志斌 陈杰 杨霏 黄永章 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第1期63-69,共7页
基于密度泛函理论和第一性原理,对4H-SiC晶格中5种点缺陷(VC,VC-C,填隙B,替位B和替位P)的晶格常数、电荷布居、能带等微观电子结构进行了计算,并从缺陷形成能、杂质电离能和载流子浓度等角度分析了这些点缺陷对材料性能的影响。计算... 基于密度泛函理论和第一性原理,对4H-SiC晶格中5种点缺陷(VC,VC-C,填隙B,替位B和替位P)的晶格常数、电荷布居、能带等微观电子结构进行了计算,并从缺陷形成能、杂质电离能和载流子浓度等角度分析了这些点缺陷对材料性能的影响。计算结果表明:在这些点缺陷中,C空位的形成能最低,仅为5.929 1 eV,属于比较容易形成的一类点缺陷。同时在能带图中可以看到填隙B的禁带中央附近出现了一条新能带,这条新能带的产生促使填隙B成为5种缺陷中禁带宽度最小的缺陷,有利于SiC半导体器件中载流子的输运。在3种杂质点缺陷中,替位P的电离能最小。掺杂杂质电离能越小,电离程度越深,产生的载流子浓度也越大,这一结论在载流子浓度的计算结果中也得到了验证。 展开更多
关键词 第一性原理 点缺陷 电离能 形成能 载流子浓度
场板结构对AlGaN/GaN HEMT温度场的影响
11
作者 邵宏月 张明兰 王影影 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2018年第4期244-250,共7页
用Silvaco的ATLAS软件仿真研究了场板结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的温度场分布的影响,分析了场板结构影响器件温度场分布的可能因素。模拟结果表明,加入场板结构后,器件沟道二维电子气浓度减小,电场分布发生变化,器件栅... 用Silvaco的ATLAS软件仿真研究了场板结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的温度场分布的影响,分析了场板结构影响器件温度场分布的可能因素。模拟结果表明,加入场板结构后,器件沟道二维电子气浓度减小,电场分布发生变化,器件栅极漏侧边缘处的沟道峰值温度降低。加入栅场板和源场板结构后,场板边缘处都有一个新的温度峰值出现,器件的沟道温度峰值在加入单层和双层栅场板及源场板后由511K分别下降到487、468和484K,这种降低作用会随着栅场板层数的增加而有所增强。仿真结果说明场板结构通过改变AlGaN/GaN HEMT器件沟道载流子浓度和电场分布,影响器件内部的温度场分布。优化器件的场板结构是提高AlGaN/GaN HEMT的可靠性有效途径之一。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 场板 温度场 载流子浓度 电场分布
激发功率对GaInNAs单量子阱材料的光致发光的影响 预览
12
作者 莫敏·赛来 奥布力喀斯木·祖农 普拉提·艾合买提 《电子测试》 2018年第8期42-43,48共3页
Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)... Ga(In)AsN材料是一种新颖的半导体材料,对其进行适当的n型掺杂后其能带可调,宽度可调范围为0.8-1.4eV,并且与Ge、GaAs衬底材料晶格匹配。这种独特的性能为新型光电器件的研发和应用提供了一个不可取代的候选材料。通过低温(T=10K)光致发光方法研究了激发功率密度对GaInNAs/GaAs单层子阱结构光致发光(PL)性能的影响。 展开更多
关键词 化合物半导体 希氮 光致发光 载流子浓度 激子 复合 束缚态
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压电固体中弹性波传播的数学模型
13
作者 王红 李月秋 《数学的实践与认识》 北大核心 2018年第14期232-236,共5页
依据动量定理、电荷守恒定律建立了弹性波在压电固体中传播的数学模型.不仅考虑了压电效应,也同时考虑了电流效应.在压电固体中同时存在机械位移场、极化电势场和电流场.求解波动方程,发现不考虑电流效应时,弹性波是非色散的;考... 依据动量定理、电荷守恒定律建立了弹性波在压电固体中传播的数学模型.不仅考虑了压电效应,也同时考虑了电流效应.在压电固体中同时存在机械位移场、极化电势场和电流场.求解波动方程,发现不考虑电流效应时,弹性波是非色散的;考虑电流效应后,弹性波是色散的.不仅如此,电流效应还导致弹性波的衰减.通过数值模拟,揭示了平衡载流子浓度对色散和衰减的影响规律. 展开更多
关键词 压电效应 电流效应 色散 衰减 弹性波 载流子浓度
真空退火的CdTe/Au掺杂HgCdTe界面状态的影响 预览
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作者 王溪 周松敏 +3 位作者 孙常鸿 魏彦峰 沈灏 林春 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第4期399-402,共4页
对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变... 对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现,退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态,使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后,真空条件下退火,240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大,Au掺杂的浓度几乎不变.但是,温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响,因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后,霍尔测试得到的载流子浓度从2×10~(16)cm~(-3)左右升高至5.5×1016cm~(-3)左右. 展开更多
关键词 Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布
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不同温度下GeTe相变材料的电性能研究 预览
15
作者 张苗苗 曲胜 +2 位作者 王艳艳 魏猛 张继华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期21-25,共5页
Ge-Te系化合物因其具有非常高的电阻比、快响应速度和较高的相变温度而在高性能微波开关方面有重要的应用潜力。本文研究了在室温下磁控溅射法制备的GeTe薄膜电性能随温度的变化规律。研究表明,当薄膜温度从室温升高到170℃,薄膜保持非... Ge-Te系化合物因其具有非常高的电阻比、快响应速度和较高的相变温度而在高性能微波开关方面有重要的应用潜力。本文研究了在室温下磁控溅射法制备的GeTe薄膜电性能随温度的变化规律。研究表明,当薄膜温度从室温升高到170℃,薄膜保持非晶态,电阻率从24Ω·m逐渐下降到0.72Ω·m,空穴的迁移率保持在10-1m2/(V·s)左右,交流阻抗谱表明GeTe更多的表现为电容特性并且能稳定的保持在高阻态。当温度升高到210℃后,薄膜晶化,载流子浓度和迁移率迅速增加,GeTe显示出电阻特性,其电阻率骤降到3.8×10^-6Ω·m(电阻率变化达6个数量级)。分析了GeTe薄膜在不同温度电性能发生变化的原因,相变前电阻率随温度缓慢下降主要归因于载流子浓度增加;而相变后迁移率的大幅上升是GeTe电阻率显著下降的主要原因。 展开更多
关键词 GeTe薄膜 相变材料 微波开关 电阻 载流子浓度 迁移率
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基于小信号模型的边发射激光器测量 预览
16
作者 黄渝斐 《电子测试》 2018年第3期70-71,共2页
小信号模型是测量器件参数的重要方法,也是决定器件性能的重要因素。本实验利用小信号模型对半导体激光器进行实验测量,通过频域分析法收集实验数据,以获得良好信噪比下的实验结果。通过小信号模型的理论分析,利用函数绘图软件对输出光... 小信号模型是测量器件参数的重要方法,也是决定器件性能的重要因素。本实验利用小信号模型对半导体激光器进行实验测量,通过频域分析法收集实验数据,以获得良好信噪比下的实验结果。通过小信号模型的理论分析,利用函数绘图软件对输出光响应曲线进行拟合,最终求得微分寿命和不同因素对载流子复合的影响。 展开更多
关键词 小信号模型 半导体激光器 载流子浓度 微分寿命
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基于肖特基电流输运模型和扫描分布电阻显微术的窄量子阱载流子浓度表征 预览
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作者 黄文超 王晓芳 +2 位作者 陈效双 薛玉雄 杨生胜 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2018年第6期668-672,共5页
目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模... 目前对于纳米尺度半导体材料的局域电导与对应载流子浓度关系的描述主要以参数拟合为主。其关系模型主要依赖人工拟合参数,例如理想因子。所以无法从测得局域电导分布来推出载流子浓度分布。为此,提出了一种获取量子阱中载流子浓度的模型。通过小于10 nm分辨的截面扫描分布电阻显微术,测得了GaAs/AlGaAs量子阱(110)截面的局域电导分布。基于实验设置,提出了只含有掺杂浓度参量的实验描述模型。通过模型,由测得的量子阱(掺杂浓度从10^16/cm^3到10^18/cm^3)局域电导分布,推导出了其载流子分布。相对误差在30%之内。 展开更多
关键词 载流子浓度 量子阱 扫描分布电阻显微术 肖特基
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氩气压对磁控溅射制备CdZnTe薄膜形貌、结构和电学特性的影响 预览
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作者 《功能材料》 《功能材料信息》 2018年第3期2-8,共7页
引言碲锌镉(CdZnTe,CZT)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有高原子序数、高电阻率、优良的载流子输运特性等优点[1-3]。相对于体晶体,CZT薄膜可进行大面积制备,在太阳能电池、工业和医疗用X射线成像等领域具有重要应用前景[4... 引言碲锌镉(CdZnTe,CZT)是一种性能优异的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有高原子序数、高电阻率、优良的载流子输运特性等优点[1-3]。相对于体晶体,CZT薄膜可进行大面积制备,在太阳能电池、工业和医疗用X射线成像等领域具有重要应用前景[4-5].真空蒸镀、磁控溅射、近空间升华等方法均曾被应用于CZT薄膜的制备[1,6]。其中磁控溅射法的优点是薄膜均匀性好、成分可控,可低温制备等[7-7].人们曾经研究过溅射功率、衬底温度. 展开更多
关键词 CDZNTE 迁移率 薄膜成分 磁控溅射 薄膜形貌 载流子浓度 衍射峰 晶体结构 溅射靶材 方块电阻 电学特性
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Observation of Temperature Induced Plasma Frequency Shift in an Extremely Large Magnetoresistance Compound LaSb
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作者 班文静 郭文婷 +1 位作者 雒建林 王楠林 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2017年第7期271-274,共4页
我们在 LaSb 上报导光光谱学研究,混合物最近识别了展出极其大的磁致电阻。我们的光测量显示材料有低搬运人密度。更有趣地,学习表明血浆频率与减少的温度增加。这现象也与减少的温度建议进行的搬运人密度的增加或 / 并且搬运人的有... 我们在 LaSb 上报导光光谱学研究,混合物最近识别了展出极其大的磁致电阻。我们的光测量显示材料有低搬运人密度。更有趣地,学习表明血浆频率与减少的温度增加。这现象也与减少的温度建议进行的搬运人密度的增加或 / 并且搬运人的有效的团的减少。我们首先把它归因于后者效果。它的物理起源上的二种可能的情形被检验并且讨论。学习提供新卓见进这混合物的电子结构。 展开更多
关键词 等离子体频率 磁电阻 复合系统 温度 载流子密度 光学光谱 载流子浓度 报告系统
AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究 预览
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作者 刘劭璠 张明兰 《科技风》 2017年第8期205-208,共4页
二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、... 二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。 展开更多
关键词 HEMT 间隔层 迁移率 载流子浓度 仿真
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