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国内文摘与专利
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《绝缘材料》 CAS 北大核心 2019年第8期98-102,共5页
聚合物绝缘材料载流子陷阱的表征方法及陷阱对绝缘击穿影响的研究进展/高宇,王小芳,李楠,等/高电压技术,2019(7)聚合物绝缘材料在电气设备中已得到广泛应用,其绝缘安全对电气设备的可靠服役具有显著影响。由于聚合物材料内部因生产工艺... 聚合物绝缘材料载流子陷阱的表征方法及陷阱对绝缘击穿影响的研究进展/高宇,王小芳,李楠,等/高电压技术,2019(7)聚合物绝缘材料在电气设备中已得到广泛应用,其绝缘安全对电气设备的可靠服役具有显著影响。由于聚合物材料内部因生产工艺、运行老化等原因形成大量的载流子陷阱,为空间电荷的积聚提供了条件. 展开更多
关键词 聚合物绝缘材料 载流子陷阱 专利 文摘 电气设备 高电压技术 聚合物材料 绝缘击穿
聚合物绝缘材料载流子陷阱的表征方法及陷阱对绝缘击穿影响的研究进展
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作者 高宇 王小芳 +3 位作者 李楠 许棒棒 王继隆 杜伯学 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第7期2219-2230,共12页
聚合物绝缘材料在电气设备中已得到广泛应用,其绝缘安全对电气设备的可靠服役具有显著影响。由于聚合物材料内部因生产工艺、运行老化等原因形成大量的载流子陷阱,为空间电荷的积聚提供了条件,从而使聚合物绝缘材料面临着击穿破坏的风险... 聚合物绝缘材料在电气设备中已得到广泛应用,其绝缘安全对电气设备的可靠服役具有显著影响。由于聚合物材料内部因生产工艺、运行老化等原因形成大量的载流子陷阱,为空间电荷的积聚提供了条件,从而使聚合物绝缘材料面临着击穿破坏的风险,严重威胁其运行安全。因此,对聚合物绝缘材料内部的载流子陷阱进行有效表征,探寻其与材料老化、击穿的相关性,对于保障绝缘材料安全具有重要意义。针对聚合物绝缘材料载流子陷阱表征方法的研究进展进行总结,分析并评述了各类材料陷阱表征方法的基本原理、应用及局限性。研究表明:等温表面电位衰减法、热刺激电流法、光刺激放电法和电声脉冲法均可有效进行载流子陷阱的表征,但需进一步建立精细化数学模型以适用于不同尺寸规格的样品,并探究多种表征方法的内在关联性,发展聚合物材料载流子陷阱的三维成像技术。通过各类物理、化学手段实施聚合物材料的陷阱调控或陷阱编缉,可为提高材料的绝缘性能提供了新的思路。 展开更多
关键词 聚合物绝缘材料 载流子陷阱 表征 表面电位衰减 热刺激电流 光刺激放电 电声脉冲法
红荧烯客体分子掺入Alq3和CBP主体的系间窜越的反常温度效应
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作者 汤仙童 许静 +4 位作者 邓金秋 潘睿亨 胡叶倩 熊祖洪 陈晓莉 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2018年第11期52-61,共10页
为了研究基于红荧烯(Rubrene)发光器件的微观过程,本文分别选用CBP和Alq3作为主体材料,制备了两种红荧烯掺杂器件,并在20–300 K温度范围测量了器件的电致发光磁效应(Magneto-Electroluminescence, MEL).实验发现器件的MEL曲线是由... 为了研究基于红荧烯(Rubrene)发光器件的微观过程,本文分别选用CBP和Alq3作为主体材料,制备了两种红荧烯掺杂器件,并在20–300 K温度范围测量了器件的电致发光磁效应(Magneto-Electroluminescence, MEL).实验发现器件的MEL曲线是由系间窜越(Intersystem Crossing, ISC)过程占主导的低场效应和三重态激子湮灭(Triplet-triplet Annihilation, TTA)过程占主导的高场效应两部分组成.与未掺杂的常规有机发光二极管相比,同一温度下,这3种器件的低场效应呈现出相同的变化趋势,不同温度下却表现出截然相反的变化规律.即:常规有机发光器件中的低场效应表现为ISC过程随着温度的降低而减弱,而红荧烯掺入Alq3和CBP的器件的低场效应则表现为ISC过程随温度的降低而增强.通过分析器件的能级结构、主体发射谱和客体吸收谱可知,红荧烯掺入Alq3和CBP的器件的微观机制包括载流子陷阱效应和Forster能量转移过程,其中载流子陷阱效应主要影响MEL的高场效应且基本不受温度变化的影响.因此, ISC过程的反常温度效应则是由于Forster能量转移过程在低温时被抑制,导致主体材料极化子对数量的增加和极化子对间的ISC作用增强.本研究有助于深入理解基于红荧烯发光器件微观机制的演化过程. 展开更多
关键词 红荧烯 电致发光磁效应 系间窜越 载流子陷阱 Forster能量转移
利用红荧烯激子能量共振分析三重态激子-电荷作用的磁电导机制
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作者 贾伟尧 刘虹 +4 位作者 臧克宽 刘冬玉 汤仙童 袁德 熊祖洪 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期385-393,共9页
为了研究三重态激子与电荷作用(triplet-charge interaction,TCI)产生磁电导(magneto-conductance,MC)的原因,分别用Al,Li F/Al和Ca等不同功函数的金属作为阴极制作了一系列红荧烯(rubrene)型有机发光器件.在室温下Al电极器件中... 为了研究三重态激子与电荷作用(triplet-charge interaction,TCI)产生磁电导(magneto-conductance,MC)的原因,分别用Al,Li F/Al和Ca等不同功函数的金属作为阴极制作了一系列红荧烯(rubrene)型有机发光器件.在室温下Al电极器件中出现了随磁场增加单调下降的负MC.器件的电流-电压特征曲线表明,Al电极器件中空穴为多余载流子,电子注入困难易形成陷阱电荷.利用rubrene中单重态激子(singlet,S)和三重态激子(triplet,T)的能量共振改变S激子裂变(STT)和T激子聚变(TTA)来调控T激子的比率,并通过更换阴极来改变电子注入势垒高度从而调控电荷(charge,C)的浓度,最终实现对TCI的调控.调控结果表明,Al电极器件中负的MC不应该是T激子与多余空穴通过解离或者散射通道的TCI引起的,而是T与陷阱中的束缚电子通过TCI的去陷阱(T+Ct→S0+C)通道淬灭导致的.另外,载流子注入较为平衡的LiF/Al和Ca电极器件的MC比Al电极器件的小1个量级,且随磁场的增加先减小后增大,这并非是因为平衡注入器件内的TCI弱,而是由于器件内rubrene功能层中的陷阱容易被电子占满,TCI去陷阱淬灭通道和陷阱捕获淬灭通道对电流的影响变低.因此,载流子陷阱在TCI的磁效应中具有重要地位,使有机功能层中的陷阱尽量多且不易被载流子占满是利用TCI磁效应的重要方向. 展开更多
关键词 有机电子器件 能量共振 三重态激子 金属电极 载流子陷阱
PAA短链处理纳米粒子改性PI薄膜的介电性能 预览 被引量:2
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作者 范勇 谢艳红 +2 位作者 赵伟 杨瑞宵 陈昊 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 北大核心 2015年第5期56-60,共5页
制备理论平均聚合度不同的聚酰胺酸短链分子用来处理纳米粒子,把经过处理的纳米分散液与高聚合度聚酰胺酸溶液纳米掺杂,再用流延法制得改性的纳米复合聚酰亚胺薄膜。通过介电谱、电导电流和耐电晕测试,研究不同聚合度聚酰胺酸短链分子... 制备理论平均聚合度不同的聚酰胺酸短链分子用来处理纳米粒子,把经过处理的纳米分散液与高聚合度聚酰胺酸溶液纳米掺杂,再用流延法制得改性的纳米复合聚酰亚胺薄膜。通过介电谱、电导电流和耐电晕测试,研究不同聚合度聚酰胺酸短链分子处理纳米粒子对PI薄膜介电性能的影响。结果表明:随着聚酰胺酸短链分子理论平均聚合度的增加,复合薄膜介电系数逐渐增大,介电损耗逐渐变小,电老化阈值逐渐增大。在试验调整范围内,复合薄膜的耐电晕寿命随着聚酰胺酸短链分子理论平均聚合度的增加逐渐减小,但是变化幅度不太大,且均高于未用聚酰胺酸短链分子处理的薄膜。 展开更多
关键词 聚酰胺酸短链分子 介电性能 载流子陷阱
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聚酰亚胺薄膜绝缘材料耐电晕机理研究 预览 被引量:10
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作者 陈吴 范勇 +2 位作者 杨瑞宵 王春平 马鑫 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期28-31,共4页
为了探讨聚酰亚胺薄膜绝缘材料耐电晕机理,对自制纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜进行不同时间的电晕预处理,并对电晕预处理后的试样分别进行电晕老化与热激电流(TSDC)测试,结果发现在适当的电晕预处理条件下,纳米杂化PI薄膜的耐电晕... 为了探讨聚酰亚胺薄膜绝缘材料耐电晕机理,对自制纳米杂化聚酰亚胺(PI)薄膜进行不同时间的电晕预处理,并对电晕预处理后的试样分别进行电晕老化与热激电流(TSDC)测试,结果发现在适当的电晕预处理条件下,纳米杂化PI薄膜的耐电晕寿命会得到提高,且薄膜耐电晕寿命、热激电流活化能都与薄膜电晕预处理时间存在一定关系,二者变化趋势大致相同。分析表明纳米杂化PI薄膜的耐电晕寿命与其中受陷载流子的状态有关,当材料中均匀分布能级较深的稳定的载流子陷阱时,材料表现出较好的耐电晕性能。 展开更多
关键词 纳米掺杂 聚酰亚胺 载流子陷阱 耐电晕
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基于新型腈类染料的白色有机电致发光器件的光谱特性 预览
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作者 文雯 于军胜 +2 位作者 李璐 马涛 蒋亚东 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期 589-592,共4页
将腈类黄色荧光染料(2Z,2’Z)-3,3’-(1,4-phenylene)bis(2-phenylaerylonitrile)(BPhAN)掺杂到poly(N-vinylcarbazole)(PVK)中作发光层,2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)作电子传输层和空穴... 将腈类黄色荧光染料(2Z,2’Z)-3,3’-(1,4-phenylene)bis(2-phenylaerylonitrile)(BPhAN)掺杂到poly(N-vinylcarbazole)(PVK)中作发光层,2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)作电子传输层和空穴阻挡层,制备了结构为Indium-tinoxide(ITO)/PVK:BPhAN/BCP/Mg:Ag的双层有机电致发光器件。通过调节BPhAN掺杂质量百分比(2wt%,4wt%,6Wt%),测试了器件在不同电压下的光谱特性,研究了Forster能量转移和直接载流子俘获在发光过程中的作用。结果表明,当掺杂浓度为4wt%时可实现色度较好的白光,随着电压从6V增大到16V,CIE色坐标从(0.33,0.37)变化到(0.32,0.33),在白光区域有微小蓝移,这是由于随着电压的增大,能量转移效率和直接载流子俘获效率都降低,BPhAN黄光减弱,PVK发射的蓝光增强。 展开更多
关键词 有机电致发光器件 白色发光 BPhAN掺杂体系 光谱特性 能量转移 载流子陷阱
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聚合物光折变材料聚乙烯咔唑的陷阱态研究 被引量:1
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作者 王喧 何丽娟 +1 位作者 张文龙 雷清泉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期111-114,共4页
利用热激电流(TSC)技术测量了聚合物光折变材料聚乙烯咔唑(PVK)的退极化电流曲线,获得了热激弛豫过程的活化能。发现聚乙烯咔唑材料的热激退极化电流曲线共有两个峰,低温峰位于338K,对应的活化能约0.6eV,高温峰位于417K,对应... 利用热激电流(TSC)技术测量了聚合物光折变材料聚乙烯咔唑(PVK)的退极化电流曲线,获得了热激弛豫过程的活化能。发现聚乙烯咔唑材料的热激退极化电流曲线共有两个峰,低温峰位于338K,对应的活化能约0.6eV,高温峰位于417K,对应的活化能范围在0.53~1.00eV,在0.77eV处呈现最大值,陷阱密度极大值为5.7×10^13cm^-2。同时证明了低温峰是源于偶极子退取向弛豫,高温峰则来自于陷阱中空穴的热释放。 展开更多
关键词 材料 非线性光学 载流子陷阱 热激电流 聚乙烯咔唑
高效白色磷光有机电致发光器件 预览 被引量:11
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作者 李璐 于军胜 +3 位作者 王军 娄双玲 蒋亚东 李伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期 1493-1497,共5页
采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白... 采用真空热蒸镀方法以4,4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)为主体材料、以bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]磷光染料为掺杂剂构成黄色发光层,制备了高效白光的有机电致发光器件(OLEDs).OLEDs的器件结构为indium tin oxide(ITO)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-biphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB)/CBP:(t-bt)2Ir(acac)/NPB/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Mg∶Ag,从ITO阳极开始的第一层NPB为空穴传输层,第二层超薄的NPB为蓝色发光层,BCP为空穴阻挡层和激子阻挡层,Alq3为电子传输层.结果表明,器件电压在3V启亮,在16.5V时,器件的最高亮度达到15460cd·m^-2;在4V时,器件达到最大流明效率为7.5lm·W^-1,器件启亮后所发出的白光光谱在低电压时随电压变化有稍微的移动,但是都在白光范围内变化.在电压达到8V后Commission Internationale de l′Eclairage(国际照明委员会)(CIE)色坐标为(0.33,0.32),并且光谱及色坐标稳定,不随电压变化而改变,与最佳的白光坐标(0.33,0.33)几乎重合.同时,从机理上解释了光谱移动和效率衰减的原因,并探讨了载流子陷阱和能量传递的关系. 展开更多
关键词 有机电致发光 白色发光 磷光 铱配合物 载流子陷阱 能量传递
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利用光电子能谱研究氧化锌压敏电阻界面电输运特性 预览 被引量:1
10
作者 禹争光 杨邦朝 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期 22-23,50,共3页
采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性.结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 μm,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长.界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47... 采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性.结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 μm,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长.界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97Ω·cm.价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充. 展开更多
关键词 半导体技术 氧化锌压敏电阻 纯氧化锌陶瓷 光电子能谱 载流子陷阱
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三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程 被引量:2
11
作者 阚敏 陈平 +3 位作者 曹绍谦 刘文利 宋群梁 熊祖洪 《科学通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第14期1358-1364,共7页
室温下,在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N,N’-bis(naphthalen-1-y)-N,N’-bis(phenyl)benzidine(NPB)/tris(8-hydroxyquinolato)aluminum(Alq3):4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p—dimethylaminostyryl-4H—... 室温下,在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N,N’-bis(naphthalen-1-y)-N,N’-bis(phenyl)benzidine(NPB)/tris(8-hydroxyquinolato)aluminum(Alq3):4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p—dimethylaminostyryl-4H—pyran(DCM)/Alq3/LiF/Al中,观察到发光随外磁场的变化(即磁致发光)表现为刚开始的快速增加,在~50mT处达到最大后,随着磁场的进一步增加,又呈现出减弱的特点(即高场效应);而且,器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大,该高场减弱就越明显.但在另一类绿色荧光染料5,12-dihydro,5,12-dimethylquino[2,3-b]acridine-7,14-dione(DMQA)的掺杂器件中,磁致发光的高场部分则是在~50mT后增加变缓并逐渐趋于饱和.分析结果表明,F6rster能量转移过程占主导发射的DMQA掺杂器件,不利于染料分子上三重态激子的形成,从而,通过三重态激子对(tripletpairs)湮灭产生单重态激子(triplet-tripletannihilation,TTA)的过程不易发生;但在载流子陷阱效应参与发射的DCM掺杂器件中,室温下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子,增加了发生TTA过程的几率.因此,基于掺杂器件中两种不同的发射机制,外加磁场对有机发光中三重态激子对(T…T)的演化表现出了不同的调控作用. 展开更多
关键词 染料掺杂 高场效应 Fǒrster能量转移载流子陷阱三重态激子湮灭
一种新的ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器 预览 被引量:1
12
作者 刘健敏 王林军 +1 位作者 史伟民 夏义本 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期 682-684,共3页
不同晶粒大小、高度c轴取向的氧化锌薄膜通过射频反应磁控溅射法成功地沉积在自支撑金刚石薄膜的成核面上。紫外光辐照下,ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器有明显的光响应特性。探测器的暗电流、光电流与ZnO薄膜的晶粒尺寸及质量有关... 不同晶粒大小、高度c轴取向的氧化锌薄膜通过射频反应磁控溅射法成功地沉积在自支撑金刚石薄膜的成核面上。紫外光辐照下,ZnO/金刚石薄膜结构紫外光探测器有明显的光响应特性。探测器的暗电流、光电流与ZnO薄膜的晶粒尺寸及质量有关。在+10V偏压条件下,氧化锌薄膜的晶粒尺寸越大,则探测器的暗电流越小而光电流越大。光电流的时间依赖性证实了载流子的陷阱效应。 展开更多
关键词 晶粒尺寸 氧化锌/金刚石薄膜结构 光探测器 载流子陷阱效应
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罗丹明B掺杂ZnQ2的电致发光器件及其性能研究 预览 被引量:1
13
作者 丁洪流 赵婷 +1 位作者 施国跃 金利通 《华东师范大学学报:自然科学版》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期 88-95,共8页
将8-羟基喹啉锌(ZnQ2)和8-羟基喹啉铝(A1Q)的发光性能进行比较,筛选出ZnQ2作为掺杂发光层主体材料,与荧光染料罗丹明B(RhB)共掺杂,采用真空热蒸镀法制备有机电致发光器件(OLEDs).掺杂不同浓度RhB可以获得不同波长的光发射... 将8-羟基喹啉锌(ZnQ2)和8-羟基喹啉铝(A1Q)的发光性能进行比较,筛选出ZnQ2作为掺杂发光层主体材料,与荧光染料罗丹明B(RhB)共掺杂,采用真空热蒸镀法制备有机电致发光器件(OLEDs).掺杂不同浓度RhB可以获得不同波长的光发射,得到不同的发光色调.通过对溶液态荧光光谱和器件发光光谱等特性的测量与分析,探讨了器件的能量转移及发光机理. 展开更多
关键词 8-羟基喹啉锌 罗丹明B 有机电致发光器件(OLEDs) 能量转移 载流子陷阱俘获
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热激电流及热释光联合测量装置的研制 预览 被引量:1
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作者 熊艳玲 徐传骧 《应用科学学报》 CAS CSCD 1997年第2期 174-178,共5页
介绍利用热激电流与热释光先进测量技术研究高聚物中载流子陷阱结构的联合装置,样品室的建立,特别是用于热释光检测的单光子计数器的研制。
关键词 热激电流 热释光 载流子陷阱结构 高聚物
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利用双载流子四陷阱模型解释Zn:Fe:LiNbO3晶体记录过程中的自擦除现象 被引量:3
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作者 孟庆鑫 宫德维 +1 位作者 张建隆 孙秀冬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期 1788-1792,共5页
比较了掺Fe量相同的两种晶体Fe:LiNbO3和Zn:Fe:LiNbO3的光折变性能,并且给出了Zn:Fe:LiNbO3晶体光电导和衍射效率与入射总光强的关系.在Zn:Fe:LiNbO3晶体二波耦合实验中观察到衍射效率随记录时间的增长先增加,达到饱和后又逐... 比较了掺Fe量相同的两种晶体Fe:LiNbO3和Zn:Fe:LiNbO3的光折变性能,并且给出了Zn:Fe:LiNbO3晶体光电导和衍射效率与入射总光强的关系.在Zn:Fe:LiNbO3晶体二波耦合实验中观察到衍射效率随记录时间的增长先增加,达到饱和后又逐渐减小的自擦除现象,并采用光折变双载流子四陷阱模型对该现象加以解释.在此基础上选择合适的曝光时序,利用角度复用技术在该晶体中进行体全息存储,并在同一点上存入30幅图像. 展开更多
关键词 载流子陷阱模型 自擦除 电子-空穴竞争 铌酸锂晶体 锌掺杂 铁掺杂 角度复用
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