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EEPROM瞬时剂量率效应实验研究 预览
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作者 王桂珍 齐超 +5 位作者 林东生 白小燕 杨善潮 李瑞宾 刘岩 金晓明 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期727-731,共5页
对3种不同容量的EEPROM开展了'强光一号'瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利... 对3种不同容量的EEPROM开展了'强光一号'瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。 展开更多
关键词 浮栅器件 EEPROM 剂量率 阈值
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EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较 被引量:1
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作者 王桂珍 林东生 +6 位作者 齐超 白小燕 杨善超 李瑞宾 马强 金晓明 刘岩 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期510-514,共5页
对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C... 对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。 展开更多
关键词 浮栅器件 EEPROM SRAM 剂量率 阈值 翻转阈值
CMOS电路瞬态辐照脉冲宽度效应的实验研究 预览 被引量:1
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作者 王桂珍 白小燕 +4 位作者 郭晓强 杨善潮 李瑞宾 林东生 龚建成 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期 742-744,共3页
在“强光一号”加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异... 在“强光一号”加速器上,对两种CMOS反相器和一种CMOS存储器进行了长脉冲状态和短脉冲状态下的辐照实验,测量了CMOS电路的瞬时辐照效应规律,得到了CMOS电路辐射损伤阈值与脉冲宽度的关系,分析了CMOS电路在不同脉冲宽度下的效应差异。实验结果表明:CMOS电路的辐射损伤阈值随脉冲宽度的增加而降低,在20ns的脉冲宽度辐照下,CMOS反相器4007和4069的闩锁阈值大约为150ns脉冲辐照下的2倍,CMOS存储器6264的翻转阚值在20ns脉冲宽度辐照下为150ns脉冲宽度辐照下的3倍。 展开更多
关键词 CMOS电路 辐照效应 阈值 翻转阈值 脉冲宽度 剂量率
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不同γ脉冲宽度下CMOS电路闩锁阈值的数值模拟 预览 被引量:1
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作者 王桂珍 林东生 +4 位作者 杨善潮 郭晓强 李瑞斌 白小燕 龚建成 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期 680-683,共4页
采用MEDICI软件,用电流注入和X射线辐照两种方法,对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟,研究了闩锁闽值与脉冲宽度的关系;将计算结果与实验测量结果进行比较,结果表明:随着脉冲宽度的增加,辐射损伤的剂量率阈值随之降低... 采用MEDICI软件,用电流注入和X射线辐照两种方法,对瞬态辐照引起的CMOS电路的闩锁特性进行模拟,研究了闩锁闽值与脉冲宽度的关系;将计算结果与实验测量结果进行比较,结果表明:随着脉冲宽度的增加,辐射损伤的剂量率阈值随之降低,而辐射损伤的总剂量阈值随之增加,CMOS电路的剂量率闩锁阂值与脉冲宽度的倒数成正比。 展开更多
关键词 瞬态辐照 阈值 脉冲宽度 CMOS电路 数值模拟
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