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以MnFe2O4为阻挡层的Ni-YSZ阳极支撑SOFC的效能 预览
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作者 吴晓燕 谭维 +4 位作者 罗才武 张晓文 李密 房琦 谭文发 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期1949-1954,共6页
为提高镍-氧化钇稳定氧化锆(Ni-YSZ)阳极支撑的固体氧化物燃料电池(SOFC)以含碳气为燃料时的抗积碳性能,采用丝网印刷法在Ni-YSZ阳极表面印制阻挡层,阻挡层的材料为高温煅烧制备的铁酸锰(MnFe2O4)粉体。在750℃下以模拟污泥微波热解生... 为提高镍-氧化钇稳定氧化锆(Ni-YSZ)阳极支撑的固体氧化物燃料电池(SOFC)以含碳气为燃料时的抗积碳性能,采用丝网印刷法在Ni-YSZ阳极表面印制阻挡层,阻挡层的材料为高温煅烧制备的铁酸锰(MnFe2O4)粉体。在750℃下以模拟污泥微波热解生物质气为燃料,测试含阻挡层的电池的电化学效能和抗积碳性能,并利用扫描电镜对测试前、后的阳极进行表征。研究结果表明:MnFe2O4阻挡层与Ni-YSZ阳极的结合性较好;在Ni-YSZ阳极上添加MnFe2O4阻挡层后,电池的放电性能有所降低,但是电池在以模拟生物质气为燃料时的抗积碳性能大幅提高,且在浆料中添加16%(质量分数)的石墨制备的阻挡层效果最佳。本研究对Ni-YSZ阳极以生物质气为燃料时的抗积碳能力的改进与发展具有积极意义。 展开更多
关键词 固体氧化物燃料电池 阳极 阻挡层 铁酸锰 生物质气 积碳
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基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真
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作者 林虹宇 谢浩 +5 位作者 王洋 陆宏波 孙艳 胡淑红 陈鑫 戴宁 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期42-48,共7页
在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作... 在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂,其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸,起到阻挡空穴或电子的作用。通过理论分析和仿真计算,确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分。对于nBip型和pBin型红外探测器,仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度(粒子数浓度),并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响。对于nBip型探测器,当阻挡层厚度为40nm、掺杂浓度为2×10^18 cm^-3时,器件开关比最大;对于pBin型探测器,当阻挡层厚度为60nm、掺杂浓度为4×10^17 cm^-3时,器件的开关比最大。 展开更多
关键词 探测器 暗电流 阻挡层 能带图
太阳能电池用FTO/NTO复合薄膜的研究 预览
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作者 辛荣生 林钰 +1 位作者 李慧灵 苏雷生 《河南教育学院学报:自然科学版》 2019年第1期59-62,共4页
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果... 采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了FTO/NTO复合薄膜.通过紫外可见光谱(UV-vis)、双电测四探针仪和电化学工作站对薄膜的光电性能进行表征,测量并分析了NTO阻挡层(兼作传输层)厚度改变对FTO/NTO复合薄膜组装器件光电性能的影响.实验结果表明:阻挡层厚度的变化能改变光生载流子的寿命,当NTO薄膜厚度为90 nm时,光生载流子寿命最高,阻挡层抑制光生载流子复合的效果最好;FTO/NTO复合薄膜的可见光透过率可达84%以上,同时能满足正向电子传输的导电要求. 展开更多
关键词 磁控溅射 FTO/NTO复合薄膜 NTO薄膜厚度 阻挡层 光电性能
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金刚石热控制提高InAlGaN晶体管输出功率
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《半导体信息》 2019年第1期5-7,共3页
日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中热管理是实现更高功率密... 日本富士通研究所近期报道了在金刚石热控制的基础上,适用于碳化硅(SiC)上~3GHz InAlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)[Toshihiro Ohki et al,IEEE Electron Device Letters,published online 5December 2018]。其中热管理是实现更高功率密度的关键步骤。金刚石是一种具有非常高导热性的材料。 展开更多
关键词 金刚石 SIC InAlGaN 漏极电流 阻挡层 热控制
日本富士通公司采用AIGaN间隔层和InAIGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽
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《半导体信息》 2018年第4期6-7,共2页
近日,日本富士通有限公司和富士通实验室有限公司宣布,他们在氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)中开发出一种可以增加电流和电压的晶体结构,有效地将微波频带中发射器用晶体管的输出功率增加三倍。
关键词 日本富士通公司 输出功率 高电子迁移率晶体管 阻挡层 间隔 栅宽 晶体结构 实验室
无氧化剂条件下铜钴CMP去除速率的控制 被引量:1
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作者 张文倩 刘玉岭 +4 位作者 王辰伟 牛新环 杜义琛 季军 韩丽楠 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第1期57-62,共6页
利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,... 利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对两种金属去除速率的影响规律及作用机理。实验结果表明,铜和钴的去除速率随着磨料质量分数的增加而升高,并且在磨料质量分数低于5%时钴的去除速率为20~30 nm/min,而铜的去除速率几乎为零;加入FA/O螯合剂可增强其与金属离子的络合,从而加快铜和钴的去除速率;非离子表面活性剂可以有效降低铜和钴的表面粗糙度。在抛光液各组分的协同作用下,可以达到两种材料的低表面粗糙度和高去除速率选择性。 展开更多
关键词 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 去除速率 碱性抛光液 表面粗糙度
阻挡层抛光中布线槽铜电阻Rs的控制机制研究 被引量:1
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作者 岳昕 刘玉岭 +2 位作者 王辰伟 郑环 李祥州 《稀有金属》 CSCD 北大核心 2018年第4期386-392,共7页
布线槽处铜线条的电阻Rs关系着集成电路的响应速度和芯片的电特性。阻挡层抛光的过程中会造成布线槽处铜线条电阻Rs的变化,为了实现Rs的变化可控,使用FA/O螯合剂和JFC活性剂进行实验测试和机制研究。测试结果表明布线槽铜线条电阻Rs的... 布线槽处铜线条的电阻Rs关系着集成电路的响应速度和芯片的电特性。阻挡层抛光的过程中会造成布线槽处铜线条电阻Rs的变化,为了实现Rs的变化可控,使用FA/O螯合剂和JFC活性剂进行实验测试和机制研究。测试结果表明布线槽铜线条电阻Rs的变化取决于铜线条厚度的大小,铜线条厚度的大小是由铜线条去除速率VCu决定的。对含有不同浓度FA/O螯合剂和JFC活性剂的抛光液进行电化学实验研究,结果表明螯合剂FA/O对Cu^2+有很强的螯合作用,可以促进抛光液对布线槽铜线条的化学作用,提高布线槽铜线条的去除速率VCu;活性剂JFC对布线槽铜线条表面有很强的钝化作用,可以抑制抛光液对布线槽铜线条的化学作用,减小布线槽铜线条的去除速率VCu。利用螯合剂FA/O的强螯合作用和活性剂JFC的强钝化作用实现了布线槽铜电阻Rs的控制。 展开更多
关键词 布线槽 铜线条 电阻 阻挡层 钝化
方钴矿热电材料/Ti(88)Al(12)界面稳定性研究 预览
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作者 张骐昊 廖锦城 +4 位作者 唐云山 顾明 刘睿恒 柏胜强 陈立东 《无机材料学报》 CSCD 北大核心 2018年第8期889-894,共6页
热电器件的界面稳定性是决定其服役可靠性和寿命的关键因素。对于方钴矿热电器件,为了抑制高温电极与方钴矿材料之间的相互扩散,需要在两者之间加入阻挡层。本工作选用Ti(88)Al(12)作为阻挡层,利用一步法热压烧结制备n型Yb(0.3)Co... 热电器件的界面稳定性是决定其服役可靠性和寿命的关键因素。对于方钴矿热电器件,为了抑制高温电极与方钴矿材料之间的相互扩散,需要在两者之间加入阻挡层。本工作选用Ti(88)Al(12)作为阻挡层,利用一步法热压烧结制备n型Yb(0.3)Co4Sb(12)/Ti(88)Al(12)/Yb(0.3)Co4Sb(12)和p型CeFe3.85Mn0.15Sb12/Ti(88)Al(12)/CeFe3.85Mn0.15Sb12样品,研究Ti(88)Al(12)阻挡层与热电材料间的界面接触电阻率及微结构在加速老化实验中的演化规律。结果表明:在相同的老化条件下,n型样品的界面接触电阻率增加速度比p型样品慢,其激活能分别为84.1 k J/mol和68.8 k J/mol。对于n型样品,由元素扩散反应生成的金属间化合物中间层的增长及最终AlCo/TiCoSb层的开裂是导致界面接触电阻率增加的主要原因;而p型热电材料与Ti(88)Al(12)的热膨胀系数的差异加速了p型样品中界面裂纹的产生。 展开更多
关键词 方钴矿 界面稳定性 阻挡层 接触电阻率
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基于组合体模型的阻挡层厚度对突出延期时间的影响分析
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作者 徐乐华 姜海纳 冯增朝 《煤矿安全》 北大核心 2018年第7期9-12,共4页
为了对突出延期发生的原因进行分析,建立了延期突出的"阻挡层-软煤"组合体模型,该模型说明突出延期发生的原因是工作面空间和软煤之间存在的阻挡层,阻挡层发生破坏需要一定的时间,进而导致软煤的暴露并形成延期突出。根据该模型,采用... 为了对突出延期发生的原因进行分析,建立了延期突出的"阻挡层-软煤"组合体模型,该模型说明突出延期发生的原因是工作面空间和软煤之间存在的阻挡层,阻挡层发生破坏需要一定的时间,进而导致软煤的暴露并形成延期突出。根据该模型,采用数值模拟的方法,分析了阻挡层厚度对突出延期时间的影响。结果表明,当阻挡层厚度减小时,阻挡层进入加速蠕变阶段的速度变快。因此,当一次掘进进尺长度较长,使得预留阻挡层厚度变小,应以最快的速度实施支护,将可避免延期突出事故的发生。 展开更多
关键词 煤与瓦斯延期突出 软煤 阻挡层 延期时间 蠕变应变
阳离子型与非离子型表面活性剂的复配对阻挡层化学机械抛光的影响 预览
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作者 王建超 刘玉岭 +4 位作者 牛新环 杨盛华 张凯 周佳凯 张辉辉 《电镀与涂饰》 CSCD 北大核心 2018年第24期1119-1122,共4页
通过化学机械抛光(CMP)对铜晶圆表面进行平坦化处理,研究了碱性抛光液中阳离子型表面活性剂FAOA和非离子型表面活性剂AEO复配对表面缺陷去除效果的影响。结果显示:抛光液中加入3~10mL/LFAOA后,晶圆表面缺陷数量从大于30000个降到1100个... 通过化学机械抛光(CMP)对铜晶圆表面进行平坦化处理,研究了碱性抛光液中阳离子型表面活性剂FAOA和非离子型表面活性剂AEO复配对表面缺陷去除效果的影响。结果显示:抛光液中加入3~10mL/LFAOA后,晶圆表面缺陷数量从大于30000个降到1100个以内。以6mL/LAEO与3mL/LFAOA复配时,CMP后晶圆表面的缺陷数量降至420个左右。 展开更多
关键词 铜晶圆 阻挡层 化学机械抛光 表面活性剂 复配
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Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征 预览
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作者 高达 王经纬 +1 位作者 王丛 许秀娟 《激光与红外》 CSCD 北大核心 2018年第8期1005-1008,共4页
报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在1... 报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内。并使用光致发光技术(PL),得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息。 展开更多
关键词 HGCDTE 中短波双色 阻挡层
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用于Cu-ULK工艺的阻挡层抛光液 预览
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作者 姚颖 宋凯 蔡鑫元 《集成电路应用》 2018年第7期45-48,共4页
随着超低介电常数(ultra-low k)材料被引入新的集成电路制造工艺技术节点,对阻挡层抛光液提出了极大的挑战。阻挡层抛光液必须具有高的阻挡层材料和介电层材料(TEOS)的去除速率,可调节的铜的去除速率以及低的ULK材料的去除速率,这... 随着超低介电常数(ultra-low k)材料被引入新的集成电路制造工艺技术节点,对阻挡层抛光液提出了极大的挑战。阻挡层抛光液必须具有高的阻挡层材料和介电层材料(TEOS)的去除速率,可调节的铜的去除速率以及低的ULK材料的去除速率,这样在阻挡层抛光过程中可以很好地停在ULK材料上以及获得好的晶圆表面形貌修正能力,且抛光后不影响ULK材料的介电常数k值。文中通过选用合适的ULK材料去除速率抑制剂,解决了抛光后ULK材料k值变化的问题,采用合适的腐蚀抑制剂,解决了铜表面腐蚀的问题和制约铜去除速率的问题,通过对阻挡层抛光液配方的优化,从而得到一种适用于Cu-ULK工艺的阻挡层抛光液。 展开更多
关键词 集成电路制造 阻挡层 化学机械抛光 超低介电材料 抛光液
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HPb59-1铅黄铜电镀黑镍工艺 预览
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作者 李雨 李桂麟 +1 位作者 葛黔峰 袁丽红 《电镀与精饰》 北大核心 2018年第1期40-41,46共3页
介绍了以HPb59-1铅黄铜标准螺钉电镀黑镍的全部工艺过程。基材经过化学除铅后电镀锌-镍作为阻挡层,再电镀锌作为打底层,最后电镀黑镍。采用此工艺获得的螺钉螺纹牙丝不发黄,镀出的黑镍层均匀、黝黑,能够满足HB5039-92中抗变色标准要求,... 介绍了以HPb59-1铅黄铜标准螺钉电镀黑镍的全部工艺过程。基材经过化学除铅后电镀锌-镍作为阻挡层,再电镀锌作为打底层,最后电镀黑镍。采用此工艺获得的螺钉螺纹牙丝不发黄,镀出的黑镍层均匀、黝黑,能够满足HB5039-92中抗变色标准要求,具有良好的消光性能和吸幅比。 展开更多
关键词 除铅 阻挡层 黑镍
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阻挡层CMP过程中划伤缺陷的控制 被引量:1
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作者 徐奕 刘玉岭 +1 位作者 王辰伟 马腾达 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第11期841-846,共6页
研究了阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和过滤器对划伤缺陷的影响。分别采用含不同体积分数JFC的抛光液和三种抛光液循环系统对300 mm铜布线图形片进行阻挡层抛光。使用粒径测试仪测试加入不同体积分数JFC的抛... 研究了阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC)和过滤器对划伤缺陷的影响。分别采用含不同体积分数JFC的抛光液和三种抛光液循环系统对300 mm铜布线图形片进行阻挡层抛光。使用粒径测试仪测试加入不同体积分数JFC的抛光液的平均粒径,使用光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)对抛光后的表面缺陷进行分析和表征,并统计阻挡层抛光后图形片上划伤缺陷数。实验结果显示,JFC有效降低了抛光液的平均粒径和大颗粒数;当JFC型活性剂体积分数为4. 5%时,图形片表面划伤缺陷最少;安装0. 7μm过滤器的供液系统效果最好,与不安装相比,划伤缺陷密度降低了90%。JFC和过滤器都能有效地降低CMP过程中的划伤缺陷,将两者结合可以更好的降低划伤缺陷。 展开更多
关键词 划伤缺陷 脂肪醇聚氧乙烯醚(JFC) 化学机械抛光(CMP) 阻挡层 平均粒径 过滤器
GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制
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作者 马腾达 刘玉岭 +2 位作者 杨盛华 徐奕 考政晓 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第11期847-851,共5页
GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ... GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ、氧化剂H2O2和抑菌剂BIT条件下对HCu的影响。结果表明,随着FA/OⅡ体积分数的增加,铜的去除速率(vCu)逐渐变大,当其体积分数增至3. 5%后,vCu呈略微下降态;加入H2O2可使vCu先迅速地增加,在其体积分数增至1. 5%后vCu开始下降。FA/OⅡ型螯合剂、H2O2在低体积分数时对铜均有强去除作用; BIT对铜的抑制作用较大,其体积分数的增加使得vCu不断减小。三者的协同作用实现了对HCu的有效控制。 展开更多
关键词 铜互连 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 铜线条剩余厚度 铜去除速率
ZnO∶(Al,Sm)阻挡层薄膜的制备及其光电性能 预览 被引量:1
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作者 郭伟华 郝洪顺 +5 位作者 靳闪闪 张作顺 刘妍君 李国辉 侯红漫 张公亮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期442-449,共8页
采用溶胶凝胶法制备ZnO∶Al,Sm阻挡层薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)、红外光谱(FTIR)、荧光光谱(PL)、紫外可见光谱(UV-Vis)和扫描电子显微镜(SEM)等对阻挡层薄膜进行了表征,探讨了Al、Sm掺杂量对阻挡层薄膜性能... 采用溶胶凝胶法制备ZnO∶Al,Sm阻挡层薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)、红外光谱(FTIR)、荧光光谱(PL)、紫外可见光谱(UV-Vis)和扫描电子显微镜(SEM)等对阻挡层薄膜进行了表征,探讨了Al、Sm掺杂量对阻挡层薄膜性能的影响。结果表明:当Al的掺杂摩尔分数为1%、Sm的掺杂摩尔分数为3%时,所制备的阻挡层荧光强度最高,可将部分紫外光下转换为588nm的可见光,拓宽了光谱响应范围;基于ZnO∶1%Al,3%Sm阻挡层的海胆棘壳色素敏化的纳米TiO2太阳能电池的开路电压为0.73V,短路电流密度为0.68mA/cm^2,转换效率达0.33%,效率比基于ZnO阻挡层的电池提高了约136%。 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 ZnO∶Al Sm 阻挡层 染料敏化太阳能电池
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柔性CZTSSe薄膜太阳电池的制备及扩散阻挡层对其性能影响的研究 预览
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作者 刘仪柯 罗勋 +2 位作者 蒋良兴 刘芳洋 秦勤 《广西民族大学学报:自然科学版》 CAS 2017年第4期69-73,共5页
在不锈钢衬底上, 采用溶胶-凝胶后硒化退火工艺制备CZTSSe薄膜并构建成太阳电池器件. 采用扫描电镜、 X射线能量色谱仪和太阳电池测试系统对薄膜和柔性电池器件进行表征. 研究结果表明: 通过对比, 430钢上制备的CZTSSe吸收层最符合制... 在不锈钢衬底上, 采用溶胶-凝胶后硒化退火工艺制备CZTSSe薄膜并构建成太阳电池器件. 采用扫描电镜、 X射线能量色谱仪和太阳电池测试系统对薄膜和柔性电池器件进行表征. 研究结果表明: 通过对比, 430钢上制备的CZTSSe吸收层最符合制备高性能器件的要求; 研究了不同扩散阻挡层对器件性能的影响, 其中Ti阻挡层不仅可以促进CZTSSe晶粒长大, 还可以显著提高电池的短路电流和填充因子, 对电池的转换效率有大幅的提升, 并最终获得了转化效率为1.19%的柔性CZTSSe薄膜太阳电池. 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒 柔性薄膜太阳电池 阻挡层
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铜(钛)和铜(铬)自形成阻挡层性能表征
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作者 李富银 王颖 唐彬浛 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第5期371-375,386共6页
采用直流磁控溅射法分别将Cu(Ti)和Cu(Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10(-3)Pa)中退火1 h,退火温度为300-700℃。对Cu(Ti)及Cu(Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光... 采用直流磁控溅射法分别将Cu(Ti)和Cu(Cr)合金层沉积在SiO2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10(-3)Pa)中退火1 h,退火温度为300-700℃。对Cu(Ti)及Cu(Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构。通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性。结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿晶向择优取向生长。两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散。Cu(Ti)/SiO2/Si和Cu(Cr)/SiO2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性。 展开更多
关键词 铜(铬)合金 铜(钛)合金 磁控溅射 界面 阻挡层 退火
非通孔多孔氧化铝基底上原位生成Pd纳米材料的制备及应用 预览 被引量:1
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作者 陈梓庭 梁营 《应用化学》 CSCD 北大核心 2017年第6期705-711,共7页
以非双通的多孔氧化铝(AAO)(A1基底为支撑体)为模板,基底Al作为还原剂,在AAO孔道内原位合成了Pd单质(Pd/AAO)。本文详细研究了AAO阻挡层的去除以及Pd/AAO的酸腐蚀处理后的情况。采用扫描电子显微镜观察了不同条件下形成的形... 以非双通的多孔氧化铝(AAO)(A1基底为支撑体)为模板,基底Al作为还原剂,在AAO孔道内原位合成了Pd单质(Pd/AAO)。本文详细研究了AAO阻挡层的去除以及Pd/AAO的酸腐蚀处理后的情况。采用扫描电子显微镜观察了不同条件下形成的形貌,提出了一个近似合理的生成Pd单质的机理。评价了其对苯硼酸和对溴苯甲醛Suzuki反应的活性。摩尔分数0.06%Pd催化剂在温和的实验条件下可以高效催化Suzuki反应,产率达到99.8%。Pd/AAO固体片状结构在液相反应中直接从溶液中取出即可进行下一次反应,易于分离和回收,可使用性强。此研究为有机反应异相催化剂的设计提供了一个有效的思路,在实际应用中具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 多孔氧化铝 阻挡层 PD SUZUKI反应
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不同pH值下过氧化氢对Ru的CMP的影响 被引量:3
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作者 郑环 周建伟 +3 位作者 刘玉岭 王辰伟 张乐 王仲杰 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期65-70,共6页
研究了以H_2O_2为氧化剂,不同的pH值(2,4,6,8,10)对Ru的去除速率(vRu)和静态腐蚀速率(vSER)的影响,同时用电化学的方法研究了H_2O_2和pH值对Ru表面的动态极化曲线的影响,利用原子力显微镜对每次抛光前后的微观形貌进行了观察。实... 研究了以H_2O_2为氧化剂,不同的pH值(2,4,6,8,10)对Ru的去除速率(vRu)和静态腐蚀速率(vSER)的影响,同时用电化学的方法研究了H_2O_2和pH值对Ru表面的动态极化曲线的影响,利用原子力显微镜对每次抛光前后的微观形貌进行了观察。实验结果表明:随着pH值的逐渐增大,Ru的去除速率和静态腐蚀速率也会随之升高,碱性条件下的vRu和vSER明显高于酸性条件。当pH值为2时,Ru表面生成致密的钝化层,阻碍了化学作用,vRu(0.31 nm/min)和vSER(0nm/min)最低;当pH值为4和6时,会生成可溶性的RuO_4,提高了化学作用,vRu和vSER相对提高;当pH值为8和10时,生成RuO_4~(2-)和RuO_4~-化学作用明显,vRu和vSER显著提高;当pH值为10时,vRu(23.544 nm/min)和vSER(2.88 nm/min)最高。同时,随着pH值的逐渐增大,Ru表面的腐蚀电位(Ecorr)不断减小,腐蚀电流密度(Icorr)不断增大,当pH值为10时,Ecorr达到最低值(0.094 V),Icorr为最高值(1.37×10^-)A/cm~(-2))。 展开更多
关键词 集成电路(IC) 阻挡层 RU 化学机械抛光(CMP) 过氧化氢(H2O2) pH值
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