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A novel spin-FET based on 2D antiferromagnet 预览
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作者 Jianlu Wang 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第2期11-12,共2页
Engineering the electronic band structure of material systems enables the unprecedented exploration of new physical properties that are absent in natural or as-synthetic materials.Electronic structures of bilayer two-... Engineering the electronic band structure of material systems enables the unprecedented exploration of new physical properties that are absent in natural or as-synthetic materials.Electronic structures of bilayer two-dimensional(2D)systems can be flexibly engineered by the external electric field.For example. 展开更多
关键词 In FET A NOVEL spin-FET BASED on 2D ANTIFERROMAGNET
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Effective passivation of black phosphorus transistor against ambient degradation by an ultra-thin tin oxide film
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作者 Dianzhong Wu Zhijian Peng +1 位作者 Chuanhong Jin Zhiyong Zhang 《科学通报:英文版》 SCIE EI CSCD 2019年第9期570-574,共5页
Recently, two-dimensional (2D) layered semiconducting materials have been considered as promising channel materials to construct aggressively-scaled transistors owing to their excellent electrostatics and remained hig... Recently, two-dimensional (2D) layered semiconducting materials have been considered as promising channel materials to construct aggressively-scaled transistors owing to their excellent electrostatics and remained high carrier mobility even at atomic thickness (1,2)Among all of the emerging 2D semiconductors. 展开更多
关键词 BP SnO FET Effective PASSIVATION of black PHOSPHORUS TRANSISTOR against AMBIENT DEGRADATION by an ULTRA-THIN tin oxide film
三星:GAA FET与EUV是半导体领域下一代重要突破
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《半导体信息》 2019年第4期17-18,共2页
日前,三星半导体博客刊发了一篇TECHnalysis Research公司总裁兼首席分析师Bob O’Donnell的文章,他提出了他对于过渡到全新Gate-All-Around晶体管结构的看法。通过重新思考和重新构建基本的晶体管设计,Bob认为技术行业可以期待几代工... 日前,三星半导体博客刊发了一篇TECHnalysis Research公司总裁兼首席分析师Bob O’Donnell的文章,他提出了他对于过渡到全新Gate-All-Around晶体管结构的看法。通过重新思考和重新构建基本的晶体管设计,Bob认为技术行业可以期待几代工艺技术的改进,同时减少半导体尺寸和功率要求,以及提高半导体性能。 展开更多
关键词 工艺节点 EUV GAA FET 下一代
Trap and 1/f-noise effects at the surface and core of GaN nanowire gateall-around FET structure
4
作者 Mallem Siva Pratap Reddy Ki-Sik Im +2 位作者 Jung-Hee Lee Raphael Caulmione Sorin Cristoloveanu 《纳米研究:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第4期809-814,共6页
Using capacitance,conductance and noise measurements,we investigate the trapping behavior at the surface and in the core of triangular-shaped one-dimensional (1 D) array of GaN nanowire gate-all-around field effect tr... Using capacitance,conductance and noise measurements,we investigate the trapping behavior at the surface and in the core of triangular-shaped one-dimensional (1 D) array of GaN nanowire gate-all-around field effect transistor (GAA FET),fabricated via a top-down process.The surface traps in such a low dimensional device play a crucial role in determining the device performance.The estimated surface trap density rapidly decreases with increasing frequency,ranging from 6.07 × 1012 cm-2·eV-1 at 1 kHz to 1.90 × 1011 cm-2·eV-1 at 1 MHz,respectively.The noise results reveal that the power spectral density increases with gate voltage and clearly exhibits 1/f-noise signature in the accumulation region (Vgs > Vth =3.4 V) for all frquencies.In the surface depletion region (1.5 V < Vgs < Vth),the device is governed by 1/fat lower frequencies and 1/f2 noise at frequencies higher than ~ 5 kHz.The 1/f2 noise characteristics is attributed to additional generation-recombination (G-R),mostly caused by the electron trapping/detrapping process through deep traps located in the surface depletion region of the nanowire.The cutoff frequency for the 1/f2 noise characteristics further shifts to lower frequency of 102-103 Hz when the device operates in deep-subthreshold region (Vgs < 1.5 V).In this regime,the electron trapping/detrapping process through deep traps expands into the totally depleted nanowire core and the G-R noise prevails in the entire nanowire channel. 展开更多
关键词 GATE-ALL-AROUND field effect transistor (FET) NANOWIRE GAN TRAP 1/f-noise
Progress of power field effect transistor based on ultra-wide bandgap Ga2O3 semiconductor material 预览
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作者 Hang Dong Huiwen Xue +4 位作者 Qiming He Yuan Qin Guangzhong Jian Shibing Long Ming Liu 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 2019年第1期17-25,共9页
As a promising ultra-wide bandgap semiconductor, gallium oxide(Ga2O3) has attracted increasing attention in recent years. The high theoretical breakdown electrical field(8 MV/cm), ultra-wide bandgap(~ 4.8 eV) and larg... As a promising ultra-wide bandgap semiconductor, gallium oxide(Ga2O3) has attracted increasing attention in recent years. The high theoretical breakdown electrical field(8 MV/cm), ultra-wide bandgap(~ 4.8 eV) and large Baliga’s figure of merit(BFOM) of Ga2O3 make it a potential candidate material for next generation high-power electronics, including diode and field effect transistor(FET). In this paper, we introduce the basic physical properties of Ga2O3 single crystal, and review the recent research process of Ga2O3 based field effect transistors. Furthermore, various structures of FETs have been summarized and compared, and the potential of Ga2O3 is preliminary revealed. Finally, the prospect of the Ga2O3 based FET for power electronics application is analyzed. 展开更多
关键词 GALLIUM oxide (Ga203) ULTRA-WIDE bandgap SEMICONDUCTOR power device field effect TRANSISTOR (FET)
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UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET
6
《半导体信息》 2019年第3期8-9,共2页
碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650VSiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。这些新器件能够提供新级别的高压电源性能.
关键词 产品系列 FET UnitedSiC
UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两个650V SiC FET封装
7
《半导体信息》 2019年第4期3-4,共2页
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速发展的650 V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。新产品的RDS(on)值分别为30 mΩ(UF3C065030T3S)和80 mΩ(UF3C065080T3S),采用行业... 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速发展的650 V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。新产品的RDS(on)值分别为30 mΩ(UF3C065030T3S)和80 mΩ(UF3C065080T3S),采用行业标准的三引脚TO220-3L封装,结合了UnitedSiC自己开发的烧结银(sintered-silver)封装技术,因而具有更强的散热性能。 展开更多
关键词 FET UnitedSiC UF3C FAST 栅极驱动 产品系列
光纤石墨烯FET传感器设计及其用于pH值的检测 预览
8
作者 谢晓慧 黄发忠 岳伟伟 《山东师范大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第2期174-179,共6页
本文设计了一种基于光纤和石墨烯场效应管的传感器,该传感器以光纤端面为平台制作金电极并涂覆石墨烯构建场效应管,通过自制双通路检测系统对不同溶液的pH值进行检测.根据石墨烯的零带隙结构,高电子迁移率与高透光性,荧光素及衍生物6-... 本文设计了一种基于光纤和石墨烯场效应管的传感器,该传感器以光纤端面为平台制作金电极并涂覆石墨烯构建场效应管,通过自制双通路检测系统对不同溶液的pH值进行检测.根据石墨烯的零带隙结构,高电子迁移率与高透光性,荧光素及衍生物6-羧基荧光素在不同pH值溶液中荧光强度的不同,光纤石墨烯场效应管传感器通过光路部分和电路部分两种方法同步监测pH值的变化.本系统还可通过上位机实时反馈检测结果,提高了检测的效率和灵敏度,通过两种检测结果相互对比,提高了检测的可靠性.pH值的成功检测证明了光纤石墨烯场效应管传感器设计制作的可行性,也为多传感器的集成及其广泛应用提供了一种新的思路. 展开更多
关键词 传感器设计 光纤 石墨烯 场效应管 荧光素 双通路系统 PH值
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TI LMG3410R050 GaN功率放大级解决方案 预览
9
《世界电子元器件》 2019年第1期77-80,共4页
TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩGaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,以及低开关节点振铃以降低EMI,20ns传输时延用于MHz工作,25-100V/ns用户可调转换... TI公司的LMG3410R050是具有过流保护的600-V 50-mΩGaN功率放大级,比硅MOSFET具有固有的优势包括超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,以及低开关节点振铃以降低EMI,20ns传输时延用于MHz工作,25-100V/ns用户可调转换速率,具有强健的保护,不需要外接保护元件,主要用在高密度工业和消费类电源,多级转换器,太阳能逆变器,工业马达驱动. 展开更多
关键词 TI LMG3410R050 GAN 功率放大 FET
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ST L9907三相BLDC马达驱动解决方案 预览
10
《世界电子元器件》 2019年第4期59-60,共2页
ST公司的L9907是三相栅极驱动器,采用ST公司的先进的BCD-6s技术,能驱动用于3相BLDC马达的所有PowerMOS晶体管L9907满足汽车规范AEC-Q100,电源电压从4.2V到54V,用于工作在单(12V)系统,双(24V)系统和48V电池应用,在FET高边驱动器引脚上能... ST公司的L9907是三相栅极驱动器,采用ST公司的先进的BCD-6s技术,能驱动用于3相BLDC马达的所有PowerMOS晶体管L9907满足汽车规范AEC-Q100,电源电压从4.2V到54V,用于工作在单(12V)系统,双(24V)系统和48V电池应用,在FET高边驱动器引脚上能经受住-7 V-90 V,低待机电流功耗,PWM工作频率高达20kHz,栅极驱动器电流可通过SPI四步调整,调整范围通过外接电阻最大栅极控制电流为600mA.此外还有保护和诊断功能:FET驱动器具有电源欠压(UV)诊断,栅到源输出电压限制,栅到源无源开关断开;电源VB和VCC有过压(OV),欠压(UV)诊断和保护功能,所有逻辑引脚能经受35V,超温诊断和关断,主要用于3相栅极驱动器和汽车FET驱动器.本文介绍了L9907主要特性,框图,三相马达控制图以及评估板EVAL-L9907应用框图,主板电路图和逆变器板电路图表与PCB设计图. 展开更多
关键词 FET UV SPI 栅极驱动器 ST L9907
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晶体三极管和场效应管的频率响应对比分析 预览
11
作者 杜路泉 《信息通信》 2019年第4期16-19,共4页
分析了晶体三极管和场效应管的分类,同时利用proteus软件对晶体管和场效应管的输入特性和输出特性进行分析。分析晶体三极管和场效应管的静态工作点以及交流等效电路,计算电路的静态工作点、电流电压放大倍数以及输出输入电阻。对比分... 分析了晶体三极管和场效应管的分类,同时利用proteus软件对晶体管和场效应管的输入特性和输出特性进行分析。分析晶体三极管和场效应管的静态工作点以及交流等效电路,计算电路的静态工作点、电流电压放大倍数以及输出输入电阻。对比分析了晶体三极管和场效应管的频率响应,对晶体三极管从单管共射放大电路的频率响应与多级放大电路的频率响应的两种频率响应类型进行分析。对场效应管从组成两种不同的基本放大电路进行分析,最后将晶体三极管和场效应管的频率响应进行比较。 展开更多
关键词 晶体三极管 场效应管 PROTEUS软件 幅频特性 相频特性
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用于环境电磁能量收集的宽输入功率整流电路设计
12
作者 刘二佳 杨雪霞 《电子测量技术》 2018年第13期1-4,共4页
采用场效应管FET与单个二极管相连,设计了一个在较宽输入功率范围内具有高整流效率的整流电路。场效应管FET的工作特性使与之相连的二极管可整流的功率范围变宽,因此拓宽了整流电路的输入功率范围。匹配网络由两个L型微带枝节构成,将电... 采用场效应管FET与单个二极管相连,设计了一个在较宽输入功率范围内具有高整流效率的整流电路。场效应管FET的工作特性使与之相连的二极管可整流的功率范围变宽,因此拓宽了整流电路的输入功率范围。匹配网络由两个L型微带枝节构成,将电路的中心频率匹配至1GHz。实测结果显示,该电路在输入功率为-20dBm时的整流效率为27%,在-13.5-1dBm变化范围内,整流效率高于50%,且在-5dBm时具有最高整流效率60.1%。该整流电路在低功率环境下具有较好的整流特性,且输入功率范围较宽,适用于能量收集系统。 展开更多
关键词 整流电路 场效应管FET 整流效率 能量收集
不同宫腔灌注方法对种植失败患者冷冻周期妊娠结局影响的研究
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作者 黄品秀 韦立红 +2 位作者 覃梅 张帆 李忻琳 《中国优生与遗传杂志》 2018年第4期107-111,共5页
目的探讨胚胎患者种植失败大于等于2次后冻融胚胎移植(FET)前行宫腔内灌人绒毛膜促性腺激素(hCG)、集落刺激因子、单核细胞、生理盐水对妊娠结局的影响,得出最佳的宫腔灌注方法。方法使用随机对照单盲方法,选择既往胚胎RIF行FET作... 目的探讨胚胎患者种植失败大于等于2次后冻融胚胎移植(FET)前行宫腔内灌人绒毛膜促性腺激素(hCG)、集落刺激因子、单核细胞、生理盐水对妊娠结局的影响,得出最佳的宫腔灌注方法。方法使用随机对照单盲方法,选择既往胚胎RIF行FET作为研究对象,移植前2-3日行宫腔内灌注hCG 为hCG组A(67人),灌注集落刺激因子(G-CSF)组B(52人),单核细胞组C(20人),组A、B、C作为实验组,生理盐水组D(52人)为安慰剂组,未灌注组E(59人)为对照组。然后比较各组着床率、临床妊娠率、流产率、继续妊娠率等。结果临床妊娠率分别是:58.20%、53.84%、55.00%、53.84%、35.60%;继续妊娠率分别为:50.74%、50.00%、50.00%、44.23%、25.42%;流产率分别为:12.85%、7.14%、9.09%、17.85%。3组实验组和安慰剂组的继续临床妊娠率与对照组相比显著性增高,差别具有显著性差别,P〈0.05,其中hCG组妊娠率最高。G-CSF组流产率与对照组相比显著性降低,余4组的流产率相似。结论 FET前行宫腔内灌注,各种方法均可以提高患者的临床妊娠率。其中宫腔灌注操作对子宫内膜起的机械刺激的作用,也起到重要的作用。 展开更多
关键词 冻融胚胎移植(FET) 反复种植失败(RIF) 宫腔灌注 hCG 集落刺激因子 单核细胞
场效应管检测与应用电路探讨 预览 被引量:1
14
作者 霍维容 《电子测试》 2018年第13期41-42,共2页
本文针对这一问题,在把MOS管结构及其应用电路作简单介绍后,重点介绍了实际产品的特点、检测判断的最佳方法,及典型应用举例。
关键词 场效应管 沟道 增强型 耗尽型 容性负载
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Cypress S6BP501A/S6BP502A三路汽车仪表盘电源管理方案 预览
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《世界电子元器件》 2018年第11期78-81,共4页
cypress公司的S6BP501A/S6BP502A是三路输出功率管理集成电路,包括一个高压降压DC/DC控制器(DD3V),一个内置了FET的降压DC/DC转换器(DD1V)和一个内置了FET的升压DC/DC转换器(DD5V);电流模式架构具有快速负载响应特性,无负载时输入电流降... cypress公司的S6BP501A/S6BP502A是三路输出功率管理集成电路,包括一个高压降压DC/DC控制器(DD3V),一个内置了FET的降压DC/DC转换器(DD1V)和一个内置了FET的升压DC/DC转换器(DD5V);电流模式架构具有快速负载响应特性,无负载时输入电流降至15μA,输入电压宽至2.5V-42V,和AEC-Q100(Grade-2)兼容.主要用在仪表盘,汽车电子和工业应用.本文介绍了S6BP501A/S6BP502A主要特性,框图和架构图,应用电路及其所用材料清单。 展开更多
关键词 BP 应用电路 CYPRESS S6BP501A/S6BP502A 评估板 DC PFM FET
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Enhancing Photoresponse by Synergy of Electric Double Layer Gate and Illumination in Single CuTCNQ NW Field Effect Transistors 预览
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作者 Rabaya Basori 《电子科学技术应用》 2018年第1期8-13,共6页
We report that photoresponse of a single metal-organic charge transfer complex Cu: TCNQ nanowire (NW) can be enhanced simultaneously by illumination as well as applying a gate bias in an Electric Double Layer Field Ef... We report that photoresponse of a single metal-organic charge transfer complex Cu: TCNQ nanowire (NW) can be enhanced simultaneously by illumination as well as applying a gate bias in an Electric Double Layer Field Effect Transistor (EDL-FET) configuration fabricated on Cu: TCNQ as a channel. It is observed that applying a bias using an EDL gate to a n-channel Cu: TCNQ single NW FET, one can enhance the photoresponse of the Cu: TCNQ substantially over that which arise from the photoconductive response alone. Electron-hole pairs that generate in the NW under illuminated of wavelength 400 nm gives rise photo current. Also, electric double layer induce negative charges in the NW channel which effectively increases the carrier concentration, contributing to better response in conduction. The effect reported here has a generic nature that gives rise to a class of gated photodetectors of different photoresponsive materials. 展开更多
关键词 Cu: TCNQ NANOWIRE EDL FET PHOTORESPONSE
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工作辊氧化膜脱落分析与控制 预览
17
作者 崔宏荣 《涟钢科技与管理》 2018年第3期13-16,共4页
本文根据现场数据分析,通过多批次工艺参数调整,找出影响工作辊氧化膜脱落的主要原因,分析工况与工艺参数差异,有效控制工作辊氧化膜脱落,适应产品表面质量要求,提高工作辊过钢量,实现了批量生产高表面质量要求的薄规格产品。
关键词 氧化膜 凹坑 FET FDT
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消除便携式设备的充电烦恼 预览
18
《世界电子元器件》 2018年第12期16-17,共2页
谈到便携式设备,电源适配器一直是个麻烦。它们的大小、能效水平和功率输出不足在某种程度上削弱了它们所支持的设备外形的持续减小,从而影响了可携性。现在,USB供电(PD)通过单一电缆提供达100 W的电力和数据传输能力。这一便利代表USB... 谈到便携式设备,电源适配器一直是个麻烦。它们的大小、能效水平和功率输出不足在某种程度上削弱了它们所支持的设备外形的持续减小,从而影响了可携性。现在,USB供电(PD)通过单一电缆提供达100 W的电力和数据传输能力。这一便利代表USB PD正在成为中小型设备首选的充电方式。然而,实施USB PD的一个挑战,是以更高的功率水平提供不同的输出电压. 展开更多
关键词 便携式设备 FET 电源适配器 功率密度 高频工作 NCP 有源钳位 ACF 氮化镓
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基于气体绝缘层的FET式室温NO2传感器 预览 被引量:1
19
作者 塔力哈尔·夏依木拉提 吐尔迪·吾买尔 +3 位作者 尚志勇 冯艳 谢宁 彭敏 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第3期54-58,共5页
采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法,构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO2气体传感器。结果发现,在室温条件下,器件的检测极限为1×10–6(NO2体积分数),其灵敏度高达2172%,该结果相比于薄膜气体传感器检测... 采用电子束刻蚀、机械探针贴膜等方法,构筑了基于气体绝缘层结构的单根酞菁铜纳米线FET式NO2气体传感器。结果发现,在室温条件下,器件的检测极限为1×10–6(NO2体积分数),其灵敏度高达2172%,该结果相比于薄膜气体传感器检测极限降至十分之一。除此之外,该器件在室温条件下可以恢复至基线,在低浓度、室温监测方面有着较好的优势。 展开更多
关键词 FET 气体绝缘层 气体传感器 纳米线 室温
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Analytical capacitance model for 14 nm Fin FET considering dual-k spacer
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作者 郑芳林 刘程晟 +3 位作者 任佳琪 石艳玲 孙亚宾 李小进 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第7期338-345,共8页
一个电场的保角的印射被采用了为 nanoscale 鳍地效果开发一个精确寄生电容模型晶体管(FinFET ) 设备。第一,双层的分隔符的结构和门寄生电容器彻底地被分析。然后,笛卡儿的坐标被变成椭圆形的坐标,相等的穗电容模型能由一些算术的... 一个电场的保角的印射被采用了为 nanoscale 鳍地效果开发一个精确寄生电容模型晶体管(FinFET ) 设备。第一,双层的分隔符的结构和门寄生电容器彻底地被分析。然后,笛卡儿的坐标被变成椭圆形的坐标,相等的穗电容模型能由一些算术的操作是布满建筑物的。为了验证我们的建议模型,,在建议计算和 3D-TCAD 模拟之间的统计分析的比较被执行了,并且 dual-k 结构的几不同材料联合被考虑了。结果证明建议分析模型罐头精确地与 dual-k 分隔符计算 FinFET 设备的穗电容。 展开更多
关键词 电容模型 FET 场效应晶体管 笛卡尔坐标 cad仿真 映射方法 算术运算
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