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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计 预览
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作者 刘红梅 董丽娟 吕良宇 《山西大同大学学报:自然科学版》 2019年第3期14-16,52共4页
随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探测器材料、结构的依赖作用入手,利用电磁仿真方法设计了5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。该探测... 随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探测器材料、结构的依赖作用入手,利用电磁仿真方法设计了5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。该探测器采用纵向层状三明治结构,顶部和底部由n型掺杂的GaAs接触层构成,中间是5个周期的GaAs/AlGaAs量子阱复合层。结果表明,该量子阱探测器的最优探测波段为978 nm,而且在近红外波段该红外探测器的反射峰值随着量子阱阱宽的增大向低频方向移动,其最优阱宽为5 nm,为获得高性能量子阱红外探测器提供理论支持。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 阱宽
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快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响
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作者 智民 方铉 +6 位作者 牛守柱 房丹 唐吉龙 王登魁 王新伟 王晓华 魏志鹏 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第5期335-341,共7页
研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下P... 研究了快速热退火(RTA)对GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及发光特性的影响。结果表明,当退火温度为800℃时,材料晶体质量和光致发光(PL)强度得到显著提升;当退火温度为900℃时,材料晶体质量和PL强度降低。依据峰值能量理论得到了室温下PL峰位的发光机制。通过分峰拟合发现,RTA导致PL峰位整体蓝移。PL扫描图表明,RTA可以显著提高材料的整体晶体质量和发光均匀性。 展开更多
关键词 材料 GAAS/ALGAAS 量子阱 互扩散 快速热退火
Transport Studies on GaAs/AlGaAs Two-Dimensional Electron Systems Modulated by Triangular Array of Antidots
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作者 杨楚宏 郑树玉 +5 位作者 樊洁 景秀年 姬忠庆 刘广同 杨昌黎 吕力 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2018年第7期85-89,共5页
关键词 GAAS/ALGAAS 电子系统 三角形 运输 二维 调制 数组 磁电机
Study on irradiation-induced defects in GaAs/AIGaAs core-shell nanowires via photoluminescence technique
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作者 谭立英 黎发军 +2 位作者 谢小龙 周彦平 马晶 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期328-332,共5页
为了获得物理卓见进放射,在 nanowires (NW ) 上完成,时间决定光致发光(TRPL ) 技术被用来调查搬运人在在有从厘米到厘米的 fluences 的 1 兆电子伏质子照耀前后的 GaAs/AlGaAs 核心壳 NW 的动态行为。这被发现降级光谱山峰紧张和少... 为了获得物理卓见进放射,在 nanowires (NW ) 上完成,时间决定光致发光(TRPL ) 技术被用来调查搬运人在在有从厘米到厘米的 fluences 的 1 兆电子伏质子照耀前后的 GaAs/AlGaAs 核心壳 NW 的动态行为。这被发现降级光谱山峰紧张和少数搬运人一生与照耀导致的排水量缺点有关仔细对照耀 fluence 显示出类似的趋势,它是。我们也发现质子导致照耀的缺点作为 Shockley-Read-Hall (SRH ) 再结合中心套住表现自由搬运人。最后,缺点集中能通过测量少数搬运人一生被估计。 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 辐照缺陷 发光技术 纳米线 少数载流子寿命 光致 核壳 时间分辨光谱
Proton radiation effect on GaAs/AIGaAs core-shell ensemble nanowires photo-detector
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作者 谭丽英 黎发军 +2 位作者 谢小龙 周彦平 马晶 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第8期333-336,共4页
我们证明 GaAs/AlGaAs nanowires (NW ) 整体被制作进光电探测器。当前电压(I-V ) 特征在 1 兆电子伏前后在房间温度在 GaAs/AlGaAs 核心壳整体 NW 光电探测器上被测量有到厘米的从厘米的 fluences 的质子照耀。光电流的降级建议质子放... 我们证明 GaAs/AlGaAs nanowires (NW ) 整体被制作进光电探测器。当前电压(I-V ) 特征在 1 兆电子伏前后在房间温度在 GaAs/AlGaAs 核心壳整体 NW 光电探测器上被测量有到厘米的从厘米的 fluences 的质子照耀。光电流的降级建议质子放射导致的点缺点能引起搬运人一生和搬运人活动性同时地减少。为照耀的 NW 光电探测器与一口 GaAs 量井,光的降级和黑暗电流作比较显示 NW 材料是空格应用程序的一个更好的潜在的候选人。 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 质子辐照 纳米线 光电检测器 集成 光电探测器 核壳 载流子迁移率
GaAs/AlGaAs双量子阱实空间转移效应模拟与实验 预览
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作者 余成章 靳川 +1 位作者 白治中 陈建新 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期407-411,共5页
用投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂GaAs/AlGaAs双量子阱的能带结构,得到基态能级与第一激发态的能级差为43.3 meV,并由此推算得到产生载流子横向转移效应的电场强度为1.2~1.8 k V/cm之间.采用MBE技术生长了所涉及的双量子阱... 用投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂GaAs/AlGaAs双量子阱的能带结构,得到基态能级与第一激发态的能级差为43.3 meV,并由此推算得到产生载流子横向转移效应的电场强度为1.2~1.8 k V/cm之间.采用MBE技术生长了所涉及的双量子阱结构,通过优化退火条件,获得了较理想的金属—半导体接触条件.在此基础上,测得在电场强度为1.5 k V/cm时,电流—电压曲线呈现出负阻特性.该电场强度区别于GaAs耿氏效应的电场强度,由此判定,产生微分负阻的机理是电子由高迁移率导电层到低迁移率导电层的横向转移所致,即实空间转移. 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 微分负阻效应 实空间转移
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Optical bistability and multistability in a defect slab doped by GaAs/AlGaAs multiple quantum wells
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作者 Seyyed Hossein Asadpour G Solookinejad +1 位作者 M Panahi E Ahmadi Sangachin 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第5期223-228,共6页
We proposed a new model for controlling the optical bistability(OB) and optical multistability(OM) in a defect slab doped with four-level GaAs/AlGaAs multiple quantum wells with 15 periods of 17.5 nm GaAs wells an... We proposed a new model for controlling the optical bistability(OB) and optical multistability(OM) in a defect slab doped with four-level GaAs/AlGaAs multiple quantum wells with 15 periods of 17.5 nm GaAs wells and 15-nm Al0.3Ga0.7As barriers. The effects of biexciton energy renormalization, exciton spin relaxation, and thickness of the slab on the OB and OM properties of the defect slab were theoretically investigated. We found that the transition from OB to OM or vice versa is possible by adjusting the controllable parameters in a lab. Moreover, the transmission, reflection, and absorption properties of the weak probe light through the slab were also discussed in detail. 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 光学双稳态 多量子 板坯 缺陷 掺杂 光学显微镜 自旋弛豫
势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响 预览
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作者 孟晓 张海鹏 +7 位作者 林弥 余育新 宁祥 吕伟锋 李阜骄 王利丹 余厉阳 王彬 《电子与封装》 2015年第3期38-43,共6页
目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特... 目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。 展开更多
关键词 共振隧穿二极管 GAAS/ALGAAS 对称双势垒 势阱宽度 势垒宽度 负阻特性
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MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究 被引量:1
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作者 张丹 李明 +1 位作者 高立明 赵连城 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第5期765-768,772共5页
系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好... 系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好的生长质量及晶格完整性。室温光致发光谱探测出量子阱导带电子与价带轻重空穴的复合发光,及施主-受主(D-A)能级间距与GaAs禁带宽度。综合分析结果表明用MBE方法制备实现了与设计结构高度相符的GaAs/Al0.27Ga0.73As量子阱样品,为后期器件设计的精确实现提供了理论依据。 展开更多
关键词 量子阱 GAAS/ALGAAS 材料表征 光学性能
High Signal-to-Noise Ratio Hall Devices with a 2D Structure of Dual (f-Doped GaAs/AlGaAs for Low Field NIagnetometry
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作者 陈笛 赵柏秦 张新 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2015年第12期167-170,共4页
关键词 GAAS/ALGAAS 霍尔器件 Δ掺杂 噪声比 二维结构 低场 信号 磁场检测
GaAs/Al0.3Ga0.7As QWIP暗电流特性HRTEM研究 预览 被引量:3
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作者 胡小英 刘卫国 +3 位作者 段存丽 蔡长龙 韩军 刘钧 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第9期3057-3060,共4页
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~30... 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μm,外电极压焊点面积为80μm×80μm的单元样品两种。用变温液氮制冷系统对样品进行77~300 K暗电流特性测试。结果显示,器件暗电流曲线呈现出正负偏压的不对称性。利用高分辨透射扫描电镜(HRTEM)获得样品纳米尺度横断面高分辨像,分析结果表明:样品横断面处存在不同程度的位错及不均匀性。说明样品内部穿透位错造成相位分离是引起量子阱光电性能变差的根本原因,不同生长次序中AlGaAs与GaAs界面的不对称性与掺杂元素的扩散现象加剧了暗电流曲线的不对称性。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 金属有机物化学气相沉积 暗电流 高分辨透射扫描电镜
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芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线中AlGaAs壳材料均匀性研究 预览
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作者 赵翠俭 孙素静 《材料导报》 CSCD 北大核心 2014年第12期34-37,共4页
Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一.采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固... Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一.采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相.采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响.在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14. 展开更多
关键词 纳米线 均匀性 GAAS-ALGAAS 芯-壳结构 金属有机化学气相沉积
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腔面非注入区技术在808nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用 被引量:1
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作者 刘斌 刘媛媛 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2013年第11期142-144,共3页
在808rimGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25μm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100μm,含有19个发光单元的1cm列阵激光器的COD... 在808rimGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25μm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100μm,含有19个发光单元的1cm列阵激光器的COD阈值功率为30W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7W,没有发生失效。 展开更多
关键词 激光器 GAAS ALGAAS 激光二极管列阵 腔面非注入区
量子阱红外探测器峰值探测波长的精确设计与实验验证 预览
14
作者 金巨鹏 刘丹 +1 位作者 陈建新 林春 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期481-485,496共6页
采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生... 采用单能带电子有效质量近似(EMA)和波包函数近似(EFA)模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确设计峰值探测波长的GaAs/AlGaAs量子阱探测器结构参数.基于计算结果,用分子束外延(MBE)方法生长了设计峰值波长为8μm的GaAs/AlGaAs多量子阱材料,进而制备了单元器件,并测试了I-V曲线、光谱响应和探测率.I-V曲线的良好对称性显示了材料生长与器件制备工艺的质量,光谱响应曲线表明器件实际的峰值探测波长为7.96~7.98μm,与设计预期值吻合. 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS ALGAAS 峰值波长 光谱响应 能带非抛物线性
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320×256 GaAs/AlGaAs长波红外量子阱焦平面探测器 预览 被引量:10
15
作者 金巨鹏 刘丹 +4 位作者 王建新 吴云 曹菊英 曹妩媚 林春 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期 833-837,共5页
量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦平面阵列(FPA)的研制也已经相当成熟。但是在国内,受制于整体工业水平,QWIP焦平面阵列器件的研制仍... 量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦平面阵列(FPA)的研制也已经相当成熟。但是在国内,受制于整体工业水平,QWIP焦平面阵列器件的研制仍然处于起步阶段。研制了基于GaAs/AlxGa1-xAs材料、峰值响应波长为9.9μm的长波320×256 n型QWIP焦平面阵列器件,其像元中心距25μm,光敏元面积为22μm×22μm。GaAs衬底减薄后的QWIP焦平面阵列,与Si基CMOS读出电路(ROIC)通过铟柱倒焊互连,并且在65 K工作温度下进行了室温环境目标成像。该焦平面器件的规模和成像质量相比之前国内报道的结果都有较大提高。焦平面平均峰值探测率达1.5×1010cm.Hz1/2/W。 展开更多
关键词 量子阱红外探测器 GAAS/ALGAAS 焦平面 红外热成像
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N-mosfet跨导调制的器件设计 预览
16
作者 杨建兴 闫仕农 温廷敦 《科技传播》 2011年第2期205-205,201共2页
本文根据n-mosfet的跨导在压力作用下随着压力的增加而减小。主要通过由非掺杂层厚度L的变化的方法来实现其中电子迁移率的改变。设计了在压力作用下跨导可以调制的mosfet器件。基于量子力学理论详细的介绍了器件的设计及理论依据。
关键词 跨导 金属场效应晶体管 GAAS/ALGAAS 异质结 迁移率
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GaAs/AlGaAs薄膜压阻特性研究 预览
17
作者 李秋柱 刘国文 谭振新 《中北大学学报:自然科学版》 CAS 北大核心 2010年第3期 291-294,共4页
为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构.该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/Al0.4Ga0.6As半导体薄膜制备而成.利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/A... 为了探索新的微机电转换方法,提出一种GaAs/AlGaAs压阻薄膜结构.该结构采用分子束外延生长技术(MBE),在半绝缘GaAs衬底(001)方向上生长GaAs/Al0.4Ga0.6As半导体薄膜制备而成.利用表面微机械工艺和体微机械工艺,加工制作了基于GaAs/Al0.4Ga0.6As压敏电阻条的加速度计结构,室温条件下利用拉曼光谱仪测试系统测试了悬臂梁上压阻薄膜的应变因子.研究了该薄膜结构的压阻效应,得到Al0.4Ga0.6As的应变因子可达70,相当于AlN-GaN超晶格结构压阻的值,有望应用于新的微机械力电耦合器件中. 展开更多
关键词 GAAS/ALGAAS 薄膜 压阻特性 微加速度计 应变因子
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Single-mode GaAs/AIGaAs quantum cascade microlasers
18
作者 高瑜 刘俊岐 +6 位作者 刘峰奇 张伟 张全德 刘万峰 李路 王利军 王占国 《半导体学报:英文版》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期55-58,共4页
Single-mode edge emitting GaAs/AlGaAs quantum cascade microlasers at a wavelength of about 11.4 μm were realized by shortening the Fabry-P'erot cavity length.The spacing of the longitudinal resonator modes is inv... Single-mode edge emitting GaAs/AlGaAs quantum cascade microlasers at a wavelength of about 11.4 μm were realized by shortening the Fabry-P'erot cavity length.The spacing of the longitudinal resonator modes is inversely proportional to the cavity length.Stable single-mode emission with a side mode suppression ratio of about 19 dB at 85 K for a 150-μm-long device was demonstrated. 展开更多
关键词 AIGAAS 量子级联 单模 AlGaAs 砷化镓 边发射 谐振器 抑制率
320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器 预览 被引量:14
19
作者 史衍丽 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2008年第1期 42-44,101,共4页
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测... 采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心距30μm,像元光敏面28μm×28μm,两像元间距2μm,达到了目前国际上1k×1k量子阱焦平面探测器像元间距研制水平。通过对320×256阵列上设计的陪管区进行光电性能测试,平均黑体探测率1.66×10^9 cm.Hz/W^-1,响应率89.6 mA/W。 展开更多
关键词 320×256 GAAS/ALGAAS 量子阱红外探测器 黑体探测率 响应率
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GaAs—AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析 预览 被引量:2
20
作者 田彦宝 吉元 +4 位作者 王俊忠 张隐奇 关宝璐 郭霞 沈光地 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期 515-518,522,共5页
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30~40nm的空间分辨率,显示GaAs—AlGaAs外延结构中的应力分布。将菊池花样质量JQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs—AlGaAs周期外延层中的应变状态。通过... 采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30~40nm的空间分辨率,显示GaAs—AlGaAs外延结构中的应力分布。将菊池花样质量JQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs—AlGaAs周期外延层中的应变状态。通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域。 展开更多
关键词 电子背散射衍射(EBSD) 微区应力 GaAsAlGaAs
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