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自制SnO2·xH2O对^68Ge—^68Ga发生器吸附性能的影响 预览 被引量:1
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作者 刘正浩 贾聪莉 《同位素》 CAS 1999年第1期 27-32,共6页
用自制的SnO2·xH2O经热处理后作为^68Ge-^68Ga发生器的吸附剂,用模拟试验的方法研究了Ge的吸附与Ga的淋洗。结果表明,自制SnO2·xH2O对Ge有较好的选择吸附性能,2.0mL0.1mol/... 用自制的SnO2·xH2O经热处理后作为^68Ge-^68Ga发生器的吸附剂,用模拟试验的方法研究了Ge的吸附与Ga的淋洗。结果表明,自制SnO2·xH2O对Ge有较好的选择吸附性能,2.0mL0.1mol/L HCl溶液对^68Ga的淋洗效率可达88%。 展开更多
关键词 发生器 吸附性能 淋洗 同位素 68 68
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