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稀土元素Nd对ZM6镁合金力学性能的影响 预览
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作者 艾江 《陶瓷》 CAS 2019年第3期31-37,共7页
笔者主要研究稀土元素Nd对ZM6镁合金力学性能的影响,通过浇筑不同Nd含量的ZM6试棒及显微组织腐蚀试样来研究其显微组织、成分分析,找出镁合金在室温下最高抗拉强度时的Nd含量。Nd可在一定程度上细化ZM6合金组织,且热处理后的细化效果与... 笔者主要研究稀土元素Nd对ZM6镁合金力学性能的影响,通过浇筑不同Nd含量的ZM6试棒及显微组织腐蚀试样来研究其显微组织、成分分析,找出镁合金在室温下最高抗拉强度时的Nd含量。Nd可在一定程度上细化ZM6合金组织,且热处理后的细化效果与铸态相近,但热处理后出现了富锌相颗粒,随Nd含量的增加,富锌相颗粒尺寸增大。试验结果表明,局部基体Nd、Zr、Zn的含量极低,Mg的含量几乎是百分之百,加入的合金元素主要集中在晶界上,从成分分析以及Mg的相图来看,晶界上的析出物为Mg、Nd、Zn组成的Mg12(Nd,Zn)相。热处理能改善ZM6合金晶界状态,使Nd元素在组织内弥敞分布,从而提高晶界强度,使合金性能提高。ZM6合金的硬度随着Nd含量的增加而增加。随着Nd含量的增加,合金的室温抗拉强度增加。当Nd含量超过3.0%时,ZM6镁合金的室温拉伸强度有下降趋势。 展开更多
关键词 显微组织 成分分析 抗拉强度 晶界状态
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压缩机2Cr13活塞杆亚温淬火工艺及其弯曲问题的研究 预览 被引量:1
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作者 曲德毅 朱国庆 《压缩机技术》 2011年第4期 42-44,共3页
2Cr13活塞杆经过亚温淬火、回火调质后,采用580℃保温3~4h空冷或炉冷的稳定化工艺,基本上可以消除应力,并且没有明显的第二类回火脆性的产生,从而保证了2Cr13活塞杆高频淬火时减小弯曲量,避免感应器放电现象熔化活塞杆。
关键词 晶界偏聚 低温脆性 应力 亚温淬火 亚稳态
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GRAIN BOUNDARY REORGANIZATION IN INTERMETALLIC COMPOUNDS NiAl AND FeAl 预览
3
《金属学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第2期546-550,共5页
关键词 GRAIN boundary computer simulation γ-surface stable STATE METASTABLE STATE
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晶界状态对定向凝固Al—Cu和Renel25合金热裂倾向的影响 预览 被引量:4
4
作者 丁浩 傅恒志 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期 228-230,共3页
在HRS定向凝固设备上进行了合金热裂试验,采用半定量方法评定了定向凝固Al-Cu和Renel25合金热裂倾向。观察了合金的晶界,并分析讨论了其对合金热裂的影响。用晶界状态分析的结果与试验结果完全一致。证明了晶界状态对... 在HRS定向凝固设备上进行了合金热裂试验,采用半定量方法评定了定向凝固Al-Cu和Renel25合金热裂倾向。观察了合金的晶界,并分析讨论了其对合金热裂的影响。用晶界状态分析的结果与试验结果完全一致。证明了晶界状态对热裂纹的形成有重要影响,其影响包括对晶间结合力的破坏作用和对晶界凝固收缩的补偿作用。晶界状态对热裂影响的综合作用取决于晶界低熔点相的分布和数量。 展开更多
关键词 晶界状态 定向凝固 AL-CU Renel25合金 热裂倾向
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多晶硅电阻负阻特性理论分析 预览
5
作者 温殿忠 方华军 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1998年第4期65-69,共5页
本文提出了晶粒间界电流调整的新概念,讨论了晶粒间界的少数载流子复合以及晶粒间界的少数载流子迁移率和寿命。利用新概念对多晶硅电阻负阻特性给出了初步的理论分析。
关键词 多晶硅电阻 晶粒间界 表面态密度 负阻特性
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氧化物半导瓷中晶界势垒的起源 预览 被引量:11
6
作者 吕文中 周东祥 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1994年第3期 95-98,共4页
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势起源的新观点,认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散,与材料的结构、化学缺陷、掺杂、外界气氛、烧结工艺、组成状态等有密切关系,并用此理论解释了许多实验现象。
关键词 晶界势垒 表面受主态 氧化物半导体
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铁素体中Ce与P晶界共偏聚的化学状态 预览
7
作者 张东彬 杨让 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期 43-47,共5页
用XPS结合计算机模拟了Ce与P在铁素体晶界上的偏聚状态,结果表明:当晶界P偏聚浓度较低,并以固溶态存在时,Ce对P的化学状态影响较小,当P的晶界浓度较高时,并以不同的化学状态存在时,Ce的影响较大,较多的Ce会改变P的化学状态,计... 用XPS结合计算机模拟了Ce与P在铁素体晶界上的偏聚状态,结果表明:当晶界P偏聚浓度较低,并以固溶态存在时,Ce对P的化学状态影响较小,当P的晶界浓度较高时,并以不同的化学状态存在时,Ce的影响较大,较多的Ce会改变P的化学状态,计算机模拟表明,晶界上P的化学状态取决于其偏聚结构。 展开更多
关键词 晶界共偏聚 铁素体
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多晶硅发射区中的少数载流子注入理论 预览
8
作者 马平西 张利春 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期 17-22,34,共7页
本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论.考虑了晶粒间界厚度和其中的少数载流子复合,假设晶粒间界和晶粒具有不同的少数载流子迁移率和寿命.引入少数载流子迁移率和寿命随多晶硅厚度变化的函数,通过求解与单晶硅少数载流子... 本文提出了一种新的多晶硅发射区少数载流子注入理论.考虑了晶粒间界厚度和其中的少数载流子复合,假设晶粒间界和晶粒具有不同的少数载流子迁移率和寿命.引入少数载流子迁移率和寿命随多晶硅厚度变化的函数,通过求解与单晶硅少数载流子注入形式上完全相同的连续性方程,不仅得到了前人关于晶粒间界对少数载流子具有阻碍和复合双重作用的结论,而且成功地区分了不同晶粒间界对降低注入饱和少数载流子电流贡献的大小.其中,第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流.与此同时,本文还得到了能够降低注入饱和少子电流百分之十以上的有效晶粒间界个数与晶粒/晶粒间界界面态密度和晶粒大小之间的关系. 展开更多
关键词 多晶硅 发射区 载流子注入 晶粒
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烧结温度对PTC陶瓷晶界势垒特性的影响 预览
9
作者 陈亚杰 刘培生 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1995年第3期 47-50,共4页
研究了两种温度下烧成的BaTiO3基PTC半导体陶瓷的晶界特性。利用海旺模型定量计算了这两个样品的受主表面态密度Nso,以及在不同温度下的晶界势垒高度。同时,分析了样品表观相对介电系数与温度T的关系,发现在居里温度T... 研究了两种温度下烧成的BaTiO3基PTC半导体陶瓷的晶界特性。利用海旺模型定量计算了这两个样品的受主表面态密度Nso,以及在不同温度下的晶界势垒高度。同时,分析了样品表观相对介电系数与温度T的关系,发现在居里温度Tc以上40-60℃较窄的温区内服从居里-外斯定律。 展开更多
关键词 半导体陶瓷 晶界势垒 烧结温度 正温度系数
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PTC钛酸钡瓷中的晶界受主态 预览
10
作者 李晓云 陆天长 吴晓东 《南京工业大学学报:自然科学版》 CAS 1989年第1期28-35,共8页
通过623K下的氧化-还原处理造成的PTC效应变化,研究了PTC陶瓷中的晶界受主态.第一次从实验上证实了化学吸附氧是晶界受主志之一。EPR谱表明,试样中的Mn在室温时主要以Mn<sup>3+</sup>的形式存在,接近Tc时捕获一个电子形成M... 通过623K下的氧化-还原处理造成的PTC效应变化,研究了PTC陶瓷中的晶界受主态.第一次从实验上证实了化学吸附氧是晶界受主志之一。EPR谱表明,试样中的Mn在室温时主要以Mn<sup>3+</sup>的形式存在,接近Tc时捕获一个电子形成Mn<sup>2+</sup>,从而对PTC效应作出贡献。此外,EPR谱还表明,无论在TiO<sub>2</sub>过量或BaO过量的试样中,在所测量的温度范围内都没有V′<sub>Ba</sub>顺磁信号。 展开更多
关键词 钛酸钡 晶界受主态 PTC效应
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