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基于单晶AlN薄膜的干法刻蚀和湿法腐蚀 认领
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作者 赵龙 王强 薛晨阳 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第7期550-555,共6页
采用干法刻蚀和湿法腐蚀工艺刻蚀单晶〈002〉晶向AlN薄膜。干法刻蚀中采用电感耦合等离子体(ICP)设备在不同功率和腔压等工艺参数以及不同气体体积流量下刻蚀单晶〈002〉晶向AlN薄膜,通过比较几种刻蚀结果得出在ICP射频(RF)功率为100 W... 采用干法刻蚀和湿法腐蚀工艺刻蚀单晶〈002〉晶向AlN薄膜。干法刻蚀中采用电感耦合等离子体(ICP)设备在不同功率和腔压等工艺参数以及不同气体体积流量下刻蚀单晶〈002〉晶向AlN薄膜,通过比较几种刻蚀结果得出在ICP射频(RF)功率为100 W、ICP线圈功率为500 W、偏置电压为-400~-100 V、腔内压强为4 mTorr(1 Torr=133 Pa)以及BCl3、Cl2和Ar的体积流量分别为50、70和30 cm^3/min的工艺参数下刻蚀单晶〈002〉晶向AlN薄膜,得到刻蚀速率均匀及侧壁垂直度较好的刻蚀形貌,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)测试刻蚀后AlN薄膜的平均表面粗糙度(≤20 nm)良好。湿法腐蚀中采用质量分数为10%的KOH溶液在不同温度下腐蚀AlN薄膜,得出刻蚀速率随着温度的升高而增加,腐蚀速率均匀性一般,平均表面粗糙度(<150 nm)也较差。通过比较两种工艺得出干法刻蚀更适合AlN薄膜的图案化。 展开更多
关键词 ALN 电感耦合等离子体(ICP) 平均表面粗糙度 刻蚀 图案化
大气感应耦合等离子体炬管的设计与仿真实验 认领
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作者 余德平 吴杰 +3 位作者 涂军 张仕杨 辛强 万勇建 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期82-88,共7页
为提高大气感应耦合等离子体射流加工装置的工作稳定性,设计一种依靠单一零件定位各层介质管的分体式炬管,并研究炬管内等离子体的传热与流动特性.利用COMSOL Multiphysics仿真分析发现,等离子体的环形加热和流体淤塞回流现象是导致炬... 为提高大气感应耦合等离子体射流加工装置的工作稳定性,设计一种依靠单一零件定位各层介质管的分体式炬管,并研究炬管内等离子体的传热与流动特性.利用COMSOL Multiphysics仿真分析发现,等离子体的环形加热和流体淤塞回流现象是导致炬管在使用后出现热损伤和刻蚀损伤的主要原因,选用陶瓷材料作为内管和中层管并调整感应线圈的位置,可有效延长炬管的使用寿命.使用CCD相机实时监控等离子体射流的形态,发现射频功率(Pw)、工作气流量(Q2)、冷却气流量(Q3)与射流的整体长度(L)和半高宽度(W)均呈线性递变关系,Pw、Q2与Q3的值过高或过低都会导致等离子体射流的形态波动增大.实验结果表明:当Pw、Q2与Q3分别设置为900~1 000 W、650 mL·min-1、16 L·min-1时,该分体式炬管可产生稳定性较高的等离子体射流,其L值与W值的波动可分别控制在0.50 mm与0.25 mm内,适用于熔石英等光学表面的加工. 展开更多
关键词 分体式炬管 感应耦合等离子体 使用寿命 等离子体射流形态 传热与流动特性
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氮化镓的干法刻蚀工艺研究 认领
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作者 李攀 卢宏 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2020年第6期19-21,31,共4页
为了研究氮化镓刻蚀倾角、选择性和形貌与刻蚀参数之间的关系,对氮化镓的干法刻蚀工艺进行了优化。通过研究不同掩膜种类下的选择比、刻蚀形貌,记录了自偏压,测量了刻蚀速率。通过改变包括气体流量、不同气体比例、射频功率、温度、自... 为了研究氮化镓刻蚀倾角、选择性和形貌与刻蚀参数之间的关系,对氮化镓的干法刻蚀工艺进行了优化。通过研究不同掩膜种类下的选择比、刻蚀形貌,记录了自偏压,测量了刻蚀速率。通过改变包括气体流量、不同气体比例、射频功率、温度、自偏压等干法刻蚀工艺参数,研究了倾斜侧壁氮化镓的刻蚀工艺。结果表明,采用氯基气体可以对氮化镓材料进行刻蚀,刻蚀侧壁及底部形貌光滑;采用氧化硅做掩膜可以获得垂直的侧壁形貌;增大钝化气体比例可以获得倾斜侧壁的氮化镓刻蚀形貌。 展开更多
关键词 半导体材料 感应耦合等离子 干法刻蚀 氮化镓
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InAs/GaSbⅡ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 认领
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作者 许佳佳 黄敏 +6 位作者 徐庆庆 徐志成 王芳芳 白治中 周易 陈建新 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期171-174,共4页
报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSbⅡ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,... 报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSbⅡ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。 展开更多
关键词 电感耦合等离子 刻蚀 InAs/GaSbⅡ类超晶格 焦平面
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Cellular Localization of Gold and Mechanisms of Gold Resistance in <i>Rhodobacter sphaeroides</i> 认领
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作者 Hannah Johnson Ram C. Kafle Madhusudan Choudhary 《微生物学(英文)》 2017年第8期602-616,共15页
Heavy metal pollution is a worldwide problem with many associated health risks, including bone loss, kidney damage, and several forms of cancer. There is a great need of bioremediation of these toxic metals from the e... Heavy metal pollution is a worldwide problem with many associated health risks, including bone loss, kidney damage, and several forms of cancer. There is a great need of bioremediation of these toxic metals from the environment, as well as implementing a monitoring system to control the spreading pollution. This study focuses on the bioremediation potential of Rhodobacter sphaeroides in the presence of the toxic gold chloride (AuCl3). Growth characteristics of the bacterial cells exposed to a range of toxic gold concentrations were analyzed through the growth kinetics and the colony forming units under aerobic, photosynthetic, and anaerobic growth conditions. The localization of the gold particles within two cellular fractions, cytoplasm and the plasma membrane, are analyzed using Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy (ICP-OES). Results of this study demonstrated the photosynthetic growth condition as best suited for the metal tolerance, compared to the aerobic and anaerobic growth conditions. Results also revealed the overall accumulation and localization of gold particles, while not different between the membrane and the cytoplasmic fractions increased at different concentrations of the gold contamination. The results of the localization under photosynthetic growth condition revealed the accumulation reached the highest very quickly, and an overall shift in localization of the gold particles from an equal distribution to an increase within the membrane fraction at the highest concentrations of gold contamination. The localization of the gold particles was validated by Transmission Electron Microscopy (TEM) where the results confirmed the increase in accumulation within the membrane, and photosynthetic membranes, of R. sphaeroides. 展开更多
关键词 RHODOBACTER SPHAEROIDES Heavy Metal BIOREMEDIATION Inductively Coupled Plasma (ICP) Transmission Electron Microscopy (TEM)
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Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触 认领
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作者 徐真逸 叶斌斌 +4 位作者 蓝剑越 董超 李雪威 王建峰 徐科 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2017年第9期701-705,共5页
以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4Ω·cm~2。通过扫描电子显微镜、原子力显... 以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4Ω·cm~2。通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧光和光致发光谱对GaN N面的表面、光学特性进行了对比表征。结果表明:未刻蚀GaN衬底的N面表面存在一定的损伤层,导致近表面处含有大量缺陷,不利于欧姆接触的形成;而ICP刻蚀处理有效地去除了损伤层。X射线光电子能谱(XPS)分析显示刻蚀后样品的Ga 3d结合能比未刻蚀样品向高能方向移动了约0.3 e V,其肖特基势垒则相应降低,有利于欧姆接触的形成。同时对Fe掺杂半绝缘GaN的N面也进行了刻蚀处理,同样实现了良好的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触,其比接触电阻率为0.12Ω·cm^2。 展开更多
关键词 TI/AL/NI/AU N面 欧姆接触 电感耦合等离子体(ICP) 铁掺杂
Influence of a centered dielectric tube on inductively coupled plasma source: Chamber structures and plasma characteristics 认领
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作者 毕振华 洪义 +3 位作者 雷光玖 王帅 王友年 刘东平 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第7期250-255,共6页
高密度的 RF 离子来源是一个中立横梁注射者的必要部分。在这研究,作者试图由通过分泌物房间的对称的轴插入一个薄绝缘的试管翻新一个原来的常规 RF 离子来源反应堆。在这个内胎的帮助下,反应堆能够产生一个光线的磁场而不是原来的横... 高密度的 RF 离子来源是一个中立横梁注射者的必要部分。在这研究,作者试图由通过分泌物房间的对称的轴插入一个薄绝缘的试管翻新一个原来的常规 RF 离子来源反应堆。在这个内胎的帮助下,反应堆能够产生一个光线的磁场而不是原来的横向的磁场,它解决 E ???? 展开更多
关键词 电感耦合等离子体 介质参数 腔体结构 等离子体特性 等离子体源 等离子体密度 中性束注入器 等离子体参数
Plasma-assisted surface treatment for low-temperature annealed ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors 认领
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作者 王磊 张家琦 +2 位作者 李柳暗 前田裕太郎 敖金平 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第3期474-477,共4页
In this study, a low-temperature annealed ohmic contact process was proposed on Al Ga N/Ga N heterostructure field effect transistors(HFETs) with the assistance of inductively coupled plasma(ICP) surface treatment. Th... In this study, a low-temperature annealed ohmic contact process was proposed on Al Ga N/Ga N heterostructure field effect transistors(HFETs) with the assistance of inductively coupled plasma(ICP) surface treatment. The effect of ICP treatment process on the 2DEG channel as well as the formation mechanism of the low annealing temperature ohmic contact was investigated. An appropriate residual Al Ga N thickness and a plasma-induced damage are considered to contribute to the low-temperature annealed ohmic contact. By using a single Al layer to replace the conventional Ti/Al stacks, ohmic contact with a contact resistance of 0.35 ?·mm was obtained when annealed at 575?C for 3 min. Good ohmic contact was also obtained by annealing at 500?C for 20 min. 展开更多
PDMS软模板制备与叶片曲表面软光刻工艺 认领 被引量:5
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作者 高均超 段力 +6 位作者 王英 刘民 王凤丹 丁桂甫 王强 郑芳芳 邵靖 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第5期333-339,共7页
介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移。首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对硅片硬母版进行倒模复制,从而得到具有图形... 介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移。首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对硅片硬母版进行倒模复制,从而得到具有图形的PDMS软模板。对所制备的PDMS软模板和硅片硬母版结构的形貌、结构尺寸进行观测对比,结果显示PDMS软模板成功复制了硅片上的图形。将α-氰基丙烯酸乙酯旋涂到PDMS软模板上,然后将PDMS软模板上的图形转印到航空发动机叶片表面进行二次复制。在叶片表面得到的图形化结果为MEMS传感器的制作打下了坚实的基础。本实验提出的这种用PDMS转印的软光刻工艺可代替传统的光刻工艺,能够普遍适用于曲表面的三维结构集成制造。 展开更多
关键词 聚二甲基硅氧烷(PDMS) 电感耦合等离子体(ICP) 软光刻 纳米压印 叶片
SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究 认领 被引量:1
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作者 商庆杰 王敬松 +2 位作者 高渊 么锦强 张力江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期527-531,共5页
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数... 通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。 展开更多
关键词 碳化硅 背面通孔刻蚀 感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀速率 选择比
Analysis Methods for the Determination of Anthropogenic Additions of P to Agricultural Soils 认领
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作者 Richard L. Haney Virginia L. Jin +4 位作者 Mari-Vaughn V. Johnson Elizabeth B. Haney R. Daren Harmel Jeffrey G. Arnold Michael J. White 《土壤科学期刊(英文)》 2015年第2期59-68,共10页
Phosphorus loading and measurement is of concern on lands where biosolids have been applied. Traditional soil testing for plant-available P may be inadequate for the accurate assessment of P loadings in a regulatory e... Phosphorus loading and measurement is of concern on lands where biosolids have been applied. Traditional soil testing for plant-available P may be inadequate for the accurate assessment of P loadings in a regulatory environment as the reported levels may not correlate well with environmental risk. In order to accurately assess potential P runoff and leaching, as well as plant uptake, we must be able to measure organic P mineralized by the biotic community in the soil. Soils with varying rates of biosolid application were evaluated for mineralized organic P during a 112-day incubation using the difference between P measured using a rapid-flow analyzer (RFA) and an axial flow Varian ICP-OES. An increase in the P mineralized from the treated soils was observed from analysis with the Varian ICP-OES, but not with the RFA. These results confirm that even though organic P concentrations have increased due to increasing biosolid application, traditional soil testing using an RFA for detection, would not accurately portray P concentration and potential P loading from treated soils. 展开更多
关键词 Phosphorus ANTHROPOGENIC ADDITIONS BIOSOLIDS Rapid-Flow Analyzer (RFA) Inductively Coupled Plasma (ICP) Texas Commission of Environmental Quality (TCEQ) Soil ORGANIC C (SOC) Total N (TN) Water-Soluble ORGANIC C (WSOC) Water Soluble ORGANIC N (WSON)
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圆片级封装中硅帽的设计和加工 认领 被引量:1
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作者 陈颖慧 张慧 +1 位作者 施志贵 屈明山 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第10期649-653,670共6页
为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法。分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点。完成了上大下小的硅通孔结构和... 为了提高微电子机械系统(MEMS)器件的成品率和集成度,介绍了一种应用于圆片级封装的硅帽结构。重点介绍了该硅帽结构的设计和加工方法。分析了圆片级封装(WLP)采用侧引线和通孔引线两种方式的优缺点。完成了上大下小的硅通孔结构和不同开口面积的通孔引线实验。采用电感耦合等离子(ICP)干法刻蚀获得了高深宽比、高陡直度的硅通孔。采用光学显微镜测试了上、下通孔的平面结构。在完成硅帽和敏感结构的键合后,进行了引线测试,结果表明这种上大下小的通孔结构能很好地完成引线工艺,其中250μm×250μm的尺寸是最佳开口面积。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) 圆片级封装(WLP) 电感耦合等离子体(ICP) 硅帽 引线
大气细颗粒物致C57小鼠急性肺损伤的试验 认领 被引量:1
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作者 舒加乐 邹亚娟 +1 位作者 孙新明 金承钰 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2015年第3期58-62,共5页
研究大气细颗粒物(PM)的急性毒效应对C57BL/6小鼠的肺及生理条件损伤的影响。用空气采样器采集大气中直径≤1.0μm的悬浮颗粒物,以C57BL/6小鼠为试验对象,采用气管滴注的染毒方法,分空白对照组、生理盐水对照组和染毒组,于染毒前、后2... 研究大气细颗粒物(PM)的急性毒效应对C57BL/6小鼠的肺及生理条件损伤的影响。用空气采样器采集大气中直径≤1.0μm的悬浮颗粒物,以C57BL/6小鼠为试验对象,采用气管滴注的染毒方法,分空白对照组、生理盐水对照组和染毒组,于染毒前、后24 h取20μL全血用于血细胞分析,24 h后取肺及肝脏组织做电感耦合等离子体发射光谱(ICP)元素分析。所收集PM1.0颗粒符合相关报道;染毒组血细胞分析自身对照发现染毒后有明显感染症状;组织器官中肺组织中硅元素含量变化具有临床观察意义。大气细颗粒物的吸入会引起小鼠的肺部炎症及机体的免疫反应,从而造成对肺组织相关元素含量的改变。 展开更多
关键词 大气细颗粒物 急性肺损伤 血细胞分析 电感耦合等离子体
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电感耦合等离子发射光谱法检测食用茵中金属元素含量方法的建立 认领 被引量:1
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作者 于灏 汪发文 《生命科学仪器》 2014年第1期55-59,共5页
检测食用菌中微量元素的方法很多,如:离子色谱法、原子吸收法(AtomicAbsorptionSpectroscopy,AAS)、原子荧光法、x射线荧光光谱法、电化学传感器法等,但受仪器自身的限制和试样基质的干扰,往往不能系统的推广开来,更无法建立标... 检测食用菌中微量元素的方法很多,如:离子色谱法、原子吸收法(AtomicAbsorptionSpectroscopy,AAS)、原子荧光法、x射线荧光光谱法、电化学传感器法等,但受仪器自身的限制和试样基质的干扰,往往不能系统的推广开来,更无法建立标准。因此,迫切需要找到一种能同时测定食用菌中所有金属元素含量的新方法。本研究首先选择干灰化法、湿法消解法和微波消解法进行样品前处理,确定样品的消化方式。同时优化了电感耦合等离子发射光谱(InductivelyCoupledPlasma,ICP)的实验条件。其次在精密度(s1、变异系数(RSD)和回收率等方面,对AAS法与ICP法进行考量。得出ICP法具有可同时检测多种金属元素,并且仪器具有操作简单、检测周期短、灵敏度高、精密度好、准确性高等优势。目前,在食用菌“行标”及“国标”中并没有制定相关的检测标准。本研究的建立为食用菌中金属元素检测提供了方法依据。 展开更多
关键词 微波消解 电感耦合等离子体发射光谱(ICP) 食用菌 微量元素 测定
利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制 认领 被引量:1
15
作者 李燕 曹亮 +5 位作者 李晖 唐代华 Wonsik YOO 梁栋 杨正兵 李昕 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第6期879-882,共4页
该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究.在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的(Φ)100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图... 该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究.在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)取向的(Φ)100mm蓝宝石平片作为实验样品,通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制,制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底.借助扫描电子显微镜,对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析.测量结果显示,基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(Φ)(3.45士0.25)μm,刻蚀高度/深度为(1.75±0.25)μm,整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内. 展开更多
关键词 蓝宝石 基底 刻蚀 感应耦合等离子体(ICP) 图形化蓝宝石基底 发光二极管 刻蚀设备
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导爆管的示踪剂溯源方法研究 认领
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作者 段红珍 钱华 +3 位作者 万方 潘峰 杨祖一 刘大斌 《爆破器材》 CAS 北大核心 2012年第4期12-15,共4页
为了能使导爆管具有良好的可溯源特性,研究了示踪剂在导爆管中的添加方法以及检测方法,通过改变示踪剂的组分及其添加量,得到含有不同种类示踪剂的导爆管,利用电感耦合等离子发射光谱对爆前和爆后样品中的示踪剂配比及含量进行研究... 为了能使导爆管具有良好的可溯源特性,研究了示踪剂在导爆管中的添加方法以及检测方法,通过改变示踪剂的组分及其添加量,得到含有不同种类示踪剂的导爆管,利用电感耦合等离子发射光谱对爆前和爆后样品中的示踪剂配比及含量进行研究,探讨了导爆管的装药均匀性、导爆管取样长度、导爆管取样位置对爆后测试结果的影响。结果表明,导爆管的装药均匀性及取样位置对示踪效果影响较小,长度为lOcm的导爆管取样量可以保证检测结果的有效性,半定量设计配比法可以有效地解决导爆管的溯源问题。 展开更多
关键词 塑料导爆管 示踪剂 溯源特性 电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)
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利用CH_4/H_2/Ar及Cl_2高密度等离子体对InSb的高速率刻蚀研究 认领 被引量:1
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作者 张国栋 司俊杰 王理文 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第4期 843-846,共4页
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率... 利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2。研究发现,对InSb的刻蚀速率随Cl2含量及ICP功率的升高而线性增加。当Cl2含量增加到超过12%或ICP功率大于900 W时,刻蚀表面变得粗糙,而易引起刻蚀损伤的直流偏压随ICP功率的升高而降低。此现象归因于刻蚀副产物InCl3在样品表面的聚集进而妨碍均匀刻蚀反应所致。当样品温度从20℃提高到120℃,刻蚀速率及表面粗糙度无明显变化。通过试验研究,实现了对InSb的高速率、高垂直度刻蚀,刻蚀速率大于500 nm/min,对SiO2掩模刻蚀选择比大于6,刻蚀表面光洁,刻蚀垂直度可达80°。 展开更多
关键词 感应耦合等离子体(ICP) INSB 刻蚀速率 粗糙度 侧壁倾角
基于半导体微环谐振器的光滤波器设计方法 认领 被引量:1
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作者 张彬 张淑梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期 24-28,共5页
提出了一种完整的基于微环谐振器的光学滤波器的系统设计方法,使用该方法可以从一定滤波特性参数出发,计算得到每个环之间的耦合系数,再根据耦合系数和器件尺寸的关系得到具体的器件尺寸,从而实现光学滤波器从性能特性到器件尺寸设... 提出了一种完整的基于微环谐振器的光学滤波器的系统设计方法,使用该方法可以从一定滤波特性参数出发,计算得到每个环之间的耦合系数,再根据耦合系数和器件尺寸的关系得到具体的器件尺寸,从而实现光学滤波器从性能特性到器件尺寸设计的一整套完整的解决方案。并在此基础上利用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术和聚酰亚胺介质平坦化工艺制作了双环光滤波器,对该设计方法进行了初步的实验验证,使用扫描电子显微镜和原子力显微镜等多种测试方法证实,制作的光波导具有很好的性能,测试了其梳状滤波特性。 展开更多
关键词 微环谐振器 光滤波器 SPICE模型 耦合系数 感应离子刻蚀
腔室状态对图形化蓝宝石衬底刻蚀工艺的影响 认领 被引量:1
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作者 杨威风 汪明刚 +3 位作者 刘杰 李超波 夏洋 高福宝 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2012年第3期216-220,共5页
图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术。通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机对图形化蓝宝石衬底的刻蚀工艺进行了研究。采用光学发射光谱仪和扫描电镜研究了PSS生产过程中腔室状态... 图形化蓝宝石衬底是近年来针对高度发光二极管的应用要求发展起来的一种新技术。通过利用自主研制的工业化感性耦合等离子体刻蚀机对图形化蓝宝石衬底的刻蚀工艺进行了研究。采用光学发射光谱仪和扫描电镜研究了PSS生产过程中腔室状态的变化对蓝宝石的刻蚀速率、选择比和图形形貌的影响。研究结果表明:随着反应腔累积放电时间的增加,刻蚀速率呈现下降趋势,选择比呈先上升然后下降的趋势。该趋势由反应腔室内表面上的沉积物所引起。 展开更多
关键词 图形化蓝宝石衬底 发光二极管 腔室状态 沉积物 感性耦合等离子体
基于电感耦合氧等离子体金刚石膜表面修饰的功率优化 认领 被引量:1
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作者 张楷亮 王莎莎 +2 位作者 王芳 吴小国 孙大智 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1034-1037,共4页
采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表... 采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表明,在ICP氧等离子体刻蚀的过程中,sp3键部分转化为sp2键;刻蚀后表面粗糙度降低;当刻蚀功率较高时,可同时刻蚀sp2和sp3键,而且刻蚀sp2的速率强于sp3。在刻蚀实验及机理探索基础上优化了刻蚀功率。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 等离子体 电感耦合等离子体(ICP) 刻蚀
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