期刊文献+
共找到9,252篇文章
< 1 2 250 >
每页显示 20 50 100
不同碳基体CVD SiC涂层的制备及其微观结构研究 预览
1
作者 王昊 黄东 +3 位作者 何雨恬 王秀连 邓畅光 林松盛 《材料研究与应用》 CAS 2019年第1期15-21,共7页
分别以高纯石墨、细颗粒石墨及低密度的C/C复合材料为基体,以MTS为SiC的先驱体原料,采用化学气相沉积工艺制备SiC涂层.通过扫描电镜(SEM)观察CVDSiC涂层的微观形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析其晶体结构.研究发现,在不同沉积基体上沉积的... 分别以高纯石墨、细颗粒石墨及低密度的C/C复合材料为基体,以MTS为SiC的先驱体原料,采用化学气相沉积工艺制备SiC涂层.通过扫描电镜(SEM)观察CVDSiC涂层的微观形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析其晶体结构.研究发现,在不同沉积基体上沉积的SiC晶体形貌不同.以高纯石墨为基体的试样表面基本不存在SiC晶须的生长特征;以细颗粒石墨为基体的试样的表面发现了SiC晶须的生长特征,且基体内部的SiC晶体具有一定的CVI特征,即靠近基体内部沉积的SiC晶体逐渐由SiC晶须变为SiC纳米线;以C/C复合材料为基体的试样内部和表面沉积的SiC晶体表现出多元化的形貌,以层状SiC晶体和SiC晶须为主,主要是由基体材料微观结构的多元化而导致沉积的微区气氛有所不同造成的. 展开更多
关键词 CVD SIC 微观结构 SIC晶须
在线阅读 免费下载
MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC配对副的摩擦磨损性能 预览
2
作者 颜建辉 康蓉 +2 位作者 黄金鑫 汪异 康永海 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期366-373,共8页
MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC复合材料是一种很有发展前景的高温耐磨材料,但MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC/SiC配对副的干滑动摩擦磨损性能尚不清楚.本文中通过销-盘式干滑动摩擦磨损试验,考察了MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC/SiC配对副在不同温度(... MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC复合材料是一种很有发展前景的高温耐磨材料,但MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC/SiC配对副的干滑动摩擦磨损性能尚不清楚.本文中通过销-盘式干滑动摩擦磨损试验,考察了MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC/SiC配对副在不同温度(25~1 000℃)和载荷下(2.5~10 N)的摩擦学特性.结果表明:试验温度和载荷对MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC/SiC配对副的摩擦系数影响较大,而对其磨损率影响较小.载荷为5 N时,在25~1 000℃区间,摩擦系数和磨损率分别在0.11~0.43和0.513×10-7~0.544×10-7 mm3/(N·m)范围;在25~400℃时,磨损机制以轻微的氧化和黏着磨损为主,在600~1 000℃磨损机制主要表现为严重的氧化和黏着磨损.在1 000℃时,随着载荷(2.5~10 N)的增加,摩擦系数和磨损率分别为0.29~0.38和0.540×10-7~0.547×10-7 mm3/(N·m);载荷为2.5~10 N时,始终存在黏着和氧化磨损;载荷为7.5~10 N时,材料磨损表面还伴随碾压塑性变形的特征. 展开更多
关键词 MoSi2-Mo5Si3-Mo5SiB2/SiC SIC 摩擦磨损 磨损机制
在线阅读 免费下载
超薄碳层包覆SiC新型光催化剂的制备表征及其产氢性能 预览
3
作者 彭媛 王达 杨静静 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期532-536,共5页
利用浸渍和高温煅烧相结合的方法制备得到超薄碳层包覆的SiC纳米颗粒,研究了该无金属复合材料在可见光下的催化产氢性能。结果表明,超薄碳层的包覆使SiC的产氢效率达到35.4μmol·h-1·g-1,是单独SiC颗粒的近6倍。采用X-射线衍... 利用浸渍和高温煅烧相结合的方法制备得到超薄碳层包覆的SiC纳米颗粒,研究了该无金属复合材料在可见光下的催化产氢性能。结果表明,超薄碳层的包覆使SiC的产氢效率达到35.4μmol·h-1·g-1,是单独SiC颗粒的近6倍。采用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM),紫外可见漫反射光谱(DRS)和荧光光谱(PL)表征了复合物的结构、形貌和光谱特征,并结合光催化机理证明超薄碳层的包覆能增强SiC的光吸收能力,减少电子空穴复合,从而提升光催化产氢性能。 展开更多
关键词 超薄碳层 SIC 无金属 产氢
在线阅读 下载PDF
SiC纤维表面(BN-SiC)_n复合涂层的制备及单丝拉伸性能
4
作者 贾林涛 王梦千 +2 位作者 徐海明 李爱军 彭雨晴 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1873-1878,共6页
为制备出理想的连续纤维增韧陶瓷复合材料界面相,利用化学气相沉积(CVD)工艺在SiC纤维表面连续制备出三种类型的(BN-SiC)n复合界面涂层,对其进行微观结构表征,并通过单丝拉伸测试研究不同涂层对纤维单丝拉伸性能的影响。结果表明:SiC纤... 为制备出理想的连续纤维增韧陶瓷复合材料界面相,利用化学气相沉积(CVD)工艺在SiC纤维表面连续制备出三种类型的(BN-SiC)n复合界面涂层,对其进行微观结构表征,并通过单丝拉伸测试研究不同涂层对纤维单丝拉伸性能的影响。结果表明:SiC纤维表面沉积的(BN-SiC)n涂层较为均匀致密。单丝拉伸强度随着涂层层数的增加而降低。单层BN涂层的SiC纤维具有最高的单丝强度保持率(70%)和最大的拉伸伸长率(2.3%)。具有(BN-SiC)1与(BN-SiC)2复合涂层的SiC纤维单丝的拉伸性能相比原始SiC纤维有明显下降,拉伸强度保持率分别是42.1%和32.3%。 展开更多
关键词 化学气相沉积 复合涂层 SIC 微观结构 单丝拉伸
基于SiC的NPN双极型晶体管设计
5
作者 冷贺彬 朱平 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期91-96,137共7页
利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流... 利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BVCEO=900 V)、特征频率高(fT=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。 展开更多
关键词 NPN双极型晶体管 SIC 工作温度 击穿电压 特征频率 禁带宽度 晶体管增益
反应物浓度诱导CVD SiC结构的转变 预览
6
作者 黄东 王昊 +5 位作者 何雨恬 王秀连 刘桦 邓畅光 林松盛 张明瑜 《材料研究与应用》 CAS 2019年第2期90-95,共6页
利用低密度的C/C复合材料为沉积基体,通过化学气相沉积法制备气相生长SiC,分析并研究了不同沉积位置和反应物浓度下气相生长SiC的微观形貌和物相组成.结果表明,随着反应物气体浓度的降低,多孔C/C复合材料基体上气相生长的SiC的微观结构... 利用低密度的C/C复合材料为沉积基体,通过化学气相沉积法制备气相生长SiC,分析并研究了不同沉积位置和反应物浓度下气相生长SiC的微观形貌和物相组成.结果表明,随着反应物气体浓度的降低,多孔C/C复合材料基体上气相生长的SiC的微观结构呈区域性变化,SiC薄膜依次向SiC薄膜和颗粒、SiC短棒、SiC纳米线转变.探讨了不同反应物浓度气氛中过饱和度诱导原子迁移和气相分子吸附的过程,并提出一个SiC的生长模型. 展开更多
关键词 CVD SIC 微观结构
在线阅读 免费下载
主镜半主动支撑的力矩校正方法研究 预览
7
作者 刘祥意 王富国 +2 位作者 张景旭 范磊 王文攀 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第5期250-257,共8页
主镜支撑技术一直是大口径望远镜技术的关键技术,以2 m SiC轻量化主镜为研究对象,探究了通过力矩校正的半主动支撑方法,用于校正一些由于加工误差、装配误差等因素引起的一些不可预知的因素所导致的低阶波前像差。首先建立有限元仿真模... 主镜支撑技术一直是大口径望远镜技术的关键技术,以2 m SiC轻量化主镜为研究对象,探究了通过力矩校正的半主动支撑方法,用于校正一些由于加工误差、装配误差等因素引起的一些不可预知的因素所导致的低阶波前像差。首先建立有限元仿真模型,进行仿真分析,分别在6处Tripod柔铰处施加两个方向正交的,大小为1 Nmm的单位校正力Mx和My,共分析12种工况下的主镜变形情况;然后利用微小变形的线性叠加原理,分析计算该力矩校正方法对低阶波前像差的校正能力,由分析计算可知,该力矩校正方法对于加工、装配及装调过程中最常出现的倾斜和像散具有很好的校正能力,可以将初始镜面RMS值归一化为1/10λ(λ=632.8 nm)的像差,分别校正到0.687 nm和2.97 nm,校正能力分别为98.9%和95.3%,所需的最大校正力矩分别为6.3 Nmm和19.9 Nmm;然后根据主镜的whiffletree支撑结构,设计了力矩校正结构方案;最后通过试验验证柔性薄片力矩校正结构形式的可行性,进而验证半主动支撑力矩校正方案的可行性,为半主动支撑的工程应用积累了一定的宝贵经验,具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 SIC 主镜支撑 力矩校正 半主动
在线阅读 下载PDF
纯电动汽车电机控制器的现状及发展趋势 预览
8
作者 刘娜 《职大学报》 2019年第2期84-86,5共4页
本文介绍了纯电动汽车电机控制器的定义和构成,分析了目前硅基IGBT在纯电动汽车电机控制器应用中遇到的瓶颈问题及SiC技术在纯电动汽车电机控制器中应用的优势,并对未来纯电动汽车电机控制器的发展趋势进行了分析,提出了高功率密度、高... 本文介绍了纯电动汽车电机控制器的定义和构成,分析了目前硅基IGBT在纯电动汽车电机控制器应用中遇到的瓶颈问题及SiC技术在纯电动汽车电机控制器中应用的优势,并对未来纯电动汽车电机控制器的发展趋势进行了分析,提出了高功率密度、高压化、智能化、集成化、轻量化设计将会是未来的纯电动汽车电机控制器的发展趋势。 展开更多
关键词 纯电动汽车 电机控制器 IGBT SIC
在线阅读 免费下载
SiC/Al-Mg合金复合粉体制备及表征 预览
9
作者 石春杰 焦宇鸿 《湖北工程学院学报》 2019年第3期15-20,共6页
以Si粉、酚醛树脂和Al-Mg为原料,采用原位自生工艺制备了SiC/Al-Mg复合粉体。用X射线衍射(XRD)、激光粒度分析、扫描电子显微镜(SEM)等手段,分析了粉体的组成、粒度分布和显微结构,结果表明:合金含量为30%,制备温度在800℃,球磨时间2h时... 以Si粉、酚醛树脂和Al-Mg为原料,采用原位自生工艺制备了SiC/Al-Mg复合粉体。用X射线衍射(XRD)、激光粒度分析、扫描电子显微镜(SEM)等手段,分析了粉体的组成、粒度分布和显微结构,结果表明:合金含量为30%,制备温度在800℃,球磨时间2h时,能够得到颗粒尺寸小于10μm,SiC为主相的复合粉体。影响粉体颗粒尺寸的主要原因是合金的含量,其次是球磨工艺和制备温度等工艺因素。所生成的SiC尺寸在200~400nm,与基体具有较好的润湿性,经过研磨后,很少有颗粒从基体中脱落。该工艺为解决SiC与基体合金之间的润湿性和界面反应的问题提供了新方法。 展开更多
关键词 SIC 复合粉体 原位自生 制备 表征
在线阅读 下载PDF
高温化学腐蚀加工多孔碳化硅陶瓷的表征及机理 预览
10
作者 刘善勇 王玉玲 +3 位作者 孙树峰 邵晶 刘庆玉 王津 《航空材料学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期16-24,共9页
探讨高温化学腐蚀加工SiC陶瓷工艺参数对加工质量的影响,分析SiC陶瓷的腐蚀机理。分别用失重法和Archimedes法测量试样的腐蚀速率和气孔率;用XRD、SEM、粗糙度测试仪对试样表面的形貌和结构进行表征。结果表明:随着温度和KOH浓度升高,... 探讨高温化学腐蚀加工SiC陶瓷工艺参数对加工质量的影响,分析SiC陶瓷的腐蚀机理。分别用失重法和Archimedes法测量试样的腐蚀速率和气孔率;用XRD、SEM、粗糙度测试仪对试样表面的形貌和结构进行表征。结果表明:随着温度和KOH浓度升高,腐蚀速率加快,温度高于碱溶液沸点时,腐蚀效果显著提高;碱溶液浓度过高会造成气孔率下降,升高温度可减缓气孔率下降;在优化的工艺参数下,高温化学腐蚀能够降低样品粗糙度,最低约为1.6μm;表面质量得到改善,轮廓支承长度率Rmr提高,Rmr(50%)达到89.70%;腐蚀温度过高或时间过长将造成晶粒脱落,导致表面质量大幅下降;此外,与机械加工试样相比,高温化学加工后的样品未出现裂纹,表面经简单清洗无反应物残留。 展开更多
关键词 SIC 高温化学腐蚀 工艺参数 腐蚀机理 粗糙度 表面形貌
在线阅读 下载PDF
造孔剂对利用电解锰渣制备多孔陶瓷影响的研究 预览
11
作者 成昊 叶芬 +2 位作者 韦虹 石维 吴思展 《山东化工》 CAS 2019年第8期30-31,共2页
利用贵州铜仁某电解锰厂的电解锰渣为主要原料,以SiC为高温造孔剂和木炭为低温造孔剂制备多孔陶瓷,探讨了温度对样品厚度和直径的影响及SiC掺入量对样品抗压强度的影响。试验结果表明:电解锰渣高温液相的粘度较低流动性较好,利用电解锰... 利用贵州铜仁某电解锰厂的电解锰渣为主要原料,以SiC为高温造孔剂和木炭为低温造孔剂制备多孔陶瓷,探讨了温度对样品厚度和直径的影响及SiC掺入量对样品抗压强度的影响。试验结果表明:电解锰渣高温液相的粘度较低流动性较好,利用电解锰渣制备多孔陶瓷时,SiC的成孔性能优于木炭;1170℃处理的样品的抗压强度为6.55MPa,随着SiC的添加量增加,样品的抗压强度降低。 展开更多
关键词 电解锰渣 SIC 木炭 多孔陶瓷
在线阅读 下载PDF
SiC MOSFET的短路特性
12
作者 高勇 乔小可 +1 位作者 孟昭亮 杨媛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第5期342-348,共7页
以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断,国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少。SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小,由于高频开关特性,其对回路寄生参数的影响更加敏感,桥臂结构应用时更易因串扰而引起误导... 以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断,国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少。SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小,由于高频开关特性,其对回路寄生参数的影响更加敏感,桥臂结构应用时更易因串扰而引起误导通,因此快速检测并可靠关断的短路保护技术显得尤为重要。设计了基于FPGA的数字式SiC MOSFET驱动保护电路,实现了短路保护盲区时间易于调整。搭建了第一类短路测试平台并对SiC MOSFET进行了短路测试,分析了漏源极电压退饱和保护及短路测试平台原理,在此基础上研究了栅极电阻、栅源极电压等外部参数对SiC MOSFET短路特性的影响,为SiC MOSFET器件的应用及驱动器的设计提供了一定的指导。 展开更多
关键词 SIC MOSFET 短路特性 FPGA 驱动保护 盲区时间
热处理温度对利用电解锰渣和页岩制备发泡陶瓷的影响
13
作者 成昊 叶芬 +2 位作者 石维 吴思展 冷森林 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期39-43,共5页
以贵州铜仁某厂电解锰渣和铜仁页岩为主要原料,SiC为高温发泡剂制备高温发泡陶瓷,研究了热处理温度对发泡陶瓷的膨胀率、体积密度、吸水率、气孔率及物相的影响。实验结果表明:电解锰渣的添加量为60%,页岩为20%,热处理温度为1170℃样品... 以贵州铜仁某厂电解锰渣和铜仁页岩为主要原料,SiC为高温发泡剂制备高温发泡陶瓷,研究了热处理温度对发泡陶瓷的膨胀率、体积密度、吸水率、气孔率及物相的影响。实验结果表明:电解锰渣的添加量为60%,页岩为20%,热处理温度为1170℃样品性能最佳,体积密度为0.33 g/cm~3,吸水率222.79%,气孔率为73.52%,厚度发泡率为118.15%,主晶相为辉石。研究发现配方中氧化铝和氧化硅的含量对发泡陶瓷的膨胀率和体积密度影响显著,氧化铝和氧化硅含量较低时能在较低温度下制得发泡陶瓷。研究为电解锰渣的资源化综合利用探索了一条新途径。 展开更多
关键词 电解锰渣 铜仁页岩 高温发泡陶瓷 SIC
Recent advances in joining of SiC-based materials(monolithic SiC and SiC_f/SiC composites):Joining processes,joint strength, and interfacial behavior
14
作者 Guiwu LIU Xiangzhao ZHANG +1 位作者 Jian YANG Gunjun QIAO 《先进陶瓷(英文版)》 CSCD 2019年第1期19-38,共20页
Silicon carbide(SiC) has been widely concerned for its excellent overall mechanical and physical properties, such as low density, good thermal-shock behavior, high temperature oxidation resistance, and radiation resis... Silicon carbide(SiC) has been widely concerned for its excellent overall mechanical and physical properties, such as low density, good thermal-shock behavior, high temperature oxidation resistance, and radiation resistance;as a result, the SiC-based materials have been or are being widely used in most advanced fields involving aerospace, aviation, military, and nuclear power. Joining of SiC-based materials(monolithic SiC and SiCf/SiC composites) can resolve the problems on poor processing performance and difficulty of fabrication of large-sized and complex-shaped components to a certain extent, which are originated from their high inherent brittleness and low impact toughness.Starting from the introduction to SiC-based materials, joining of ceramics, and joint strength characterization, the joining of SiC-based materials is reviewed by classifying the as-received interlayer materials, involving no interlayer, metallic, glass-ceramic, and organic interlayers. In particular, joining processes(involving joining techniques and parameter conditions), joint strength,interfacial microstructures, and/or reaction products are highlighted for understanding interfacial behavior and for supporting development of application-oriented joining techniques. 展开更多
关键词 SIC CERAMICS SICF/SIC COMPOSITES joining JOINT strength INTERFACIAL behavior
SiC含量对ZTA和ATZ复相陶瓷力学及热学性能的影响 预览
15
作者 柴建龙 郭亚威 +5 位作者 朱亚滨 李淑芬 申铁龙 姚存峰 崔明焕 王志光 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2019年第2期228-233,共6页
以α-Al2O3、ZrO2和β-SiC粉体为原料,通过放电等离子烧结(SPS)制备了氧化物/碳化物复相陶瓷材料,研究了SiC掺杂对氧化锆增韧氧化铝(ZTA)和氧化铝增强氧化锆(ATZ)基两种复相陶瓷微观结构以及力学、热学性能的影响。XRD衍射谱显示样品中... 以α-Al2O3、ZrO2和β-SiC粉体为原料,通过放电等离子烧结(SPS)制备了氧化物/碳化物复相陶瓷材料,研究了SiC掺杂对氧化锆增韧氧化铝(ZTA)和氧化铝增强氧化锆(ATZ)基两种复相陶瓷微观结构以及力学、热学性能的影响。XRD衍射谱显示样品中成分为α-Al2O3、ZrO2和β-SiC,无其他杂质相存在。随着SiC含量的增加,ZTA-SiC复相陶瓷的断裂韧性先增大至7.6 MPa m^1/2后下降为6.6 MPa m^1/2,而ATZ-SiC复相陶瓷的断裂韧性未发生明显变化,恒定为约11 MPa m^1/2。SEM图像显示韧性较大的复合陶瓷中的穿晶断裂作用机制明显。相同温度下,复相陶瓷的热导率随SiC添加量的增加而增加,当温度为1200 ℃时,ZTA-SiC和ATZ-SiC复相陶瓷的热导率随SiC含量的增加分别由4.31 W/m K增加至5.50 W/m K,5.39 W/m K增加至8.10 W/m K。 展开更多
关键词 SiC ZTA/ATZ复相陶瓷 断裂韧性 弯曲强度 热导率
在线阅读 下载PDF
体育器械用SiC改性铝基复合材料组织与性能研究 预览
16
作者 齐佳 周红燕 《粘接》 CAS 2019年第8期24-27,共4页
文章主要是对SiC改性铝基复合材料的组织和性能进行研究,为了得到体积分数不同的SiC改性铝基复合材料,借助粉末挤压法来参与本次试验。着重分析了复合材料本身硬度、在显微镜下的形状外貌、摩擦系数和磨损程度受体积分数不同的SiC的影... 文章主要是对SiC改性铝基复合材料的组织和性能进行研究,为了得到体积分数不同的SiC改性铝基复合材料,借助粉末挤压法来参与本次试验。着重分析了复合材料本身硬度、在显微镜下的形状外貌、摩擦系数和磨损程度受体积分数不同的SiC的影响。结果发现SiC/2024铝基复合材料中SiC颗粒体积分数与复合材料硬度呈正比,前者增加,后者硬度也增大。但当0.7~0.8为平均摩擦系数时,出现减小的是磨损体积、短轴宽度、磨痕长轴宽度以及表面磨痕深度。椭球面状为所形成的磨损形貌。 展开更多
关键词 体育器械 SIC 复合材料 耐磨性能 磨损形貌
在线阅读 下载PDF
3wt%SiC_P/Al-5Mg复合材料耐腐蚀性与可焊性的研究
17
作者 龙胜 胡坤 +2 位作者 梁晓樱 喻亮 唐鑫 《热加工工艺》 北大核心 2019年第6期130-132,137共4页
利用半固态搅拌辅助超声的方法制备3wt%SiC_P/Al-5Mg复合材料,采用钨极氩气保护电弧焊(TIG)和电化学工作站对SiC_P/Al-5Mg复合材料进行了焊接、电化学腐蚀实验。结果表明:复合材料中存在大量沿晶界分布的SiC颗粒,阻碍了富铁相沿晶界的析... 利用半固态搅拌辅助超声的方法制备3wt%SiC_P/Al-5Mg复合材料,采用钨极氩气保护电弧焊(TIG)和电化学工作站对SiC_P/Al-5Mg复合材料进行了焊接、电化学腐蚀实验。结果表明:复合材料中存在大量沿晶界分布的SiC颗粒,阻碍了富铁相沿晶界的析出,提高了材料的抗腐蚀性能;SiC_P/Al-5Mg复合材料的焊缝相比于Al-5Mg合金表面成型虽差,但并未发现明显的裂纹、气孔等缺陷;经显微组织分析,由于SiC颗粒在焊缝凝固过成中提供了形核衬底,使复合材料熔化区呈现更为细小的等轴晶。 展开更多
关键词 SIC Al-5Mg 耐腐蚀性 可焊性
HPPS制备SiC陶瓷涂层组织特征及抗烧蚀性能
18
作者 杨冬虎 郭嘉仪 +2 位作者 柳彦博 马壮 刘玲 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期329-334,共6页
为了提高C/C基体材料在高温有氧环境中的抗烧蚀性能,尝试采用高能等离子喷涂工艺(high power plasmaspraying, HPPS)在C/C基体表面制备SiC涂层。在对SiC涂层制备工艺探索优化过程中共设计了3组HPPS喷涂参数,利用氧乙炔火焰对得到的涂层... 为了提高C/C基体材料在高温有氧环境中的抗烧蚀性能,尝试采用高能等离子喷涂工艺(high power plasmaspraying, HPPS)在C/C基体表面制备SiC涂层。在对SiC涂层制备工艺探索优化过程中共设计了3组HPPS喷涂参数,利用氧乙炔火焰对得到的涂层试验进行抗烧蚀性能考核,考核温度为1500℃,时间为150和300 s。通过XRD、SEM和EDS等方法对烧蚀前后涂层样品的成分及组织进行了表征。结果表明:3组参数所制得SiC涂层的孔隙率分别是21.3%、17.4%和15.3%。孔隙率逐渐减小原因是在主气流量相对较高和辅气流量较低的条件下,SiC粉末与等离子射流场特征匹配较好,SiC粉末颗粒加热较为充分,达到更好的熔融状态,而且获得较大的动能,因此所得涂层沉积率逐渐升高而孔隙率逐步降低;在涂层制备过程中SiC颗粒均发生了一定程度的氧化,导致涂层中含有一定量的非晶态SiO2;经过300 s高温烧蚀考核后,SiC涂层为C/C基体提供了有效的防护。由于烧蚀过程中存在温度梯度,导致涂层表面在烧蚀后呈现3种不同的烧蚀形貌,分别是中心致密区、过渡区和边缘疏松区。在烧蚀过程中,涂层中心区域表面形成的SiO2玻璃层,有利于阻挡O2的渗入,起到了抗氧化的作用。 展开更多
关键词 SIC 涂层 HPPS C/C 抗烧蚀性能
SiC结势垒肖特基二极管的重离子单粒子效应 预览
19
作者 于庆奎 张洪伟 +8 位作者 孙毅 梅博 魏志超 李晓亮 王贺 吕贺 李鹏伟 曹爽 唐民 《现代应用物理》 2019年第1期54-58,共5页
在100~600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破... 在100~600V偏压下,对600,1 200,3 300V的SiC结势垒肖特基二极管用加速器产生的氙(Xe)和钽(Ta)重离子进行了辐照实验。结果表明,器件漏电流随入射离子LET、注量及偏压的增加而增大,甚至出现了短路失效。分析认为,肖特基结局部被重离子破坏,形成漏电通路,造成SiC二极管漏电流增大,直至发生单粒子烧毁。 展开更多
关键词 SIC 肖特基二极管 单粒子效应 单粒子烧毁 单粒子锁定
在线阅读 下载PDF
不同长度泡沫陶瓷内低浓度瓦斯燃烧特性研究 预览
20
作者 丁艳 袁隆基 宋正昶 《节能》 2019年第3期76-78,共3页
搭建了碳化硅泡沫陶瓷内低浓度瓦斯燃烧实验台,研究了不同长度碳化硅泡沫陶瓷内低浓度瓦斯燃烧温度分布及污染物排放,探究了不同长度碳化硅泡沫陶瓷对低浓度瓦斯燃烧特性的影响。结果表明:在相同的当量比和相同的混合气流速下,燃烧室温... 搭建了碳化硅泡沫陶瓷内低浓度瓦斯燃烧实验台,研究了不同长度碳化硅泡沫陶瓷内低浓度瓦斯燃烧温度分布及污染物排放,探究了不同长度碳化硅泡沫陶瓷对低浓度瓦斯燃烧特性的影响。结果表明:在相同的当量比和相同的混合气流速下,燃烧室温度随着碳化硅泡沫陶瓷长度的增加而增加,同时,出口排烟温度降低,而温升梯度随着碳化硅泡沫陶瓷长度的增加而减小;在相同的当量比、相同的混合气流速下,随着碳化硅泡沫陶瓷长度的增加,CO和NO的排放量减少;而相同的当量比、相同长度的泡沫陶瓷和不同混合气流速下,CO排放随流速的增大而减小,NO排放随着流速的增加而增加;在相同的流速、相同长度的泡沫陶瓷内,CO排放随着当量比的增大而减少;NO排放随当量比的增大而升高。 展开更多
关键词 低浓度瓦斯 泡沫陶瓷 燃烧 温度分布 碳化硅
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 250 下一页 到第
使用帮助 返回顶部 意见反馈