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硅含量对Al-Si-Cu相变储能材料腐蚀性的影响 预览
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作者 张潇华 于思荣 +1 位作者 郭丽娟 周扬理 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期582-585,共4页
合金液的腐蚀性较大是铝合金作为相变储能材料应用的主要瓶颈。鉴于材料成分是影响其液态腐蚀性的重要因素之一,本工作设计了304不锈钢在Al-xSi-10Cu(6≤x≤15)合金液中的腐蚀试验,以期探讨Si含量对该材料液态腐蚀性的影响。采用电子探... 合金液的腐蚀性较大是铝合金作为相变储能材料应用的主要瓶颈。鉴于材料成分是影响其液态腐蚀性的重要因素之一,本工作设计了304不锈钢在Al-xSi-10Cu(6≤x≤15)合金液中的腐蚀试验,以期探讨Si含量对该材料液态腐蚀性的影响。采用电子探针和XRD对腐蚀产物的形貌、元素分布和相组成进行了分析,并对腐蚀反应进行了动力学和热力学分析。结果表明:随着Si含量的增加,腐蚀层厚度和腐蚀产物的生长系数先降低后增加,而腐蚀产物的扩散激活能却先增加后降低,但都在Si含量为9%时达到极值。Si含量在6%~9%,当腐蚀时间较短时,腐蚀层由Al95Fe4Cr相和Fe2Al5相组成,Si填充Fe2Al5相的空位,阻碍了元素扩散;当腐蚀时间较长时,腐蚀层由Al95Fe4Cr相、FexSiyAlz相和FeAl相组成,FexSiyAlz相不仅生长速率低还可阻挡元素的扩散,且FeAl相的生成焓大于Fe2Al5相,从而降低腐蚀层的厚度。Si含量在9%~15%内时,腐蚀层厚度增加的具体原因有待进一步研究。 展开更多
关键词 SI Al-Si-Cu相变储能材料 液态腐蚀 金属间化合物
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Si含量对W/W-10Cu扩散焊接头的微观结构及力学性能的影响
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作者 闫海祥 范景莲 《粉末冶金工业》 CAS 北大核心 2019年第3期8-12,共5页
采用Fe-Ni-Cu-Si为中间层焊料,对W及W-10%Cu(W-10Cu)进行真空压力扩散焊接。研究了在焊接温度为1 050℃,保温时间为60 min,压力为20 MPa条件下,中间层焊料中不同Si含量对W/W-10Cu接头微观结构及力学性能的影响。结果表明:扩散层的宽度随... 采用Fe-Ni-Cu-Si为中间层焊料,对W及W-10%Cu(W-10Cu)进行真空压力扩散焊接。研究了在焊接温度为1 050℃,保温时间为60 min,压力为20 MPa条件下,中间层焊料中不同Si含量对W/W-10Cu接头微观结构及力学性能的影响。结果表明:扩散层的宽度随着Si含量的增加而逐渐变宽。当Si添加质量分数为1.0%时,界面处形成了一条具有连续成分分布的W-Ni-Fe扩散层,硬度分布呈现连续平滑趋势,抗拉强度达到最大值296 MPa。 展开更多
关键词 SI W/W-10Cu 冶金连接 力学性能
SnO2-Si光电极制备及其降解污染物性能 预览
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作者 马瑞芬 于洪涛 +1 位作者 吴帅 陈硕 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期14-19,共6页
通过化学气相沉积法,在清洁的n型Si表面制备SnO2薄膜作为保护层,得到SnO2-Si光电极.采用TEM、SEM、XRD、XPS、DRS等对其进行表征,研究了其在模拟太阳光下光催化降解苯酚的性能.在不同沉积温度下得到的样品中,400℃沉积得到的样品结晶度... 通过化学气相沉积法,在清洁的n型Si表面制备SnO2薄膜作为保护层,得到SnO2-Si光电极.采用TEM、SEM、XRD、XPS、DRS等对其进行表征,研究了其在模拟太阳光下光催化降解苯酚的性能.在不同沉积温度下得到的样品中,400℃沉积得到的样品结晶度相对最高.SnO2层厚度为230nm时SnO2-Si光电极光电流响应最强,且分解水起始电位较正,用于降解污染物时可避免分解水副反应的发生.在中性、酸性、碱性电解质溶液中,其循环伏安曲线衰减均不明显,证明SnO 2-Si光电极具有稳定的光电化学性能.在可见光光电催化条件下,偏压为1.8V时,其苯酚的去除率达到100%,TOC去除率达到21%. 展开更多
关键词 光电催化 SNO2 SI 保护层
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激光诱导击穿光谱技术在矿石样品中Si和Mg检测中的应用 预览
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作者 彭书瑶 《化工设计通讯》 CAS 2019年第7期152-152,208共2页
对激光诱导击穿光谱技术在Si和Mg检测分析中的应用建立实验,设置1~10Hz激光器重复频率,f=30mm的激光光束经焦距,光谱仪接收到信息并利用自身软件对数据信号进行分析处理,选择五个矿石标本进行Si和Mg含量检测,取得较为良好的测试效果,对... 对激光诱导击穿光谱技术在Si和Mg检测分析中的应用建立实验,设置1~10Hz激光器重复频率,f=30mm的激光光束经焦距,光谱仪接收到信息并利用自身软件对数据信号进行分析处理,选择五个矿石标本进行Si和Mg含量检测,取得较为良好的测试效果,对矿石中的微量元素Si和Mg进行定量化研究,快速而简便地定量测量出样本中Si和Mg元素。 展开更多
关键词 激光诱导击穿光谱技术 矿石样品 SI Mg 检测分析
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30MnSi钢棒延迟断裂及其对策 预览
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作者 邓海平 《福建冶金》 2019年第3期48-50,共3页
以我厂30MnSi盘圆为母材制作的PC钢棒在存储中发生比较严重的延迟断裂现象。以延迟断裂钢棒及30MnSi母材为研究对象,对延迟断裂的现象进行深入研究以寻找原因。并通过提高30MnSi母材Si的含量以改善母材的抗拉强度,以及提高钢棒厂热处理... 以我厂30MnSi盘圆为母材制作的PC钢棒在存储中发生比较严重的延迟断裂现象。以延迟断裂钢棒及30MnSi母材为研究对象,对延迟断裂的现象进行深入研究以寻找原因。并通过提高30MnSi母材Si的含量以改善母材的抗拉强度,以及提高钢棒厂热处理的回火温度以消除PC钢棒的内应力,最终解决了 PC钢棒延迟断裂的问题。 展开更多
关键词 30MnSi 延迟断裂 抗拉强度 SI 回火温度
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EDXRF法测量石英矿中硅元素含量 预览
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作者 邓玉福 马跃 +2 位作者 刘伊初 潘庆超 于桂英 《沈阳师范大学学报:自然科学版》 CAS 2019年第2期155-158,共4页
石英矿中硅的含量多少决定着石英矿品质的高低,其测量具有重要意义。利用能量色散X射线荧光分析法(EDXRF)测量了石英矿中硅含量。采用间接测量的方法,利用化学反应,将石英矿中的硅元素转化成硅酸锌沉淀,经过过滤、烘干、压片等过程,利... 石英矿中硅的含量多少决定着石英矿品质的高低,其测量具有重要意义。利用能量色散X射线荧光分析法(EDXRF)测量了石英矿中硅含量。采用间接测量的方法,利用化学反应,将石英矿中的硅元素转化成硅酸锌沉淀,经过过滤、烘干、压片等过程,利用能量色散X射线荧光分析仪测量分析沉淀物中的锌元素含量,再根据Si与Zn转换的定量关系得到硅元素的含量。避免了利用EDXRF直接测量轻元素时的不足,具有步骤简单、操作方便和时间短的特点。测量结果样品中硅元素含量为43.18%,相对标准偏差为0.25%,与重量法检测结果比较显示出较好的一致性。该测量方法为EDXRF的拓展应用和石英矿中硅含量的检测提供了一种新的、方便快捷的选择方案。 展开更多
关键词 EDXRF 石英矿 SI ZN
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半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备 预览
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作者 江风益 刘军林 +13 位作者 张建立 徐龙权 丁杰 王光绪 全知觉 吴小明 赵鹏 刘苾雨 李丹 王小兰 郑畅达 潘拴 方芳 莫春兰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第16期104-112,共9页
在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光 LED 光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于 GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力... 在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光 LED 光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于 GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN 黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm^2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm^2驱动下波长577 nm黄光LED光效达 42.8%,对应 248 lm/W.基于高光效黄光 LED,开发了无荧光粉、多基色 LED照明新光源,实现了纯LED 照明光源在路灯、氛围灯等方面应用. 展开更多
关键词 SI INGAN 黄光 LED 金属有机物化学气相沉积
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Si对ZA35合金组织和摩擦磨损性能的影响
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作者 付文达 刘敬福 丁荣年 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期47-50,共4页
以不同Si含量的ZA合金为研究对象,利用金相显微镜、扫描电镜及摩擦磨损试验研究Si对ZA35合金的组织和耐磨性的影响。结果表明:适量Si加入可以有效细化晶粒,提高ZA35合金的耐磨性,当Si的质量分数为1.35%时,粗大树枝晶转变为细小碎块状且... 以不同Si含量的ZA合金为研究对象,利用金相显微镜、扫描电镜及摩擦磨损试验研究Si对ZA35合金的组织和耐磨性的影响。结果表明:适量Si加入可以有效细化晶粒,提高ZA35合金的耐磨性,当Si的质量分数为1.35%时,粗大树枝晶转变为细小碎块状且组织均匀,细化效果最优;随Si含量的增多,摩擦磨损性能逐渐增强,当Si的质量分数为1.8%时,与ZA35合金相比,磨损量减少76.7%,摩擦因数降低46.9%。 展开更多
关键词 ZA35合金 SI 显微组织 摩擦磨损性能
基于受体模型和源成分谱的缺失组分反演算法 预览
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作者 彭杏 史旭荣 +3 位作者 史国良 田瑛泽 董世豪 冯银厂 《中国环境科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期939-947,共9页
针对目前在线监测仪器无法监测Al、Si标识组分可能增加源解析结果不确定性的问题,基于正交矩阵因子分解法模型和实测源成分谱反演Al、Si受体数据,提出缺失组分反演-嵌套 PMF算法.设置周期性和非周期性模拟实验,利用 PMF模型对缺失 Al、S... 针对目前在线监测仪器无法监测Al、Si标识组分可能增加源解析结果不确定性的问题,基于正交矩阵因子分解法模型和实测源成分谱反演Al、Si受体数据,提出缺失组分反演-嵌套 PMF算法.设置周期性和非周期性模拟实验,利用 PMF模型对缺失 Al、Si受体数据、含反演 Al、Si受体数据和含 Al、Si受体数据分别进行源解析评估,并将源解析结果与真实值进行对比分析,验证缺失组分反演-嵌套 PMF算法的可靠性.研究结果表明对于周期性扰动模拟实验,缺失Al、Si对解析土壤源、机动车、燃煤源有较大的影响,反演Al、Si能优化源解析结果,降低源解析结果的不确定性. 展开更多
关键词 反演 Al Si 源解析 源成分谱 PMF
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Zr和Si对Al-Zn-Mg-Cu铝合金再结晶行为和性能的影响
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作者 焦慧彬 陈康华 +3 位作者 陈送义 董朋轩 王会平 马云龙 《吉林大学学报:工学版》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期544-551,共8页
采用力学拉伸、金相、扫描电镜、透射电子显微镜和高角环形暗场扫描透射电子显微镜等测试分析方法,研究了Zr和Si对Al-Zn-Mg-Cu系铝合金再结晶行为和性能的影响。结果表明:在合金中添加质量分数为0.17%的Zr和0.05%的Si后,合金保留了其原... 采用力学拉伸、金相、扫描电镜、透射电子显微镜和高角环形暗场扫描透射电子显微镜等测试分析方法,研究了Zr和Si对Al-Zn-Mg-Cu系铝合金再结晶行为和性能的影响。结果表明:在合金中添加质量分数为0.17%的Zr和0.05%的Si后,合金保留了其原始的纤维组织结构,其强度和塑性的各向异性显著增大。随Zr、Si含量的升高,合金横向主要断裂模式从穿晶断裂向沿晶断裂转变。与合金纵向强度变化程度相比较,Zr、Si含量对合金横向强度的影响更加显著。其主要原因是复合添加Zr和Si形成(Al,Si)3Zr弥散相,抑制再结晶作用更明显,引起合金L向和T向的晶粒形态差异增大及粗大的残余相粒子沿晶界分布。 展开更多
关键词 金属材料 AL-ZN-MG-CU铝合金 ZR SI 各向异性
金刚石/Al(或AlSi合金)复合材料性能衰退及抑制
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作者 陆晨君 徐俊 +2 位作者 裴喜伟 潘徐杰 陈锋 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期669-676,共8页
采用气体压力浸渗法制备了金刚石/Al、金刚石/AlSi7和金刚石/AlSi9复合材料,对比研究了其暴露在空气中的性能衰退行为。研究表明,界面反应产物Al4C3会潮解生成Al(OH)3,增大界面热阻,导致金刚石/Al复合材料性能衰退。Al基体中添加Si元素... 采用气体压力浸渗法制备了金刚石/Al、金刚石/AlSi7和金刚石/AlSi9复合材料,对比研究了其暴露在空气中的性能衰退行为。研究表明,界面反应产物Al4C3会潮解生成Al(OH)3,增大界面热阻,导致金刚石/Al复合材料性能衰退。Al基体中添加Si元素可以显著降低其性能衰退速率,其机制为:金刚石中C元素在Al液中溶解度的降低和Si在金刚石颗粒表面的优先析出,抑制了Al4C3的生成量;此外,金刚石/AlSi复合材料致密度的提高,对Al4C3与水汽的接触起到阻碍作用。讨论了抑制金刚石/Al复合材料性能衰退的几种可行方法,有望进一步提高其在潮湿环境中的使用寿命。 展开更多
关键词 金刚石/Al 复合材料 AL4C3 SI 热导率 衰退
Si含量对Al-6.5Cu-0.6Mn-0.5Fe合金组织演变及力学性能的影响 预览
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作者 许锐 林波 +3 位作者 李浩宇 肖华强 赵俞亮 张卫文 《中国有色金属学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第8期1583-1591,共9页
采用定量分析、扫描电镜、透射电镜和拉伸性能测试研究Si含量:对高铁含量铝铜合金组织演变及力学性能的影响。结果表明:当Si含量低于1.0%时,Al-6.5Cu-0.6Mn-0.5Fe合金的常温力学性能稍有降低,这主要是由于组织演变的综合作用,包括纳米及... 采用定量分析、扫描电镜、透射电镜和拉伸性能测试研究Si含量:对高铁含量铝铜合金组织演变及力学性能的影响。结果表明:当Si含量低于1.0%时,Al-6.5Cu-0.6Mn-0.5Fe合金的常温力学性能稍有降低,这主要是由于组织演变的综合作用,包括纳米及α-Fe相的增多,晶粒的粗化以及晶界处Al2Cu相的增多;当Si含量为1.5%时,Al-6.5Cu-0.6Mn-0.5Fe合金性能急剧下降,这主要是由于多余Si粒子的析出导致第二相产生偏聚。 展开更多
关键词 铝铜合金 富铁金属间化合物 SI 拉伸性能
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薄膜太阳电池研究进展和挑战
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作者 张传军 褚君浩 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期2524-2531,共8页
近十几年来,由于一系列新材料、新结构和新工艺的引入,传统薄膜太阳电池技术,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高,一些新兴薄膜太阳电池技术,如金属卤化物钙钛矿(metalhalide perovskite,PSC)、铜锌硒硫(CZ... 近十几年来,由于一系列新材料、新结构和新工艺的引入,传统薄膜太阳电池技术,如非晶硅(a-Si)、碲化镉(Cd Te)、铜铟镓硒(CIGS)都得到显著的提高,一些新兴薄膜太阳电池技术,如金属卤化物钙钛矿(metalhalide perovskite,PSC)、铜锌硒硫(CZTS)、硒化锑(Sb2Se3)也得到快速发展。其中CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的转换效率都大于22%。CdTe、CIGS薄膜太阳电池的产业化和规模应用也取得了很大的进展。薄膜太阳电池技术经过这十几年的研究,厚积薄发,为今后的进一步发展打下了更加坚实的基础。文中选取a-Si、CdTe、CIGS、PSC薄膜太阳电池的主要技术进展、发展趋势、产业化现状和面临的挑战进行论述。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 光电转换 非晶硅 碲化镉 铜铟镓硒 金属卤化物钙钛矿
预氧化熔融制样-X射线荧光光谱法测定硼铁合金中硼、硅、铝和磷 预览
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作者 宋祖峰 陆向东 +4 位作者 陈海峰 荚江霞 王忠乐 郭士光 贾云海 《理化检验:化学分册》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期545-549,共5页
硼铁合金样品经过预氧化熔融,制得样品的玻璃熔片,采用X射线荧光光谱法测定玻璃熔片中硼、硅、铝和磷等4种元素的含量。优化的试验条件如下:(1)熔剂为焦硫酸钾;(2)熔剂与样品的稀释比为40∶1;(3)氧化剂为碳酸锂和硝酸钠;(4)玻璃熔片的... 硼铁合金样品经过预氧化熔融,制得样品的玻璃熔片,采用X射线荧光光谱法测定玻璃熔片中硼、硅、铝和磷等4种元素的含量。优化的试验条件如下:(1)熔剂为焦硫酸钾;(2)熔剂与样品的稀释比为40∶1;(3)氧化剂为碳酸锂和硝酸钠;(4)玻璃熔片的熔融时间为20min。4种元素的质量分数在一定范围内与其对应的荧光强度呈线性关系,测定下限为0.006 8%~0.017 9%。对硼铁标准样品平行测定10次,测定值的相对标准偏差为0.22%~3.9%。方法应用于硼铁合金样品的分析,测定结果与湿法分析的结果相符。 展开更多
关键词 X射线荧光光谱法 预氧化 熔融制样 硼铁合金
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松下LUMIX SI镜头下的新疆风光 预览
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作者 林海音(文/图) 《摄影之友:影像视觉》 2019年第7期110-118,共9页
和很多发达的大城市不同,也和很多风景优美的海边休闲度假的地方不同,新疆是一个人与自然融合得很有趣的地方。本次,摄影师林海音使用松下LUMIX S1在新疆记录下动人的画面。
关键词 LUMIX 新疆 松下 镜头 SI 休闲度假 人与自然 大城市
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Si-Mn-Mo系低碳贝氏体钢的连续冷却转变曲线及组织特征
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作者 笪光杰 杨忠民 +2 位作者 李立新 王凯 张正延 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第2期16-24,共9页
采用热膨胀法结合金相观察和硬度测量得到含Si低碳贝氏体钢的连续冷却转变(CCT)曲线。CCT曲线表明,在冷却速度小于0. 1℃/s时,可以得到完全贝氏体组织;冷却速度在0. 1~1. 4℃/s时,所得为B-M复相组织;冷却速度大于1. 4℃/s时,所得到的为... 采用热膨胀法结合金相观察和硬度测量得到含Si低碳贝氏体钢的连续冷却转变(CCT)曲线。CCT曲线表明,在冷却速度小于0. 1℃/s时,可以得到完全贝氏体组织;冷却速度在0. 1~1. 4℃/s时,所得为B-M复相组织;冷却速度大于1. 4℃/s时,所得到的为马氏体组织。通过CCT曲线确定实验室控冷和回火工艺,950℃正火1 h在320、350、400℃回火2 h,得到以贝氏体为主的组织,组织形态以板条为主,350℃回火2 h后的硬度最高为370 HV5;950℃保温1 h水淬至室温进行回火后的组织为回火马氏体,在350℃回火2 h时硬度出现峰值360 HV5。实际生产中,奥氏体化加热后的冷却方式选择空冷最适宜。 展开更多
关键词 低碳贝氏体钢 连续冷却转变曲线 回火 组织 硬度
Si和SiC功率器件结温提取技术现状及展望 预览
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作者 王莉娜 邓洁 +1 位作者 杨军一 李武华 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第4期703-716,共14页
对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础。本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频... 对功率半导体器件结温的在线准确提取是实现器件智能控制、性能评估、主动热管理、健康状态评估及优化器件寿命等的重要基础。本文梳理了现有基于温敏参数的Si(硅)和SiC(碳化硅)功率器件结温提取方法的机理和主要特点,从灵敏度、测量频率、侵入性和线性度等指标对已有方法进行了性能评估。在此基础上,结合SiCJFET(结型场效应晶体管)器件的温度特性,提出一种新颖的基于栅-源极间寄生PN结击穿电压的SiCJFET器件非侵入性在线结温提取方法,仿真结果证明了所提出方法的正确性和有效性。 展开更多
关键词 功率半导体器件 碳化硅 结温提取 温敏参数
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Absorption Enhancement of Silicon Solar Cell in a Positive-Intrinsic-Negative Junction
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作者 乐艮 邓震 +9 位作者 王森 徐然 李欣欣 马紫光 杜春花 王禄 江洋 贾海强 王文新 陈弘 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2019年第5期64-66,共3页
Absorption coefficient is a physical parameter to describe electromagnetic energy absorption of materials, which is closely related to solar cells and photodetectors. We grow a series of positive-intrinsic-negative(PI... Absorption coefficient is a physical parameter to describe electromagnetic energy absorption of materials, which is closely related to solar cells and photodetectors. We grow a series of positive-intrinsic-negative(PIN) structures on silicon wafer by a gas source molecule beam epitaxy system and the investigate the absorption coefficient through the photovoltaic processes in detail. It is found that the absorption coefficient is enhanced by one order and can be tuned greatly through the thickness of the intrinsic layer in the PIN structure, which is also demonstrated by the 730-nm-wavelength laser irradiation. These results cannot be explained by the traditional absorption theory.We speculate that there could be some uncovered mechanism in this system, which will inspire us to understand the absorption process further. 展开更多
关键词 SI In PIN
SiC颗粒对AlCoCrFeNi高熵合金涂层显微组织与力学性能的影响
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作者 冯英豪 李晓峰 +4 位作者 刘斌 仪登豪 王行 王帅 白培康 《热加工工艺》 北大核心 2019年第8期160-163,共4页
应用激光熔覆技术制备了Al CoCrFeNi高熵合金涂层,研究了不同Si C添加量对涂层组织、硬度及耐磨性的影响。结果表明:Al CoCrFeNi高熵合金涂层由面心立方结构(FCC)和体心立方结构(BCC)两相组成。添加Si C生成了Cr2Fe14C相,但是抑制了Cr基... 应用激光熔覆技术制备了Al CoCrFeNi高熵合金涂层,研究了不同Si C添加量对涂层组织、硬度及耐磨性的影响。结果表明:Al CoCrFeNi高熵合金涂层由面心立方结构(FCC)和体心立方结构(BCC)两相组成。添加Si C生成了Cr2Fe14C相,但是抑制了Cr基FCC相的生成。随着Si C含量的增加,熔覆层的缺陷减少且组织形貌发生改变,主要是由晶内BCC、晶间Cr基FCC相和白色析出物组成,其中,白色析出物为Cr2Fe14C相和未熔化的Si C颗粒,且分布在晶间。Si C的加入可以显著提高涂层的硬度及耐磨性,随着Si C含量的增加,涂层的硬度及耐磨性会随之增加。 展开更多
关键词 激光熔覆 高熵合金 SI C颗粒 显微组织
Effects of growth temperature and metamorphic buffer on electron mobility of InAs film grown on Si substrate by molecular beam epitaxy
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作者 张静 吕红亮 +5 位作者 倪海桥 杨施政 崔晓然 牛智川 张义门 张玉明 《中国物理B:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第2期428-433,共6页
The growth of the InAs film directly on the Si substrate deflected from the plane(100) at 4° towards(110) has been performed using a two-step procedure. The effect of the growth and annealing temperature on the e... The growth of the InAs film directly on the Si substrate deflected from the plane(100) at 4° towards(110) has been performed using a two-step procedure. The effect of the growth and annealing temperature on the electron mobility and surface topography has been investigated for a set of samples. The results show that the highest electron mobility is4640 cm~2/V·s in the sample, in which the 10-nm InAs nucleation layer is grown at a low temperature of 320 ℃ followed by ramping up to 560 ℃, and the nucleation layer was annealed for 15 min and the second layer of InAs is grown at 520 ℃.The influence of different buffer layers on the electron mobility of the samples has also been investigated, which shows that the highest electron mobility of 9222 cm~2/V·s at 300 K is obtained in the sample grown on a thick and linearly graded InGaAlAs metamorphic buffer layer deposited at 420 ℃. 展开更多
关键词 INAS Si high electron MOBILITY growth temperature INGAALAS METAMORPHIC BUFFER
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