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Additive manufacturing of Ti-6Al-4V lattice structures with high structural integrity under large compressive deformation
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作者 Kun Yang Jian Wang +3 位作者 Liang Jia Guangyu Yang Huiping Tang Yuanyuan Li 《材料科学技术学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第2期303-308,共6页
Additively manufactured Ti-6Al-4V lattice structures have found important niche applications. However, they often show insufficient compressive ductility or in sufficient structural integrity. I n this study, a batch ... Additively manufactured Ti-6Al-4V lattice structures have found important niche applications. However, they often show insufficient compressive ductility or in sufficient structural integrity. I n this study, a batch of 45 octahedral Ti-6Al-4V lattice structures was manufactured in three different strut diameters (0.5, 1.0, 1.5 mm) by selective electron beam melting (SEBM). The influence of post-SEBM annealing on the compressive deformation characteristics of the lattice structure was investigated. The as-built Ti- 6AI-4V lattices fragmented when the compressive strain reached 13%-23% depending on strut diameter. Annealing at 950℃(P transus temperature: 995℃) only slightly improved the compressive ductility of the lattice structures. However, annealing at 1050℃(p-annealing) fundamentally changed the compressive deformation mode of the lattice structures. The resultant compressive stress-strain curve was featured by a long smooth plateau and no facture occurred even after significant densification of the lattice structure had taken place (>50% of compressive strain). 展开更多
关键词 Selective electron beam MELTING TI-6AL-4V LATTICE structures DUCTILITY ANNEALING BETA ANNEALING
AlCrTaTiZrMo高熵合金氮化物扩散阻挡层的制备与表征 预览
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作者 李荣斌 李旻旭 +2 位作者 蒋春霞 李炳毅 李倩倩 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第6期125-129,166共6页
目的制备15 nm的(AlCrTaTiZrMo)N六元高熵合金氮化物薄膜,并对其扩散阻挡性能进行表征。方法使用直流磁控溅射设备在单晶硅上沉积(Al Cr Ta Ti Zr Mo)N高熵合金氮化物薄膜,然后在薄膜上沉积150 nm的Cu,形成Cu/(AlCrTaTiZrMo)N/Si结构。... 目的制备15 nm的(AlCrTaTiZrMo)N六元高熵合金氮化物薄膜,并对其扩散阻挡性能进行表征。方法使用直流磁控溅射设备在单晶硅上沉积(Al Cr Ta Ti Zr Mo)N高熵合金氮化物薄膜,然后在薄膜上沉积150 nm的Cu,形成Cu/(AlCrTaTiZrMo)N/Si结构。在600℃下,对该结构进行不同时间的退火处理,使用X射线衍射仪(XRD)、四探针测试仪(FPP)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)研究薄膜成分及退火时间对薄膜组织结构、表面形貌、方块电阻的影响,研究其扩散阻挡性。结果高熵合金氮化物薄膜与基体Si和Cu的结合性较好。沉积态高熵合金氮化物薄膜为非晶结构,表面光滑平整,方块电阻阻值较低。在600℃下经1h退火后,薄膜仍为非晶结构,表面发生粗化。随着退火时间增加,5h退火后,结构中出现少量纳米晶,大部分仍为非晶,表面粗糙度增加。退火7 h后,结构没有发生变化,仍为非晶包裹纳米晶结构,Cu表面生成部分岛状物,方块电阻阻值仍然较低,且无Cu-Si化合物生成,证明(AlCrTaTiZrMo)N高熵合金氮化物薄膜在长时间退火处理后,仍能保持良好的铜扩散阻挡性。结论 15nm的(AlCrTaTiZrMo)N高熵合金氮化物薄膜在600℃下退火7h后,其非晶包裹纳米晶的结构能有效阻挡Cu的扩散,表现出了优异的热稳定性与扩散阻挡性。 展开更多
关键词 高熵合金 磁控溅射 扩散阻挡层 CU互连 退火 薄膜
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高合金超高强度钢锻件的退火工艺
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作者 肖文贺 严晓红 +2 位作者 杨卓越 高齐 丁雅莉 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期53-55,共3页
针对高合金钢锻后冷却和退火过程中的开裂问题,研究了M54高合金超高强度钢高温奥氏体化后冷却过程中的相变,以及相变产物对硬度、塑性和韧性的影响,并据此评价锻件冷却和回火过程中的开裂倾向。结果表明,M54钢高温奥氏体化后空冷到室温... 针对高合金钢锻后冷却和退火过程中的开裂问题,研究了M54高合金超高强度钢高温奥氏体化后冷却过程中的相变,以及相变产物对硬度、塑性和韧性的影响,并据此评价锻件冷却和回火过程中的开裂倾向。结果表明,M54钢高温奥氏体化后空冷到室温,随后630℃退火硬度最低,塑性和韧性最好,以此判定实际生产锻件从高温需冷透后再进行退火,锻件开裂的倾向最小,如果退火之前未完全冷透则使材料极度脆化,锻件开裂的倾向最大;高温奥氏体化后直接进入630℃炉内保温不仅不能降低硬度,反而弱化了晶界降低塑性和韧性,因此锻后进入630℃炉内保温同样增大锻件开裂倾向。 展开更多
关键词 锻件 锻后冷却 相变 退火 开裂倾向
有机无机钙钛矿薄膜的间歇式退火和光电性能 预览
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作者 韩晓东 王凯文 +3 位作者 严铮洸 黄杰 杨凯祥 彭博 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期395-404,共10页
为了改进空气环境条件下有机无机钙钛矿薄膜的制备工艺,开发了一种间歇式退火(intermittent annealing,IA)方法,以制备高质量无针孔的钙钛矿薄膜,优化光电性能.采用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、X射线衍射谱(X-ra... 为了改进空气环境条件下有机无机钙钛矿薄膜的制备工艺,开发了一种间歇式退火(intermittent annealing,IA)方法,以制备高质量无针孔的钙钛矿薄膜,优化光电性能.采用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、X射线衍射谱(X-ray diffraction,XRD)、紫外可见吸收(ultraviolet-visible,UV-Vis)光谱、光致发光(photoluminescence,PL)光谱等表征,系统比较了在空气环境条件下反溶剂一步法旋涂制备钙钛矿薄膜工艺中,普通退火(traditional annealing,TA)方法和间歇式退火方法处理得到的卤化铅甲胺有机钙钛矿薄膜的形貌、结构和光电性能.结果表明,对于MAPbI3、MAPbIBr2和MAPbI2Br钙钛矿材料,采用间歇式退火方法制备的薄膜均匀致密无针孔,晶粒尺寸显著增大,薄膜结晶性提高,在可见光范围内光吸收能力更强.在空气环境下所得间歇式退火制备的MAPbI3太阳能电池器件在AM 1. 5的模拟太阳光下,光电转换效率可达11. 5%(有效面积0. 24 cm2),而在空气环境下以普通退火方法制备的器件的光电转换效率为8. 9%,间歇式退火样品的光电转换效率有大幅度提高. 展开更多
关键词 电子显微学 光电性能 太阳能电池 有机卤化铅钙钛矿 薄膜制备 退火
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一种新型热释光自动快速退火冷却装置的设计 预览
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作者 赵进沛 周超 +2 位作者 张建 李秀芹 江其生 《中国医学装备》 2019年第6期1-4,共4页
目的:设计一种新型热释光自动快速退火冷却装置,以提高热释光探测元件的剂量学性能。方法:装置设计由金属框架、冷却底板、风机及小型玻璃门电冰箱等组成。金属框架包括顶框及具有高低调节功能的支撑柱,顶框上固定一风机,风机设有串联... 目的:设计一种新型热释光自动快速退火冷却装置,以提高热释光探测元件的剂量学性能。方法:装置设计由金属框架、冷却底板、风机及小型玻璃门电冰箱等组成。金属框架包括顶框及具有高低调节功能的支撑柱,顶框上固定一风机,风机设有串联的手动及与电冰箱门连锁的开关,冷却底板中心为探测器退火盘的位置标志,其旁有安放水银温度计的凹槽。结果:该装置散热效率高,在满足不同热释光探测器退火冷却要求的同时,保证了探测器的灵敏度和重复性,减少了热释光辐射剂量测量中的误差。结论:新型热释光自动快速退火冷却装置结构简单,成本较低,冷却效率及自动化程度高,适用于不同热释光探测器的不同退火冷却条件,对加强热释光测量系统的质量控制起着重要作用。 展开更多
关键词 热释光 剂量测量 退火 冷却
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退火温度对旋涂法制备SnO2薄膜性能的影响 预览
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作者 张旭 刘贤哲 +7 位作者 袁炜健 邓宇熹 张啸尘 王爽 王佳良 宁洪龙 姚日晖 彭俊彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期164-170,共7页
采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针、开尔文探针系统对薄膜的表面形貌、结构及光学特性、电学特性进行分析,探... 采用旋涂法在玻璃基底上制备SnO2薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、X射线反射(XRR)、傅氏转换红外线光谱仪(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、四探针、开尔文探针系统对薄膜的表面形貌、结构及光学特性、电学特性进行分析,探讨了退火温度对薄膜质量的影响及作用机制。研究发现:随着退火温度升高,薄膜厚度和有机成分杂质减小,薄膜密度递增,但薄膜表面粗糙度有所上升;当退火温度升高至500℃时,薄膜结构由非晶转变为结晶,其主要晶面为氧化锡的(110)、(101)和(211)晶面。旋涂法制备的氧化锡薄膜在可见光区域的平均透光率在90%以上,随着退火温度上升,薄膜在400~800nm波段的透光率先减小后增大,薄膜的带隙宽度分别为3.840eV(沉积态薄膜)、3.792eV(100℃)、3.690eV(300℃)和3.768eV(500℃);薄膜的电导率也随着退火温度升高而增加,在500℃时电导率高达916S/m;薄膜的功函数先增大后减小,分别为(4.61±0.005)eV(沉积态薄膜)、(4.64±0.005)eV(100℃)、(4.82±0.025)eV(300℃)、(4.78±0.065)eV(500℃)。 展开更多
关键词 二氧化锡薄膜 旋涂法 退火 光学特性 电学特性
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Effects of quenching and over-aging temperatures on mechanical properties of ultra-high strength cold-rolled martensite steels 预览
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作者 ZHANG Hanlong ZHU Xiaodong XUE Peng 《宝钢技术研究:英文版》 CAS 2019年第1期1-8,共8页
As cold-formed steel has the highest strength-to-weight ratio of any material,ultra-high strength martensitic steel is attracting great interest from global car manufacturers.This paper explores the effects of the que... As cold-formed steel has the highest strength-to-weight ratio of any material,ultra-high strength martensitic steel is attracting great interest from global car manufacturers.This paper explores the effects of the quenching and over-aging temperatures on the strength and cold bendability of C-Mn-Si martensitic steel.Due to its high carbon content,water-quenched C-Mn-Si martensitic steel has high hardenability and can obtain ultra-high tensile strength and uniform martensitic morphology when the water-quenching temperature is higher than 710 ℃.Increasing the over-aging temperature of this experimental steel decreases its tensile strength,increases the total elongation,and first increases then decreases the yield point until reaching a peak at 180 ℃.Besides,when increasing the over-aging temperature,the bendability of this experimental steel initially improves and then decreases,and reaches its optimal bendability at an over-aging temperature of 180 ℃.Based on SEM charac- terization and a microhardness distribution analysis,the over-aging temperatures were found to affect the size of the carbides and differences in the microhardness of the experimental steel.Therefore,they have significant influence on bendability. 展开更多
关键词 martensitic steel ANNEALING BENDABILITY
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退火温度对铝掺杂氧化锌薄膜晶体质量及光电性能的影响
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作者 郭德双 陈子男 +6 位作者 王登魁 唐吉龙 方铉 房丹 林逢源 王新伟 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期124-128,共5页
研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退... 研究了退火温度对原子层沉积(ALD)生长的铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜光电性能的影响,结果发现:AZO薄膜在600℃退火后,X射线衍射峰的半峰全宽从未退火时的0.609°减小到0.454°,晶体质量得到提升;600℃退火后,薄膜的表面粗糙度从未退火时的0.841 nm降低至0.738 nm;400℃退火后,薄膜的载流子浓度和迁移率均达到最大值,分别为1.9×10^19 cm^-3和4.2 cm2·V^-1·s^-1,之后随着退火温度进一步升高,载流子浓度和迁移率降低;退火温度由300℃升高到600℃过程中薄膜的吸收边先蓝移后红移。 展开更多
关键词 材料 光学性能 电学性能 铝掺杂氧化锌薄膜 退火 原子层沉积技术
稀土及初次再结晶退火工艺对取向硅钢脱碳退火的影响 预览
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作者 张志男 金自力 +1 位作者 张欣 李东岳 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2019年第2期148-153,共6页
利用正交实验法研究了稀土及初次再结晶退火的气氛、温度、时间和成分因素对取向硅钢脱碳效果的影响,探讨了这些影响因素的主次要顺序,采用金相显微镜观察了初次再结晶退火后的显微组织,并采用EBSD技术分析了稀土元素对取向硅钢初次再... 利用正交实验法研究了稀土及初次再结晶退火的气氛、温度、时间和成分因素对取向硅钢脱碳效果的影响,探讨了这些影响因素的主次要顺序,采用金相显微镜观察了初次再结晶退火后的显微组织,并采用EBSD技术分析了稀土元素对取向硅钢初次再结晶退火的影响.结果表明:取向硅钢初次再结晶退火脱碳效果的影响因素依次为退火气氛、时间、温度和稀土元素.当温度为830℃、时间7 min、N 2∶H 2的比例为3∶1,加入稀土元素对脱碳效果影响不大. 展开更多
关键词 取向硅钢 脱碳 稀土 退火工艺 正交试验
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退火温度对氧化铬薄膜结构和高温摩擦学性能的影响 预览
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作者 刘晓红 卢小伟 +4 位作者 何乃如 吉利 李红轩 周惠娣 陈建敏 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期164-170,共7页
采用电弧离子镀技术在GH-4169高温合金基体上沉积氧化铬薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理,系统研究了不同退火温度(500、600、700和800℃)对薄膜形貌、薄膜结构、薄膜力学性能及薄膜摩擦学性能的影响.结果表明:随退火温度升高,薄... 采用电弧离子镀技术在GH-4169高温合金基体上沉积氧化铬薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理,系统研究了不同退火温度(500、600、700和800℃)对薄膜形貌、薄膜结构、薄膜力学性能及薄膜摩擦学性能的影响.结果表明:随退火温度升高,薄膜表面缺陷减少,氧化铬晶化趋于完善,薄膜硬度下降.高温摩擦学性能方面薄膜经500和600℃退火后,在环境温度从室温到800℃宽温域范围内摩擦系数较退火前均有所增加;经800℃退火后的薄膜在环境温度为400~600℃时的摩擦系数均明显下降,但室温摩擦系数明显升高,宽温域内摩擦系数波动较大;700℃退火后薄膜宽温域内摩擦系数在0.21~0.33之间,波动较小. 展开更多
关键词 氧化铬薄膜 退火 电弧离子镀 高温 摩擦学性能
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Factoring larger integers with fewer qubits via quantum annealing with optimized parameters
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作者 WangChun Peng BaoNan Wang +4 位作者 Feng Hu YunJiang Wang XianJin Fang XingYuan Chen Chao Wang 《中国科学:物理学、力学、天文学英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第6期5-12,共8页
RSA cryptography is based on the difficulty of factoring large integers, which is an NP-hard(and hence intractable) problem for a classical computer. However, Shor’s algorithm shows that its complexity is polynomial ... RSA cryptography is based on the difficulty of factoring large integers, which is an NP-hard(and hence intractable) problem for a classical computer. However, Shor’s algorithm shows that its complexity is polynomial for a quantum computer, although technical difficulties mean that practical quantum computers that can tackle integer factorizations of meaningful size are still a long way away. Recently, Jiang et al. proposed a transformation that maps the integer factorization problem onto the quadratic unconstrained binary optimization(QUBO) model. They tested their algorithm on a D-Wave 2000 Q quantum annealing machine, raising the record for a quantum factorized integer to 376289 with only 94 qubits. In this study, we optimize the problem Hamiltonian to reduce the number of qubits involved in the final Hamiltonian while maintaining the QUBO coefficients in a reasonable range, enabling the improved algorithm to factorize larger integers with fewer qubits. Tests of our improved algorithm using D-Wave’s hybrid quantum/classical simulator qbsolv confirmed that performance was improved, and we were able to factorize 1005973, a new record for quantum factorized integers, with only 89 qubits. In addition, our improved algorithm can tolerate more errors than the original one. Factoring 1005973 using Shor’s algorithm would require about 41 universal qubits,which current universal quantum computers cannot reach with acceptable accuracy. In theory, the latest IBM Q System OneTM(Jan. 2019) can only factor up to 10-bit integers, while the D-Wave have a thousand-fold advantage on the factoring scale. This shows that quantum annealing machines, such as those by D-Wave, may be close to cracking practical RSA codes, while universal quantum-circuit-based computers may be many years away from attacking RSA. 展开更多
关键词 integer factorization QUANTUM ANNEALING QUBO D-WAVE
AAO模板快速制备方法探究
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作者 姜永军 许刚茜 +1 位作者 刘学杰 李波 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期97-101,115共6页
为了快速制备出高度有序且孔径可调控的AAO(阳极氧化铝)模板应用于工业生产,通过改进传统的两步阳极氧化法,采用逐步提高电解液浓度的硬氧氧化法制备了AAO模板,并确定了最佳制备工艺为初始电解液浓度0.15mol/L,添加电解液浓度0.40mol/L... 为了快速制备出高度有序且孔径可调控的AAO(阳极氧化铝)模板应用于工业生产,通过改进传统的两步阳极氧化法,采用逐步提高电解液浓度的硬氧氧化法制备了AAO模板,并确定了最佳制备工艺为初始电解液浓度0.15mol/L,添加电解液浓度0.40mol/L,温度保持在5℃左右,无水乙醇添加比例为1:1,从而使铝片的击穿电压从40V上升到130V左右(模板面积1.5cm×4.5cm),采用DimensionEdge型号的原子力显微镜(AFM)对多孔氧化铝模板进行了表征。结果表明:未经退火处理的铝片,也可以制备出高度有序的AAO模板,但其粗糙度略有增加,并与在高压条件下二次氧化、三次氧化、四次氧化制备AAO模板进行了比较,发现二次氧化制备的AAO模板有序度、孔径、孔间距均优于三次、四次氧化法。 展开更多
关键词 AAO模板 电解液浓度 退火 多次氧化
高温再生光纤光栅温度传感器封装技术 预览
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作者 薛渊泽 王学锋 +1 位作者 唐才杰 蓝天 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第5期49-51,共3页
针对光纤光栅高温再生后机械强度降低、易断裂的问题,开展了高温再生光纤Bragg光栅(RFBG)温度传感器封装技术研究,提出了一种石英—陶瓷管封装的高温再生光纤光栅温度传感器结构。通过1 000℃高温退火得到了高温再生光纤光栅温度传感器... 针对光纤光栅高温再生后机械强度降低、易断裂的问题,开展了高温再生光纤Bragg光栅(RFBG)温度传感器封装技术研究,提出了一种石英—陶瓷管封装的高温再生光纤光栅温度传感器结构。通过1 000℃高温退火得到了高温再生光纤光栅温度传感器,并对其进行了标定,对其测量精度和高温稳定性进行了测试。结果表明:制得的再生光纤光栅温度传感器反射光谱信号良好,测量精度优于±3℃,1 000℃高温下保持5 h的温度偏差为±0. 6℃。 展开更多
关键词 光纤光学 再生光纤Bragg光栅 退火 高温传感
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Dependence of Thermal Annealing on Transparent Conducting Properties of HoF3-Doped ZnO Thin Films
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作者 罗劲松 林杰 +2 位作者 张立功 郭晓阳 朱永福 《中国物理快报:英文版》 SCIE CAS CSCD 2019年第5期75-78,共4页
A kind of n-type HoF3-doped zinc oxide-based transparent conductive film has been developed by electron beam evaporation and studied under thermal annealing in air and vacuum at temperatures 100–500℃.Effective subst... A kind of n-type HoF3-doped zinc oxide-based transparent conductive film has been developed by electron beam evaporation and studied under thermal annealing in air and vacuum at temperatures 100–500℃.Effective substitutional dopings of F to O and Ho to Zn are realized for the films with smooth surface morphology and average grain size of about 50 nm.The hall mobility,electron concentration,resistivity and work function for the asdeposited films are 47.89 cm2/Vs,1.39×1020cm-3,9.37×10-4Ω·cm and 5.069 eV,respectively.In addition,the average transmittance in the visible region(400–700 nm)approximates to 87%.The HoF3:ZnO films annealed in air and vacuum can retain good optoelectronic properties under 300℃,thereinto,more stable electrical properties can be found in the air-annealed films than in the vacuum-annealed films,which is assumed to be a result of improved nano-crystalline lattice quality.The optimized films for most parameters can be obtained at 200℃ for the air-annealing case and at room temperature for the vacuum annealing case.The advisable optoelectronic properties imply that HoF3:ZnO can facilitate carrier injection and has promising applications in energy and light sources as transparent electrodes. 展开更多
关键词 ZNO Ho DEPENDENCE of Thermal Annealing on TRANSPARENT CONDUCTING Properties of HoF3-Doped ZNO Thin Films
Y2O3对CoCrFeMnNi高熵合金退火稳定性的影响
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作者 张太超 李俊魁 +1 位作者 杨春辉 吴起鹏 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期195-204,共10页
利用放电等离子烧结技术和真空熔炼技术,制备了CoCrFeMnNi高熵合金,并分析了稀土氧化物Y2O3对CoCrFeMnNi高熵合金退火稳定性的影响。结果显示,未退火CoCrFeMnNi高熵合金均由面心立方结构组成;在800℃退火72 h后,没有添加Y2O3和添加2. 0%... 利用放电等离子烧结技术和真空熔炼技术,制备了CoCrFeMnNi高熵合金,并分析了稀土氧化物Y2O3对CoCrFeMnNi高熵合金退火稳定性的影响。结果显示,未退火CoCrFeMnNi高熵合金均由面心立方结构组成;在800℃退火72 h后,没有添加Y2O3和添加2. 0%(质量分数) Y2O3的CoCrFeMnNi高熵合金中分别析出了层片状的富Cr相和大颗粒状的Cr-Mn相,添加1. 0%Y2O3的合金中退火后则没有第二相生成。退火试验结果与XRD结果一致,表明添加1. 0%Y2O3可提高CoCrFeMnNi高熵合金的退火稳定性。 展开更多
关键词 高熵合金 Y2O3 退火 相稳定性
高阈值电压低界面态增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT
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作者 李茂林 陈万军 +6 位作者 王方洲 施宜军 崔兴涛 信亚杰 刘超 李肇基 张波 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期265-269,290共6页
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止... 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al2O3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al2O3栅介质体缺陷,因此能够减少Al2O3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al2O3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^11 cm^-2)。 展开更多
关键词 增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT) 阈值电压 界面态 热氧化 退火
P91、P92坯料扩氢退火工艺研究 预览
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作者 张光川 周仲成 张程 《大型铸锻件》 2019年第2期43-45,共3页
根据挤压坯料扩氢退火理论,试验优化了P91、P92坯料的扩氢退火工艺曲线,退火时间明显下降,坯料退火后的H含量大幅降低,低倍无白点缺陷,退火组织均匀,各项技术指标满足工艺要求。
关键词 P91 P92 退火 H含量
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铜包铝双金属连铸复合导线退火工艺的研究
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作者 梁贺 《特种铸造及有色合金》 CAS 北大核心 2019年第2期166-169,共4页
采用氮气加压充芯连铸工艺,制备出外径为12mm,内径为8mm的铜包铝双金属复合连棒坯。连铸坯在不经退火的情况下经过多道次拉拔,制备出直径为0.6mm的复合线材。所制备铜包铝复合线表面光滑圆整,无凹痕、裂纹等缺陷,在加工的各个阶段,铜铝... 采用氮气加压充芯连铸工艺,制备出外径为12mm,内径为8mm的铜包铝双金属复合连棒坯。连铸坯在不经退火的情况下经过多道次拉拔,制备出直径为0.6mm的复合线材。所制备铜包铝复合线表面光滑圆整,无凹痕、裂纹等缺陷,在加工的各个阶段,铜铝包覆比基本一定。对拉拔后的复合导线经1h不同温度退火测试,在温度为450℃时获得了较优良的综合性能,其抗拉强度为208.43MPa,伸长率为13.44%,电阻率为2.454×10^-8Ω·m,主要性能符合铜包铝线电子行业标准的要求。 展开更多
关键词 铜包铝 连铸 复合导线 退火
硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量
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作者 许怡红 王尘 +1 位作者 陈松岩 李成 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期297-301,共5页
研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子... 研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌。测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9×10^5/cm^2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低。通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成。 展开更多
关键词 硅缓冲层 锗(Ge) 选区外延生长 超高真空化学气相沉积 退火
126kV GIS接地开关用拐臂断裂失效分析 预览
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作者 史云霞 巫邵波 郑冲 《江苏工程职业技术学院学报》 2019年第1期15-17,共3页
某126kV GIS中的FES故障关合接地开关用拐臂在做寿命测试时突然断裂,通过直读光谱仪(OES)、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、能谱分析仪(EDS)和硬度计,对发生断裂的拐臂进行断裂失效分析。结果表明:试样的化学成分符合国标对ZG40Cr的要求;... 某126kV GIS中的FES故障关合接地开关用拐臂在做寿命测试时突然断裂,通过直读光谱仪(OES)、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、能谱分析仪(EDS)和硬度计,对发生断裂的拐臂进行断裂失效分析。结果表明:试样的化学成分符合国标对ZG40Cr的要求;硬度测试符合零件的技术要求;脆性断裂是拐臂的断裂模式,引起拐臂断裂的直接原因是拐臂材料内存在严重的晶内成分偏析和缩松缩孔。通过长时间退火处理和严格控制铸造工艺可以减少缩松缩孔,从而有效防止拐臂断裂失效。 展开更多
关键词 拐臂 断裂失效分析 成分偏析 退火
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