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硼掺杂Co_(3)O_(4)海胆状微球的制备及其乙醇气敏强化机制 认领
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作者 孙舒 孙丽霞 +3 位作者 文晓慧 张郝为 廖丹葵 孙建华 《化工进展》 EI CAS 北大核心 2021年第3期1537-1544,共8页
四氧化三钴(Co_(3)O_(4))是一种p型半导体,可作为气体传感材料。非金属硼(B)具有吸电子特性,将其与p型半导体气敏材料进行掺杂,可增加材料的空穴载流子浓度,从而提高材料的气敏性能。本文以六水合硝酸钴[Co(NO_(3))2·6H2_(O)]、硼... 四氧化三钴(Co_(3)O_(4))是一种p型半导体,可作为气体传感材料。非金属硼(B)具有吸电子特性,将其与p型半导体气敏材料进行掺杂,可增加材料的空穴载流子浓度,从而提高材料的气敏性能。本文以六水合硝酸钴[Co(NO_(3))2·6H2_(O)]、硼酸(H_(3)BO_(3))和尿素[CO(NH_(2))_(2)]为原料,采用低温一步水热法成功制备了B掺杂Co_(3)O_(4)海胆状微球。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和拉曼光谱仪(Raman)对掺杂B前后的Co_(3)O_(4)进行结构表征,探究B掺杂对其气敏性能的影响。结果表明:B掺杂对Co_(3)O_(4)材料的气敏性能有明显的强化作用。当掺杂摩尔比为Co∶B=8∶1时,B-Co_(3)O_(4)对1×10^(5)μg/L乙醇的最佳工作温度为180℃,灵敏度响应达到26.8,是相同条件下纯Co_(3)O_(4)的4.4倍。B-Co_(3)O_(4)在较低的工作温度下,具有良好的灵敏度、选择性和稳定性,是一种性能优良的气敏材料。 展开更多
关键词 四氧化三钴 硼掺杂 乙醇传感 气敏特性 气敏机制
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含硼金刚石单晶的研究现状 认领
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作者 祁莉霞 蔡玉乐 王裕昌 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2020年第1期39-45,共7页
本文介绍了含硼金刚石的结构特征和硼原子在金刚石单晶中的存在形式,概述了含硼金刚石单晶的电学性能、耐热性能等,总结了行业含硼金刚石单晶的制备方法及存在的主要问题,并对其发展趋势进行了展望。
关键词 含硼金刚石 硼掺杂 抗压强度 冲击韧性
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溶胶-凝胶辅助水热法制备硼掺杂纳米VO2粉体 认领
3
作者 周俏婷 周天滋 +3 位作者 黄春波 历良普 华悦 吕维忠 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期1325-1330,共6页
采用溶胶-凝胶辅助水热法制备了硼掺杂纳米二氧化钒(VO2)粉体,探究了双氧水(H2O2)浓度、水热时间、退火温度、不同硼掺杂剂、硼掺杂量等工艺参数对合成硼掺杂纳米VO2(M)粉体的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)... 采用溶胶-凝胶辅助水热法制备了硼掺杂纳米二氧化钒(VO2)粉体,探究了双氧水(H2O2)浓度、水热时间、退火温度、不同硼掺杂剂、硼掺杂量等工艺参数对合成硼掺杂纳米VO2(M)粉体的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱分析仪(XPS)、电感耦合等离子体光谱仪(ICP)、场发射扫描电镜(SEM)、差示扫描量热仪(DSC)对硼掺杂纳米VO2粉体的结构、形貌和相变特性进行了表征。结果表明:H2O2浓度为15%,水热时间为72 h,退火温度为600℃,硼掺杂剂为硼酸、硼掺杂量≤10 at%为较优合成工艺条件;所制备出的硼掺杂纳米VO2粉体尺寸约为100nm,形貌呈珊瑚状;硼原子成功替代了VO2(M)晶格中的钒原子,当实际掺杂量为0.6 at%时,相变温度降低7.2℃。 展开更多
关键词 二氧化钒 相变温度 硼掺杂
硼掺杂优化Sr2Si5N8:Eu^2+荧光粉的热稳定性研究 认领
4
作者 胡大海 伟乐斯 +2 位作者 马一智 李响 朝克夫 《内蒙古师范大学学报:自然科学汉文版》 CAS 2020年第4期348-352,共5页
采用高温固相法,在常压氮气条件下,可控的制备出纯相的Sr2Si5N8:Eu2+氮化物红粉。进一步通过EuB6、SiB6、SiB4等不同硼源形式引入硼离子,研究了部分B3-替代N3-对Sr2Si5N8:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:当以EuB6+EuN的形式引... 采用高温固相法,在常压氮气条件下,可控的制备出纯相的Sr2Si5N8:Eu2+氮化物红粉。进一步通过EuB6、SiB6、SiB4等不同硼源形式引入硼离子,研究了部分B3-替代N3-对Sr2Si5N8:Eu2+晶体结构和发光性能的影响。结果表明:当以EuB6+EuN的形式引入硼离子时,25℃下Sr2Si5N8-xBx:Eu2+(x=0.3)的发光强度比Sr2Si5N8:Eu2+提高了5.21%;150℃下,相比不含硼的荧光粉发光强度增强了3.10%,荧光粉的热稳定性明显改善。热稳定性的改善归因于B比N具有更强的共价性能,使得Eu-B比Eu-N具有更强的键接强度,引入适量硼离子能够改善发光中心Eu2+周围的晶体场环境,提高晶体的刚性。 展开更多
关键词 Sr2Si5N8Eu^2+ 常压氮化 硼掺杂 热稳定性
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硼掺杂石墨烯对废水中铬(Ⅵ)的吸附性能及吸附机理研究 认领
5
作者 陈锋 马路路 +4 位作者 郭世浩 张谋 袁莹锋 马培 刘帅霞 《应用化工》 CAS CSCD 北大核心 2019年第5期1001-1006,1011共7页
以硼酸为掺杂剂、氧化石墨烯(G)为前驱体,通过一步水热法制备出硼掺杂石墨烯(B-G),并首次利用静态吸附实验研究其对废水中Cr(Ⅵ)的吸附性能和吸附机理。结果表明,硼掺杂可显著提升G对Cr(Ⅵ)的吸附性能,其中B-G-3对Cr(Ⅵ)的吸附效率超过... 以硼酸为掺杂剂、氧化石墨烯(G)为前驱体,通过一步水热法制备出硼掺杂石墨烯(B-G),并首次利用静态吸附实验研究其对废水中Cr(Ⅵ)的吸附性能和吸附机理。结果表明,硼掺杂可显著提升G对Cr(Ⅵ)的吸附性能,其中B-G-3对Cr(Ⅵ)的吸附效率超过80%。吸附Cr(Ⅵ)的最佳pH值为2;吸附率随着投加量的增加而增大,吸附量随着Cr(Ⅵ)初始浓度的增大而增大;温度升高有利于吸附进行。当pH=2,吸附剂投加量为20 mg,Cr(Ⅵ)初始浓度为100 mg/L,45℃条件下吸附12 h,B-G-3对Cr(Ⅵ)的吸附量高达119.5 mg/g。SEM、BET、FTIR、XRD和Raman检测表明,B-G-3为具有微介孔结构的纳米片状无定型碳,比表面积和孔体积分别为192.14 m^2/g和0.50 cm^3/g,且表面带有大量的含氧和含硼官能团。吸附的机理主要为微介孔的物理吸附以及表面含氧及含硼官能团的化学吸附。 展开更多
关键词 石墨烯 硼掺杂 六价铬 吸附性能 吸附机理
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B掺杂对(Al0.2Zr0.8)4/3.8Nb(PO4)3固体电解质性能的影响 认领 被引量:1
6
作者 王岭 马嘉韩 +3 位作者 李跃华 朱靖 周会珠 戴磊 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期300-307,共8页
采用高温固相反应法对(Al0.2Zr0.8)4/3.8Nb(PO4)3的P位进行B掺杂,获得了固体电解质(Al0.2Zr0.8)(4+2x)/3.8NbP3–xBxO12(x=0~0.2)。利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电化学交流阻抗法、直流极化法等对样品的相组成、微观形貌和电... 采用高温固相反应法对(Al0.2Zr0.8)4/3.8Nb(PO4)3的P位进行B掺杂,获得了固体电解质(Al0.2Zr0.8)(4+2x)/3.8NbP3–xBxO12(x=0~0.2)。利用X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、电化学交流阻抗法、直流极化法等对样品的相组成、微观形貌和电性能进行表征。结果表明:不同比例B掺杂的固体电解质(Al0.2Zr0.8)(4+2x)/3.8Nb P3–xBxO12(x=0~0.2)均具有NASICON型三维结构,B掺杂并未影响固体电解质的物相结构;与(Al0.2Zr0.8)4/3.8Nb(PO4)3相比,B掺杂后的样品致密度增大,电导率提高。(Al0.2Zr0.8)4.2/3.8Nb P2.9B0.1O12(x=0.1)具有最大的致密度和最高的电导率。在600℃时,样品电导率达到1.27×10–3 S·cm–1,是未掺杂样品的2倍;直流极化法测试证实,样品为纯Al3+传导,电子传导可忽略不计。 展开更多
关键词 铝离子导体 磷酸铌锆铝 硼掺杂 电导率
沉积温度对硬质合金基体表面硼掺杂金刚石涂层性能的影响 认领 被引量:3
7
作者 沈彬 陈苏琳 孙方宏 《中国有色金属学报:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期729-738,共10页
采用热丝化学气相沉积法在硬质合金基体表面沉积一层硼掺杂金刚石(BDD)薄膜,沉积温度为450~850°C。研究沉积温度对硬质合金基体表面硼掺杂金刚石涂层性能的影响。研究结果表明,硼掺杂明显有助于提高金刚石涂层的生长速率。当沉积... 采用热丝化学气相沉积法在硬质合金基体表面沉积一层硼掺杂金刚石(BDD)薄膜,沉积温度为450~850°C。研究沉积温度对硬质合金基体表面硼掺杂金刚石涂层性能的影响。研究结果表明,硼掺杂明显有助于提高金刚石涂层的生长速率。当沉积温度为650°C时,BDD薄膜在硬质合金基体表面的生长速率可达到544nm/h。这可能是由于反应气体的硼原子降低了薄膜生长的激活能(53.1kJ/mol),从而加快了沉积化学反应速度。此外,拉曼光谱和X射线衍射结果显示,高浓度硼掺杂(750和850°C)会破坏金刚石的晶格结构,从而使薄膜内缺陷增加。综上,硬质合金基体表面BDD薄膜的优选沉积温度范围为600~700°C。 展开更多
关键词 热丝化学气相沉积 金刚石薄膜 硼掺杂 基体温度 硬质合金
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RF-PECVD制备硼掺杂氢化非晶硅氧(a-SiOx∶H)薄膜及其光电特性研究 认领
8
作者 刘小娇 施光辉 +3 位作者 殷俊传 刘虹霞 涂晔 胡志华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1646-1650,共5页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,在不同CO2与硅烷气体流量比(RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0)、衬底温度(TS=200℃)、乙硼烷掺杂浓度(RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%)、高氢稀释比(RH=[H2]/[SiH4]=200)、高气压... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,在不同CO2与硅烷气体流量比(RC=[CO2]/[SiH4]=0.0、0.5、1.0、2.0)、衬底温度(TS=200℃)、乙硼烷掺杂浓度(RB=[B2H6]/[SiH4]=1.5%)、高氢稀释比(RH=[H2]/[SiH4]=200)、高气压(220 Pa)和高功率密度(1 W·cm^-2)条件下制备一系列氢化非晶硅氧(a-SiOx∶H)薄膜。通过分光光度计(UV-VIS)透射谱分析薄膜折射率n、光学带隙Eg与RC的关系;采用绝缘电阻测试仪进行变温暗电导测试,分析讨论暗电导σd、激活能Ea与RC的关系;运用傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄膜的键合模式及薄膜中氧、氢含量进行分析表征。结果显示,随RC增加,薄膜光学带隙展宽,折射率减小,激活能Ea增大,费米能级向导带底移动,薄膜缺陷增多。 展开更多
关键词 氢化非晶硅氧 硼掺杂 激活能 傅里叶红外谱
一步溶剂热法合成硼掺杂石墨烯及其在锂离子电池上的应用 认领
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作者 李亚飞 徐颖 +1 位作者 孙喆 曹晏 《哈尔滨师范大学自然科学学报》 CAS 2018年第4期60-64,共5页
以氧化石墨烯、硼烷四氢呋喃为原料,通过简单的一步溶剂热法合成了硼掺杂石墨烯(B-rGO)材料.采用冷场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱、X射线衍射仪、X射线能谱仪、恒流充放电测试和电化学阻抗测试对B-rGO材料进行表征.结果表明,多孔结... 以氧化石墨烯、硼烷四氢呋喃为原料,通过简单的一步溶剂热法合成了硼掺杂石墨烯(B-rGO)材料.采用冷场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱、X射线衍射仪、X射线能谱仪、恒流充放电测试和电化学阻抗测试对B-rGO材料进行表征.结果表明,多孔结构和硼原子掺杂的协同效应使B-rGO材料展现出优异的锂电性能.在0. 2 A·g^-1的电流密度下,经过100次循环充放电,其可逆容量高达400 mA·h·g^-1.即便在电流密度高达2 A·g^-1,仍能保持200 mA·h·g^-1的可逆容量,展现出杰出的倍率性能. 展开更多
关键词 石墨烯 硼掺杂 锂离子电池 负极材料
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Dual confinement of polysulfides in boron-doped porous carbon sphere/graphene hybrid for advanced Li-S batteries 认领 被引量:1
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作者 Wei Ai Jiewei Li +10 位作者 Zhuzhu Du Chenji Zou Hongfang Du Xin Xu Yu Chen Hongbo Zhang Jianfeng Zhao Changming Li Wei Huang Ting Yu 《纳米研究:英文版》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第9期4562-4573,共12页
由做硼的多孔的碳范围和 graphene (BPCS-G ) 组成的混合结构被设计了并且向解决 polysulfide 梭问题综合了,它是当前的 Li-S 电池的最关键的问题。显示出高表面区域的建议混合结构(870 m <sup>2</sup>??????????????? ... 由做硼的多孔的碳范围和 graphene (BPCS-G ) 组成的混合结构被设计了并且向解决 polysulfide 梭问题综合了,它是当前的 Li-S 电池的最关键的问题。显示出高表面区域的建议混合结构(870 m <sup>2</sup>???????????????  ? €畧湡湩?? 挠瑹獯湩 ?????? ㄠ‰ ????????????? 吠 ?? €?‰ ??????? ‰ ?????????????????????????? £桴?? 展开更多
关键词 纳米技术 纳米材料 材料分析
B掺杂制备Li1+2xMn0.8Fe0.2P1–xBxO4锂电池正极材料 认领 被引量:1
11
作者 赵德 任丽 靳芳芳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-8,共8页
采用水热法制备富锂相正极材料Li1+2xMn0.8Fe0.2P1–xBxO4(x≤0.10),通过X射线衍射、激光粒度仪、扫描电子显微镜对所得样品进行表征。将所得正极材料组装成电池,采用恒流充放电、循环伏安和交流阻抗测试其电化学性能。结果表明:... 采用水热法制备富锂相正极材料Li1+2xMn0.8Fe0.2P1–xBxO4(x≤0.10),通过X射线衍射、激光粒度仪、扫描电子显微镜对所得样品进行表征。将所得正极材料组装成电池,采用恒流充放电、循环伏安和交流阻抗测试其电化学性能。结果表明:B原子进入晶格,取代P原子位置,形成固溶体。当B的取代量x=0.02时,富锂相正极材料Li1.04Mn0.8Fe0.2P0.98B0.02O4的电化学性能最好,0.1C时放电比容量为157.9 mA·h/g、5C时为102.7 mA·h/g,分别优于未经B掺杂的LiMn0.8Fe0.2PO4的149.7和85.3 mA·h/g。 展开更多
关键词 磷酸锰锂 水热法 硼掺杂 锂二次电池
固相热分解法合成硼掺杂TiO2/SO4(2-)及其光催化性能 认领 被引量:2
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作者 郭雨 郭腾 +3 位作者 陈君华 柏雷 叶祥桔 徐卫兵 《精细化工》 CSCD 北大核心 2017年第9期996-1003,共8页
采用固相热分解法制备了一系列B-TiO_2/SO_4~(2-)光催化剂,通过XRD、FTIR、UV-Vis DRS和XPS对其晶相结构和表面化学形态进行了表征,并考察了紫外光和可见光照射下硼掺杂量对降解污染物亚甲基蓝的影响。结果表明,硼原子以填隙方式进入... 采用固相热分解法制备了一系列B-TiO_2/SO_4~(2-)光催化剂,通过XRD、FTIR、UV-Vis DRS和XPS对其晶相结构和表面化学形态进行了表征,并考察了紫外光和可见光照射下硼掺杂量对降解污染物亚甲基蓝的影响。结果表明,硼原子以填隙方式进入氧化钛晶格间隙,且在氧化钛表面形成的Ti—O—B键对表面羟基和表面硫酸化的形成都有显著的影响。UV-Vis DRS分析显示,硼掺杂可以增强TiO_2的紫外光吸收,且随着硼钛物质的量之比的增加TiO_2的可见光吸收能力也随之增强。与二氧化钛(P25)相比,n(B)∶n(Ti)=0.25∶1的氧化钛显示出更好的紫外光和可见光降解活性,光催化效率在紫外光和可见光下分别达到96.66%和81.21%。这归因于硼掺杂氧化钛的能隙减小,表面SO_4~(2-)基团对光生电子/空穴对有效分离以及表面活性羟基的协同作用。 展开更多
关键词 硼掺杂 氧化钛 可见光催化 固相热分解法 催化技术
添加NaBF4对阳极氧化法制备TiO2纳米管光催化剂的影响 认领 被引量:3
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作者 王竹梅 朱晓玲 +2 位作者 李月明 廖润华 沈宗洋 《无机化学学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期970-976,共7页
在阳极氧化电解液中添加NaBF4制得了具可见光活性的B掺杂TiO2纳米管阵列(B/TNTs)。采用扫描电镜(FE-SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)以及X射线光电子能谱(XPS... 在阳极氧化电解液中添加NaBF4制得了具可见光活性的B掺杂TiO2纳米管阵列(B/TNTs)。采用扫描电镜(FE-SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)以及X射线光电子能谱(XPS)对样品进行表征,以亚甲基蓝(MB)的光催化降解为目标反应评价其光催化活性。结果表明:添加NaBF4后,TiO2纳米管表面形貌变化较大;B掺入到TiO2晶格中形成B-O-Ti键;B掺杂使得TiO2纳米管表面羟基量增加、光学带隙能减小、光吸收阀值红移,且B掺杂量越多,其相应值的变化量越大;B掺杂能促进TiO2锐钛矿相的发育,纳米管经550℃煅烧后仍保持未掺杂样品的锐钛矿相结构;NaBF4的最佳添加量为0.6%(w/w)时,所得样品光催化活性最佳,可见光下光催化降解MB的4 h降解率由未添加的39.90%提高至75.15%,且反复使用10次后其光催化性能基本保持不变;总有机碳(TOC)分析结果表明,MB在可见光下能被B/TiO2有效矿化。 展开更多
关键词 B掺杂 TIO2纳米管阵列 可见光 光催化活性
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以新型硼源制备硼掺杂金刚石膜的性能研究 认领 被引量:1
14
作者 王梁 江彩义 +5 位作者 郭胜惠 高冀芸 胡途 杨黎 彭金辉 张利波 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第1期7-12,共6页
采用微波等离子体化学气相沉积技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,制备不同掺硼浓度的金刚石膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、电化学工作站等研究其表面形貌、晶体结构、薄膜质量和电化学性能。结果表明:随硼元素... 采用微波等离子体化学气相沉积技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,制备不同掺硼浓度的金刚石膜。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、电化学工作站等研究其表面形貌、晶体结构、薄膜质量和电化学性能。结果表明:随硼元素含量升高,金刚石膜的晶体颗粒尺寸先减小后增大,电势窗口由3.1V降至2.6V,阳极电流密度由0.022 7mA·cm^-2降至0.011 9mA·cm^-2,但对背景电流及电化学可逆性几乎不影响。 展开更多
关键词 硼掺杂 金刚石膜 电化学性能
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硼掺杂球磨SiGe合金的热电性能 认领 被引量:3
15
作者 徐璟 赵新兵 +1 位作者 朱铁军 何旭昭 《材料科学与工程学报》 CSCD 北大核心 2017年第2期173-176,186共5页
SiGe合金热电材料作为一种传统的高温热电材料一直以来受到广泛关注。本研究通过B在球磨SiGe合金中的P型掺杂,有效增加了材料的载流子浓度,优化材料的电学性能。通过球磨降低材料的晶粒尺寸,增强晶界对声子的散射,降低材料的晶格热导率... SiGe合金热电材料作为一种传统的高温热电材料一直以来受到广泛关注。本研究通过B在球磨SiGe合金中的P型掺杂,有效增加了材料的载流子浓度,优化材料的电学性能。通过球磨降低材料的晶粒尺寸,增强晶界对声子的散射,降低材料的晶格热导率。另外,B掺杂使点缺陷散射和载流子-声子散射得到增强,材料的晶格热导率进一步降低。在室温时,Si0.8Ge0.2B0.04的晶格热导率为~4Wm^-1 K^-1。由于掺杂后电导率提高,热导率降低,因此热电优值zT得到了提高。在850K时,Si0.8Ge0.2B0.04的最大热电优值为0.42,与Si0.8Ge0.2B0.002的样品相比,其优值提高了2.5倍左右。 展开更多
关键词 热电材料 SIGE合金 硼掺杂 晶粒优化
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B,Ru共掺杂TiO2纳米粉体的制备及光催化性能 认领 被引量:1
16
作者 王竹梅 李一平 +3 位作者 刘波 李月明 沈宗洋 左建林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2639-2644,共6页
采用溶胶凝胶法制备了B、Ru共掺杂TiO2纳米粉体,采用XRD、TEM、XPS、FT-IR及UV-Vis等技术对催化剂进行了表征。结果表明:B部分掺入到TiO2晶格间隙中形成B-O-Ti键,部分以B2O3的形式存在;Ru掺入到TiO2晶格;B、Ru掺杂均能抑制TiO2由锐钛... 采用溶胶凝胶法制备了B、Ru共掺杂TiO2纳米粉体,采用XRD、TEM、XPS、FT-IR及UV-Vis等技术对催化剂进行了表征。结果表明:B部分掺入到TiO2晶格间隙中形成B-O-Ti键,部分以B2O3的形式存在;Ru掺入到TiO2晶格;B、Ru掺杂均能抑制TiO2由锐钛矿相向金红石相的转变,同时促使TiO2晶粒细化;B掺杂能减少光生电子-空穴的复合、促进TiO2表面活性基团Ti-OH的生成、减小光学带隙值,而Ru掺杂的这三方面的作用却有限。Ru掺杂降低了TiO2的光催化活性,而B掺杂却能大幅提高了TiO2的光催化活性,因而Ru、B共掺杂样品的光催化活性比仅B掺杂样品还稍低,当B掺杂质量百分数为1.0%时,可见光下光催化降解亚甲基蓝的2 h降解率由未掺杂TiO2的68.5%提高至84.3%。 展开更多
关键词 二氧化钛 硼掺杂 钌掺杂 光催化
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硼掺杂硅翘曲对微加速度计灵敏度的影响 认领
17
作者 彭倍 周吴 +3 位作者 李伦 于慧君 彭鹏 何晓平 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期696-700,共5页
研究了硼掺杂引起的结构翘曲量对微加速度计性能的影响,获取指导微加速度计设计更为准确的物理模型。通过解析计算,结合有限元仿真及实验等方法,研究了不同硼扩散深度对微加速度计灵敏度的影响,得出了不同掺杂状态下微加速度计灵敏度与... 研究了硼掺杂引起的结构翘曲量对微加速度计性能的影响,获取指导微加速度计设计更为准确的物理模型。通过解析计算,结合有限元仿真及实验等方法,研究了不同硼扩散深度对微加速度计灵敏度的影响,得出了不同掺杂状态下微加速度计灵敏度与结构翘曲量之间的关系表达式。理论分析与测试结果表明,考虑翘曲变形的微加速度计的灵敏度比无翘曲时的微加速度计灵敏度减小了约5 m V/g,而当硼扩散深度从90μm变化到120μm时,灵敏度变化量约为2 m V/g。硼掺杂引起的翘曲变形使微加速度计的灵敏度降低,且随着扩散深度增加,灵敏度增大。 展开更多
关键词 硼掺杂 翘曲 微加速度计 灵敏度
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PECVD法制备掺硼纳米金刚石薄膜的工艺研究进展 认领 被引量:3
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作者 熊礼威 彭环洋 +2 位作者 汪建华 崔晓慧 龚国华 《表面技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期40-48,共9页
首先详细介绍了金刚石作为半导体材料的优异性能,然后从应用角度阐述了NCD薄膜掺B后形成半导体材料的优势,接着探讨了影响NCD薄膜性能(电性能、光学性能、生物性能等)的主要工艺条件(包括硼源种类、掺硼浓度、衬底温度、后处理)。... 首先详细介绍了金刚石作为半导体材料的优异性能,然后从应用角度阐述了NCD薄膜掺B后形成半导体材料的优势,接着探讨了影响NCD薄膜性能(电性能、光学性能、生物性能等)的主要工艺条件(包括硼源种类、掺硼浓度、衬底温度、后处理)。研究发现,大多数研究者都采用液态和气态硼源,而固态硼源由于很难液化且浓度不易控制而不常被采用,掺B后NCD薄膜的电阻率急剧下降,紫外波段下透过率可达51%,磁阻效应变好。另外衬底温度对BD-NCD薄膜的质量以及性能都有影响,衬底温度太高,非晶碳含量增加,金刚石质量下降;衬底温度太低,能够进入NCD晶界或晶粒的有效硼原子减少,影响其电学性能、光学性能,在最佳衬底温度工艺下的电导率可达22.3 S/cm,而在电化学性能方面,其电化学窗口可达3.3 V。而选择合适的硼源浓度对BD-NCD的电性能、光学性能、生物性能也非常关键,硼源浓度过大,BD-NCD表面粗糙度和晶粒尺寸增大;硼源浓度过小,产生空穴进行导电的B原子就少,在合适硼源浓度工艺条件下其载流子浓度可达1021 cm-3,折射率可达2.45。还有研究者对BD-NCD薄膜进行后处理工艺(退火、等离子体处理等),发现后处理对其电性能也有一定的影响。因此,选择合适的工艺对生长质量高、性能优异的NCD薄膜尤为重要。最后对BD-NCD薄膜的发展以及后续研究方向进行了展望和期待。 展开更多
关键词 硼掺杂 纳米金刚石薄膜 电性能 硼源浓度 衬底温度
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B掺杂量对TiO2纳米粉体的结构与光催化性能影响研究 认领 被引量:5
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作者 王竹梅 刘波 +3 位作者 谢志翔 李月明 沈宗洋 左建林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期229-235,共7页
采用溶胶凝胶法制备了不同量B掺杂TiO2纳米粉体,采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)等技术对催化剂进行了表征。结果表明:B部分... 采用溶胶凝胶法制备了不同量B掺杂TiO2纳米粉体,采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis)等技术对催化剂进行了表征。结果表明:B部分掺入到TiO2晶格间隙中形成B-O-Ti键,部分以B2O3的形式存在,随着B掺杂量的增加,进入晶格的B比例减少;B掺杂有效抑制了TiO2由锐钛矿相向金红石相的转变,掺杂样品经650℃煅烧后仍为锐钛矿结构,随B掺杂量的增加,其晶粒变小;B掺杂使得TiO2表面羟基量显著增加,且掺杂量越大表面羟基量越多;各掺杂样品的吸收边带没有明显红移,光吸收强度较未掺杂TiO2稍弱,且随着B掺杂量的增加,光吸收能力呈递减趋势。可见光催化降解亚甲基蓝结果表明,B掺杂大大提高了TiO2的光催化活性,这与掺B后晶粒变小,表面羟基量显著增加有关;当B掺杂质量百分数为1.0%时,B/TiO2可见光催化活性最高,达93.40%。 展开更多
关键词 Ti O2 硼掺杂 可见光 光催化降解
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Mono-Vacancy and B-Doped Defects in Carbon Heterojunction Nanodevices 认领
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作者 Ahlam A. El-Barbary Mohamed A. Kamel +2 位作者 Khaled M. Eid Hayam O. Taha Mohamed M. Hassan 《石墨烯(英文)》 2015年第4期84-90,共7页
We present a detailed theoretical study of the behavior of mono-vacancy and B-doped defects in carbon heterojunction nanodevices. We have introduced a complete set of formation energy and surface reactivity calculatio... We present a detailed theoretical study of the behavior of mono-vacancy and B-doped defects in carbon heterojunction nanodevices. We have introduced a complete set of formation energy and surface reactivity calculations, considering a range of different diameters and chiralities of combined carbon nanotubes. We have investigated three distinct combinations of carbon heterojunctions using density functional theory (DFT) and applying B3LYP/3-21g: armchair-armchair herteojunctions, zigzag-zigzag heterojunctions, and zigzag-armchair heterojunctions. We have shown for first time a detailed study of formation energy of mono-vacancy and B-doped defects of carbon heterojunction nanodevices. Our calculations show that the highest surface reactivity is found for the B-doped zigzag-armchair heterojunctions and it is easier to remove the carbon atom from the network of heterojunction armchair-armchair CNTs than the heterojunction zigzag-armchair and zigzag-zigzag CNTs. 展开更多
关键词 Band Gaps CARBON HETEROJUNCTIONS DFT Mono-Vacancy DEFECTS Boron Doping
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