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GLSI多层铜互连阻挡层CMP中铜沟槽剩余厚度的控制
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作者 马腾达 刘玉岭 +2 位作者 杨盛华 徐奕 考政晓 《半导体技术》 CSCD 北大核心 2018年第11期847-851,共5页
GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ... GLSI铜布线阻挡层化学机械抛光(CMP)中铜沟槽剩余厚度(HCu)关系着集成电路的电性能,是集成电路制造工艺重要评定参数之一。使用不同配比的新型弱碱性抛光液对多层铜布线的阻挡层进行CMP,研究了抛光液中不同体积分数的螯合剂FA/OⅡ、氧化剂H2O2和抑菌剂BIT条件下对HCu的影响。结果表明,随着FA/OⅡ体积分数的增加,铜的去除速率(vCu)逐渐变大,当其体积分数增至3. 5%后,vCu呈略微下降态;加入H2O2可使vCu先迅速地增加,在其体积分数增至1. 5%后vCu开始下降。FA/OⅡ型螯合剂、H2O2在低体积分数时对铜均有强去除作用; BIT对铜的抑制作用较大,其体积分数的增加使得vCu不断减小。三者的协同作用实现了对HCu的有效控制。 展开更多
关键词 铜互连 阻挡层 化学机械抛光(CMP) 铜线条剩余厚度 铜去除速率
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