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碲镉汞器件光敏元电容测试与分析 预览
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作者 任士远 林春 +6 位作者 魏彦锋 周松敏 王溪 郭慧君 陈路 丁瑞军 何力 《红外技术》 CSCD 北大核心 2019年第5期413-417,共5页
报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N... 报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度。 展开更多
关键词 HGCDTE 电容 载流子浓度 缓变PN
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